太陽能電池片生產(chǎn)工藝簡介綜述

1、培訓資料前道一制絨工藝制絨目的1消除表面硅片有機物和金屬雜質(zhì)。2. 去處硅片表面機械損傷層。3在硅片表面形成表面組織，增加太陽光的吸收減少反射。工藝流程來料，開盒，檢查，裝片，稱重，配液加液，制絨，甩干，制絨后稱重，絨面檢查，流出。單晶制絨1號機號 槽123456789作用超聲溢流制絨槽超聲噴淋溢流成份檸檬酸/雙氧水+氨水純水NaOH+IPA+Na 2SiO3純水配液6瓶/25L+25L5瓶+3瓶+3瓶補加液100-150g+1L無溫度90/606080常溫時間300/600200/5001200s3003004002號機號 槽123456789作用酸腐制絨槽酸洗溢流酸洗溢流溢流噴淋成份純水H

2、CL純水HF純水配液16L12L補加液時間440420400400200400200200300甩干噴水（S）噴氮（S）延時（S）壓力MPa低速/高速（r/m）溫度30320100.4 0.7200/300128基本原理1#超聲去除有機物和表面機械損傷層。目前采用檸檬酸超聲，和雙氧水與氨水混合超聲。3#4#5#6#制絨利用 NaOH 溶液對單晶硅片進行各向異性腐蝕的特點來制備絨面。當各向異性因子（ 100）面與（ 111）面單晶硅腐蝕速率之比） =10 時，可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體組成 的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點?？梢蕴岣邌尉Ч杼柲茈姵氐亩搪冯娏鳎?從而提高太陽能電

3、池的光轉(zhuǎn)換效率。化學反應方程式：Si+2NaOH+H 2O=Nasio 3+2H 2 f影響因素1.溫度溫度過高，首先就是 IPA 不好控制，溫度一高， IPA 的揮發(fā)很快，氣泡印就會隨之出現(xiàn)，這 樣就大大減少了 PN 結(jié)的有效面積，反應加劇 ,還會出現(xiàn)片子的漂浮，造成碎片率的增加。 可控程度：調(diào)節(jié)機器的設置，可以很好的調(diào)節(jié)溫度。2.時間 金字塔隨時間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數(shù)開始成長；金 字塔密布的絨面已經(jīng)形成， 只是大小不均勻， 反射率也降到比較低的情況； 金字塔向外擴張 兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降。 可控程度：調(diào)節(jié)設備參數(shù)，可以精確的調(diào)

4、節(jié)時間。3.IPA1. 協(xié)助氫氣的釋放。 2.減弱 NaOH 溶液對硅片的腐蝕力度，調(diào)節(jié)各向因子。純NaOH 溶液在高溫下對原子排列比較稀疏的 100 晶面和比較致密的 111 晶面破壞比較大， 各個晶面被腐蝕 而消融， IPA 明顯減弱 NaOH 的腐蝕強度，增加了腐蝕的各向異性，有利于金字塔的成形。 乙醇含量過高，堿溶液對硅溶液腐蝕能力變得很弱，各向異性因子又趨于1。可控程度： 根據(jù)首次配液的含量，及每次大約消耗的量， 來補充一定量的液體，控制精度不 高。4.NaOH 形成金字塔絨面。 NaOH 濃度越高，金字塔體積越小，反應初期，金字塔成核密度近似不受 NaOH 濃度影響，堿溶液的腐蝕性

5、隨 NaOH 濃度變化比較顯著，濃度高的 NaOH 溶液與硅 反映的速度加快，再反應一段時間后，金字塔體積更大。 NaOH 濃度超過一定界限時，各向 異性因子變小，絨面會越來越差，類似于拋光?？煽爻潭龋号c IPA 類似，控制精度不高。5.Na 2SiO 3SI 和 NaOH 反應生產(chǎn)的 Na2SiO3 和加入的 Na2SiO3 能起到緩沖劑的作用， 使反應不至于很劇 烈,變的平緩。 Na 2SiO 3使反應有了更多的起點，生長出的金字塔更均勻，更小一點Na2SiO3多的時候要及時的排掉， Na2SiO3 導熱性差，會影響反應 ,溶液的粘稠度也增加，容易形成水 紋、花藍印和表面斑點。可控程度：很

6、難控制。4#酸洗HCL 去除硅片表面的金屬雜質(zhì) 鹽酸具有酸和絡合劑的雙重作用，氯離子能與多種金屬離子形成可溶與水的絡合物。6#酸洗HF 去除硅片表面氧化層， SiO2+6HF=H 2siF6+2H 2O。 控制點1減薄量 定義：硅片制絨前后的前后重量差?？刂品秶鷨尉?25,硅片厚度在 200土 25微米以上，減薄量在0.5 0.2g；硅片厚度在200 25微米以 上，減薄量在0.4 0.2g。單晶156，首籃減薄量在 0.7 土 0.2g ;以后減薄量在 0.6 土 0.2g。2. 絨面判斷標準：成核密度高，大小適當，均勻?？刂品秶簡尉В航鹱炙叽?10um。3. 外觀無缺口，斑點，裂紋，切

7、割線，戈U痕，凹坑，有無白斑，贓污。異常處理問題原因解決方法硅片表面大部 分發(fā)白，發(fā)白區(qū) 域未出絨面I.NaOH含量偏低，不能充 分進行反應，或者 IPA含 量過高，抑止反應進行。1. 首先判斷原因。2. 增加NaOH的濃度，減少IPA的用量。3. 如果不能調(diào)節(jié)，重新配制溶液。2.如果表現(xiàn)后續(xù)返工可以 處理發(fā)白區(qū)域，則可以斷 定NaOH濃度不夠。采用稀堿超聲。3.表面清潔度不好。延長超聲時間。4.溶液狀態(tài)不夠均勻。1. 對溶液進行充分攪拌，補加溶 液必須先溶解，加入之后必須進 行溶液充分攪拌，使用燒杯或竿 進行“ 8”字形狀攪拌溶液。2. 查看電源控制柜相應的加熱 開關是否都在正常工作。硅片表

8、面有白 斑，部分白斑區(qū) 域出現(xiàn)在不同 硅片同一位置， 白斑區(qū)域明顯 表現(xiàn)為被覆蓋 沒有出絨現(xiàn)象硅片表面的有機物等污染物粘附于硅片表面，阻止硅片制絨。只使用檸檬酸進行超聲，中間對 超聲槽溶液進行更換。硅片過腐，表現(xiàn) 為絨面角錐體 過大，減溥量過 大堿濃度過大或反應溫度過 大，導致在100面上反應 速率遠大于 111面上反 應速率。測試溫度，確定是否為 80度； 稀釋溶液濃度，同時保證溶液的 均勻性；降低下次堿配制的濃 度。晶硅片四邊都有白邊仍有白邊部份硅片反應不 夠充分，這部份對中間無 白邊部份偏厚。換言之， 整個硅片化學反應不夠均 勻，中間部份反應放熱不 易，導致反應激烈。保證溶液均勻，控制硅

9、片中心速 度，增加緩沖劑。硅酸鈉溶液可 視為緩沖劑。硅片兩側(cè)出現(xiàn)“花藍印”的白邊由于溶液中硅酸鈉的濃度 過大，粘稠度增加，使得 承片盒與硅片接觸的地方 得不到充分反應。視花藍印的嚴重程度和數(shù)量。通 常需要對溶液進行部分排放，并 進行補對。鼓泡此時一定要開 啟。雨點氫氣泡粘附或氫氣泡移動 緩慢形成。雨點處的絨面 相對正常區(qū)域主要表現(xiàn)為 制絨不夠。1、及早發(fā)現(xiàn)，并進行IPA補加， 通常會去掉或消弱痕跡。2、即使形成雨點狀不必繼續(xù) 返工，鍍完減反射膜，可以 蓋住。但這并不是成為做出 雨點而不加以改善的理由。制絨時槽內(nèi)硅片區(qū)域性發(fā)白溶液不均勻或硅片本身原 因?qū)е?。長時間制絨未見效果，對相應區(qū) 域進行少

10、許NaOH補充，撒在 相應槽區(qū)域即可；下次制絨之前 需要對溶液攪拌均勻。制絨時硅片漂浮制絨IPA量不足，導致氫氣粘附于硅片表面，沒有 及時被帶走。補加相應IPA量即可。返工處理返工類型返工方法減薄量實測值小于控制計劃規(guī)定下限重新制絨，制絨時間可視實際情況調(diào)整各種硅片表面異常根據(jù)減溥量的大小確疋返工擴散工藝 擴散目的在來料硅片P型硅片的基礎上擴散一層N型磷源，形成 PN結(jié)。擴散原理P0CI3在高溫下（600 C）分解生成五氯化磷（PC）和五氧化二磷（P2O5）,其反應 式如下：5POCI3 =3PCl5+P2O5生成的P2O5在擴散溫度下與硅反應，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反應式如下：

11、2P2O5 + 5Si = 5SiO 2 + 4PPOCI3熱分解時，如果沒有外來的氧（ 。2）參與其分解是不充分的，生成的PCI5是不易分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來O2存在的情況下，PCI5會進一步分解成P2O5并放出氯氣（CI2）其反應式如下：4PCI5+5O2 =2P2O5+10CI 2生成的P2O5又進一步與硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可見，在磷擴散時，為了促使POCI3 充分的分解和避免 PCI5對硅片表面的腐蝕作用， 必須在通氮氣的同時通入一定流量的氧氣。 就這樣POCI3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與硅反應生成SiO2和磷原子，并

12、在硅 片表面形成一層磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中進行擴散。擴散類型1恒定源擴散：在穩(wěn)態(tài)擴散的條件下，單位時間內(nèi)通過垂直于擴散方向的單位面積的擴散質(zhì) 量與該截面處的濃度梯度成正比。2限定源擴散：在再分布過程中，擴散是在限定源的條件下進有的， 整個擴散過程的雜質(zhì)源， 限定于擴散前積累在硅片表面的無限薄層內(nèi)的雜質(zhì)總量，沒有外來雜質(zhì)補充即在硅片表面處的雜質(zhì)流密度。車間使用的是兩步擴散：預淀積 +擴散。預擴散是恒定源擴散，主要是使得硅片表面氣體濃 度一致，保持整批方塊電阻是均勻性。主擴散是限定源擴散，并且在主擴散后通入大氮氣體， 作為推進氣體，加大 PN結(jié)深度。工藝流程TempressStep No.

13、Step NameMessage說明0Load/Uni oadSta nd By等待并準備開始，溫度為Temp.NormaIRecipe:0，舟的位置在起點，只通大 N21Load InBoat In進舟2PaddIe OutBoat Out出漿3RecoveryStabiIize升高溫度，等待溫度達到擴散溫度4StabiIizeStabiIize穩(wěn)定溫度5PrepurgePrepurge預擴散，大N2流量增加，通小N2和。26POCL3 DepDepositi on擴散7PostpurgePostpurge再分布8CooI dow nCooI dow n冷卻，溫度為 Temp.NormaI

14、Recipe:0，只通大29PaddIe InBoat In進漿10Load BoatBoat Out出舟11Retur nLoad/Uni oad返回Step 0,等待開始12Critical Stop Sta nd By緊急停止跳步程序48所rH. 口、 步號時間ZonelZone2Zone3小大干02說明15408508408400250000進舟，準備并升溫，此 時只通大N226008908808800250000將溫度升到擴散的要求，只通大n236008908808801200320002200預擴散，小量小N2和干02,大N2流量增加47008908808800250001000將

15、源氣體反應完全，只通干大N2和O2512008908808801500320002500擴散再分布，通足量的 大N2, 小 N2和干O2612008508408400250001000同步473008508508500250000降低溫度，此時只通大N285408508508500250000出舟并等待開始影響因素1溫度溫度T越高，擴散系數(shù) D越大，擴散速度越快。2時間對于恒定源：時間t越長結(jié)深越深，但表面濃度不變。對于限定源：時間t越長結(jié)深越深，表面濃度越小。3濃度決定濃度是因素：氮氣流量、源溫。表面濃度越大，擴散速度越快。4第三組元主要是摻硼量對擴散的影響，雜質(zhì)增強擴散機制。在二元合金中加

16、入第三元素時，擴散系數(shù)也會發(fā)生變化。摻硼量越大，擴散速率越快。即電阻率越小，越容易擴散?？刂泣c方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。方塊電阻：表面為正方形的半導體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。R=電阻率*L/S,對方塊硅片，長度等于寬度，則 R=電阻率/厚度，方塊電阻(1/ Ns*Xj) Ns：電化學濃度，Xj : 擴散結(jié)深?？刂品秶行姆綁K電阻：單晶：4248。同一硅片擴散方塊電阻中心值不均勻度：小于等于12% (48) 10% ( T)。同一爐擴散方塊電阻中心值不均勻度：小于等于25% (48) 15% (T)。48所擴散過程中問題解決方案問題原因解決方法擴散不到1爐門沒關緊，有源被抽風抽

17、1.由設備人員將爐門重新定走。2攜帶氣體大氮量太小， 不能將源帶到管前。3管口抽風太大。位，確保石英門和石英管口很 好貼合。2增大攜帶氣體大氮的流量。3將石英門旁邊管口抽風減 小。擴散方塊電阻偏咼/ 偏低偏咼：1擴散溫度偏低。2.源量不夠，不能足夠摻 雜。3源溫較低于設置 20度。4石英管飽和不夠。1升高擴散溫度，加大源量 2延長擴散時間。3增加淀積溫度。偏低。1擴散溫度偏咼。2源溫較咼于20度。1減小擴散溫度。2減少擴散時間。3減少淀積溫度。擴散片與片間方塊電阻不均勻擴散溫度不均勻重新拉擴散爐管恒溫擴散后單片上方塊電阻不均勻擴散氣流不均勻，單片上源 沉積不均勻。1.調(diào)整擴散氣流量，加勻流 板

18、。2調(diào)整擴散片與片之間距 離。擴散后硅片上有色斑甩干機擴散前硅片沒甩干調(diào)整甩干機設備及工藝條件擴散過程中偏磷酸滴落長時間擴散后對擴散管定期進行HF浸泡清洗環(huán)境濕度過大增大除濕機功率太陽能電池效率忽咼忽低擴散間或石英管被污染，特 別是在生產(chǎn)線被改造時最明 顯。清洗石英管及石英制品，加強 擴散間工藝衛(wèi)生，強化TCA。擴散方塊電阻正常，但填充 因子偏低。品質(zhì)因子有問題，n趨向于2, J02偏大，表明結(jié)區(qū)復合 嚴重。方法同上Tempress擴散過程中問題解決方案問題原因解決方法方塊電阻在源一側(cè)低，爐口 處高1.爐門與爐管的密封性不 好2尾部排氣嚴重3假片數(shù)量太少1. 調(diào)整爐門密封性2. 減少尾部排氣氣

19、流3. 使用更多的假片單片（交叉）方塊電阻在源 一側(cè)低，爐口處高1. 爐門與爐管的密封性不 好2. 尾部排氣嚴重3. 假片數(shù)量太少1. 調(diào)整爐門密封性2. 減少尾部排氣氣流3. 使用更多的假片單片（交叉）方塊電阻均勻性差1. P0CI3 不夠2. 排氣壓力過高3. 沉積溫度過高1. 增加小N2流量2. 降低排氣壓力3. 降低沉積溫度頂部的方塊電阻低，底部的 高1. 舟被污染2. 校準硅片不是最好的（可 能被磨光）3. 硅片在爐管中的位置太高4. 槳比硅片和爐管溫度低1. 使用新的干凈的舟2. 使用好的校準硅片，而不 阜就*是磨丿光。3. 使用低腳的舟。4. 在升溫步后插入回溫步 驟。邊緣處方塊

20、電阻低，中心高1. 假片被污染2. 校準硅片不是最好的（可 能被磨光）3. 硅片在爐管中的位置太高4. 槳比硅片和爐管溫度低1. 使用新的假片2. 使用好的校準硅片，而不 阜就*是磨丿光3. 使用低腳的舟4. 在升溫步后插入穩(wěn)定溫度步驟方塊電阻均勻性不連續(xù)1. 爐管和舟沒有飽和2. 假片被污染3. 校準硅片不是最好的（可 能被磨光）4. 石英件或硅片臟5. 沿著擴散爐通風6. 氣流不足1. 預先處理爐管和舟2. 使用新的假片3. 使用好的校準硅片，而不阜就*是磨丿光4. 清洗爐管、舟、隔熱包塊 和勻流擋板5. 使用干凈的硅片6. 通過關閉可能的通風孔減 小通風或者減小潔凈室的 過壓。7. 增加

21、N2和干。2流量整管方塊電阻太高1. 沉積時間過短2. 沉積溫度過低3. 推進時間太短4. 推進溫度太低1. 增加沉積時間2. 增加沉積溫度3. 增加推進溫度4. 增加推進溫度整管方塊電阻太低1. 沉積時間過長2. 沉積溫度過高3. 推進時間太長4. 推進溫度太高1. 減少沉積時間2. 減少沉積溫度3. 減少推進溫度4. 減少推進溫度返工處理方塊電阻不在規(guī)定范圍內(nèi)：1輕微超出范圍要求重新擴散，嚴重超出要求重新制絨。2低于范圍要求從新制絨。氧化發(fā)藍：去PSG工序，反面擴散。色斑等由硅片表面問題引起的玷污：去PSG后從新制絨。偏磷酸：去PSG后，重新制絨。三刻蝕工藝刻蝕目的將硅片邊緣的帶有的磷去除

22、干凈，避免PN結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低?？涛g原理采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應， 采用高頻輝光放電反應， 使反應氣體激活成活性粒 子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴散到硅片邊緣，在那里與硅進行反應，形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除。化學公式：CF4+SIO2=SIF4+CO 2工藝流程預抽，主抽，送氣，輝光，抽空，清洗，預抽，主抽，充氣。影響因素1. 射頻功率射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)（耗盡層）造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復合增加。射頻功率太低：會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某

23、些區(qū)域刻蝕不足，導致并聯(lián)電阻下降。2時間刻蝕時間過長：刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大，時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū)，從而導致?lián)p傷區(qū)域高復合?？涛g時間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈，PN結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。4.壓力壓力越大，氣體含量越少，參與反應的氣體也越多，刻蝕也越充份。注意事項1. 操作人員必須隨時觀察氣流量、反射功率、反應室壓力和輝光顏色的穩(wěn)定性。輝光顏色或功率如有異常，應及時報告相關設備人員。必須抽測刻蝕效果，如有異常，重新刻蝕，并通知工藝人員。注意，不能將擴散面弄混。2. 夾具、環(huán)氧板、刻蝕機石英罩等要定期清洗，保持刻蝕間的工藝衛(wèi)生，長

24、時間停止使用， 再次使用之前必須輝光清洗。去磷硅玻璃擴散過程中，POC13分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與Si反應生成SiO2和磷原子，這一含有磷原子的二氧化硅層稱之為磷硅玻璃。基本原理利用HF能SiO2反應，與其反應式為：SiO2+4HF t SiF4f +2出0但是如果HF過量，則SiF4會和HF繼續(xù)反應，總的反應式為：SQ2+6HF t H2SiF 6+2H 2O工藝流程號 槽1234成分HF HCL純水純水純水配液8L 8L時間180220220220注意事項1.插片務必確認擴散面的方向。2. 必須對花籃進行隨時擦拭，更化氫氟酸必須同時對槽進行徹底清洗。 在配制和清洗時，一

25、 定要做好保護措施。有氫氟酸和硅片接觸的地方， 禁止近距離使用照明。硅片在兩個槽中（懸 掛在空中）的停留時間不得過長，防止硅片被氧化。3. 烘干或甩干的時間不能隨便縮短！防止干燥不徹底。當硅片從1號槽氫氟酸中提起時，觀察其表面是否脫水， 如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈； 如果表面還沾有水珠，則表明 磷硅玻璃未被去除干凈?？刂泣c1. 邊緣有效刻蝕寬度小于 0.5mm。2. 側(cè)面導電類型為P型。異常處理工序故障表現(xiàn)診斷措施刻蝕硅片邊緣呈現(xiàn)暗 色（刻通正常為金 屬色）工藝一般不會有 問題，主要是刻蝕 機器出現(xiàn)故障，通 常伴有壓力不穩(wěn) 疋、輝光顏色不正 常、功率和反射功 率超出范圍、氣體 流量偏出

26、設定值 等現(xiàn)象停止使用，要求設備進行檢修。有效刻蝕寬度過 大（鉆刻、刻過現(xiàn) 象）硅片沒有被夾具 加緊，存在縫隙； 硅片沒有被對其； 環(huán)氧板變形，邊緣 向里延伸；加強員工意識，要求操作規(guī)范；更換 出現(xiàn)問題的環(huán)氧板。去PSGPECVD工序存在水紋印清洗后的硅片沒有及時甩干清洗之后的硅片必須立刻甩干，不能 滯留在空氣中。PECVD工序有鍍 膜發(fā)白現(xiàn)象清洗不干凈；甩干 后的硅片在空氣 中暴露時間過長， 導致氧化做返工處理，對硅片必須清洗干凈， 甩干之后的硅片不能放置于空氣中， 必須及時鍍膜，否則重新清洗。返工處理測試邊緣為N型：重新刻蝕。后道四 PECVDPE 目的在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，

27、以增加入射在硅片上的光的透射， 減少反射， 氫原子 攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。其化學反應可以簡單寫成 ： SiH4+NH 3=SiN:H+3H 2?；驹鞵ECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利 用輝光放電 （或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度， 然后通入適量的反應氣體，氣體經(jīng) 一系列化學反應和等離子體反應， 在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子， 它們可以提供化學氣相沉積過程所需的 激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、 激發(fā)和電離過程，生成活 性

28、很高的各種化學基團，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下 才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現(xiàn)?；咎卣?薄膜沉積工藝的低溫化（4MHz ） 沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。2射頻功率增加RF功率通常會改善 SiN膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過1W/cm2時器件會造成嚴重的射頻損傷。3襯底溫度HF 中有足夠低的腐蝕200 C下沉積的氮化PECVD膜的沉積溫度一般為 250400 C。這樣能保證氮化硅薄膜在 速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于硅膜，本征應力很大且為張應力，而溫度高于450C時膜容易龜裂。4氣體流量影響氮

29、化硅膜沉積速率的主要氣體是SiH4。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=220 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區(qū)下游反應氣體因耗盡而降低沉積 速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。5反應氣體濃度SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重 大影響。理想Si3N4的Si/N = 0.75，而PECVD沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，但 多為富硅膜，可寫成 SiN。因此，必須控制氣體中的SiH4濃度，不宜過高，并采用較高的SiN比。除了 Si和N夕卜，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子

30、，即SixNyHZ或SiNx :H。6反應壓力、和反應室尺寸等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。 控制點折射率PECVD氮化硅膜的折射率隨 Si/N比在一定范圍內(nèi)波動，n=1.8-24氮原子含量增加，折射率 降低;硅原子含量增加，折射率增大。此外，還和沉積溫度有關，沉積溫度提高，折射率增 大，這是由于溫度升高使薄膜致密度提高的緣故?？刂品秶?.02.15膜厚：氮化硅膜的厚度?？刂品秶簡尉В?0mm83mm。多晶：導津，76mm89mm ; ROTH&RAU , 70mm83mm。 異常處理故障表現(xiàn)診斷措施Roth & Rau整體鍍膜顏色不 符合要求氮化硅層厚度偏離止常范圍調(diào)整帶速至顏色符合

31、要求，偏紫增加帶 速，偏藍降低帶速。石墨托盤兩邊和 中間鍍膜顏色有 差異兩邊和中間沉積 速率不同調(diào)節(jié)兩邊微波峰值功率或Ton, Toff使鍍膜均勻。部分氣孔堵塞用N2吹掃15-30分鐘，嚴重的要打開 腔室手工通孔，并每半年更換一次gasshower鍍膜顏色不穩(wěn)定微波反射功率異 常，或微波有泄漏停止工藝，重新安裝微波天線或更換石 英管。沉壓后顏色異常折射率不在范圍 內(nèi)調(diào)整NH3和SiH4流量比例使折射率達 到要求。壓強達不到工藝 要求腔體有漏氣重新開腔擦拭密封圈或更換密封圈、 更 換或重裝石英管或其管口密封圈， 嚴重 時用氦檢儀做漏氣點檢查并排除異常。膜層顏色黯淡無 光澤反應腔室漏氣或 氣壓偏咼

32、通知設備人員檢修。SiH4流量過高降低SiH4流量，但要保證折射率正常。腔體內(nèi)有硅片碎 片載板掛鉤變形或傳動軸異常有掛鉤變形的載板要及時更換， 傳動軸 擦拭或有異常請設備檢修。Cart卡在腔體內(nèi)傳感器或傳動軸 異常請設備檢修。CART某部位突 然出現(xiàn)片子偏 溥，位置固疋加熱腔體內(nèi)有碎 片清掃維護時，拿除腔體加熱器上的碎 片，偏薄現(xiàn)象就會消失。島津整體鍍膜顏色不符要求氮化硅層厚度偏離止常范圍調(diào)整鍍膜時間至顏色符合要求， 偏藍減 少時間，偏紅增加時間。CART上邊緣片 子嚴重偏薄，位 置固定一般發(fā)生在清掃 后，或更換泵、泵 油等狀況下，部分 電極板特氣孔堵 塞所致通過更長時間的工藝運行， 打開特氣

33、孔 后即會自行恢復正常。鍍膜顏色不穩(wěn)定氣體流量不穩(wěn)或 電極板異常檢修氣體流量閥或電極板到了壽命，更換電極板。鍍膜時顏色異常折射率不在范圍 內(nèi)調(diào)整NH3和SiH4流量比例和總流量時 折射率達到要求。某腔體由于溫度 過高，超出設定 溫度，造成CART 滯留，不能進入 下一腔體。測溫裝置（熱電 偶）或其附件有問 題，造成測溫偏 差。設備需檢驗測溫裝置并更換備件。電池Rsh突然明 顯異常L/C或H/C腔漏 氣、電極板質(zhì)量問 題，未到了更換期 限，提前到了使用 壽命、清掃時帶入 污染源。若漏氣需設備檢漏并維修； 若電極板原 因，視情況嚴重，可協(xié)調(diào)縮短更換周期， 安排更換電極板；若分析是清掃時污染 的原因

34、，可通過空跑一定時間， 帶出污 染源。清掃后效率突然 嚴重下降。清掃時帶入污染 源所致。正常工藝空跑一段時間，帶出污染源。返工處理膜厚折射率在范圍之外，色澤不勻，鍍膜雜質(zhì)嚴重：去PSG工序把膜去掉，HF10桶，去膜時間900-1000秒，其他槽水洗 360秒。思考與問題氮化硅的顏色是由其厚度不同反射出來的光波長不同決定的，但厚度不同時減反射的功能是一致的，即藍色說明紅綠黃等攜帶主要能量的可見光被利用了。深藍色減反射對波長范圍略寬一些，如淺藍色波，但并不提高電池片效率，因為晶體硅電池只對200-700nm的波長敏感，超過這個范圍就算沒被減反射層偷出去，也是利用不上的。（編者加）五 絲網(wǎng)印刷 基本

35、原理 基本原理： 利用網(wǎng)版圖文部分網(wǎng)孔透墨， 非圖文部分網(wǎng)孔不透墨的基本原理進行印刷。 印刷 時在網(wǎng)版上加入漿料， 刮膠對網(wǎng)版施加一定壓力， 同時朝網(wǎng)版另一端移動。 漿料在移動中從 網(wǎng)孔中擠壓到承印物上， 由于粘性作用而固著在一定范圍之內(nèi)。 由于網(wǎng)版與承印物之間保持 一定的間隙， 網(wǎng)版通過自身的張力產(chǎn)生對刮膠的回彈力， 使網(wǎng)版與承印物只呈移動式線接觸， 而其它部分與承印物為脫離狀態(tài)， 漿料與絲網(wǎng)發(fā)生斷裂運動， 保證了印刷尺寸精度。 刮膠刮 過整個版面后抬起， 同時網(wǎng)版也抬起， 并通過回墨刀將漿料輕刮回初始位置， 完成一個印刷 行程。絲網(wǎng)結(jié)構(gòu) 網(wǎng)版，刮膠，漿料，印刷臺，承印物 漿料體系 銀鋁漿：

36、背面導體，作為背電極，提供可焊性。 鋁漿：背面導體，作為背面電場，收集電流。 銀漿：正面導體，作為正電極，收集電荷。影響因素1. 印刷壓力的影響 在印刷過程中刮膠要對絲網(wǎng)保持一定的壓力， 且這個力必須是適當?shù)摹?印刷壓力過大， 易使 網(wǎng)版、刮膠使用壽命降低，使絲網(wǎng)變形，導致印刷圖形失真。印刷壓力過小，易使?jié){料殘留 在網(wǎng)孔中， 造成虛印和粘網(wǎng)。 在適當?shù)姆秶鷥?nèi)加大印刷壓力， 透墨量會減小 （漿料濕重減小） ， 柵線高度下降，寬度上升。2. 印刷速度的影響 印刷速度的設定必須兼顧產(chǎn)量和印刷質(zhì)量。 對印刷質(zhì)量而言， 印刷速度過快， 漿料進入網(wǎng)孔 的時間就短，對網(wǎng)孔的填充性變差， 印刷出的柵線平整性受

37、損，易產(chǎn)生葫蘆狀柵線。印刷速 度上升，柵線線高上升，線寬下降。印刷速度變慢，下墨量增加，濕重上升。3. 絲網(wǎng)間隙的影響 在其他條件一定的情況下， 絲網(wǎng)間隙與濕重大致有如右圖的關系： 最初兩者幾乎呈比例上升， 之后絲網(wǎng)間隙加大， 濕重降低， 最后突然變?yōu)榱恪?絲網(wǎng)印刷時使用的是曲線的前半段（即呈 比例上升段） 。由此可知，絲網(wǎng)間隙加大，下墨量多，濕重增大。絲網(wǎng)間隙過大，易使印刷 圖形失真；過小，容易粘網(wǎng)。刮膠硬度的影響刮膠材料一般為聚胺脂或氟化橡膠，硬度 60-90A 。刮膠硬度越大，印刷的圖形越精確，原圖的重現(xiàn)性越好。因此，正面柵線的印刷 就需要選用硬度較高刮膠。刮膠硬度小， 其他參數(shù)不變的情

38、況下濕重就大， 線高增加， 線寬 變大。4. 刮膠角度的影響刮膠角度的調(diào)節(jié)范圍為 45-75 度。實際的刮膠角度與漿料有關， 漿料黏度越高， 流動性越差， 需要刮膠對漿料向下的壓力越大， 刮膠角度接就越小。 在印刷壓力作用下， 刮膠與絲網(wǎng)摩擦。 開始一刷時近似直線，刮膠刃口對絲網(wǎng)的壓力很大，隨著印刷次數(shù)增加，刃口呈圓弧形，作 用于絲網(wǎng)單位面積的壓力明顯減小，刮膠刃口處與絲網(wǎng)的實際角度小于 45 度，易使印刷線 條模糊，粘網(wǎng)。在可調(diào)范圍內(nèi)，減小刮膠角度，下墨量增加，濕重加大。刮膠刃口鈍，下墨 量多，線寬大。5. 漿料黏度的影響 印刷時漿料黏度的變化（觸變性）如右圖所示： 漿料的黏度與流動性呈反比

39、，黏度越低， 流動性越大，可在一定程度保證印刷的質(zhì)量。 漿料 黏度過大，透墨性差，印刷時易產(chǎn)生桔皮、小孔。漿料黏度過小，印刷的圖形易擴大（柵線膨脹），產(chǎn)生氣泡、毛邊。6紗厚、膜厚的影響一般情況下，絲網(wǎng)目數(shù)越低，線徑越粗，印刷后的漿料層越高，因此絲網(wǎng)目數(shù)較高時，印刷 后漿料層就低一些。對于同目數(shù)的絲網(wǎng)，紗厚越厚，透墨量越少。在一定范圍內(nèi)，感光膠膜 越厚，下墨量越大，印刷的柵線越高。但膜厚增大，易造成感光膠脫落。7印刷臺面的影響印刷臺面的水平度：印刷時電池片被吸附于印刷臺面，若臺面不平，電池片在負壓下易破裂。一般電池片水平度應小于 0.02mm。印刷臺面與網(wǎng)版的平行度：決定了印刷漿料的一致性。一般

40、二者平行度應小于 0.04mm。印刷臺的重復定位精度：太陽能電池片印刷臺的重復定位 精度需達到 0.01mm。參數(shù)相互關系1. 壓力與間距：壓力越大時，間距也大；因為壓力大時，刮刀與網(wǎng)板接觸的地方凸出來也多，間距小的話，硅片承受的壓力加大，碎片的概率會加大。兩個參數(shù)當中的一個改變，另外一個不改，就可能加大硅片碎的可能性或影響印刷質(zhì)量。2. 印刷速度影響到產(chǎn)能，同時也影響到印刷到硅片漿料的多少。印刷參數(shù)的調(diào)整1. 先把印刷速度改小，以方便在調(diào)試時能很好的觀察（如印刷速度為50mm）。完全松開鎖 定螺絲，并保證刮刀和回刮刀左右的固定螺絲未鎖，能自由活動。2. 先設定印刷間距：印刷間距以漿料能很好的

41、印刷到硅片為宜，無粘片和虛印。（推薦為： 1.5+0.3）3. 在間距定下后，設定印刷壓力。壓力由小到大慢慢加， 加到在印刷時漿料能收干凈就可以。 參數(shù)的調(diào)整4. 在壓力和間距設定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否則再作微調(diào)。（印刷速度未改）5. 合格后，慢慢朝下擰鎖定螺絲，在感覺到鎖定螺絲剛碰到東西時，把鎖定螺絲鎖住。這個動作相當于找到了一個刮膠下降的一個限位，保證刮刀在壓力加大時不會再下壓。6. 然后加快印刷速度，并測印刷重量，如過大，則減速，過小，則加速。（推薦170mm）。 燒結(jié)燒結(jié)目的干燥硅片上的漿料，燃盡漿料的有機組分，使?jié){料和硅片形成良好的歐姆接觸。燒結(jié)對電池片的影響銀漿的燒結(jié)很

42、重要，對電池片電性能影響主要表現(xiàn)在串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻，即FF的變化。鋁漿燒結(jié)的目的使?jié){料中的有機溶劑完全揮發(fā)，并形成完好的鋁硅合金和鋁層。局部的受熱不均和散熱不均可能會導致起包，嚴重的會起鋁珠。背面場經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金，鋁在硅中是作為 P型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復合，從而提高開路電壓和短路 電流，改善對紅外線的響應。燒結(jié)過程1. 室溫300度，溶劑揮發(fā)。2.300500度，有機樹脂分解排出，需要氧氣。3.400度以上，玻璃軟化。4.600度以上，玻璃與減反層反應，實現(xiàn)導電?？刂泣c1. 印刷濕重型號背面電極印刷（g）背電場印刷（g）正面電極印刷（g）M1250.09-0.120

43、.90-1.000.13-0.16P1250.09-0.130.95-1.050.13-0.16M1560.14-0.201.25-1.450.16-0.20P1560.14-0.201.30-1.500.18-0.222印刷外觀無缺印現(xiàn)象，電極圖形無異常，無漏漿現(xiàn)象，印刷均勻，電極無偏移3燒結(jié)翹曲型號ABCM125 P125彎曲度w 2um4um t 2um 4umM156 P156彎曲度w 3um5um t 3um 5um4燒結(jié)外觀無缺口、裂紋、虛印、無斑點、臟污，無鋁包、鋁刺，背電場不掉粉、顏色均勻。異常處理工序故障表現(xiàn)診斷措施印刷燒結(jié)外 觀鋁珠印刷過厚降低印刷厚度，調(diào)整印刷參數(shù)-提高印

44、刷壓力、減小絲網(wǎng)間距絨面過大:提醒制絨工序改善漿料不匹配更換其他型號漿料鋁皰印刷厚度偏薄增大印刷厚度，調(diào)整印刷參數(shù)-降低印刷壓力、增大絲網(wǎng)間距印刷不均勻網(wǎng)版破損更換網(wǎng)版刮膠磨損更換刮膠刮膠安裝不良重新安裝刮膠絨面過大提醒制絨工序改善漿料問題漿料不均勻:重新攪拌漿料異常更換另一個批次的漿料漿料型號更換其他型號漿料翹曲刮膠安裝不良:重新安裝刮膠或者更換新刮膠印刷過厚降低印刷厚度，調(diào)整印刷參數(shù)-提高印刷壓力、減小絲網(wǎng)間距硅片過薄更換抗彎曲漿料網(wǎng)版張力不均勻更換網(wǎng)版硅片厚薄不均原材料問題虛印 斷線印刷頭在印刷行進過程 中抖動需請設備人員進行相應調(diào)整解決網(wǎng)版制版不良:更換網(wǎng)版，反饋供應商印刷參數(shù)設置不合理調(diào)整印刷參數(shù)一加大壓力，減小絲網(wǎng)間隙刮膠翹曲或者破損重新安裝刮膠或者更換新刮膠網(wǎng)版張力不均更換網(wǎng)版堵網(wǎng)擦拭網(wǎng)版或更換網(wǎng)版印刷丿燒纟士 燒結(jié)印刷丿燒士士 燒士外觀印刷臺面或者網(wǎng)框支架 不平需請設備人員進行相應調(diào)整解決部分 區(qū)域 過厚 或者 過薄 甚至 缺印硅片本身厚度不均勻原材料問題印刷臺面或