第一章 氣體放電的基本物理過程

1、 思考下述問題：思考下述問題： 電荷的定向遷移和泄漏電荷的定向遷移和泄漏 質(zhì)點(diǎn)的平均自由行程質(zhì)點(diǎn)的平均自由行程 ：一個(gè)帶電質(zhì)點(diǎn)在向前行進(jìn)：一個(gè)帶電質(zhì)點(diǎn)在向前行進(jìn)1 1cm距離內(nèi)，發(fā)生碰撞距離內(nèi)，發(fā)生碰撞 次數(shù)的倒數(shù)次數(shù)的倒數(shù) 。 質(zhì)點(diǎn)的平均自由行程質(zhì)點(diǎn)的平均自由行程 P T 電子的電子的 要比分子和離子的大得多要比分子和離子的大得多 的性質(zhì)的性質(zhì) 帶電質(zhì)點(diǎn)的遷移率帶電質(zhì)點(diǎn)的遷移率 E V = 遷移率 激勵(lì)、電離和復(fù)合激勵(lì)、電離和復(fù)合 激勵(lì)、電離和復(fù)合激勵(lì)、電離和復(fù)合 氣體氣體電離能電離能 N215.5 O212.5 CO213.7 SF615.6 H215.4 H2O12.7 碰撞電離碰撞電離

2、 中性原子中性原子 電子電子 電子動(dòng)能電子動(dòng)能 2 2 1 eev m 電離能電離能 i W 熱電離熱電離 中性原子中性原子 電子電子 電子動(dòng)能電子動(dòng)能kT 2 3 電離能電離能 i W 在大電弧的情況下發(fā)生 光電離光電離 中性原子中性原子 光子能量光子能量hW = 電離能電離能 i W X X射線、射線、線線 正離子碰撞陰極正離子碰撞陰極 h 電子電子 正離子的能量與金屬電極的逸出功的關(guān)系正離子的能量與金屬電極的逸出功的關(guān)系 一些金屬的逸出功一些金屬的逸出功 金屬金屬逸出功（逸出功（eV) 鋁鋁4.08 銀銀4.73 銅銅4.7 鐵鐵4.48 氧化銅氧化銅5.34 光電子發(fā)射光電子發(fā)射 光電

3、效應(yīng)光電效應(yīng) t Wh 熱電子發(fā)射熱電子發(fā)射 t Wmv 2 1 2 強(qiáng)場發(fā)射強(qiáng)場發(fā)射 真空中、高壓氣體中、液體中、固體中真空中、高壓氣體中、液體中、固體中 mV /108 電場閾值電場閾值 氣體分子要有很高的電負(fù)性氣體分子要有很高的電負(fù)性 t Wmv 2 1 2 電子親和能電子親和能 元素元素電子親合能（電子親合能（eV）電負(fù)性值電負(fù)性值 F4.034.0 Cl3.743.0 Br3.652.8 I3.302.5 h 復(fù)合復(fù)合 中和中和 擴(kuò)散擴(kuò)散 1.2.11.2.1、電子崩、電子崩 1.2.21.2.2、自持放電、自持放電 1.2.31.2.3、巴申定律、巴申定律 1.2.41.2.4、湯

4、遜理論、湯遜理論 1.2.1.1.2.1.電子崩電子崩 初始電子初始電子碰撞電離碰撞電離電子倍增電子倍增碰撞電離碰撞電離電子崩電子崩 崩頭崩頭崩尾崩尾 1.2.1.1.2.1.電子崩電子崩 討論討論與電場及氣壓的關(guān)系與電場及氣壓的關(guān)系 N 1 = exp() i x P l =- E U x i i = 1 exp() i U E a ll =-exp() Bp Ap E a=- 電子碰撞電離系數(shù)電子碰撞電離系數(shù) 1 cm1 cm， 碰撞電離平均次數(shù)碰撞電離平均次數(shù) 1.2.1.1.2.1.電子崩電子崩 x n 0 n dx dn d 0 0 exp x x nndxa 輊 = 犏 臌 1.2

5、.2.1.2.2.自持放電自持放電 電荷泄漏完電荷泄漏完 畢，放電過畢，放電過 程完成程完成 電子崩電子崩放電形成放電形成 電子倍增電子倍增 1.2.2.1.2.2.自持放電自持放電 0 exp d d ndxa 輊 犏= 犏 臌 1 pd nn=- ap nng= 1 a n 0 (exp1)1 d dxga 輊 犏- 犏 臌 1.2.2.1.2.2.自持放電自持放電 (exp() 1)1adg-=均勻電場自持放電條件：均勻電場自持放電條件： 非自持非自持自持對(duì)應(yīng)的電壓自持對(duì)應(yīng)的電壓 1.2.2.1.2.2.自持放電自持放電 電流隨外施電壓的提電流隨外施電壓的提 高而增大，因?yàn)閹щ姼叨龃螅?/p>

6、因?yàn)閹щ?質(zhì)點(diǎn)向電極運(yùn)動(dòng)的速質(zhì)點(diǎn)向電極運(yùn)動(dòng)的速 度加快復(fù)合率減小度加快復(fù)合率減小 電流飽和，帶電質(zhì)電流飽和，帶電質(zhì) 點(diǎn)全部進(jìn)入電極，點(diǎn)全部進(jìn)入電極， 電流僅取決于外電電流僅取決于外電 離因素的強(qiáng)弱（良離因素的強(qiáng)弱（良 好的絕緣狀態(tài)）好的絕緣狀態(tài)） 電流開始增電流開始增 大，由于電大，由于電 子碰撞電離子碰撞電離 引起的引起的 電流急劇上升電流急劇上升 放電過程進(jìn)入放電過程進(jìn)入 了一個(gè)新的階了一個(gè)新的階 段（擊穿）段（擊穿） 外施電壓小于外施電壓小于U U0 0時(shí)的放電是非自持放電。電壓到達(dá)時(shí)的放電是非自持放電。電壓到達(dá)U U0 0后，后， 電流劇增，間隙中電離過程只靠外施電壓已能維持，不再需電

7、流劇增，間隙中電離過程只靠外施電壓已能維持，不再需 要外電離因素。要外電離因素。 自持放電自持放電 起始電壓起始電壓 1.2.3.1.2.3.巴申定律巴申定律 18891889年，巴年，巴 申完成了他申完成了他 的著名實(shí)驗(yàn)的著名實(shí)驗(yàn) 。 1.2.3.1.2.3.巴申定律巴申定律 氣壓下降氣壓下降分子間距增大分子間距增大電子累積能量大電子累積能量大 電子崩電子崩+ +擊穿擊穿 間距過大間距過大 難以碰撞電離難以碰撞電離 1.2.4.1.2.4.湯遜理論湯遜理論 考慮考慮過程：過程： 考慮自持放電臨界條件：考慮自持放電臨界條件： 考慮平均自由程與氣壓的關(guān)系：考慮平均自由程與氣壓的關(guān)系： )exp(

8、 1 = E U i 1=) 1)(exp(ad Ap = 1 1.2.4.1.2.4.湯遜理論湯遜理論 擊穿電壓擊穿電壓U表示為：表示為： () ln 1 ln(1) Bpd Uf pd Apd g = 輊 犏 犏 犏 犏 + 犏 臌 26.66pdkPa cm均勻電場均勻電場 放電時(shí)間較長放電時(shí)間較長 放電特征呈絲狀放電特征呈絲狀 陰極的作用陰極的作用 什么樣的電場是不均勻電場？什么樣的電場是不均勻電場？ 均勻電場：削弱了邊緣效應(yīng)的平行板電極。均勻電場：削弱了邊緣效應(yīng)的平行板電極。 稍不均勻電場：球隙、同軸圓筒狀電極。稍不均勻電場：球隙、同軸圓筒狀電極。 極不均勻電場：棒極不均勻電場：棒-

9、 -板電極，棒板電極，棒- -棒電極棒電極 電場不均勻系數(shù)電場不均勻系數(shù)f f av E E f max = =1 4 1 E 2 E 3 E E 初始電子崩初始電子崩 空間電荷空間電荷 光電離光電離 二次電子崩二次電子崩 注入初崩注入初崩 20d空間電荷作用？空間電荷作用？ 流注流注自持自持 湯遜理論的問題湯遜理論的問題 （長間隙氣隙）（長間隙氣隙） 陰極作用 放電時(shí)間 流注過程 放電通道空間電荷+光電離 正流注：由正極向負(fù)極發(fā)展的流注放電過程。正流注：由正極向負(fù)極發(fā)展的流注放電過程。 發(fā)展速度：發(fā)展速度：3-410e6 m/s 負(fù)流注：由負(fù)極向正極發(fā)展的流注放電過程負(fù)流注：由負(fù)極向正極發(fā)展

10、的流注放電過程 發(fā)展速度：發(fā)展速度： 7-810e5 m/s 正棒負(fù)板放電過程 E 電場加強(qiáng)電場加強(qiáng) ，有利正，有利正 流注發(fā)展流注發(fā)展 電子崩電子崩流注流注場強(qiáng)增大場強(qiáng)增大流注加強(qiáng)流注加強(qiáng)放電放電 正棒負(fù)板電場分布 負(fù)棒正板放電過程 E E 電子崩電子崩流注流注場強(qiáng)不足場強(qiáng)不足流注熄滅流注熄滅 棒極前流棒極前流 注加強(qiáng)注加強(qiáng) 混合質(zhì)通道混合質(zhì)通道 場強(qiáng)增大場強(qiáng)增大流注開始流注開始 放電 負(fù)棒正板電場分布 極性效應(yīng) 不均勻電場氣隙中，正極性放電較不均勻電場氣隙中，正極性放電較 負(fù)極性放電更容易發(fā)生。負(fù)極性放電更容易發(fā)生。 間隙過長（間隙過長（），流注不足以貫通時(shí)，擊穿如），流注不足以貫通時(shí)，擊

11、穿如 何發(fā)生？何發(fā)生？ 熾熱的等離子體通道熾熱的等離子體通道 棒極附近熱電離的作用棒極附近熱電離的作用 引發(fā)放電的條件：a.強(qiáng)電場 b.種子電子 c 放電時(shí)間：nss數(shù)量級(jí) 外施電壓為直流、交流的放電時(shí)間。 若為沖擊電壓，情況將怎樣？ fSb tttt+= 0 s t有效電子有效電子 電極材料電極材料 外施電壓外施電壓 光照情況光照情況 電場均勻度電場均勻度 f t擊穿過程擊穿過程 間隙長度間隙長度 電場均勻度電場均勻度 外施電壓外施電壓 1 1、標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓波、標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓波 OCOC為視在波前為視在波前 OFOF為視在波前時(shí)間為視在波前時(shí)間 OGOG為視在半峰值時(shí)間為視在半峰值時(shí)間

12、 國標(biāo)規(guī)定：國標(biāo)規(guī)定： %2050=sTt %302 . 1=sTf 2 2、標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊截波電壓波、標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊截波電壓波 sT sT c 52= %302 . 1= 1 波前時(shí)間波前時(shí)間/ /截?cái)鄷r(shí)間截?cái)鄷r(shí)間 3 3、標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊電壓波、標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊電壓波 %602500= %20250= sT sT t f 持續(xù)電壓作用下，氣隙的擊穿特性為一持續(xù)電壓作用下，氣隙的擊穿特性為一。 通常用通常用或或來表征。來表征。 沖擊電壓作用下，氣隙的擊穿特性如何表征？沖擊電壓作用下，氣隙的擊穿特性如何表征？ 1. 50% 1. 50%沖擊擊穿電壓沖擊擊穿電壓 時(shí)的電壓，稱為。 工程上采用該值表征氣隙的沖

13、擊擊穿特性，一 般認(rèn)為外施10次沖擊電壓，發(fā)生的電 壓就是該值。 ：U50%與Us之比。均勻或稍不均勻電 場： =1；極不均勻電場： 1 %50 U 2. 2. 伏秒特性（曲線）伏秒特性（曲線） 工程上用間隙上出現(xiàn) 的和 的關(guān)系來表征間 隙在沖擊電壓下的擊 穿特性，稱為 。 保持波形不變保持波形不變 僅改變幅值僅改變幅值 2. 2. 伏秒特性（帶）伏秒特性（帶） 伏秒特性是一個(gè)有 。 工程上通常 或 表示氣隙的擊穿特性。 2. 2. 伏秒特性伏秒特性 1 1）極不均勻電場（大間隙）極不均勻電場（大間隙） 平均擊穿場強(qiáng)較低，放平均擊穿場強(qiáng)較低，放 電時(shí)延較長，只有大大提高電時(shí)延較長，只有大大提高

14、 電壓，才能縮短放電時(shí)延。電壓，才能縮短放電時(shí)延。 S S向左上角上翹向左上角上翹 2 2）較均勻電場（小間隙）較均勻電場（小間隙） 間隙各處場強(qiáng)相差不大，間隙各處場強(qiáng)相差不大， 一但出現(xiàn)電離，很快貫穿整一但出現(xiàn)電離，很快貫穿整 個(gè)間隙，放電時(shí)延短。個(gè)間隙，放電時(shí)延短。 S S只能在很小的時(shí)間內(nèi)只能在很小的時(shí)間內(nèi) 向上翹向上翹 2. 2. 伏秒特性伏秒特性 50%50%沖擊擊穿電壓與伏秒特性曲線比較沖擊擊穿電壓與伏秒特性曲線比較 U50%直觀簡單，但粗略 伏秒特性曲線精確明晰，但繁瑣 1.5.1 1.5.1 電暈放電電暈放電 1.1.概念概念 2.2.物理過程和效應(yīng)物理過程和效應(yīng) 3.3.直流

15、輸電線上的電暈直流輸電線上的電暈 4.4.交流輸電線上的電暈交流輸電線上的電暈 5.5.輸電線路電暈的抑制方法輸電線路電暈的抑制方法 6.6.電暈的應(yīng)用電暈的應(yīng)用 1.5.2 1.5.2 沿面放電沿面放電 1.1.概念概念 2.2.類型及特點(diǎn)類型及特點(diǎn) 3.3.放電電壓提高方法放電電壓提高方法 4.4.濕閃現(xiàn)象濕閃現(xiàn)象 5.5.污閃放電污閃放電 1 1、電暈放電的概念、電暈放電的概念 曲率半徑小的曲率半徑小的 發(fā)生的發(fā)生的 放電。放電。 極不均勻場的一種極不均勻場的一種 特有的自持放電形特有的自持放電形 式。式。 1 1、電暈放電的概念、電暈放電的概念 2 2、電暈放電的物理過程和效應(yīng)、電暈放

16、電的物理過程和效應(yīng) 負(fù)極負(fù)極 正極正極 電離電離正空間電荷作用正空間電荷作用電離加強(qiáng)電離加強(qiáng) 正電荷正電荷電子電子 2 2、電暈放電的物理過程和效應(yīng)、電暈放電的物理過程和效應(yīng) 正極正極 負(fù)極負(fù)極 電離電離正空間電荷作用正空間電荷作用電離減弱電離減弱 正電荷正電荷電子電子 2 2、電暈放電的物理過程和效應(yīng)、電暈放電的物理過程和效應(yīng) 極性效應(yīng)：負(fù)電暈較正電暈容易發(fā)生極性效應(yīng)：負(fù)電暈較正電暈容易發(fā)生 電暈電流的數(shù)量級(jí)：一般為微安級(jí)電暈電流的數(shù)量級(jí)：一般為微安級(jí) 2 2、電暈放電的物理過程和效應(yīng)、電暈放電的物理過程和效應(yīng) 1)、 吱吱的響聲 藍(lán)紫色的暈光 周圍氣體溫度升高 2 2、電暈放電的物理過程和

17、效應(yīng)、電暈放電的物理過程和效應(yīng) 2)、 電子和離子高速運(yùn)動(dòng) 與氣體交換能量 形成電風(fēng) 空氣對(duì)電風(fēng)的反作用 使電暈電極舞動(dòng) 2 2、電暈放電的物理過程和效應(yīng)、電暈放電的物理過程和效應(yīng) 3)、 電暈引發(fā)的高頻脈 沖是造成無線電干擾 的原因之一。 2 2、電暈放電的物理過程和效應(yīng)、電暈放電的物理過程和效應(yīng) 4)、 形成臭氧、一氧化氮、二氧化氮和氨氣等。 產(chǎn)物會(huì)腐蝕金具、有機(jī)絕緣材料，使其老化 ，使用壽命減少。 2 2、電暈放電的物理過程和效應(yīng)、電暈放電的物理過程和效應(yīng) 5)、能量損耗 電暈損耗是電力管理部 門最重視的現(xiàn)象之一。 在有些場合，電暈損耗 的程度非?？捎^。 2 2、電暈放電的物理過程和效應(yīng)

18、、電暈放電的物理過程和效應(yīng) 6)、環(huán)境效應(yīng) 電暈噪聲影響人類的正常工作。 3 3、直流輸電線上的電暈、直流輸電線上的電暈 ) 305. 0 +1 (5 .31= 0 21 r mmEcor ) 298. 0 +1 (3 .30= 0 21 r mmEcor 4 4、交流輸電線上的電暈、交流輸電線上的電暈 ) 298. 0 +1 (4 .21= 0 21 r mmEcor 5 5、輸電線路電暈的抑制方法、輸電線路電暈的抑制方法 對(duì)策對(duì)策：（限制導(dǎo)線的表面場強(qiáng)：（限制導(dǎo)線的表面場強(qiáng) ） 采用分裂導(dǎo)線。采用分裂導(dǎo)線。 對(duì)對(duì)330kV及以上的線路應(yīng)采用分裂導(dǎo)線，例如及以上的線路應(yīng)采用分裂導(dǎo)線，例如33

19、0，500和和750kV 的線路可分別采用二分裂、四分裂和六分裂導(dǎo)線。的線路可分別采用二分裂、四分裂和六分裂導(dǎo)線。 r h r U E 2 ln = 6 6、電暈的應(yīng)用、電暈的應(yīng)用 n 過電壓波過電壓波在傳輸線上行進(jìn)時(shí)，電暈可削弱 其幅值及陡度； n 電暈在靜電除塵靜電除塵、臭氧發(fā)生器臭氧發(fā)生器的應(yīng)用。 n 電暈在上的應(yīng)用。 1 1、沿面放電的一般概念、沿面放電的一般概念 為什么要討論沿面放電？為什么要討論沿面放電？ 復(fù)合絕緣子上的爬電現(xiàn)象；復(fù)合絕緣子上的爬電現(xiàn)象； GISGIS支撐絕緣子上的放電；支撐絕緣子上的放電； 開關(guān)柜中的爬電；開關(guān)柜中的爬電； 1 1、沿面放電的一般概念、沿面放電的一

20、般概念 n 沿固體-氣體發(fā)生的放電現(xiàn)象。 的沿面放電稱為。 1 1、沿面放電的一般概念、沿面放電的一般概念 沿面閃絡(luò)的基本特性： 無機(jī)介質(zhì)（陶瓷、玻璃）：閃絡(luò)后電氣強(qiáng)度可 恢復(fù)。有機(jī)介質(zhì)：電痕破壞。 1 1、沿面放電的一般概念、沿面放電的一般概念 沿面閃絡(luò)的基本特性： 沿面沿面要比等間隙下的擊穿電壓低，因此，設(shè) 備絕緣的性能通常由沿面閃絡(luò)電壓決定。 沿面閃絡(luò)受絕緣的影響很大， 下，閃絡(luò)過程的差別很大。因此有和 之分。 沿面放電的過程受影響較大。 2 2、沿面放電的類型和特點(diǎn)、沿面放電的類型和特點(diǎn) a. 固體介質(zhì)處于均勻電場中，且界面與電力線平行。 2 2、沿面放電的類型和特點(diǎn)、沿面放電的類型和

21、特點(diǎn) b. 固體介質(zhì)處于極不均勻電場中，界面的法向分量遠(yuǎn) 大于切向分量。 2 2、沿面放電的類型和特點(diǎn)、沿面放電的類型和特點(diǎn) c. 固體介質(zhì)處于極不均勻電場中，且界面處的切向電 場遠(yuǎn)大于法向電場。 2 2、沿面放電的類型和特點(diǎn)、沿面放電的類型和特點(diǎn) 沿面放電：沿面放電：均勻電場中，固體介質(zhì)的引入似乎并不影響電極間的電場分 布，但放電總是發(fā)生在界面放電總是發(fā)生在界面，且閃絡(luò)電壓比空氣間隙的擊穿電壓要低得閃絡(luò)電壓比空氣間隙的擊穿電壓要低得 多多。 不同介質(zhì)的沿面閃絡(luò)電壓 空氣間隙 石蠟 瓷 與電極接 觸不緊密 的瓷 特點(diǎn)：特點(diǎn)： （1）沿面閃絡(luò)電壓與固體絕緣 材料特性有關(guān)； （2）介質(zhì)表面粗糙，也

22、會(huì)使電 場分布畸變，從而使閃絡(luò)電壓降 低； 均勻電場中的沿面放電均勻電場中的沿面放電 2 2、沿面放電的類型和特點(diǎn)、沿面放電的類型和特點(diǎn)均勻電場中的沿面放電均勻電場中的沿面放電 （3）固體介質(zhì)是否與電極緊密接觸對(duì)閃絡(luò)電壓有影響。 充充SFSF6 6氣體的同軸圓柱電極中支撐與電極氣體的同軸圓柱電極中支撐與電極 接觸的好壞對(duì)沿面閃絡(luò)電壓的影響接觸的好壞對(duì)沿面閃絡(luò)電壓的影響 純純SFSF6 6 接觸良好接觸良好 接觸不良接觸不良 對(duì)于支柱絕緣子，內(nèi)屏蔽電極可以提高沿面閃絡(luò)電壓。內(nèi)屏蔽電極 有一最佳深度，約10 cm左右。 支柱絕緣子的內(nèi)屏蔽電極深度支柱絕緣子的內(nèi)屏蔽電極深度 對(duì)雷電沖擊閃絡(luò)電壓的影響

23、對(duì)雷電沖擊閃絡(luò)電壓的影響 正極性正極性 負(fù)極性負(fù)極性 2 2、沿面放電的類型和特點(diǎn)、沿面放電的類型和特點(diǎn)極不均勻電場中的沿面放電極不均勻電場中的沿面放電 表面具有強(qiáng)垂直電場分量表面具有強(qiáng)垂直電場分量 沿套管表面放電的示意圖沿套管表面放電的示意圖 （a）電暈放電）電暈放電 （b）細(xì)線狀輝光放電）細(xì)線狀輝光放電（c）滑閃放電）滑閃放電 3 3、沿面放電電壓的影響因素和提高方法、沿面放電電壓的影響因素和提高方法 1). 固體介質(zhì)材料種類固體介質(zhì)材料種類: 根據(jù)固體材料的憎水性或親水性， 選擇適當(dāng)?shù)牟牧稀?表面具有強(qiáng)垂直電場分量表面具有強(qiáng)垂直電場分量 提高套管的電暈起始電壓和滑閃 放電電壓的方法：2.

24、 改善電場改善電場 （1）減小比電容減小比電容，例如增大固體 介質(zhì)的厚度，特別是加大法蘭處套 管的外徑；也可采用介電常數(shù)較小 的介質(zhì)，例如用瓷油組合絕緣代 替純瓷介質(zhì)。 （2）減小絕緣表面電阻減小絕緣表面電阻，即減小 介質(zhì)表面電阻率。例如在套管靠近 接地法蘭處涂半導(dǎo)體釉；在電機(jī)絕 緣的出槽口部分涂半導(dǎo)體漆等。 等值電路等值電路 3 3、沿面放電電壓的影響因素和提高方法、沿面放電電壓的影響因素和提高方法 4 4、濕閃現(xiàn)象、濕閃現(xiàn)象 輸電線路或變電站的戶外絕緣子，運(yùn)行條件惡劣，復(fù)雜輸電線路或變電站的戶外絕緣子，運(yùn)行條件惡劣，復(fù)雜 a. a. 。 b. b. 。 c. c. d. d. 4 4、濕閃

25、現(xiàn)象、濕閃現(xiàn)象 絕緣子表面的沿面閃絡(luò)現(xiàn)象稱為 。 ：若工業(yè)水導(dǎo)電率 很高，濕閃電壓可以下 降至干閃電壓的40%-50%。 ：擊穿特性以氣隙 為主，不會(huì)比干閃電壓 下降太多。 ：連續(xù)的水柱使得 閃絡(luò)電壓大幅下降。 n干燥干燥條件下，污染物一般不導(dǎo)電： n大雨滂沱時(shí)，污染物會(huì)被沖刷掉； n毛毛雨時(shí)污染物被潤濕，電導(dǎo)率增大，泄漏電流 隨之增大產(chǎn)生最先放電局部電弧繼續(xù) ，使放電延續(xù)局部電弧貫穿兩極形成沿 面閃絡(luò)。 這個(gè)電弧增大的過程，稱為。 5. 5. 污閃放電污閃放電 積聚污穢受潮干區(qū)形成局部電弧 高壓 接地 E 等值附鹽密度：絕緣子表面每平方厘米面積上沉積等值附鹽密度：絕緣子表面每平方厘米面積上沉積 的等效的等效NaClNaCl的質(zhì)量數(shù)的質(zhì)量數(shù)(mg)(mg)。 所謂等效：是在電導(dǎo)率上等效。所謂等效：是在電導(dǎo)率上等效。 300 ml300 ml 污穢 等級(jí) 污濕特征 鹽密(mg/cm2) 線路 發(fā)電廠 變電所 0大氣清潔地區(qū)及離海岸鹽場50km以上無明顯污染地區(qū)0.03 大氣輕度污染地區(qū)，工業(yè)區(qū)和人口低密