半導(dǎo)體物理經(jīng)典課件第八章金屬半導(dǎo)體接觸

1、第八章第八章 金屬和半導(dǎo)體的接觸金屬和半導(dǎo)體的接觸 .1 金屬半導(dǎo)體接觸及能級(jí)圖金屬半導(dǎo)體接觸及能級(jí)圖 1. 金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù) 金屬中的電子絕大多數(shù)所處的能級(jí)都金屬中的電子絕大多數(shù)所處的能級(jí)都 低于體外能級(jí)。低于體外能級(jí)。 金屬功函數(shù)金屬功函數(shù)的定義的定義: 真空中靜止電子的真空中靜止電子的 能量能量 E0 與與 金屬的金屬的 EF 能量之差，即能量之差，即 0 () mFm WEE 上式表示一個(gè)起始能量等于費(fèi)米能級(jí)上式表示一個(gè)起始能量等于費(fèi)米能級(jí) 的電子，由金屬內(nèi)部逸出到真空中所的電子，由金屬內(nèi)部逸出到真空中所 需要的最小值。需要的最小值。 金屬中的電子勢(shì)阱金屬中的電

2、子勢(shì)阱 0 E m W EF Wm 越大越大, 金屬對(duì)電子的束縛越強(qiáng)金屬對(duì)電子的束縛越強(qiáng) 在半導(dǎo)體中，導(dǎo)帶底在半導(dǎo)體中，導(dǎo)帶底 EC 和價(jià)帶頂和價(jià)帶頂 EV 一般都比一般都比 E0 低幾個(gè)電子伏特。低幾個(gè)電子伏特。 半導(dǎo)體功函數(shù)半導(dǎo)體功函數(shù)的定義的定義: 真空中靜止電子的真空中靜止電子的 能量能量 E0 與與 半導(dǎo)體的半導(dǎo)體的 EF 能量之差，即能量之差，即 sFs EEW)( 0 Ws 與雜質(zhì)濃度有關(guān)與雜質(zhì)濃度有關(guān) E0 EC EF EV Ws 電子的親合能電子的親合能 C EE 0 2.接觸電勢(shì)差接觸電勢(shì)差 Ev Ws sF E )( m W 0 E C E n E mF E )( 半導(dǎo)體

3、的功函數(shù)又寫為半導(dǎo)體的功函數(shù)又寫為 nsFCs EEEW)( sm WW D （b）間隙很大）間隙很大 (D原子間距原子間距) )( ms VVq C E n E V E F E m W s W 金屬表面負(fù)電金屬表面負(fù)電 半導(dǎo)體表面正電半導(dǎo)體表面正電 Vm: 金屬的電勢(shì)金屬的電勢(shì) Vs : 半導(dǎo)體的電勢(shì)半導(dǎo)體的電勢(shì) smms WWVVq )( 平衡時(shí)平衡時(shí), 無(wú)電子的凈流動(dòng)無(wú)電子的凈流動(dòng). 相對(duì)于相對(duì)于(EF)m, 半導(dǎo)體的半導(dǎo)體的(EF)s下降了下降了 q WW VVV ms smms 接觸電勢(shì)差接觸電勢(shì)差: 金屬和半導(dǎo)體接觸而產(chǎn)生的電勢(shì)差金屬和半導(dǎo)體接觸而產(chǎn)生的電勢(shì)差 Vms. （c）緊密

4、接觸）緊密接觸 F E )( ms VVq nS q m W C E n E V E 半導(dǎo)體表面有空間半導(dǎo)體表面有空間 電荷區(qū)電荷區(qū) 空間電荷區(qū)內(nèi)有電場(chǎng)空間電荷區(qū)內(nèi)有電場(chǎng) 電場(chǎng)造成能帶彎曲電場(chǎng)造成能帶彎曲 E + _ 因表面勢(shì)因表面勢(shì) Vs 0 能帶向上彎曲能帶向上彎曲 qVD 接觸電勢(shì)差一部分降落在空間電荷區(qū)接觸電勢(shì)差一部分降落在空間電荷區(qū), 另一另一 部分降落在金屬和半導(dǎo)體表面之間部分降落在金屬和半導(dǎo)體表面之間 sms ms VV q WW 若若D原子間距原子間距, 電子可自由穿過(guò)間隙電子可自由穿過(guò)間隙, Vms0, 則接觸電勢(shì)差大部分降落在空間電荷區(qū)則接觸電勢(shì)差大部分降落在空間電荷區(qū) s

5、ms VqWW/ )( F E nS q C E V E n E （d）忽略間隙）忽略間隙 qVD 半導(dǎo)體一邊的勢(shì)壘高度半導(dǎo)體一邊的勢(shì)壘高度 0, ssmsD VWWqVqV 金屬一邊的勢(shì)壘高度金屬一邊的勢(shì)壘高度 mnsm nsnDns WEWW EqVEqVq 半導(dǎo)體表面形成一個(gè)正的空間電荷區(qū)半導(dǎo)體表面形成一個(gè)正的空間電荷區(qū) 電場(chǎng)方向由體內(nèi)指向表面電場(chǎng)方向由體內(nèi)指向表面 (VsWs 在勢(shì)壘區(qū)中，空間電荷主要由電離施主形成，在勢(shì)壘區(qū)中，空間電荷主要由電離施主形成， 電子濃度要比體內(nèi)小得多，因此它是一個(gè)高電子濃度要比體內(nèi)小得多，因此它是一個(gè)高 阻的區(qū)域，常稱為阻的區(qū)域，常稱為阻擋層阻擋層。 Wm

6、0) 半導(dǎo)體表面電子的能量低于體內(nèi)的，能半導(dǎo)體表面電子的能量低于體內(nèi)的，能 帶向下彎曲帶向下彎曲 在空間電荷區(qū)中，電子濃度要比體內(nèi)大得多，在空間電荷區(qū)中，電子濃度要比體內(nèi)大得多， 因此它是一個(gè)高電導(dǎo)的區(qū)域，稱為因此它是一個(gè)高電導(dǎo)的區(qū)域，稱為反阻擋層反阻擋層。 Ec Ev EF Ws-Wm -Wm 金屬和金屬和 n 型半導(dǎo)體接觸能帶圖型半導(dǎo)體接觸能帶圖 (WmWs) 反阻擋層薄反阻擋層薄, 高電導(dǎo)高電導(dǎo), 對(duì)接觸電阻影響小對(duì)接觸電阻影響小 能帶向下彎曲能帶向下彎曲, 造成空穴的勢(shì)壘造成空穴的勢(shì)壘, 形成形成 p 型阻擋層型阻擋層 sm WW sm WW 當(dāng)金屬與當(dāng)金屬與 p 型半導(dǎo)體接觸型半導(dǎo)體

7、接觸 能帶向上彎曲能帶向上彎曲, 形成形成 p 型反阻擋層型反阻擋層 Wm Ec Ev Ec Ev 金屬和金屬和p型半導(dǎo)體接觸能帶圖型半導(dǎo)體接觸能帶圖 (a) (b) (a) p型阻擋層型阻擋層(WmWs) PS q PS q smD WWqV F E F E msD WWqV 形成形成n型和型和p型阻擋層的條件型阻擋層的條件 WmWs Wm Ws 時(shí)，在半導(dǎo)體時(shí)，在半導(dǎo)體 表面形成一個(gè)高阻區(qū)域，叫表面形成一個(gè)高阻區(qū)域，叫阻擋層阻擋層 有外加有外加 V 時(shí)，表面勢(shì)為時(shí)，表面勢(shì)為(Vs)0V 無(wú)外加無(wú)外加 V 時(shí)，表面勢(shì)為時(shí)，表面勢(shì)為(Vs)0 電子勢(shì)壘高度為電子勢(shì)壘高度為 )( 0 VVq s

8、 V 與與 (Vs)0 同符號(hào)時(shí)，阻擋層勢(shì)壘提高同符號(hào)時(shí)，阻擋層勢(shì)壘提高 V 與與 (Vs)0 反符號(hào)時(shí)，阻擋層勢(shì)壘下降反符號(hào)時(shí)，阻擋層勢(shì)壘下降 外加電壓對(duì)外加電壓對(duì) n 型阻擋層的影響型阻擋層的影響 (a) V=0 q ns qVD =q(Vs)0 外加電壓對(duì)外加電壓對(duì) n 型阻擋層的影響型阻擋層的影響 (b) V 0 q ns qV q(Vs)0+V 金屬正，半導(dǎo)體負(fù)金屬正，半導(dǎo)體負(fù) 從半到金的電子數(shù)目增加，從半到金的電子數(shù)目增加， 形成從金到半的正向電流，形成從金到半的正向電流， 此電流由多子構(gòu)成此電流由多子構(gòu)成 V , 勢(shì)壘下降越多，勢(shì)壘下降越多， 正向電流越大正向電流越大 因因 Vs

9、0 (c) V 0 金屬負(fù)，半導(dǎo)體正金屬負(fù)，半導(dǎo)體正 - qV q ns q(Vs)0+V 從半到金的電子數(shù)目減少，從半到金的電子數(shù)目減少， 金到半的電子流占優(yōu)勢(shì)金到半的電子流占優(yōu)勢(shì) 形成從半到金的反向電流形成從半到金的反向電流 金屬中的電子要越過(guò)很高的金屬中的電子要越過(guò)很高的 勢(shì)壘勢(shì)壘 q ns，所以反向電流很小，所以反向電流很小 q ns不隨不隨V變，所以從金到半的電子流恒定。變，所以從金到半的電子流恒定。 V , 反向電流飽和反向電流飽和 阻擋層具有整流作用阻擋層具有整流作用 對(duì)對(duì)p型阻擋層型阻擋層 0)( 0 s V V0, 金屬正偏，形成反向電流金屬正偏，形成反向電流 1. 厚阻擋層

10、的厚阻擋層的擴(kuò)散理論擴(kuò)散理論 對(duì)對(duì)n型阻擋層，當(dāng)勢(shì)壘的寬度比電子的型阻擋層，當(dāng)勢(shì)壘的寬度比電子的 平均自由程大得多時(shí)，電子通過(guò)勢(shì)壘區(qū)要發(fā)平均自由程大得多時(shí)，電子通過(guò)勢(shì)壘區(qū)要發(fā) 生多次碰撞。生多次碰撞。 當(dāng)勢(shì)壘高度遠(yuǎn)大于當(dāng)勢(shì)壘高度遠(yuǎn)大于 kT 時(shí)，勢(shì)時(shí)，勢(shì) 壘區(qū)可近似為一個(gè)耗盡層。壘區(qū)可近似為一個(gè)耗盡層。 厚阻擋層厚阻擋層 須同時(shí)考慮漂移和擴(kuò)散須同時(shí)考慮漂移和擴(kuò)散 0 xd x q ns EF Ds qVqV 0 0 V En=q n 耗盡層中，載流子極少，雜質(zhì)全電耗盡層中，載流子極少，雜質(zhì)全電 離，空間電荷完全由電離雜質(zhì)的電荷形成。離，空間電荷完全由電離雜質(zhì)的電荷形成。 這時(shí)的泊松方程是這時(shí)的

11、泊松方程是 若半導(dǎo)體是均勻摻雜的，那么耗盡層中的電若半導(dǎo)體是均勻摻雜的，那么耗盡層中的電 荷密度也是均勻的，等于荷密度也是均勻的，等于qND。 0 )( )( r D qN dx xdV xE 0 r D qN 2 2 dx Vd 0 )0( d xx )( d xx )( d xx )(xVnsd r D xxx qN ) 2 1 ( 2 0 勢(shì)壘寬度勢(shì)壘寬度 2/1 00 2 D sr d qN VV x V與與(Vs)0同號(hào)時(shí)，勢(shì)壘高度提高，勢(shì)壘寬度增大同號(hào)時(shí)，勢(shì)壘高度提高，勢(shì)壘寬度增大 厚度依賴于外加電壓的勢(shì)壘，叫厚度依賴于外加電壓的勢(shì)壘，叫肖特基勢(shì)壘肖特基勢(shì)壘。 考慮漂移和擴(kuò)散，流過(guò)

12、勢(shì)壘的電流密度考慮漂移和擴(kuò)散，流過(guò)勢(shì)壘的電流密度 1exp kT qV JJ sD kT qV VV qN kT q VV qN kT NDq J D D r D ns s r Dcn sD exp 2 exp 2 2/1 0 2/1 0 0 2 00n qn V0 時(shí)，若時(shí)，若 qVkT, 則則 )exp( kT qV JJ sD VkT, 則則 sD JJ JsD 隨電壓變化，不飽和隨電壓變化，不飽和 金屬半導(dǎo)體接觸伏安特性金屬半導(dǎo)體接觸伏安特性 V I 擴(kuò)散理論適用于擴(kuò)散理論適用于 遷移率小的半導(dǎo)體遷移率小的半導(dǎo)體 計(jì)算超越勢(shì)壘的載流子數(shù)目（電流）計(jì)算超越勢(shì)壘的載流子數(shù)目（電流） 就是就

13、是熱電子發(fā)射理論熱電子發(fā)射理論。 2. 熱電子發(fā)射理論熱電子發(fā)射理論 N型阻擋層很薄時(shí)型阻擋層很薄時(shí): 電子的平均自由程遠(yuǎn)大于勢(shì)壘寬度，電子的平均自由程遠(yuǎn)大于勢(shì)壘寬度， 擴(kuò)散理論不再適用擴(kuò)散理論不再適用. 電電子在子在勢(shì)壘區(qū)勢(shì)壘區(qū)的的碰碰撞可忽略，撞可忽略，勢(shì)壘勢(shì)壘高度起作用高度起作用 以以n型阻擋層為例，且假定勢(shì)壘高度型阻擋層為例，且假定勢(shì)壘高度 kTVq s 0 )( 電子從金屬到半導(dǎo)體所面臨的勢(shì)壘高度電子從金屬到半導(dǎo)體所面臨的勢(shì)壘高度 不隨外加電壓變化。從金屬到半導(dǎo)體的電不隨外加電壓變化。從金屬到半導(dǎo)體的電 子流所形成的電流密度子流所形成的電流密度J m s是個(gè)常量，它是個(gè)常量，它 應(yīng)與

14、熱平衡條件下，即應(yīng)與熱平衡條件下，即V=0時(shí)的時(shí)的 J s m大小大小 相等，方向相反。因此，相等，方向相反。因此， )exp(* 2 0 kT q TA JJ ns VmSsm 有效理查遜常數(shù)有效理查遜常數(shù) 3 2* * 4 h kqm A n 熱電子向真空發(fā)射的有效理查遜常數(shù)熱電子向真空發(fā)射的有效理查遜常數(shù) )/(120 22 KcmAA 由上式得到總電流密度為：由上式得到總電流密度為： 1)exp( 1)exp()exp(* 2 kT qV J Tk qV Tk q TA JJJ sT ns smmS kT q TAJ ns sT exp 2* Ge, Si, GaAs的遷移率高，自由程

15、大，它們的的遷移率高，自由程大，它們的 肖特基勢(shì)壘中的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)，主要是多子肖特基勢(shì)壘中的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)，主要是多子 的熱電子發(fā)射。的熱電子發(fā)射。 熱電子發(fā)射理論得到的伏安特性與擴(kuò)散理論熱電子發(fā)射理論得到的伏安特性與擴(kuò)散理論 的一致。的一致。 3. 鏡象力和隧道效應(yīng)的影響鏡象力和隧道效應(yīng)的影響 鍺檢波器的反向特性鍺檢波器的反向特性 若電子距金屬表面的距離為若電子距金屬表面的距離為x，則它與感應(yīng)，則它與感應(yīng) 正電荷之間的吸引力，相當(dāng)于該電子與位正電荷之間的吸引力，相當(dāng)于該電子與位 于于(x)處的等量正電荷之間的吸引力，這處的等量正電荷之間的吸引力，這 個(gè)正電荷稱為個(gè)正電荷稱為鏡象電荷鏡象電荷。

16、在金屬在金屬真空系統(tǒng)中，一個(gè)在金屬外面的電子，真空系統(tǒng)中，一個(gè)在金屬外面的電子， 要在金屬表面感應(yīng)出正電荷，同時(shí)電子要受到要在金屬表面感應(yīng)出正電荷，同時(shí)電子要受到 正電荷的吸引。正電荷的吸引。 （1）鏡象力的影響）鏡象力的影響 + - 鏡象電荷 電子 xnx 鏡鏡 象象 電電 荷荷 這個(gè)吸引力稱為這個(gè)吸引力稱為鏡象力鏡象力，它應(yīng)為，它應(yīng)為 2 0 2 2 0 2 16)2(4x q x q f 把電子從把電子從x點(diǎn)移到無(wú)窮遠(yuǎn)處，電場(chǎng)力所做的功點(diǎn)移到無(wú)窮遠(yuǎn)處，電場(chǎng)力所做的功 x q dx x q fdx x 0 2 0 2 0 2 16 1 16 半導(dǎo)體和金屬接觸時(shí)，在耗盡層中，選半導(dǎo)體和金屬接

17、觸時(shí)，在耗盡層中，選(EF)m 為勢(shì)能零點(diǎn)，由于鏡像力的作用，電子的勢(shì)能為勢(shì)能零點(diǎn)，由于鏡像力的作用，電子的勢(shì)能 2 0 2 0 2 0 2 2 1 16 )( 16 xxx Nq q x q xqV x q d r D ns r r q qns (EF)m0 無(wú)鏡象力 有鏡象力 xm 鏡象勢(shì)能 平衡時(shí)鏡象力對(duì)勢(shì)壘的影響平衡時(shí)鏡象力對(duì)勢(shì)壘的影響 x 電勢(shì)能在電勢(shì)能在 xm 處出現(xiàn)極大值，這個(gè)極大處出現(xiàn)極大值，這個(gè)極大 值發(fā)生在作用于電子上的鏡象力和電場(chǎng)值發(fā)生在作用于電子上的鏡象力和電場(chǎng) 力相平衡的地方，即力相平衡的地方，即 若若 , 從上式得到從上式得到 )( 16 0 0 2 2 0 2 m

18、d r D mr xx Nq x q 2/1 0 )(4 1 dD m XN x md xx 0 勢(shì)壘頂向內(nèi)移動(dòng)，并且引起勢(shì)壘的降低勢(shì)壘頂向內(nèi)移動(dòng)，并且引起勢(shì)壘的降低 q 。 勢(shì)能的極大值小于勢(shì)能的極大值小于qns。這說(shuō)明，鏡象力使。這說(shuō)明，鏡象力使 平衡時(shí)，平衡時(shí)， q 很小，可忽略很小，可忽略 外加電壓非平衡時(shí)，外加電壓非平衡時(shí)， 勢(shì)壘極大值所對(duì)應(yīng)的勢(shì)壘極大值所對(duì)應(yīng)的x值值 2/1 )(4 1 dD m XN x 當(dāng)反向電壓較高時(shí)，勢(shì)壘的降低變得明顯，當(dāng)反向電壓較高時(shí)，勢(shì)壘的降低變得明顯， 鏡象力的影響顯得重要。鏡象力的影響顯得重要。 勢(shì)壘的降低量勢(shì)壘的降低量 4/1 3 0 32 7 0

19、 2 2 4 1 VV Nq xm Nq q D r D dm r D 鏡象力所引起的勢(shì)壘降低量隨反向電壓的增加鏡象力所引起的勢(shì)壘降低量隨反向電壓的增加 而緩慢地增大而緩慢地增大 kT qV VV qN J D D r D sD exp 2 2/1 0 不考慮鏡像力的影響時(shí)不考慮鏡像力的影響時(shí) 考慮鏡像力的影響時(shí)考慮鏡像力的影響時(shí) JsD中的中的kTqVD/exp 變?yōu)樽優(yōu)?kTVq D /exp V , JsD （2）隧道效應(yīng)的影響）隧道效應(yīng)的影響 能量低于勢(shì)壘頂?shù)碾娮佑幸欢ǜ怕蚀┻^(guò)勢(shì)壘，能量低于勢(shì)壘頂?shù)碾娮佑幸欢ǜ怕蚀┻^(guò)勢(shì)壘， 穿透的概率與電子能量和勢(shì)壘厚度有關(guān)穿透的概率與電子能量和勢(shì)壘厚

20、度有關(guān) 隧道效應(yīng)的簡(jiǎn)化模型隧道效應(yīng)的簡(jiǎn)化模型 對(duì)于一定能量的電子，存在一個(gè)臨界勢(shì)壘厚度對(duì)于一定能量的電子，存在一個(gè)臨界勢(shì)壘厚度xc, 若若 xdxc, 則電子完全不能穿過(guò)勢(shì)壘；則電子完全不能穿過(guò)勢(shì)壘； 若若 xdxc, 則勢(shì)壘對(duì)于電子完全透明，即勢(shì)壘降低了則勢(shì)壘對(duì)于電子完全透明，即勢(shì)壘降低了. 金屬一邊的有效勢(shì)壘高度為金屬一邊的有效勢(shì)壘高度為 -qV(x), 若若xcxd cD r D ns cd r D nsc xVV Nq q xx Nq qxqV 2/1 0 3 0 2 2 )( 隧道效應(yīng)引起的勢(shì)壘降低為隧道效應(yīng)引起的勢(shì)壘降低為 cD r D xVV Nq 2/1 0 3 2 反向電壓較

21、高時(shí)，勢(shì)壘的降低才明顯反向電壓較高時(shí)，勢(shì)壘的降低才明顯 鏡像力和隧道效應(yīng)對(duì)反向特性影響顯著鏡像力和隧道效應(yīng)對(duì)反向特性影響顯著 引起勢(shì)壘高度的降低，使反向電流增加引起勢(shì)壘高度的降低，使反向電流增加 反向電壓越大，勢(shì)壘降低越顯著，反向電壓越大，勢(shì)壘降低越顯著， 反向電流越大反向電流越大 4.肖特基勢(shì)壘二極管肖特基勢(shì)壘二極管 肖特基勢(shì)壘二極管的正向電流，主要是肖特基勢(shì)壘二極管的正向電流，主要是 由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子進(jìn)入金屬形成由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子進(jìn)入金屬形成 的，此二極管將有較低的正向?qū)妷?，的，此二極管將有較低的正向?qū)妷海?一般為一般為03V左右，且有更好的高頻特性。左右，且有更好的高頻

22、特性。 利用金屬半導(dǎo)體整流接觸特性制成的二極管利用金屬半導(dǎo)體整流接觸特性制成的二極管 3 少數(shù)載流子的注入少數(shù)載流子的注入 和歐姆接觸和歐姆接觸 1 少數(shù)載流子的注入少數(shù)載流子的注入 N型半導(dǎo)體的勢(shì)壘和阻擋層都是對(duì)電子型半導(dǎo)體的勢(shì)壘和阻擋層都是對(duì)電子 而言，由于空穴所帶電荷與電子電荷符號(hào)而言，由于空穴所帶電荷與電子電荷符號(hào) 相反，相反，電子的阻擋層就是空穴的積累層電子的阻擋層就是空穴的積累層。 空穴的濃度在表面最大空穴的濃度在表面最大 kT qV pp D exp)0( 0 空穴電流的大小，首先決定于阻擋層中空穴電流的大小，首先決定于阻擋層中 的空穴濃度。只要?jiǎng)輭咀銐蚋?，靠近接觸的空穴濃度。只

23、要?jiǎng)輭咀銐蚋?，靠近接觸 面的空穴濃度就可以很高。面的空穴濃度就可以很高。 空穴自表面向內(nèi)部擴(kuò)散。正偏時(shí)，勢(shì)壘降低，空穴自表面向內(nèi)部擴(kuò)散。正偏時(shí)，勢(shì)壘降低， 空穴擴(kuò)散占優(yōu)勢(shì)，形成的電流與電子電流同向?？昭〝U(kuò)散占優(yōu)勢(shì)，形成的電流與電子電流同向。 Ec(0) Ev(0) Ec EF Ev N型反型層中的載流子濃度型反型層中的載流子濃度 如果在接觸面附近，費(fèi)米能級(jí)和價(jià)帶頂?shù)娜绻诮佑|面附近，費(fèi)米能級(jí)和價(jià)帶頂?shù)?距離距離 D qV )()0( FCVF EEEE 則則 p(0) 值應(yīng)和值應(yīng)和 n0 值相近，值相近，n(0)也近似等于也近似等于p0 勢(shì)壘中空穴和電子所處的情況幾乎完全相勢(shì)壘中空穴和電子所處的情況幾乎完全相 同，只是空穴的勢(shì)壘頂在阻擋層的內(nèi)邊界。同，只是空穴的勢(shì)壘頂在阻擋層的內(nèi)邊界。 在加正向電壓時(shí)，空穴將流向半導(dǎo)體，但在加正向電壓時(shí)，空穴將流向半導(dǎo)體，但 它們并不能立即復(fù)合，必然要在阻擋層內(nèi)界它們并不能立即復(fù)合，必然要在阻擋層內(nèi)界 形成一定的積累，然后再依靠擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)繼續(xù)形成一定的積累，然后再依靠擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)繼續(xù) 進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部。進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部。 (EF)m Ec 積累 擴(kuò)散 少數(shù)少數(shù) 載流載流 子的子的 積累積累 上圖說(shuō)明這種積累的效果顯