晶體、晶粒、晶胞、晶格

1、晶體、晶粒、晶胞、晶格晶體百科名片晶體即是內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間呈周期性重復(fù)排列的固體。目錄概述 1. 晶體有三個(gè)特征 2. 晶體的共性 3. 晶體組成 4. 幾何形狀 5. 晶體結(jié)構(gòu) 6. 類別實(shí)例簡介 晶體的基本性質(zhì) 共性 種類 晶體對稱性 預(yù)制 晶體缺陷 幾點(diǎn)缺陷 線缺陷 1. 刃型位錯(cuò) 2. 螺型位錯(cuò) 3. 刃型位錯(cuò)與螺型位錯(cuò)區(qū)別 4. 主要從各自特點(diǎn)區(qū)別面缺陷 1. 晶面 2. 晶界 3. 堆垛層錯(cuò)可偏離化合式的化合物 1. 非化學(xué)計(jì)量化合物缺陷有四種類型 2. 也可看成部分O由晶格逸出變成氣體 3. 陽離子過剩 4. 負(fù)電子過剩 5. 負(fù)離子過剩形成正離子空位晶體熔沸點(diǎn)的比較 1. 不

2、同晶體類型的熔沸點(diǎn)高低規(guī)律 2. 同種類型晶體的熔沸點(diǎn)高低規(guī)律結(jié)晶 區(qū)別概述 1. 晶體有三個(gè)特征 2. 晶體的共性 3. 晶體組成 4. 幾何形狀 5. 晶體結(jié)構(gòu) 6. 類別實(shí)例簡介晶體的基本性質(zhì)共性種類晶體對稱性預(yù)制晶體缺陷 幾點(diǎn)缺陷 線缺陷 1. 刃型位錯(cuò) 2. 螺型位錯(cuò) 3. 刃型位錯(cuò)與螺型位錯(cuò)區(qū)別 4. 主要從各自特點(diǎn)區(qū)別 面缺陷 1. 晶面 2. 晶界 3. 堆垛層錯(cuò) 可偏離化合式的化合物 1. 非化學(xué)計(jì)量化合物缺陷有四種類型 2. 也可看成部分O由晶格逸出變成氣體 3. 陽離子過剩 4. 負(fù)電子過剩 5. 負(fù)離子過剩形成正離子空位 晶體熔沸點(diǎn)的比較 1. 不同晶體類型的熔沸點(diǎn)高低

3、規(guī)律 2. 同種類型晶體的熔沸點(diǎn)高低規(guī)律 結(jié)晶 區(qū)別展開編輯本段概述晶體有三個(gè)特征(1)晶體有整齊規(guī)則的幾何外形； (2)晶體有固定的熔點(diǎn)，在熔化過程中，溫度始終保持 晶體1不變； (3)晶體有各向異性的特點(diǎn)。 固態(tài)物質(zhì)有晶體與非晶態(tài)物質(zhì)(無定形固體)之分，而無定形固體不具有上述特點(diǎn)。 晶體是內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間成周期性重復(fù)排列的固體，具有長程有序，并成周期性重復(fù)排列。 非晶體是內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間不成周期性重復(fù)排列的固體，具有近程有序，但不具有長程有序。如玻璃。外形為無規(guī)則形狀的固體。 晶體的共性 合成鉍單晶1、長程有序：晶體內(nèi)部原子在至少在微米級范圍內(nèi)的規(guī)則排列。 2、均勻性：晶體內(nèi)部各個(gè)部分

4、的宏觀性質(zhì)是相同的。 3、各向異性：晶體中不同的方向上具有不同的物理性質(zhì)。 4、對稱性：晶體的理想外形和晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)都具有特定的對稱性。 5、自限性：晶體具有自發(fā)地形成封閉幾何多面體的特性。 6、解理性：晶體具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì)。 7、最小內(nèi)能：成型晶體內(nèi)能最小。 8、晶面角守恒：屬于同種晶體的兩個(gè)對應(yīng)晶面之間的夾角恒定不變。 晶體組成組成晶體的結(jié)構(gòu)微粒(分子、原子、離子)在空間有規(guī)則地排列在一定的點(diǎn)上，這些點(diǎn)群有一定的幾何形狀，叫做晶格。排有結(jié)構(gòu)粒子的那些點(diǎn)叫做晶格的結(jié)點(diǎn)。金剛石、石墨、食鹽的晶體模型，實(shí)際上是它們的晶格模型。 晶體按其結(jié)構(gòu)粒子和作用力的不同可分為四類：離子晶體

5、、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。 固體可分為晶體、非晶體和準(zhǔn)晶體三大類。 具有整齊規(guī)則的幾何外形、固定熔點(diǎn)和各向異性的固態(tài)物質(zhì)，是物質(zhì)存在的一種基本形式。固態(tài)物質(zhì)是否為晶體，一般可由X射線衍射法予以鑒定。 晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的質(zhì)點(diǎn)(原子、離子、分子)有規(guī)則地在三維空間呈周期性重復(fù)排列，組成一定形式的晶格，外形上表現(xiàn)為一定形狀的幾何多面體。組成某種幾何多面體的平面稱為晶面，由于生長的條件不同，晶體在外形上可能有些歪斜，但同種晶體晶面間夾角(晶面角)是一定的，稱為晶面角不變原理。 晶體按其內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為七大晶系和14種晶格類型。晶體都有一定的對稱性，有32種對稱元素系，對應(yīng)的對稱動(dòng)作群稱做晶體系點(diǎn)群。

6、按照內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)間作用力性質(zhì)不同，晶體可分為離子晶體、原子晶體、分子晶體、金屬晶體等四大典型晶體，如食鹽、金剛石、干冰和各種金屬等。同一晶體也有單晶和多晶(或粉晶)的區(qū)別。在實(shí)際中還存在混合型晶體。 晶體說到晶體，還得從結(jié)晶談起。大家知道，所有物質(zhì)都是由原子或分子構(gòu)成的。眾所周知，物質(zhì)有三種聚集形態(tài)：氣體、液體和固體。但是，你知道根據(jù)其內(nèi)部構(gòu)造特點(diǎn)，固體又可分為幾類嗎？研究表明，固體可分為晶體、非晶體和準(zhǔn)晶體三大類。 幾何形狀晶體通常呈現(xiàn)規(guī)則的幾何形狀，就像有人特意加工出來的一樣。其內(nèi)部原子的排列十分規(guī)整嚴(yán)格，比士兵的方陣還要整齊得多。如果把晶體中任意一個(gè)原子沿某一方向平移一定距離，必能找到一個(gè)同

7、樣的原子。而玻璃、珍珠、瀝青、塑料等非晶體，內(nèi)部原子的排列則是雜亂無章的。準(zhǔn)晶體是最近發(fā)現(xiàn)的一類新物質(zhì)，其內(nèi)部排列既不同于晶體，也不同于非晶體。 究竟什么樣的物質(zhì)才能算作晶體呢？首先，除液晶外，晶體一般是固體形態(tài) 。其次，組成物質(zhì)的原子、分子或離子具有規(guī)律、周期性的排列，這樣的物質(zhì)就是晶體。 但僅從外觀上，用肉眼很難區(qū)分晶體、非晶體與準(zhǔn)晶體。那么，如何才能快速鑒定出它們呢？一種最常用的技術(shù)是X光技術(shù)。用X光對固體進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析，你很快就會(huì)發(fā)現(xiàn)，晶體和非晶體、準(zhǔn)晶體是截然不同的三類固體。 晶體結(jié)構(gòu)為了描述晶體的結(jié)構(gòu)，我們把構(gòu)成晶體的原子當(dāng)成一個(gè)點(diǎn)，再用假想的線段將這些代表原子的各點(diǎn)連接起來，就繪成

8、了像圖中所表示的格架式空間結(jié)構(gòu)。這種用來描述原子在晶體中排列的幾何空間格架，稱為晶格。由于晶體中原子的排列是有規(guī)律的，可以從晶格中拿出一個(gè)完全能夠表達(dá)晶格結(jié)構(gòu)的最小單元，這個(gè)最小單元就叫作晶胞。許多取向相同的晶胞組成晶粒，由取向不同的晶粒組成的物體，叫做多晶體，而單晶體內(nèi)所有的晶胞取向完全一致，常見的單晶如單晶硅、單晶石英。大家最常見到的一般是多晶體。 由于物質(zhì)內(nèi)部原子排列的明顯差異，導(dǎo)致了晶體與非晶體物理化學(xué)性質(zhì)的巨大差異。例如，晶體有固定的熔點(diǎn)，當(dāng)溫度高到某一溫度便立即熔化；而玻璃及其它非晶體則沒有固定的熔點(diǎn)，從軟化到熔化是一個(gè)較大的溫度范圍。 我們吃的鹽是氯化鈉的結(jié)晶，味精是谷氨酸鈉的結(jié)

9、晶，冬天窗戶玻璃上的冰花和天上飄下的雪花，是水的結(jié)晶。我們可以這樣說：“熠熠閃光的不一定是晶體，樸實(shí)無華、不能閃光的未必就不是晶體”。不是嗎？每家廚房中常見的砂糖、堿是晶體，每個(gè)人身上的牙齒、骨骼是晶體，工業(yè)中的礦物巖石是晶體，日常見到的各種金屬及合金制品也屬晶體，就連地上的泥土砂石都是晶體。我們身邊的固體物質(zhì)中，除了常被我們誤以為是晶體的玻璃、松香、琥珀、珍珠等之外，幾乎都是晶體。晶體離我們并不遙遠(yuǎn)，它就在我們的日常生活中。 晶體組成晶體的結(jié)構(gòu)粒子（分子、原子、離子）在三維空間有規(guī)則地排列在一定的點(diǎn)上，這些點(diǎn)周期性地構(gòu)成有一定幾何形狀的無限格子，叫做晶格。按照晶體的現(xiàn)代點(diǎn)陣?yán)碚摚瑯?gòu)成晶體結(jié)構(gòu)

10、的原子、分子或離子都能抽象為幾何學(xué)上的點(diǎn)。這些沒有大小、沒有質(zhì)量、不可分辨的點(diǎn)在空間排布形成的圖形叫做點(diǎn)陣，以此表示晶體中結(jié)構(gòu)粒子的排布規(guī)律。構(gòu)成點(diǎn)陣的點(diǎn)叫做陣點(diǎn)，陣點(diǎn)代表的化學(xué)內(nèi)容叫做結(jié)構(gòu)基元。因此，晶格也可以看成點(diǎn)陣上的點(diǎn)所構(gòu)成的點(diǎn)群集合。對于一個(gè)確定的空間點(diǎn)陣，可以按選擇的向量將它劃分成很多平行六面體，每個(gè)平行六面體叫一個(gè)單位，并以對稱性高、體積小、含點(diǎn)陣點(diǎn)少的單位為其正當(dāng)格子。晶格就是由這些格子周期性地?zé)o限延伸而成的?？臻g正當(dāng)格子只有7種形狀（對應(yīng)于7個(gè)晶系），14種型式它們是簡單立方、體心立方、面心立方；簡單三方；簡單六方；簡單四方、體心四方；簡單正交、底心正交、體心正交、面心正交；

11、簡單單斜、底心單斜；簡單三斜格子等。晶格的強(qiáng)度由晶格能（或稱點(diǎn)）。 類別實(shí)例1立方晶系 鉆石 明礬 金 鐵 鉛 2正方晶系 錫 金紅石 白鎢石 3斜方晶系 硫 碘 硝酸銀 4單斜晶系 硼砂 蔗糖 石膏 5三斜晶系 硫酸銅 硼酸 6三方（菱形）晶系 砷 水晶 冰 石墨 7六方晶系 鎂 鋅 鈹 鎘 鈣 晶體編輯本段簡介晶體是原子、離子或分子按照一定的周期性在空間排列形成在結(jié)晶過程中形成具有一定規(guī)則的幾何外形的固體。晶體通常呈現(xiàn)規(guī)則的幾何形狀，就像有人特意加工出來的一樣。其內(nèi)部原子的排列十分規(guī)整嚴(yán)格，比士兵的方陣還要整齊得多。如果把晶體中任意一個(gè)原子沿某一方向平移一定距離，必能找到一個(gè)同樣的原子。而

12、玻璃、珍珠、瀝青、塑料等非晶體，內(nèi)部原子的排列則是雜亂無章的。準(zhǔn)晶體是最近發(fā)現(xiàn)的一類新物質(zhì)，其內(nèi)部排列既不同于晶體，也不同于非晶體。 晶體按其結(jié)構(gòu)粒子和作用力的不同可分為四類：離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。固體可分為晶體、非晶體和準(zhǔn)晶體三大類。 具有整齊規(guī)則的幾何外形、固定熔點(diǎn)和各向異性的固態(tài)物質(zhì)，是物質(zhì)存在的一種基本形式。固態(tài)物質(zhì)是否為晶體，一般可由X射線衍射法予以鑒定。 晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的質(zhì)點(diǎn)(原子、離子、分子)有規(guī)則地在三維空間呈周期性重復(fù)排列，組成一定形式的晶格，外形上表現(xiàn)為一定形狀的幾何多面體。組成某種幾何多面體的平面稱為晶面，由于生長的條件不同，晶體在外形上可能有些歪斜，但

13、同種晶體晶面間夾角(晶面角)是一定的，稱為晶面角不變原理。 晶體按其內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為七大晶系和14種晶格類型。晶體都有一定的對稱性，有32種對稱元素系，對應(yīng)的對稱動(dòng)作群稱做晶體系點(diǎn)群。按照內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)間作用力性質(zhì)不同，晶體可分為離子晶體、原子晶體、分子晶體、金屬晶體等四大典型晶體，如食鹽、金剛石、干冰和各種金屬等。同一晶體也有單晶和多晶(或粉晶)的區(qū)別。在實(shí)際中還存在混合型晶體。 說到晶體，還得從結(jié)晶談起。大家知道，所有物質(zhì)都是由原子或分子構(gòu)成的。眾所周知，物質(zhì)有三種聚集形態(tài)：氣體、液體和固體。研究表明，固體可分為晶體、非晶體和準(zhǔn)晶體三大類。 究竟什么樣的物質(zhì)才能算作晶體呢？首先，除液晶外，晶體一般

14、是固體形態(tài)。其次，組成物質(zhì)的原子、分子或離子具有規(guī)律、周期性的排列，這樣的物質(zhì)就是晶體。但僅從外觀上，用肉眼很難區(qū)分晶體、非晶體與準(zhǔn)晶體。那么，如何才能快速鑒定出它們呢？一種最常用的技術(shù)是X光技術(shù)。用X光對固體進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析，你很快就會(huì)發(fā)現(xiàn)，晶體和非晶體、準(zhǔn)晶體是截然不同的三類固體。 晶體為了描述晶體的結(jié)構(gòu)，把構(gòu)成晶體的原子當(dāng)成一個(gè)點(diǎn)，再用假想的線段將這些代表原子的各點(diǎn)連接起來，就繪成了所表示的格架式空間結(jié)構(gòu)。這種用來描述原子在晶體中排列的幾何空間格架，稱為晶格。由于晶體中原子的排列是有規(guī)律的，可以從晶格中拿出一個(gè)完全能夠表達(dá)晶格結(jié)構(gòu)的最小單元，這個(gè)最小單元就叫作晶胞。許多取向相同的晶胞組成晶粒

15、，由取向不同的晶粒組成的物體，叫做多晶體，而單晶體內(nèi)所有的晶胞取向完全一致，常見的單晶如單晶硅、單晶石英。大家最常見到的一般是多晶體。 由于物質(zhì)內(nèi)部原子排列的明顯差異，導(dǎo)致了晶體與非晶體物理化學(xué)性質(zhì)的巨大差異。例如，晶體有固定的熔點(diǎn)，當(dāng)溫度高到某一溫度便立即熔化；而玻璃及其它非晶體則沒有固定的熔點(diǎn)，從軟化到熔化是一個(gè)較大的溫度范圍。 吃的鹽是氯化鈉的結(jié)晶，味精是谷氨酸鈉的結(jié)晶，冬天窗戶玻璃上的冰花和天上飄下的雪花，是水的結(jié)晶?？梢赃@樣說：“熠熠閃光的不一定是晶體，樸實(shí)無華、不能閃光的未必就不是晶體”。廚房中常見的砂糖、堿是晶體，每個(gè)人身上的牙齒、骨骼是晶體，工業(yè)中的礦物巖石是晶體，日常見到的各

16、種金屬及合金制品也屬晶體，就連地上的泥土砂石都是晶體。我們身邊的固體物質(zhì)中，除了常被我們誤以為是晶體的玻璃、松香、琥珀、珍珠等之外，幾乎都是非晶體。晶體離我們并不遙遠(yuǎn)，它就在日常生活中。 組成晶體的結(jié)構(gòu)粒子（分子、原子、離子）在三維空間有規(guī)則地排列在一定的點(diǎn)上，這些點(diǎn)周期性地構(gòu)成有一定幾何形狀的無限格子，叫做晶格。按照晶體的現(xiàn)代點(diǎn)陣?yán)碚摚瑯?gòu)成晶體結(jié)構(gòu)的原子、分子或離子都能抽象為幾何學(xué)上的點(diǎn)。這些沒有大小、沒有質(zhì)量、不可分辨的點(diǎn)在空間排布形成的圖形叫做點(diǎn)陣，以此表示晶體中結(jié)構(gòu)粒子的排布規(guī)律。構(gòu)成點(diǎn)陣的點(diǎn)叫做陣點(diǎn)，陣點(diǎn)代表的化學(xué)內(nèi)容叫做結(jié)構(gòu)基元。因此，晶格也可以看成點(diǎn)陣上的點(diǎn)所構(gòu)成的點(diǎn)群集合。對于

17、一個(gè)確定的空間點(diǎn)陣，可以按選擇的向量將它劃分成很多平行六面體，每個(gè)平行六面體叫一個(gè)單位，并以對稱性高、體積小、含點(diǎn)陣點(diǎn)少的單位為其正當(dāng)格子。晶格就是由這些格子周期性地?zé)o限延伸而成的。空間正當(dāng)格子只有7種形狀（對應(yīng)于7個(gè)晶系），14種型式。它們是簡單立方、體心立方、面心立方；簡單三方；簡單六方；簡單四方、體心四方；簡單正交、底心正交、體心正交、面心正交；簡單單斜、底心單斜；簡單三斜格子等。晶格的強(qiáng)度由晶格能（或稱點(diǎn)）。 晶體的分布非常廣泛，自然界的固體物質(zhì)中，絕大多數(shù)是晶體。氣體、液體和非晶物質(zhì)在一定的合適條件下也可以轉(zhuǎn)變成晶體。 晶體編輯本段晶體的基本性質(zhì)1、自限性：晶體具有自發(fā)形成幾何多面體

18、形態(tài)的性質(zhì)，這種性質(zhì)成為自限性。 2、均一性和異向性：因?yàn)榫w是具有格子構(gòu)造的固體，同一晶體的各個(gè)部分質(zhì)點(diǎn)分布是相同的，所以同一晶體的各個(gè)部分的性質(zhì)是相同的，此即晶體的均一性；同一晶體格子中，在不同的方向上質(zhì)點(diǎn)的排列一般是不相同的，晶體的性質(zhì)也隨方向的不同而有所差異，此即晶體的異向性。 3、最小內(nèi)能與穩(wěn)定性：晶體與同種物質(zhì)的非晶體、液體、氣體比較，具有最小內(nèi)能。晶體是具有格子構(gòu)造的固體，其內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)作規(guī)律排列。這種規(guī)律排列的質(zhì)點(diǎn)是質(zhì)點(diǎn)間的引力與斥力達(dá)到平衡，使晶體的各個(gè)部分處于位能最低的結(jié)果。 結(jié)晶 結(jié)晶分兩種，一種是降溫結(jié)晶，另一種是蒸發(fā)結(jié)晶。 降溫結(jié)晶：首先加熱溶液，蒸發(fā)溶劑成飽和溶液，此時(shí)

19、降低熱飽和溶液的溫度，溶解度隨溫度變化較大的溶質(zhì)就會(huì)呈晶體析出，叫降溫結(jié)晶。 蒸發(fā)結(jié)晶：蒸發(fā)溶劑，使溶液由不飽和變?yōu)轱柡停^續(xù)蒸發(fā)，過剩的溶質(zhì)就會(huì)呈晶體析出，叫蒸發(fā)結(jié)晶。 常見的晶體有萘，海波，冰，各種金屬。 晶體編輯本段共性1、長程有序：晶體內(nèi)部原子在至少在微米級范圍內(nèi)的規(guī)則排列。 2、均勻性：晶體內(nèi)部各個(gè)部分的宏觀性質(zhì)是相同的。 3、各向異性：晶體中不同的方向上具有不同的物理性質(zhì)。 4、對稱性：晶體的理想外形和晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)都具有特定的對稱性。 5、自限性：晶體具有自發(fā)地形成封閉幾何多面體的特性。 6、解理性：晶體具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì)。 7、最小內(nèi)能：成型晶體內(nèi)能最小。 8、晶

20、面角守恒：屬于同種晶體的兩個(gè)對應(yīng)晶面之間的夾角恒定不變。 組成晶體的結(jié)構(gòu)微粒(分子、原子、離子)在空間有規(guī)則地排列在一定的點(diǎn)上，這些點(diǎn)群有一定的幾何形狀，叫做晶格。排有結(jié)構(gòu)粒子的那些點(diǎn)叫做晶格的結(jié)點(diǎn)。金剛石、石墨、食鹽的晶體模型，實(shí)際上是它們的晶格模型。 晶體編輯本段種類晶體的一些性質(zhì)取決于將分子聯(lián)結(jié)成固體的結(jié)合力。這些力通常涉及原子或分子的最外層的電子（或稱價(jià)電子）的相互作用。如果結(jié)合力強(qiáng)，晶體有較高的熔點(diǎn)。如果它們稍弱一些，晶體將有較低的熔點(diǎn)，也可能較易彎曲和變形。如果它們很弱，晶體只能在很低溫度下形成，此時(shí)分子可利用的能量不多。 有四種主要的晶體鍵。離子晶體由正離子和負(fù)離子構(gòu)成，靠不同電

21、荷之間的引力結(jié)合在一起。氯化鈉是離子晶體的一例。共價(jià)晶體的原子或分子共享它們的價(jià)電子。鉆石、鍺和硅是重要的共價(jià)晶體。金屬的原子變?yōu)殡x子，被自由的價(jià)電子所包圍，它們能夠容易地從一個(gè)原子運(yùn)動(dòng)到另一個(gè)原子。當(dāng)這些電子全在同一方向運(yùn)動(dòng)時(shí)，它們的運(yùn)動(dòng)稱為電流。分子晶體的分子完全不分享它們的電子。它們的結(jié)合是由于從分子的一端到另一端電場有微小的變動(dòng)。因?yàn)檫@個(gè)結(jié)合力很弱，這些晶體在很低的溫度下就熔化。典型的分子結(jié)晶如固態(tài)氧和冰。 在離子，晶體中，電子從一個(gè)原子轉(zhuǎn)移到另一個(gè)原子。共價(jià)晶體的原子分享它們的價(jià)電子。金屬原子的一端有少量的負(fù)電荷，另一端有少量的正電荷。一個(gè)弱的電引力使分子就位。 用來制作工業(yè)用的晶體

22、的技術(shù)之一，是從熔液中生長。籽晶可用來促進(jìn)單晶體的形成。在這個(gè)工序里，籽晶降落到裝有熔融物質(zhì)的容器中。籽晶周圍的熔液冷卻，它的分子就依附在籽晶上。這些新的晶體分子承接籽晶的取向，形成了一個(gè)大的單晶體。藍(lán)寶石和紅寶石的基本成分是氧化鋁，它的熔點(diǎn)高，制成一個(gè)盛裝它的熔液的容器是困難的。人工合成藍(lán)寶石和紅寶石是用維爾納葉法（焰熔法）制成，即將氧化鋁粉和少量上色用的鈦、鐵或鉻粉，通過火焰下滴到籽晶上。火焰將粉熔解，然后在籽晶上重新結(jié)晶。 生長人造鉆石需要高于1600的溫度和60000倍大氣壓。人造鉆石砂粒小且黑，它們適宜工業(yè)應(yīng)用。區(qū)域熔化過程用來純化半導(dǎo)體工業(yè)中的硅晶體。一個(gè)單晶體垂直懸掛在硅棒的頂端

23、上。在兩者接觸處加熱，棒的頂端熔化，并在單晶體上重結(jié)晶，然后將加熱處慢慢地沿棒下移。 晶體編輯本段晶體對稱性晶體的對稱表現(xiàn)在晶體中相等的晶面，晶棱和角頂有規(guī)律的重復(fù)出現(xiàn)。這是由于它具有規(guī)律的格子構(gòu)造。是其在三維空間周期性重復(fù)的體現(xiàn)。既晶體的對稱性不僅表現(xiàn)在外部形態(tài)上，而且其內(nèi)部構(gòu)造也同樣也是對稱的。 鎵, 一種很容易結(jié)成大塊單晶的金屬在晶體的外形以及其他宏觀表現(xiàn)中還反映了晶體結(jié)構(gòu)的對稱性。晶體的理想外形或其結(jié)構(gòu)都是對稱圖象。這類圖象都能經(jīng)過不改變其中任何兩點(diǎn)間距離的操作後復(fù)原。這樣的操作稱為對稱操作,平移、旋轉(zhuǎn)、反映和倒反都是對稱操作。能使一個(gè)圖象復(fù)原的全部不等同操作，形成一個(gè)對稱操作群。 在

24、晶體結(jié)構(gòu)中空間點(diǎn)陣所代表的是與平移有關(guān)的對稱性，此外，還可以含有與旋轉(zhuǎn)、反映和倒反有關(guān)并能在宏觀上反映出來的對稱性，稱為宏觀對稱性，它在晶體結(jié)構(gòu)中必須與空間點(diǎn)陣共存，并互相制約。制約的結(jié)果有二: 晶體結(jié)構(gòu)中只能存在1、2、3、4和6次對稱軸， 空間點(diǎn)陣只能有 14種形式。n次對稱軸的基本旋轉(zhuǎn)操作為旋轉(zhuǎn)360/n，因此，晶體能在外形和宏觀中反映出來的軸對稱性也只限于這些軸次。 由于原子并不處于靜止?fàn)顟B(tài)，存在著外來原子引起的點(diǎn)陣畸變以及一定的缺陷，基本結(jié)構(gòu)雖然仍符合上述規(guī)則性，但絕不是如設(shè)想的那樣完整無缺，存在數(shù)目不同的各種形式的晶體缺陷。另外還必須指出，絕大多數(shù)工業(yè)用的金屬材料不是只由一個(gè)巨大的

25、單晶所構(gòu)成,而是由大量小塊晶體組成,即多晶體。在整塊材料內(nèi)部，每個(gè)小晶體（或稱晶粒）整個(gè)由三維空間界面與它的近鄰隔開。這種界面稱晶粒間界，簡稱晶界。晶界厚度約為兩三個(gè)原子。 晶體編輯本段預(yù)制大多數(shù)天然晶體都是一個(gè)原子接一個(gè)原子或一個(gè)分子接一個(gè)分子來完成的但是JillianBanfield和同事們發(fā)現(xiàn)了一些晶體，它們是由含有成百上千個(gè)原子的“預(yù)制”納米晶體裝配而成。據(jù)一篇相關(guān)的研究評述，這種晶體的塊生長方式可能會(huì)對制造用于光學(xué)和電子設(shè)備(比如激光或硬盤)的人工材料有用。水鐵石（ferrihydrite）的天然的預(yù)制晶體是由細(xì)菌合成的，在被水淹了的礦的爛泥里能找到，水鐵石靠排列的納米晶體連接起來而

26、生長。這種生長晶體的方式引入特有的缺陷，可能會(huì)影響晶體在以后反應(yīng)中的性質(zhì)。 編輯本段晶體缺陷在二十世紀(jì)初葉，人們?yōu)榱颂接懳镔|(zhì)的變化和性質(zhì)產(chǎn)生的原因，紛紛從微觀角度來研究晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)，特別是X射線衍射的出現(xiàn)，揭示出晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的規(guī)律性，認(rèn)為內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間呈有序的無限周期重復(fù)性排列，即所謂空間點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)學(xué)說。 前面講到的都是理想的晶體結(jié)構(gòu)，實(shí)際上這種理想的晶體結(jié)構(gòu)在真實(shí)的晶體中是不存在的，事實(shí)上，無論是自然界中存在的天然晶體，還是在實(shí)驗(yàn)室（或工廠中）培養(yǎng)的人工晶體或是陶瓷和其它硅酸鹽制品中的晶相，都總是或多或少存在某些缺陷，因?yàn)椋菏紫染w在生長過程中，總是不可避免地受到外界環(huán)境中各種復(fù)雜因素

27、不同程度影響，不可能按理想發(fā)育，即質(zhì)點(diǎn)排列不嚴(yán)格服從空間格子規(guī)律，可能存在空位、間隙離子、位錯(cuò)、鑲嵌結(jié)構(gòu)等缺陷，外形可能不規(guī)則。另外，晶體形成后，還會(huì)受到外界各種因素作用如溫度、溶解、擠壓、扭曲等等。 晶體缺陷：各種偏離晶體結(jié)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)周期重復(fù)排列的因素，嚴(yán)格說，造成晶體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)周期勢場畸變的一切因素。 如晶體中進(jìn)入了一些雜質(zhì)。這些雜質(zhì)也會(huì)占據(jù)一定的位置，這樣破壞了原質(zhì)點(diǎn)排列的周期性，在二十世紀(jì)中期，發(fā)現(xiàn)晶體中缺陷的存在，它嚴(yán)重影響晶體性質(zhì)，有些是決定性的，如半導(dǎo)體導(dǎo)電性質(zhì)，幾乎完全是由外來雜質(zhì)原子和缺陷存在決定的，許多離子晶體的顏色、發(fā)光等。另外，固體的強(qiáng)度，陶瓷、耐火材料的燒結(jié)和固相反應(yīng)等等

28、均與缺陷有關(guān)，晶體缺陷是近三、四年國內(nèi)外科學(xué)研究十分注意的一個(gè)內(nèi)容。 根據(jù)缺陷的作用范圍把真實(shí)晶體缺陷分四類： 點(diǎn)缺陷：在三維尺寸均很小，只在某些位置發(fā)生，只影響鄰近幾個(gè)原子。 線缺陷：在二維尺寸小，在另一維尺寸大，可被電鏡觀察到。 面缺陷：在一維尺寸小，在另二維尺寸大，可被光學(xué)顯微鏡觀察到。 體缺陷：在三維尺寸較大，如鑲嵌塊，沉淀相，空洞，氣泡等。 編輯本段幾點(diǎn)缺陷按形成的原因不同分三類： 1 熱缺陷（晶格位置缺陷） 在晶體點(diǎn)陣的正常格點(diǎn)位出現(xiàn)空位，不該有質(zhì)點(diǎn)的位置出現(xiàn)了質(zhì)點(diǎn)（間隙質(zhì)點(diǎn)）。 2 組成缺陷 外來質(zhì)點(diǎn)（雜質(zhì)）取代正常質(zhì)點(diǎn)位置或進(jìn)入正常結(jié)點(diǎn)的間隙位置。 3 電荷缺陷 晶體中某些質(zhì)點(diǎn)

29、個(gè)別電子處于激發(fā)狀態(tài)，有的離開原來質(zhì)點(diǎn)，形成自由電子，在原來電子軌道上留下了電子空穴。 1. 缺陷符號及缺陷反應(yīng)方程式 缺陷符號 以二元化合物MX為例 1） 晶格空位：正常結(jié)點(diǎn)位沒有質(zhì)點(diǎn)，VM，VX 2） 間隙離子：除正常結(jié)點(diǎn)位置外的位置出現(xiàn)了質(zhì)點(diǎn)，Mi ，Xx 3） 錯(cuò)位離子：M排列在X位置，或X排列在M位置上，若處在正常結(jié)點(diǎn)位置上，則MM，XX 4） 取代離子：外來雜質(zhì)L進(jìn)入晶體中，若取代M，則LM，若取代X，則LX，若占據(jù)間隙位，則Li。 5） 自由電子 e（代表存在一個(gè)負(fù)電荷），表示有效電荷。 6） 電子空穴 h(代表存在一個(gè)正電荷)，表示有效正電荷 如： 從NaCl晶體中取走一個(gè)Na

30、+，留下一個(gè)空位 造成電價(jià)不平衡，多出負(fù)一價(jià) 。相當(dāng)于取走Na原子加一個(gè)負(fù)有效負(fù)電荷，e失去自由電子，剩下位置為電子空穴h 7） 復(fù)合缺陷 同時(shí)出現(xiàn)正負(fù)離子空位時(shí)，形成復(fù)合缺陷，雙空位。 VM+VX（VM- VX） 缺陷反應(yīng)方程式 必須遵守三個(gè)原則 1） 位置平衡反應(yīng)前后位置數(shù)不變（相對物質(zhì)位置而言） 2） 質(zhì)點(diǎn)平衡反應(yīng)前后質(zhì)量不變（相對加入物質(zhì)而言） 3） 電價(jià)平衡反應(yīng)前后呈電中性 例：將CaCl2引入KCl中： 將CaO引入ZrO2中 注意：只從缺陷反應(yīng)方程看，只要符合三個(gè)平衡就是對的，但實(shí)際上往往只有一種是對的，這要知道其它條件才能確定哪個(gè)缺陷反應(yīng)是正確的。 確定（1）式密度增加，要根據(jù)

31、具體實(shí)驗(yàn)和計(jì)算。 2. 熱缺陷（晶格位置缺陷) 只要晶體的溫度高于絕對零度，原子就要吸收熱能而運(yùn)動(dòng)，但由于固體質(zhì)點(diǎn)是牢固結(jié)合在一起的，或者說晶體中每一個(gè)質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)必然受到周圍質(zhì)點(diǎn)結(jié)合力的限制而只能以質(zhì)點(diǎn)的平衡位置為中心作微小運(yùn)動(dòng)，振動(dòng)的幅度隨溫度升高而增大，溫度越高，平均熱能越大，而相應(yīng)一定溫度的熱能是指原子的平均動(dòng)能，當(dāng)某些質(zhì)點(diǎn)大于平均動(dòng)能就要離開平衡位置，在原來的位置上留下一個(gè)空位而形成缺陷，實(shí)際上在任何溫度下總有少數(shù)質(zhì)點(diǎn)擺脫周圍離子的束縛而離開原來的平衡位置，這種由于熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷熱缺陷。 熱缺陷兩種基本形式： a-弗侖克爾缺陷, b-肖特基缺陷 (1) 弗侖克爾缺陷 具有足夠大能

32、量的原子（離子）離開平衡位置后，擠入晶格間隙中，形成間隙原子離子），在原來位置上留下空位。 特點(diǎn)：空位與間隙粒子成對出現(xiàn)，數(shù)量相等，晶體體積不發(fā)生變化。 在晶體中弗侖克爾缺陷的數(shù)目多少與晶體結(jié)構(gòu)有很大關(guān)系，格點(diǎn)位質(zhì)點(diǎn)要進(jìn)入間隙位，間隙必須要足夠大，如螢石（CaF2）型結(jié)構(gòu)的物質(zhì)空隙較大，易形成，而NaCl型結(jié)構(gòu)不易形成?？偟膩碚f，離子晶體，共價(jià)晶體形成該缺陷困難。 (2) 肖特基缺陷 表面層原子獲得較大能量，離開原來格點(diǎn)位跑到表面外新的格點(diǎn)位，原來位置形成空位這樣晶格深處的原子就依次填入，結(jié)果表面上的空位逐漸轉(zhuǎn)移到內(nèi)部去。 特點(diǎn)：體積增大，對離子晶體、正負(fù)離子空位成對出現(xiàn)，數(shù)量相等。結(jié)構(gòu)致密易

33、形成肖特基缺陷。 晶體熱缺陷的存在對晶體性質(zhì)及一系列物理化學(xué)過程，導(dǎo)電、擴(kuò)散、固相反應(yīng)、燒結(jié)等產(chǎn)生重要影響，適當(dāng)提高溫度，可提高缺陷濃度，有利于擴(kuò)散，燒結(jié)作用，外加少量填加劑也可提高熱缺陷濃度，有些過程需要最大限度避免缺陷產(chǎn)生, 如單晶生產(chǎn)，要非?？炖鋮s。 3. 組成缺陷 主要是一種雜質(zhì)缺陷，在原晶體結(jié)構(gòu)中進(jìn)入了雜質(zhì)原子，它與固有原子性質(zhì)不同，破壞了原子排列的周期性，雜質(zhì)原子在晶體中占據(jù)兩種位置（1）填隙位（2）格點(diǎn)位 4. 電荷缺陷 (Charge defect) 從物理學(xué)中固體的能帶理論來看，非金屬固體具有價(jià)帶，禁帶和導(dǎo)帶，當(dāng)在OR時(shí)，導(dǎo)帶全部完善，價(jià)帶全部被電子填滿，由于熱能作用或其它能

34、量傳遞過程 ，價(jià)帶中電子得到一能量Eg，而被激發(fā)入導(dǎo)帶，這時(shí)在導(dǎo)帶中存在一個(gè)電子，在價(jià)帶留一孔穴，孔穴也可以導(dǎo)電，這樣雖末破壞原子排列的周期性，在由于孔穴和電子分別帶有正負(fù)電荷，在它們附近形成一個(gè)附加電場，引起周期勢場畸變，造成晶體不完整性稱電荷缺陷。 例：純半導(dǎo)體禁帶較寬，價(jià)電帶電子很難越過禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶，導(dǎo)電率很低，為改善導(dǎo)電性，可采用摻加雜質(zhì)的辦法，如在半導(dǎo)體硅中摻入P和B，摻入一個(gè)P，則與周圍Si原子形成四對共價(jià)鍵，并導(dǎo)出一個(gè)電子，叫施主型雜質(zhì)，這個(gè)多余電子處于半束縛狀態(tài)，只須填加很少能量，就能躍遷到導(dǎo)帶中，它的能量狀態(tài)是在禁帶上部靠近導(dǎo)帶下部的一個(gè)附加能級上，叫施主能級，叫n型半導(dǎo)體。

35、當(dāng)摻入一個(gè)B，少一個(gè)電子，不得不向其它Si原子奪取一個(gè)電子補(bǔ)充，這就在Si原子中造成空穴，叫受主型雜質(zhì)，這個(gè)空穴也僅增加一點(diǎn)能量就能把價(jià)帶中電子吸過來，它的能量狀態(tài)在禁帶下部靠近價(jià)帶頂部一個(gè)附加能級，叫受主能級，叫P型半導(dǎo)體，自由電子，空穴都是晶體一種缺 點(diǎn)缺陷在實(shí)踐中有重要意義：燒成燒結(jié)，固相反應(yīng)，擴(kuò)散，對半導(dǎo)體，電絕緣用陶瓷有重要意義，使晶體著色等。 編輯本段線缺陷實(shí)際晶體在結(jié)晶時(shí)，受到雜質(zhì)，溫度變化或振動(dòng)產(chǎn)生的應(yīng)力作用或晶體由于受到打擊，切割等機(jī)械應(yīng)力作用，使晶體內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列變形，原子行列間相互滑移，不再符合理想晶體的有序排列，形成線狀缺陷。 位錯(cuò)直觀定義：晶體中已滑移面與未滑移面的邊界

36、線。 這種線缺陷又稱位錯(cuò)，注意：位錯(cuò)不是一條幾何線，而是一個(gè)有一定寬度的管道，位錯(cuò)區(qū)域質(zhì)點(diǎn)排列嚴(yán)重畸變，有時(shí)造成晶體面網(wǎng)發(fā)生錯(cuò)動(dòng)。對晶體強(qiáng)度有很大影響。 位錯(cuò)主要有兩種：刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)。 刃型位錯(cuò)其形式可以設(shè)想為：在一完整晶體，沿BCEF晶面橫切一刀，從BCAD，將ABCD面上半部分，作用以壓力，使之產(chǎn)生滑移，距離 （柏氏矢量晶格常數(shù)或數(shù)倍）滑移面BCEF，滑移區(qū)ABCD，未滑移區(qū)ADEF，AD為已滑移區(qū)交界線位錯(cuò)線。 正面看簡圖：如上圖 滑移上部多出半個(gè)原子面，就象刀刃一樣（劈木材）稱刃型位錯(cuò)。 特點(diǎn)：滑移方向與位錯(cuò)線垂直，符號，有多余半片原子面。 螺型位錯(cuò)其形成可設(shè)想為：在一完整晶體，

37、沿ABCD晶面橫切一刀，在ABCD面上部分沿X方向施一力，使其生產(chǎn)滑移 ，滑移區(qū)ABCD未滑移區(qū)ADEF，交界線AD（位錯(cuò)線） 特點(diǎn)：滑移方向與位錯(cuò)線平行，與位錯(cuò)線垂直的面不是平面，呈螺施狀，稱螺型位錯(cuò)。 刃型位錯(cuò)與螺型位錯(cuò)區(qū)別a-正常面網(wǎng), b-刃型位錯(cuò), c-螺型位錯(cuò) 主要從各自特點(diǎn)區(qū)別刃型：滑移方向與位錯(cuò)線垂直，多半個(gè)原子面，位錯(cuò)線可為曲線。 螺型：滑移方向與位錯(cuò)線平行，呈螺旋狀，位錯(cuò)線直線。 由于位錯(cuò)的存在對晶體的生長，雜質(zhì)在晶體中的擴(kuò)散，晶體內(nèi)鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成及晶體的高溫蠕變性等一系列性質(zhì)和過程都有重要影響。 晶體位錯(cuò)的研究方法：通常用光學(xué)顯微鏡，X光衍射電子衍射和電子顯微鏡等技術(shù)進(jìn)行

38、直接觀察和間接測定。 位錯(cuò)具有以下基本性質(zhì)： (1)位錯(cuò)是晶體中原子排列的線缺陷，不是幾何意義的線，是有一定尺度的管道。 (2)形變滑移是位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的結(jié)果，并不是說位錯(cuò)是由形變產(chǎn)生的，因?yàn)橐粔K生長很完事的晶體中，本身就存在很多位錯(cuò)。 (3)位錯(cuò)線可以終止在晶體的表面（或多晶體的晶界上），但不能終止在一個(gè)完事的晶體內(nèi)部。 (4)在位錯(cuò)線附近有很大應(yīng)力集中，附近原子能量較高，易運(yùn)動(dòng)。 晶體編輯本段面缺陷涉及較大范圍（二維方向）、晶界、晶面、堆垛層錯(cuò)。 晶面由于晶體表面處的離子或原子具有不飽和鍵，有很大反應(yīng)活性，表面結(jié)構(gòu)出現(xiàn)不對稱性，使點(diǎn)陣受到很大彎曲變形，因而能量比內(nèi)部能量高，是一種缺陷。 晶界晶粒

39、之間交界面，晶粒間取向不同出現(xiàn)晶粒間界，在晶粒界面上的排列是一種過渡狀態(tài)與兩晶粒都不相同。 1）小角度晶界（鑲嵌塊） 尺寸在10-6-10-8m的小晶塊，彼此間以幾秒到 的微?。?）角度傾斜相交，形成鑲嵌結(jié)構(gòu)，有人認(rèn)為是棱位錯(cuò)，由于晶粒以微小角度相交，可以認(rèn)為合并在一起，在晶界面是形成了一系列刃型位錯(cuò)。 2）大角度晶界，各晶面取向互不相同，交角較大，在多晶體中，晶體可能出現(xiàn)大角度晶界。在這種晶界中，頂點(diǎn)排列接近無序狀態(tài)，晶界處是缺陷位置，所以能量較高，可吸附外來質(zhì)點(diǎn)。晶界是原子或離子擴(kuò)散的快速通道，也是空位消除的地方，這種特殊作用對固相反應(yīng)，燒結(jié)起重要作用，對陶瓷、耐火材料等多晶材料性能如蠕變

40、、強(qiáng)度等力學(xué)性能和極化、損耗等介電性能影響較大。 堆垛層錯(cuò)離子堆垛過程中發(fā)生了層次錯(cuò)動(dòng)，出現(xiàn)堆垛層錯(cuò)，如面心立方堆積形式為ABCABCAABCACBABC中間的B層和C層發(fā)生了層次錯(cuò)動(dòng)，出現(xiàn)缺陷（一般了解） 非化學(xué)計(jì)量化合物 定義：化合物中各元素的原子數(shù)之比不是簡單的整數(shù)而出現(xiàn)了分?jǐn)?shù)，如Fe1-xO,Cu2-xO,Co1-xO等。 編輯本段可偏離化合式的化合物在基礎(chǔ)化學(xué)中學(xué)到的化合物的分子式都是符合定比定律的，即元素的原子數(shù)之比為簡單整數(shù)比，如FeO，F(xiàn)e/O=1/1，TiO2, Ti/O=1/2等，現(xiàn)在認(rèn)為這種嚴(yán)格按化學(xué)計(jì)量形成的化合物是一種特殊情況，而普遍存在著所謂非化學(xué)計(jì)量化合物。 非化

41、學(xué)計(jì)量化合物缺陷有四種類型(1) 陽離子過剩，形成陰離子空位 TiO2，ZrO2會(huì)產(chǎn)生這種缺陷，分子式為TiO2-x, ZrO2-x,從化學(xué)計(jì)量觀念，正負(fù)離子比為1：2，由于揣氧不足，在晶體中存在氧空位，而變?yōu)榉腔瘜W(xué)計(jì)量化合物。從化學(xué)觀念看，缺氧TiO2可以看作是四價(jià)鈦和三價(jià)鈦氧化物的固體溶液，即Ti2O3在TiO2中的固溶體，或從電中性考慮，Ti由四價(jià)三價(jià)，原因：Ti4+獲得一個(gè)電子Ti3+，所獲得的電了是由于氧不足脫離. 正常TiO2晶格結(jié)點(diǎn)放出的，在電場作用下，這一電子可以一個(gè)鈦離子位置遷移到另一個(gè)鈦離子位置，并非固定在某一鈦離子上，從而形成電子電導(dǎo)，具有這種缺陷的材料稱n型半導(dǎo)體。這種

42、非化學(xué)計(jì)量化合物缺陷方程可寫成：例：在還原氣氛下TiO2TiO2-x 也可看成部分O由晶格逸出變成氣體可見：這種非化學(xué)計(jì)量化合物的形成多是由變價(jià)正離子構(gòu)成的氧化物，由高價(jià)變?yōu)榈蛢r(jià)，形成負(fù)離子空位，還有ThO2，CeO2等，與氣氛有關(guān)。 陽離子過剩形成間隙陽離子 如ZnO、CdOZn1+xo,Cd1+xO，過剩的金屬離子進(jìn)入間隙位，為保持電中性，等價(jià)電子被束縛在間隙位的金屬離子周圍。例：ZnO在鋅蒸氣中加熱，顏色逐漸加深變化。 負(fù)電子過剩形成間隙負(fù)離子。 目前吸發(fā)現(xiàn)有UO2+X，可以看作U3O8在UO2中的固溶體，當(dāng)負(fù)離子過剩進(jìn)入間隙位置時(shí)，結(jié)構(gòu)中必須出現(xiàn)兩個(gè)電子空穴，以平衡整體電中性，相應(yīng)正離

43、子電價(jià)升高，電子空穴在電場作用下產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)，這種材料稱P型半導(dǎo)體。 負(fù)離子過剩形成正離子空位由于存在正離子空位，為保持電中性，在正離子空位周圍捕獲電子空位，因此其也是P型半導(dǎo)體，如Cu2O、FeO即是。例：FeO在氧氣下形成這種缺陷，實(shí)際上是Fe2O3在FeO中形成的固溶體（高價(jià)取代低價(jià)），即2個(gè)Fe3+取代3個(gè)Fe2+，同時(shí)在晶格中形成個(gè)正離子空位，在氧氣條件下，氧氣進(jìn)入FeO晶格結(jié)構(gòu)中，變?yōu)檠蹼x子，必須從鐵離子獲得兩個(gè)電子，使Fe2+Fe3+，并形成VFe。 可見，非化學(xué)計(jì)量化合物缺陷的形成主要受氣氛影響，也與溫度有關(guān)，嚴(yán)格說，世界上所有化合物都是非化學(xué)計(jì)量的，只是程度不同而已。 編輯本段晶

44、體熔沸點(diǎn)的比較不同晶體類型的熔沸點(diǎn)高低規(guī)律一般為：原子晶體離子晶體分子晶體。金屬晶體的熔沸點(diǎn)有的很高（如鎢），有的很低（如汞）。 同種類型晶體的熔沸點(diǎn)高低規(guī)律一下詳見本身詞條 （1）同屬金屬晶體 （2）同屬原子晶體 （3）同屬離子晶體 （4）同屬分子晶體 編輯本段結(jié)晶結(jié)晶分兩種，一種是降溫結(jié)晶，另一種是蒸發(fā)結(jié)晶。 降溫結(jié)晶：首先加熱溶液，蒸發(fā)溶劑成飽和溶液，此時(shí)降低熱飽和溶液的溫度，溶解度隨溫度變化較大的溶質(zhì)就會(huì)呈晶體析出，叫降溫結(jié)晶。 蒸發(fā)結(jié)晶：蒸發(fā)溶劑，使溶液由不飽和變?yōu)轱柡?，繼續(xù)蒸發(fā)，過剩的溶質(zhì)就會(huì)呈晶體析出，叫蒸發(fā)結(jié)晶。 常見的晶體有萘，海波，冰，各種金屬。 編輯本段區(qū)別固態(tài)物質(zhì)分為晶

45、體和非晶體。從宏觀上看，晶體都有自己獨(dú)特的、呈對稱性的形狀，如食鹽呈立方體；冰呈六角棱柱體；明礬呈八面體等。而非晶體的外形則是不規(guī)則的。晶體在不同的方向上有不同的物理性質(zhì)，如機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)熱性、熱膨脹、導(dǎo)電性等，稱為各向異性。而非晶體的物理性質(zhì)卻表現(xiàn)為各向同性。晶體有固定的熔化溫度熔點(diǎn)（或凝固點(diǎn)），而非晶體則是隨溫度的升高逐漸由硬變軟，而熔化。 晶體和非晶體所以含有不同的物理性質(zhì)，主要是由于它的微觀結(jié)構(gòu)不同。組成晶體的微粒原子是對稱排列的，形成很規(guī)則的幾何空間點(diǎn)陣?？臻g點(diǎn)陣排列成不同的形狀，就在宏觀上呈現(xiàn)為晶體不同的獨(dú)特幾何形狀。組成點(diǎn)陣的各個(gè)原子之間，都相互作用著，它們的作用主要是靜電力。對每

46、一個(gè)原子來說，其他原子對它作用的總效果，使它們都處在勢能最低的狀態(tài)，因此很穩(wěn)定，宏觀上就表現(xiàn)為形狀固定，且不易改變。晶體內(nèi)部原子有規(guī)則的排列，引起了晶體各向不同的物理性質(zhì)。例如原子的規(guī)則排列可以使晶體內(nèi)部出現(xiàn)若干個(gè)晶面，立方體的食鹽就有三組與其邊面平行的平面。如果外力沿平行晶面的方向作用，則晶體就很容易滑動(dòng)（變形），這種變形還不易恢復(fù)，稱為晶體的范性。從這里可以看出沿晶面的方向，其彈性限度小，只要稍加力，就超出了其彈性限度，使其不能復(fù)原；而沿其他方向則彈性限度很大，能承受較大的壓力、拉力而仍滿足虎克定律。當(dāng)晶體吸收熱量時(shí)，由于不同方向原子排列疏密不同，間距不同，吸收的熱量多少也不同，于是表現(xiàn)為

47、有不同的傳熱系數(shù)和膨脹系數(shù)。 非晶體的內(nèi)部組成是原子無規(guī)則的均勻排列，沒有一個(gè)方向比另一個(gè)方向特殊，如同液體內(nèi)的分子排列一樣，形不成空間點(diǎn)陣，故表現(xiàn)為各向同性。 當(dāng)晶體從外界吸收熱量時(shí)，其內(nèi)部分子、原子的平均動(dòng)能增大，溫度也開始升高，但并不破壞其空間點(diǎn)陣，仍保持有規(guī)則排列。繼續(xù)吸熱達(dá)到一定的溫度熔點(diǎn)時(shí)，其分子、原子運(yùn)動(dòng)的劇烈程度可以破壞其有規(guī)則的排列，空間點(diǎn)陣也開始解體，于是晶體開始變成液體。在晶體從固體向液體的轉(zhuǎn)化過程中，吸收的熱量用來一部分一部分地破壞晶體的空間點(diǎn)陣，所以固液混合物的溫度并不升高。當(dāng)晶體完全熔化后，隨著從外界吸收熱量，溫度又開始升高。而非晶體由于分子、原子的排列不規(guī)則，吸收

48、熱量后不需要破壞其空間點(diǎn)陣，只用來提高平均動(dòng)能，所以當(dāng)從外界吸收熱量時(shí)，便由硬變軟，最后變成液體。玻璃、松香、瀝青和橡膠就是常見的非晶體。 多數(shù)的固體晶體屬于多晶體（也叫復(fù)晶體），它是由單晶體組成的。這種組成方式是無規(guī)則的，每個(gè)單晶體的取向不同。雖然每個(gè)單晶體仍保持原來的特性，但多晶體除有固定的熔點(diǎn)外，其他宏觀物理特性就不再存在。這是因?yàn)榻M成多晶體的單晶體仍保持著分子、原子有規(guī)則的排列，溫度達(dá)不到熔解溫度時(shí)不會(huì)破壞其空間點(diǎn)陣，故仍存在熔解溫度。而其他方面的宏觀性質(zhì)，則因?yàn)槎嗑w是由大量單晶體無規(guī)則排列成的，單晶體各方向上的特性平均后，沒有一個(gè)方向比另一個(gè)方向上更占優(yōu)勢，故成為各向同性。各種金屬

49、就屬于多晶體。它們沒有固定的獨(dú)特形狀，表現(xiàn)為各向同性。晶胞目錄晶胞介紹 二維晶格類型 三維晶格類型 素晶胞與復(fù)晶胞編輯本段晶胞介紹英文名稱： 晶胞Unit Cell 晶胞能完整反映晶體內(nèi)部原子或離子在三維空間分布之化學(xué)-結(jié)構(gòu)特征的平行六面體單元。其中既能夠保持晶體結(jié)構(gòu)的對稱性而體積又最小者特稱“單位晶胞”，但亦常簡稱晶胞。其具體形狀大小由它的三組棱長a、b、c及棱間交角、（合稱為”晶胞參數(shù)”）來表征，與空間格子中的單位平行六面體相對應(yīng)。（辭海1999年版正文3970頁） 面心立方晶胞晶胞是晶體的代表，是晶體中的最小單位。晶胞并置起來，則得到晶體。晶胞的代表性體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面： 一是代表晶體的化學(xué)組成；二是代表晶體的對稱性，即與晶體具有相同的對稱元素（對稱軸、對稱面和對稱中心）。 一般情況下，晶胞都是平行六面體。整塊晶體可以看成是無數(shù)晶胞無隙并置而成的。 請注意： 無隙相鄰晶體之間沒有任何間隙 并置所有晶胞都是平行排列的取向相同 編輯本段二維晶格類型布拉維晶格在二維平面上有五種類型，兩晶軸a1、a2，夾角。 晶胞斜晶格：任意的晶軸a1、a2，只有在旋轉(zhuǎn)或2，才能保持不變。正方形晶格、六角形晶格、矩形晶格、有心矩形晶格，但在矩形晶格正中間上有一晶格點(diǎn)，固有兩種繪法。 編輯本段三維晶格類型 晶