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文檔簡介

1、三、光電法 光電法利用材料的光電效應,直接將光子能量傳遞給電子,使電子 的狀態(tài)發(fā)生變化,從而改變材料的導電特性,實現(xiàn)對光子能量的測 量。光電法測量是本課程要重點講授的內(nèi)容,將介紹各種光電探測 器的結(jié)構(gòu),光電轉(zhuǎn)換過程和光電特性。 光電子技術(shù)(15) 光電效應分類:內(nèi)光電效應和外光點效應。 外光電效應:光子能量被電子吸收后,電子掙脫勢能場的束縛,飛 離開原物質(zhì)的效應,即光子激發(fā)出自由電子。 外光電效應被愛因斯坦作為光的量子特征的重要證據(jù),他也因為成 功地解釋外光電效應而獲得諾貝爾物理學獎。 紅限波長:能夠產(chǎn)生外光電效應的最長波長。 光電子技術(shù)(15) 4.2 真空光電管 真空光電管是利用外光電效應

2、制造的一種光電探測器件。它由三部 分組成:光電陰極、陽極和真空罩。 一、光電陰極材料 光電陰極材料指能夠產(chǎn)生光電子發(fā)射的材料。光電陰極是實現(xiàn)光 電轉(zhuǎn)換的場所。光子被光電陰極吸收后,激發(fā)光電陰極中的電子, 使其逃出光陰極表面。 內(nèi)光電效應:物質(zhì)中的電子吸收光子能量后,躍遷到較高能量態(tài), 但并不能掙脫物質(zhì)勢能場的束縛,只是改變物質(zhì)的導電特性。 所有的固體電子器件都是基于內(nèi)光電效應的光電子器件。 所有的真空電子器件都是基于外光電效應的光電子器件。 光電子技術(shù)(15) 優(yōu)良的光陰極材料應具備的條件: (1)光吸收系數(shù)大。(2)光電子的逸出深度大。 (3)電子親和勢小,使表面逸出幾率大。 常見光電陰極:

3、 (1)紫外光電陰極,大多數(shù)金屬。 (2)可見光譜光電陰極: 銻銫光陰極:靈敏度高,量子效率達 20-30%,制作工藝簡單,應用較多。 銻鉀鈉銫多堿光陰極:靈敏度很高,熱發(fā)射電流很小,可見光譜 范圍光譜響應均勻。 III-V族半導體化合物負電子親和勢光陰極:不僅靈敏度高,而且長 波閾值延伸到了紅外,很好地滿足了夜視技術(shù)的發(fā)展需要。 光電子技術(shù)(15) 光電陰極的分類: 把負電子親和勢發(fā)現(xiàn)以前的所有光電陰極按 出現(xiàn)的先后順序和窗口材料以“S-數(shù)字”的形式 編號,如S-1表示鍍在玻璃上的銀氧銫光陰極, S-25表示鍍在玻璃上的銻鉀鈉銫光陰極材料。 二、真空光電管的構(gòu)造原理與分類 構(gòu)造:真空玻璃罩內(nèi)

4、放置光電陰極和陽極,陽極加正電壓,收集 陰極發(fā)射的電子。 真空光電管的分類: 按受光位置分為側(cè)面受光型(側(cè)窗型)和 頂部受光型(頂端窗式)。 按光陰極結(jié)構(gòu)分為透過型和反射型光電管。 按陰陽極的相對設置分為中心陰極型和中心陽極型。 光電子技術(shù)(15) 三、工作特性 1、靈敏度 靈敏度一般用量子效率或陰極光照靈敏度表示 量子效率:光陰極發(fā)射的光電子數(shù)與入射到陰極上的光子數(shù)之比 %100 N n n為光電子數(shù),N為光子數(shù)。 陰極光照靈敏度:單位光通量(lm)入射到光陰極所產(chǎn)生的光電流, 單位為A/lm 2、光譜響應特性R() v IR/ 指光電管的單色光照靈敏度隨波長的變化關系。它與陰極類型、 光電

5、子技術(shù)(15) 厚度、襯底材料和窗口材料有關。 3、光電線性性 指保持光譜和陽極電壓不變時,光電流隨光通量的變化關系。如是 線性的,則稱線性的,反之稱為非線性的。 影響線性性的主要因素: 陰極發(fā)射過程產(chǎn)生光電疲勞,底層補充電子有困難; 陽極不飽和接收。即不能接收來自陰極的所有電子。 四、常用真空光電管 1、銻銫型光電管 多采用反射式結(jié)構(gòu),基底為鈉鈣玻璃,光照靈敏度在50uA/lm以上。 響應光譜在紫、藍、綠波段。 光電子技術(shù)(15) 2、銀氧銫光電管 對近紅外波段較靈敏。但熱噪聲發(fā)射大,比銻銫型的大三個數(shù)量級。 3、銻鉀鈉銫光電管 多堿陰極的靈敏度高(150uA/lm),光譜范圍寬,響應曲線平

6、 坦,峰值波長在400-600納米 4、碲銫型光電管 該光電管為日盲型,峰值響應波長在2000-3000埃紫外波段。 4.3 光電倍增管 上節(jié)所述的普通光電管的增益小于1,靈敏度低,不能滿足弱光的 測量。而光電倍增管具有遠大于一的增益,常用于弱光探測。 光電子技術(shù)(15) 一、二次電子發(fā)射與二次電子發(fā)射體 二次電子發(fā)射系數(shù): p r p r i i n n 二次電子發(fā)射體:具有二次電子發(fā)射能力的物體。常用做倍增電極。 nr和np分別為二次電子發(fā)射體的發(fā)射和入射電子數(shù)。 對二次發(fā)射體的要求:(1)低電壓下,要大; (2)熱發(fā)射電流小;減小熱發(fā)射噪聲。 (3)發(fā)射要穩(wěn)定,在較高環(huán)境溫度下長時間穩(wěn)定

7、工作。 (4)制備容易,價格低廉。 常用倍增體材料(二次發(fā)射材料) 光電子技術(shù)(15) (1)含堿倍增電極材料,主要有銀氧銫和銻銫 (2)氧化物型,如MgO (3)專用合金型,銀鎂、鈷鎂等 (4)負電子親和勢二次電子發(fā)射體。 二、光電倍增管的結(jié)構(gòu)和工作原理 光電倍增管的結(jié)構(gòu)如圖79。由光電陰極、輸入系統(tǒng),倍增系統(tǒng)和輸 出系統(tǒng)組成。 設每級的二次電子發(fā)射系數(shù)相同,則輸出電流為: n A ii 0 光電倍增管的電流放大系數(shù)為: n A i i 0 1、光電陰極 光電子技術(shù)(15) 實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換,將光子轉(zhuǎn)換為電子。 2、輸入系統(tǒng) 由陰極與第一倍增極及設置在這兩極間的輔助電極組成,它的作 用是盡量全部

8、收集光陰極產(chǎn)生的電子,并輸入到后面的倍增系統(tǒng)。 3、電子倍增系統(tǒng) 倍增系統(tǒng)是光電倍增管的放大系統(tǒng),由多級組成。倍增系統(tǒng)可分為聚 焦型和飛聚焦型。 (1)非聚焦型:盒柵式和百葉窗式,如圖79a所示。 (2)聚焦型:圓籠式,端窗圓籠式和直列式結(jié)構(gòu),如圖79b所示。 4、輸出系統(tǒng) 光電子技術(shù)(15) 由最后一級倍增級與陽級組成,收集倍增系統(tǒng)輸出的電子。 三、光電倍增管的特性參數(shù) 1、靈敏度 陰極靈敏度:用光照靈敏度表示,即單位光通量產(chǎn)生的光電流。 陽極靈敏度:指光電倍增管在一定工作電壓下,陽極輸出電流與 入射到陰極面上的光通量之比。它與工作電壓有關。 2、放大倍數(shù) 在一定工作電壓下,光電倍增管的陽極

9、信號電流和陰極信號電流的 比值,稱為倍增管的放大倍數(shù)或電流增益。 k A i i G G與倍增系統(tǒng)的級數(shù)和二次發(fā)射系數(shù)有關。 光電子技術(shù)(15) 3、暗電流 指無光照,加上工作電壓時,陽極輸出電流的直流成份,它決定 了光電倍增管可探測的最小光通量。暗電流主要由光陰極和倍增 極的熱電子發(fā)射引起,所以降低溫度可以減小暗電流。 4、等效噪聲能當量 暗電流中的交流和脈沖分量構(gòu)成了管子的本底噪聲,此本底噪聲決 定了管子在閃爍計數(shù)中能夠測量的最小輻射能量。 等效噪聲能當量描述光電倍增管本底噪聲的大小,定義為: )(KeVE V V E r s n m 式中Vn-噪聲脈沖電壓,Vs-射線照射下光電倍增管的輸出脈沖信號電 壓,Er-Gs137的射線的能量,為661KeV。 復習要點 1、內(nèi)、外光電效應?紅限波長? 2、真空光電管的結(jié)構(gòu),光電陰極材料的要求?常見光

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