電工電子PPT課件

1、電工電子15.1 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦?.2 半導體二極管半導體二極管5.3 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管5.6 光電器件光電器件常用半導體器件常用半導體器件第第 5 章章5.4 半導體三極管半導體三極管5.5 絕緣柵場效應管絕緣柵場效應管電工電子25.1 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦?.1.1 半導體基礎知識半導體基礎知識導導 體體: 自然界中很容易導電的物質(zhì)自然界中很容易導電的物質(zhì).例如例如金屬金屬。絕緣體：絕緣體：電阻率很高的物質(zhì)，幾乎不導電電阻率很高的物質(zhì)，幾乎不導電;如如橡皮橡皮、陶瓷陶瓷、塑料塑料和和石英石英等。等。半導體：半導體：導電特性處于導體和絕緣體之間的物質(zhì)

2、，導電特性處于導體和絕緣體之間的物質(zhì)， 例如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等例如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等半導體的特點半導體的特點當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。往純凈的半導體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導電能力往純凈的半導體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導電能力明顯改變。明顯改變。電工電子31. 本征半導體本征半導體GeSi本征半導體的導電機理本征半導體的導電機理純凈的半導體純凈的半導體。如：硅和鍺如：硅和鍺1）最外層四個價電子。）最外層四個價電子。2）共價鍵結(jié)構(gòu)）共價鍵結(jié)構(gòu)+4+4+4+4共價鍵共用電子對共價鍵共用電子對+4表

3、示除去價電子后的原子表示除去價電子后的原子電工電子4共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為鍵中，稱為束縛電子束縛電子，常溫下束縛電子很難，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為脫離共價鍵成為自由電子自由電子，因此本征半導體，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。能力很弱。形成共價鍵后，每個原子的最外層電形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價鍵有很強的結(jié)合力，共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。使原子規(guī)則排列，形成晶體。+4+4+4+4電工電子

4、53）在絕對）在絕對0度和沒有度和沒有外界激發(fā)時外界激發(fā)時,價電子完全價電子完全被共價鍵束縛著，本征被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即的帶電粒子（即載流子載流子），它的導電能力為），它的導電能力為0，相當于絕緣體。，相當于絕緣體。+4+4+4+44）在熱或光激發(fā)）在熱或光激發(fā)下，使一些價電子獲下，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為共價鍵的束縛，成為自由電子自由電子，同時共價，同時共價鍵上留下一個空位，鍵上留下一個空位，稱為稱為空穴空穴。+4+4+4+4空空穴穴束縛束縛電子電子自由自由電子電子電工電子6在其它力的作用下，空

5、在其它力的作用下，空穴吸引臨近的電子來填穴吸引臨近的電子來填補，這樣的結(jié)果相當于補，這樣的結(jié)果相當于空穴的遷移，而空穴的空穴的遷移，而空穴的遷移相當于正電荷的移遷移相當于正電荷的移動，因此可以認為空穴動，因此可以認為空穴是載流子。是載流子。+4+4+4+45）自由電子和空穴的運動形成電流）自由電子和空穴的運動形成電流電工電子7可見因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是可見因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的，稱為同時成對出現(xiàn)的，稱為電子空穴對電子空穴對。電工電子8本征半導體的導電機理本征半導體的導電機理本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種載流載流子子，即，即自由電子

6、自由電子和和空穴空穴。溫度溫度越高越高載流子的載流子的濃度濃度越高越高本征半本征半導體的導體的導電能力越強導電能力越強。本征半導體的導電能力取決于本征半導體的導電能力取決于載流子的載流子的濃度濃度。歸納歸納電工電子92. 雜質(zhì)半導體雜質(zhì)半導體雜質(zhì)半導體使某種載流子濃度大大增加。雜質(zhì)半導體使某種載流子濃度大大增加。在本征半導體中摻入某些微量雜質(zhì)。在本征半導體中摻入某些微量雜質(zhì)。1）N型半導體型半導體在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的五價元素磷，在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的五價元素磷，使自由電子濃度大大增加。使自由電子濃度大大增加。多數(shù)載流子（多子）：電子。取決于摻雜濃度；多數(shù)載流子（多子）：電

7、子。取決于摻雜濃度；少數(shù)載流子（少子）：空穴。取決于溫度。少數(shù)載流子（少子）：空穴。取決于溫度。電工電子10+4+4+5+4N型型半導體半導體多余電子多余電子磷原子磷原子電工電子112）P型半導體型半導體在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的三價元素硼，在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的三價元素硼，使空穴濃度大大增加。使空穴濃度大大增加。多數(shù)載流子（多子）：空穴。取決于摻雜濃度；多數(shù)載流子（多子）：空穴。取決于摻雜濃度；少數(shù)載流子（少子）：電子。取決于溫度。少數(shù)載流子（少子）：電子。取決于溫度。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子電工電子12歸納歸納3、雜質(zhì)半導體中起導電作用的主要是多子、雜質(zhì)半導體中

8、起導電作用的主要是多子。4、N型半導體中電子是多子，空穴是少子型半導體中電子是多子，空穴是少子； P型半導體中空穴是多子，電子是少子。型半導體中空穴是多子，電子是少子。1、雜質(zhì)半導體中兩種載流子濃度不同，分為多、雜質(zhì)半導體中兩種載流子濃度不同，分為多數(shù)載流子和少數(shù)載流子（簡稱多子、少子）。數(shù)載流子和少數(shù)載流子（簡稱多子、少子）。2、雜質(zhì)半導體中多數(shù)載流子的數(shù)量取決于摻雜、雜質(zhì)半導體中多數(shù)載流子的數(shù)量取決于摻雜濃度，少數(shù)載流子的數(shù)量取決于溫度。濃度，少數(shù)載流子的數(shù)量取決于溫度。電工電子13雜質(zhì)半導體的示意表示法雜質(zhì)半導體的示意表示法P型半導體型半導體+N型半導體型半導體電工電子145.1.2 P

9、N 結(jié)的形成結(jié)的形成在同一片半導體基片上，分別制造在同一片半導體基片上，分別制造P型半導體和型半導體和N型半導體，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面型半導體，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了處就形成了PN結(jié)。結(jié)。 因濃度差因濃度差 多子的擴散運動多子的擴散運動由由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 內(nèi)電場促使少子漂移內(nèi)電場促使少子漂移 內(nèi)電場阻止多子擴散內(nèi)電場阻止多子擴散 電工電子15P型半導體型半導體N型半導體型半導體+擴散運動內(nèi)電場E漂移運動空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)PN結(jié)處載流子的運動結(jié)處載流子的運動電工電子16擴散的結(jié)果是使空間電擴

10、散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。荷區(qū)逐漸加寬。漂移運動P型半導體型半導體N型半導型半導體體+擴散運動內(nèi)電場EPN結(jié)處載流子的運動結(jié)處載流子的運動內(nèi)電場越強，就使漂內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。使空間電荷區(qū)變薄。電工電子17漂移運動P型半導體型半導體N型半導型半導體體+擴散運動內(nèi)電場EPN結(jié)處載流子的運動結(jié)處載流子的運動所以擴散和漂所以擴散和漂移這一對相反移這一對相反的運動最終達的運動最終達到平衡，相當?shù)狡胶?，相當于兩個區(qū)之間于兩個區(qū)之間沒有電荷運動沒有電荷運動，空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)的厚度固定不的厚度固定不變。變。電工電子18+空間空間電荷電荷區(qū)區(qū)N型

11、區(qū)型區(qū)P型區(qū)型區(qū)電工電子19 1） PN結(jié)加正向電壓時的導電情況結(jié)加正向電壓時的導電情況 外加的正向電壓有一外加的正向電壓有一部分降落在部分降落在PN結(jié)區(qū)結(jié)區(qū)，方向與，方向與PN結(jié)內(nèi)電結(jié)內(nèi)電場方向相反，削弱了場方向相反，削弱了內(nèi)電場。于是內(nèi)電場。于是,內(nèi)電場內(nèi)電場對多子擴散運動的阻對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂漂移電流，可忽略漂移電流的影響，移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。結(jié)呈現(xiàn)低阻性。電工電子20 2. PN結(jié)加反向電壓時的導電情況結(jié)加反向電壓時的導電情況 外加的反向電壓有一部分外加的反向電壓有一部分降落在降落在P

12、N結(jié)區(qū)，方向與結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，加結(jié)內(nèi)電場方向相同，加強了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多強了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙增強，子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時擴散電流大大減小。此時PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場的結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場的作用下形成的漂移電流大作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散于擴散電流，可忽略擴散電流，電流，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。結(jié)呈現(xiàn)高阻性。 在一定的溫度條件下在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的基本上與所加反向電壓的大小無關

13、大小無關，這個電流也稱這個電流也稱為為反向飽和電流反向飽和電流。 電工電子21空間電荷區(qū)中沒有載流子?？臻g電荷區(qū)中沒有載流子?？臻g電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙多子多子（ P中的中的空穴、空穴、N中的電子）中的電子） 的的擴散運動。擴散運動。 P中的電子和中的電子和N中的空穴（中的空穴（都是少子都是少子），），數(shù)量有限，因此由它們形成的漂移電數(shù)量有限，因此由它們形成的漂移電流很小。流很小?？臻g電荷區(qū)中內(nèi)電場推動空間電荷區(qū)中內(nèi)電場推動少子少子（ P中的中的電子、電子、N中的空穴）中的空穴） 的的漂移運動。漂移運動。電工電子225.1.3 PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?PN結(jié)結(jié)加正向

14、電壓加正向電壓（正向偏置）正向偏置）： P區(qū)區(qū)接電源的正極、接電源的正極、N區(qū)接電源的負極。區(qū)接電源的負極。PN結(jié)結(jié)加反向電壓加反向電壓（反向偏置反向偏置）：）： P區(qū)區(qū)接電源的負極、接電源的負極、N區(qū)接電源的正極。區(qū)接電源的正極。電工電子23PN結(jié)正向偏置結(jié)正向偏置+內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變薄變薄PN+_內(nèi)電場被削弱，內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強多子的擴散加強能夠形成較大的能夠形成較大的擴散電流。擴散電流。I正正電工電子24PN結(jié)反向偏置結(jié)反向偏置+內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變厚變厚NP+_內(nèi)電場被被加強內(nèi)電場被被加強，多子的擴散受，多子的擴散受抑制。少子漂移抑制。少子漂移加強，但少子數(shù)加強

15、，但少子數(shù)量有限，只能形量有限，只能形成較小的反向電成較小的反向電流。流。I反反電工電子25PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦哉蛱匦哉蛱匦苑聪蛱匦苑聪蛱匦詺w納歸納P（+），），N（-），外電場削弱內(nèi)電場，結(jié)導通，），外電場削弱內(nèi)電場，結(jié)導通，I大；大；I的大小與外加電壓有關；的大小與外加電壓有關；P（-），），N（+），外電場增強內(nèi)電場，結(jié)不通，），外電場增強內(nèi)電場，結(jié)不通，I反反很??；很小；I反反的大小與少子的數(shù)量有關，與的大小與少子的數(shù)量有關，與溫度有關；溫度有關；電工電子265.2 半導體二極管半導體二極管5.2.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)PN結(jié)結(jié) + 管殼和引線管殼和引線PN陽極陽極陰極陰

16、極符號：符號：VD電工電子27半導體二極管半導體二極管電工電子28半導體二極管半導體二極管電工電子29半導體二極管半導體二極管電工電子305.2.2 伏安特性伏安特性UI死區(qū)電壓死區(qū)電壓 硅管硅管0.6V,鍺管鍺管0.2V。導通壓降導通壓降: 硅硅管管0.60.7V,鍺鍺管管0.20.3V。反向擊穿電反向擊穿電壓壓U(BR)正向特性：正向特性：EVDI反向特性：反向特性：EVDI反反U死區(qū)死區(qū)電壓，導電壓，導通；通；UI I反反很小，與溫度很小，與溫度有關；有關；U 擊穿電擊穿電壓，擊穿導通；壓，擊穿導通；I 電工電子315.2.3 主要參數(shù)主要參數(shù)1.最大整流電流最大整流電流 IOM2.最大

17、反向工作電壓最大反向工作電壓URM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。二極管正常工作時允許承受的最大反向工作電壓二極管正常工作時允許承受的最大反向工作電壓。手冊上給。手冊上給出的最高反向工作電壓出的最高反向工作電壓URM一般是一般是UBR的一半。的一半。3. 最大反向電流最大反向電流 IRM指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。?/p>

18、管。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。電工電子321. 理想二極管理想二極管U 0，VD導通；導通；UD=0，I取決于外電路；相當于一取決于外電路；相當于一個閉合的開關個閉合的開關EVDIUDEIUU 0，VD截止；截止；I=0， UD（負值）取決于外電路；（負值）取決于外電路；相當于一個斷開的開關相當于一個斷開的開關EVDI反反UDEI反反U5.2.4 應用舉例應用舉例電工電子332.二極管的應用二極管的應用電路如圖示：已知電路如圖示：已知E=5V， ui=10sin t VRVDE

19、uiuO解：解： 此類電路的分析方法：此類電路的分析方法：當當D的陽極電位高于陰極電位時，的陽極電位高于陰極電位時，D導通，將導通，將D作為一短路線；作為一短路線；當當D的陽極電位低于陰極電位時，的陽極電位低于陰極電位時，D截止，將截止，將D作為一斷開的開關；作為一斷開的開關；將二極管看成理想二極管將二極管看成理想二極管ui tuO t10V5V5V削波削波例例1求：求： uO的波形的波形電工電子34RRLuiuRuotttuiuRuo設設 =RC tp，求求uo的波形的波形tp例例2 2電工電子35電路如圖示：已知電路如圖示：已知 VA=3VVB=0V 求求：VF=？解：解： 此類電路的分析

20、方法：此類電路的分析方法：將二極管看成理想二極管。將二極管看成理想二極管。當幾個二極管共陽極或共陰極連接時，承受當幾個二極管共陽極或共陰極連接時，承受正向電壓高的二極管先導通。正向電壓高的二極管先導通。VDB通通， VF=0VRVDAAVDBB+12VF箝位箝位隔離隔離例例3 3電工電子365.3 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管UIUZIZIZmax UZ IZ曲線越曲線越陡，電陡，電壓越穩(wěn)壓越穩(wěn)定。定。1.結(jié)構(gòu)和符號：結(jié)構(gòu)和符號：結(jié)構(gòu)同二極管結(jié)構(gòu)同二極管2.伏安特性：伏安特性：穩(wěn)壓值穩(wěn)壓值同二極管同二極管VDZ穩(wěn)壓穩(wěn)壓誤差誤差+-+-電工電子373.主要參數(shù)主要參數(shù)1）穩(wěn)定電壓）穩(wěn)定電壓 UZ2）動態(tài)

21、電阻）動態(tài)電阻ZZIUZrdd=3）穩(wěn)定電流）穩(wěn)定電流IZ、最大、最小穩(wěn)定電流最大、最小穩(wěn)定電流Izmax、Izmin。4）最大允許功耗）最大允許功耗maxZZZMIUP UIUZIZminIZmax電工電子384.穩(wěn)壓管與二極管的主要區(qū)別穩(wěn)壓管與二極管的主要區(qū)別穩(wěn)壓管運用在反向擊穿區(qū)穩(wěn)壓管運用在反向擊穿區(qū) 二極管運用在正向區(qū)；二極管運用在正向區(qū)；穩(wěn)壓管比二極管的反向特性更陡。穩(wěn)壓管比二極管的反向特性更陡。電工電子39 穩(wěn)壓二極管在工穩(wěn)壓二極管在工作時應反接，并作時應反接，并串入一只電阻。串入一只電阻。電阻的作用一是起電阻的作用一是起限流限流作用，以保護穩(wěn)壓管；作用，以保護穩(wěn)壓管；其次是當輸入

22、電壓或負載電流變化時，通過該其次是當輸入電壓或負載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調(diào)節(jié)穩(wěn)調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。，從而起到穩(wěn)壓作用。UO VDZRRL+電工電子40已知圖示電路中，已知圖示電路中，UZ=6V，最，最小穩(wěn)定電流小穩(wěn)定電流IZmin=5mA，最大，最大穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZmax=25mA，負載電負載電阻阻RL=600 ，求限流電阻，求限流電阻R的的取值范圍。取值范圍。RIRUO VDZRLILIDZ+UI=10V解解：1046 . 064 RRRURUUIIILZZILRDZ由由：maxmin104

23、ZZIRI得得：227R114RuiOuiIZUZIZM例例4 4電工電子415. 4 半導體三極管半導體三極管5.4.1 三極管的基本結(jié)構(gòu)三極管的基本結(jié)構(gòu)NPN型型PNP型型BEC基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極NNPPPNBEC發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極基極基極電工電子42基區(qū)：較薄，基區(qū)：較薄，摻雜濃度低摻雜濃度低集電區(qū)：集電區(qū)：面積較大面積較大發(fā)射區(qū)：摻發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高雜濃度較高BEC基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極NNP電工電子43BEC基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極NNP發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)電工電子441. 放大狀態(tài)放大狀態(tài)BECNNPEBRBEcRC5.4.2 三極管的工

24、作原理三極管的工作原理放大的條件：放大的條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏EB保證發(fā)射結(jié)正偏，保證發(fā)射結(jié)正偏，ECEB保證集電結(jié)反偏。保證集電結(jié)反偏。電工電子45進入進入P區(qū)的電子區(qū)的電子少部分與基區(qū)的少部分與基區(qū)的空穴復合，形成空穴復合，形成電流電流IB ，多數(shù)擴，多數(shù)擴散到集電結(jié)。散到集電結(jié)。BECNNPEBRBEc發(fā)射結(jié)正發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射偏，發(fā)射區(qū)電子不區(qū)電子不斷向基區(qū)斷向基區(qū)擴散，形擴散，形成發(fā)射極成發(fā)射極電流電流IE。IEIBRCIB電工電子46從基區(qū)擴從基區(qū)擴散來的電散來的電子作為集子作為集電結(jié)的少電結(jié)的少子，漂移子，漂移進入集電進入集電結(jié)而被收結(jié)而被收集，形成集，

25、形成IC。BECNNPEBRBEcIEICIBICRCIBBCII EBCIII 電工電子47IC與與IB之比稱為之比稱為電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)BCII 靜態(tài)電流放大系數(shù)：靜態(tài)電流放大系數(shù)：動態(tài)電流放大系數(shù)：動態(tài)電流放大系數(shù)：BCII 通常：通常： 電工電子48BECIBIEICNPN型三極管型三極管BECIBIEICPNP型三極管型三極管注意注意！只有：只有：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，晶體管才能工作在放大狀態(tài)。晶體管才能工作在放大狀態(tài)。EBCVVV EBCVVV 電工電子492. 飽和狀態(tài)飽和狀態(tài)當三極管的當三極管的UCEUBE時，時，BC結(jié)處于正向偏置，此時結(jié)處于正

26、向偏置，此時，即使再增加，即使再增加IB，IC也不也不會增加了。會增加了。飽和狀態(tài)飽和狀態(tài)飽和的三極飽和的三極管相當于一管相當于一個閉合的開個閉合的開關關V.UUREI ,IICESCECCCBC3010 3. 截止狀態(tài)截止狀態(tài)當三極管的當三極管的UBEIC，UCE 0.3V稱為稱為飽和區(qū)。飽和區(qū)。電工電子54IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此區(qū)域中此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE0， UCE UBE 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏IC = IB 電流放大作用電流放大作用UBE0， UCE 0時時UGS足

27、夠大時足夠大時（UGSUTH）感應出足夠多感應出足夠多電子，這里以電子，這里以電子導電為主電子導電為主出現(xiàn)出現(xiàn)N型的導型的導電溝道。電溝道。感應出電子感應出電子UTH稱為開啟電壓稱為開啟電壓電工電子70PNNGSDUDSUGSUGS較小時，較小時，導電溝道相當導電溝道相當于電阻將于電阻將D-S連接起來，連接起來，UGS越大此電越大此電阻越小。阻越小。電工電子715.5.2 增強型增強型N溝道溝道MOS管的特性曲線管的特性曲線0IDUGSVTGSDmUIg 跨導：跨導：當漏源間電壓當漏源間電壓U DS 保持一定值時，漏極電流保持一定值時，漏極電流ID與柵源極電與柵源極電壓壓UGS的關系曲線。的關

28、系曲線。1. 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性電工電子72當柵源間電壓當柵源間電壓UGS UTH 并保持一定值時，漏極電流并保持一定值時，漏極電流ID與與漏源極電壓漏源極電壓U DS的關系曲線的關系曲線IDU DS0UGS=3VUGS=4VUGS=5V區(qū)：區(qū)：UDS較小時較小時ID隨隨UDS的增加而增加，的增加而增加，相當于一個相當于一個可變電阻可變電阻可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)區(qū)：區(qū)：UDS較大時較大時ID只隨只隨UGS的變化而變的變化而變化，化， UGS一定時，一定時， 相相當于一個當于一個壓控恒流源壓控恒流源恒流區(qū)恒流區(qū)2. 輸出特性曲線輸出特性曲線電工電子73耗盡型耗盡型N溝道溝道MOS管的特性曲線管的特性曲線耗盡型的耗盡型的MOS管管UGS=0時就有導電溝道時就有導電溝道，加，加反向電壓才能夾斷。反向電壓才能夾斷。轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線0IDUGSUoff夾斷電壓夾斷電壓電工電子74輸出特性曲線輸出特性曲線IDU DS0UGS=0UGS0不論柵不論柵源電壓正、負或源電壓正、負或0都能控制漏極都能控制漏極電流，但一般工作在負柵電流，但一般工作在負柵源電壓狀態(tài)源電壓狀態(tài)電工電子75 P溝道絕緣柵場效應管的工作原理和特性溝道絕緣柵場效應管的工作原理和特性與與N溝