電子技術(shù)第14章

1、下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)主要參考：主要參考：電子技術(shù)電子技術(shù)陳正傳陳正傳 羅會(huì)昌主編，羅會(huì)昌主編，機(jī)械工業(yè)出版社機(jī)械工業(yè)出版社 下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)答疑安排：每周一、四晚答疑安排：每周一、四晚7：309：30。地點(diǎn)：西苑校區(qū)地點(diǎn)：西苑校區(qū)10-408， 中部中部“電子科學(xué)與技術(shù)系電子科學(xué)與技術(shù)系”。下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)模擬信號(hào)模擬信號(hào)是指在時(shí)間和數(shù)值上都是指在時(shí)間和數(shù)值上都連續(xù)連續(xù)的信號(hào)。的信號(hào)。數(shù)字信號(hào)數(shù)字信號(hào)是指在時(shí)間和數(shù)值上都是指在時(shí)間和數(shù)值上都不連續(xù)不連續(xù)的信的信號(hào)，即所謂離散

2、的。號(hào)，即所謂離散的。tt下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) 技術(shù)術(shù)語(yǔ)多技術(shù)術(shù)語(yǔ)多 基本概念多基本概念多 電路種類多電路種類多注重基本概念注重基本概念采用工程觀點(diǎn)：采用工程觀點(diǎn)：有條件的忽略一些次要因素有條件的忽略一些次要因素重視實(shí)驗(yàn)重視實(shí)驗(yàn)利用計(jì)算機(jī)輔助軟件利用計(jì)算機(jī)輔助軟件下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)本書(shū)章節(jié)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)信號(hào)信號(hào)提取提取信號(hào)的信號(hào)的預(yù)處理預(yù)處理信號(hào)的信號(hào)的加工加工信號(hào)的驅(qū)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)執(zhí)行動(dòng)執(zhí)行電子系統(tǒng)的組成：電子系統(tǒng)的組成：a/d計(jì)算機(jī)或計(jì)算機(jī)或其他數(shù)字其他數(shù)字系統(tǒng)系統(tǒng)d/a模

3、擬模擬數(shù)字?jǐn)?shù)字信號(hào)隔離、信號(hào)隔離、濾波、放大濾波、放大信號(hào)運(yùn)算、信號(hào)運(yùn)算、轉(zhuǎn)換、取轉(zhuǎn)換、取樣保持樣保持功率放大功率放大下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) 學(xué)習(xí)電子技術(shù)，就是要掌握常用半導(dǎo)體器件的原學(xué)習(xí)電子技術(shù)，就是要掌握常用半導(dǎo)體器件的原理、特性，以及由這些器件所組成的電子電路的分理、特性，以及由這些器件所組成的電子電路的分析方法。二極管與晶體管是最常用的半導(dǎo)體器件，析方法。二極管與晶體管是最常用的半導(dǎo)體器件，而而pn結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。14.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)

4、電特性 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。 例如：硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫例如：硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。化物都是半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同的條件下有很大的差別。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同的條件下有很大的差別。下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)14.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)共價(jià)健共價(jià)健 si si si si價(jià)電子價(jià)電子下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) si si si si價(jià)電子價(jià)電子這

5、一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)?？昭昭ㄗ杂呻娮幼杂呻娮颖菊骷ぐl(fā)，本征激發(fā)， 產(chǎn)生產(chǎn)生下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) si si si sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)失去一個(gè)電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) si si si sib硼原子硼原子空穴空穴動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一

6、頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) pn結(jié)是通過(guò)特殊的半導(dǎo)體制造技術(shù)，在一塊半導(dǎo)結(jié)是通過(guò)特殊的半導(dǎo)體制造技術(shù)，在一塊半導(dǎo)體基片上摻入不同的雜質(zhì)，使其一邊為體基片上摻入不同的雜質(zhì)，使其一邊為n型半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體，另一邊為另一邊為p型半導(dǎo)體，其交界面便形成了型半導(dǎo)體，其交界面便形成了pn結(jié)結(jié)。+ pn 結(jié)也稱空間電荷區(qū)、或耗盡層、或內(nèi)電場(chǎng)、結(jié)也稱空間電荷區(qū)、或耗盡層、或內(nèi)電場(chǎng)、或阻擋層?；蜃钃鯇?。 下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)少子的漂移運(yùn)動(dòng)濃度差濃度差 擴(kuò)散的結(jié)果使空擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。

7、間電荷區(qū)變寬。+動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)pn 結(jié)變窄結(jié)變窄 p接正、接正、n接負(fù)接負(fù) 外電場(chǎng)外電場(chǎng)if內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)pn+動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)+r下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)+r下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) 內(nèi)電場(chǎng)被加內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，少子的強(qiáng)，少子的漂漂移加強(qiáng)，擴(kuò)散移加強(qiáng)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)停止。運(yùn)動(dòng)停止。由于少子數(shù)量由于少子數(shù)量很少，形成很很少，形成很小的反向電流。小的反向電流。ir動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)+下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄

8、章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) 二極管是最基本的電子元件，其內(nèi)部主要是一二極管是最基本的電子元件，其內(nèi)部主要是一個(gè)個(gè)pn結(jié)，外加封裝和引線結(jié)，外加封裝和引線（引出的兩個(gè)電極）。（引出的兩個(gè)電極）。下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)陰極引線陰極引線陽(yáng)極引線陽(yáng)極引線二氧化硅保護(hù)層二氧化硅保護(hù)層p型硅型硅n型硅型硅( c ) 平面型平面型金屬觸絲金屬觸絲陽(yáng)極引線陽(yáng)極引線n型鍺片型鍺片陰極引線陰極引線外殼外殼( a ) 點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型鋁合金小球鋁合金小球n型硅型硅陽(yáng)極引線陽(yáng)極引線pn結(jié)結(jié)金銻合金金銻合金底座底座陰極引線陰極

9、引線( b ) 面接觸型面接觸型陰極陰極陽(yáng)極陽(yáng)極( d ) 符號(hào)符號(hào)dpn下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)反向擊穿反向擊穿電壓電壓u(br)反向特性反向特性u(píng)ipn+pn+下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是理想的，若二極管是理想的，下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)例例1：d6v12v3k bauab+下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄

10、總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)例例2:ma43122d ibd16v12v3k ad2uab+下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)v sin18itu t 下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) 穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管，穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管，由于它與適當(dāng)阻值的電阻配合后能起穩(wěn)壓作由于它與適當(dāng)阻值的電阻配合后能起穩(wěn)壓作用，故稱用，故稱穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管。 穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿狀態(tài)，當(dāng)反向電穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿狀態(tài)，當(dāng)反向電壓撤去后，管子還是正常的，稱壓撤去后，管子還是正常的，稱可逆性擊穿可逆性擊穿。+下一

11、頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)uzizizm uz izuio下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)zz ziur下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) uouiizrdzuzir下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) rus-uz=20-850020-818us=20vruz=8v下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) 晶體管晶體管又稱又稱半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管，是一種重要的半導(dǎo)，是一種重要的半導(dǎo)體器件。它的體器件。它的放大作用和開(kāi)關(guān)作用放大作用和開(kāi)關(guān)作用引起了電子技引起了電子技術(shù)的飛躍

12、發(fā)展。術(shù)的飛躍發(fā)展。 晶體管的結(jié)構(gòu)，目前常見(jiàn)的有平面型和合金晶體管的結(jié)構(gòu)，目前常見(jiàn)的有平面型和合金型兩類。硅管主要是平面型，鍺管都是合金型。型兩類。硅管主要是平面型，鍺管都是合金型。而從制造型號(hào)上，常分為而從制造型號(hào)上，常分為npn型和型和pnp型。型。下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)nnpbecbecibieicbecibieic下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)eebrbrc下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)

13、上一頁(yè)becnnpebrbecieibeiceicbo下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)icibbecnnpebrbecieibeiceicbobccbobcbocbeceiiiiiiii ceobcbobc)(1 iiiii bc ceo iii ，有有忽忽略略下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。是分析放大電路的依據(jù)。 重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的

14、特性曲線重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路icebma avuceuberbibecv+下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)常常數(shù)數(shù) ce)(bebuufiib( a)ube(v)204060800.40.8uce 1vo下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)ib=020 a40 a60 a80 a100 a常常數(shù)數(shù) b)(ceciufi36ic(ma )1234uce(v)912o放大區(qū)放大區(qū)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄

15、返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)o下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) bcii_ bcii 下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)53704051bc.ii 400400605132bc .ii 下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)icbo a+ec aiceoib=0+下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)icmu(br)ceo安全工作區(qū)安全工作區(qū)icuceo下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)其總的效果將會(huì)使其總的效果將會(huì)使ic增大。增大

16、。下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)sabc10k100k3v3v10v=503k解：解：1、s接接a點(diǎn)時(shí)，晶點(diǎn)時(shí)，晶體管發(fā)射結(jié)反向偏體管發(fā)射結(jié)反向偏置，晶體管截止，置，晶體管截止，所以晶體管處于截所以晶體管處于截止區(qū)。止區(qū)。2、s接接b點(diǎn)時(shí)：點(diǎn)時(shí)：30.60.024100bimak0.024 50 1.2cbiima10 3 1.2 6.41ceuvv 所以晶體管處所以晶體管處于放大區(qū)。于放大區(qū)。下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)sabc10k100k3v3v10v=503k解：解：3、s接接c點(diǎn)時(shí)：點(diǎn)時(shí)：30.60.2410bimak0.24 50 12cbiima10 3 12261ceuvv 所以晶體管處所以晶體管處于飽和區(qū)。于飽和區(qū)。而：而：100.333cscimaik或：或：下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè) 提示提示：npn型，集電極電位最高，發(fā)射極電位最低。型，集電極電位最高，發(fā)射極電位最低。pnp型，發(fā)射極電位最高，集電極電位最低。型，發(fā)射極電位最高，集電極電位最低。硅材料，發(fā)射結(jié)硅材料，發(fā)射結(jié)0.6v，鍺材料，發(fā)射結(jié)，鍺材料，發(fā)射結(jié)0.3v。下一頁(yè)下一頁(yè)總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁(yè)上一頁(yè)14.6光電器件光電器件