2012中國(guó)計(jì)量大學(xué)半導(dǎo)體器件期中答案(總3頁(yè))_第1頁(yè)
2012中國(guó)計(jì)量大學(xué)半導(dǎo)體器件期中答案(總3頁(yè))_第2頁(yè)
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1、我中國(guó)計(jì)量學(xué)院2011 2012 學(xué)年第2學(xué)期 半導(dǎo)體器件 期中測(cè)試開(kāi)課二級(jí)學(xué)院： 光學(xué)與電子科技學(xué)院， 考試時(shí)間： 年 月 日 時(shí)裝訂線考生姓名： 學(xué)號(hào)： 專業(yè)： 班級(jí)： 題序一二三四五六七八九總分得分評(píng)卷人一、填空題（每個(gè)空2分，共16分）請(qǐng)?jiān)诿啃☆}的空格中填上正確答案。1、電子擴(kuò)散、空穴擴(kuò)散2、JFET、MESFET、MOSFET3、飽和模式、截至模式4、變窄、變小5、陽(yáng)極電位高于陰極、陽(yáng)極電流大于維持電流6、擴(kuò)散電容、勢(shì)壘電容7、單邊突變結(jié)8、少數(shù)載流子9、金屬-半導(dǎo)體整流接觸、多數(shù)載流子10、NPN二、名詞解釋（每小題4分，共8分）1、共射級(jí)電流增益|b|=1時(shí)的工作頻率。2、真空中

2、靜止電子的能量E0與金屬的費(fèi)米能級(jí)EF能量之差3、當(dāng) VCE 增大時(shí)，集電結(jié)反偏 (VBC = VBEVCE ) 增大，集電結(jié)耗盡區(qū)增寬，使中性基區(qū)的寬度變窄， 基區(qū)少子濃度分布的梯度增大，從而使 IC 增大。三、簡(jiǎn)答題（每小題6分，共12分）1、體積小、重量輕、效率高、具有單向?qū)щ娦缘?。主要?yīng)用于強(qiáng)電領(lǐng)域，作為大功率硅半導(dǎo)體器件。指存在于其他器件中形成的PNPN結(jié)構(gòu)，如CMOS反相器中的閂鎖效應(yīng)；會(huì)產(chǎn)生不必要的大電流從而使得芯片永久損壞。2、裝訂線兩種不同半導(dǎo)體材料組成的PN結(jié)；發(fā)射效率較高、應(yīng)用基本與雙極型晶體管相同、具有較高的速度、可以工作在更高的頻率異質(zhì)結(jié)中因?yàn)榘l(fā)射區(qū)和基區(qū)材料間具有很大的禁帶寬度差，共射電流增益可以提到很高。而同質(zhì)結(jié)的雙極型晶體管并無(wú)禁帶寬度差存在，必須將發(fā)射區(qū)和基區(qū)的摻雜濃度比提到很高。五、解：（1）fBN=fm- c=0.64V （2） （3）六、解：（1）=0.15ns （2）=1.06GHz （3）=0.938，=1.13GHz七、解（1） （2）溫度升高，兩側(cè)費(fèi)米能級(jí)更接

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