電子技術(shù)緒論及課件

1、電電 子子 技技 術(shù)術(shù) 前前 進進 緒緒 論論 模模 擬擬 部部 分分 數(shù)數(shù) 字字 部部 分分 （點擊進入有關(guān)部分）（點擊進入有關(guān)部分） 電電 子子 技技 術(shù)術(shù) 退退 出出 緒緒 論論 返返 回回 電子技術(shù)發(fā)展簡史電子技術(shù)發(fā)展簡史 電子技術(shù)的應用電子技術(shù)的應用 電子技術(shù)課程安排電子技術(shù)課程安排 前前 進進退退 出出 I. 電子技術(shù)發(fā)展史電子技術(shù)發(fā)展史 電子技術(shù)的出現(xiàn)和應用，使人類進入了高新技電子技術(shù)的出現(xiàn)和應用，使人類進入了高新技 術(shù)時代。電子技術(shù)誕生的歷史雖短，但深入的領(lǐng)域術(shù)時代。電子技術(shù)誕生的歷史雖短，但深入的領(lǐng)域 卻是最深最廣，它不僅是現(xiàn)代化社會的重要標志，卻是最深最廣，它不僅是現(xiàn)代化社

2、會的重要標志， 而且成為人類探索宇宙宏觀世界和微觀世界的物質(zhì)而且成為人類探索宇宙宏觀世界和微觀世界的物質(zhì) 技術(shù)基礎(chǔ)。電子技術(shù)是在通信技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)上誕技術(shù)基礎(chǔ)。電子技術(shù)是在通信技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)上誕 生的。隨著新型電子材料的發(fā)現(xiàn)，電子器件發(fā)生了生的。隨著新型電子材料的發(fā)現(xiàn)，電子器件發(fā)生了 深刻變革。自深刻變革。自19061906年第一支電子器件發(fā)明以來，世年第一支電子器件發(fā)明以來，世 界電子技術(shù)經(jīng)歷了電子管、晶體管和集成電路等重界電子技術(shù)經(jīng)歷了電子管、晶體管和集成電路等重 要發(fā)展階段。要發(fā)展階段。 返返 回回前前 進進 I. 電子技術(shù)發(fā)展史電子技術(shù)發(fā)展史 電子技術(shù)的出現(xiàn)和應用，使人類進入了高新技電

3、子技術(shù)的出現(xiàn)和應用，使人類進入了高新技 術(shù)時代。電子技術(shù)誕生的歷史雖短，但深入的領(lǐng)域術(shù)時代。電子技術(shù)誕生的歷史雖短，但深入的領(lǐng)域 卻是最深最廣，它不僅是現(xiàn)代化社會的重要標志，卻是最深最廣，它不僅是現(xiàn)代化社會的重要標志， 而且成為人類探索宇宙宏觀世界和微觀世界的物質(zhì)而且成為人類探索宇宙宏觀世界和微觀世界的物質(zhì) 技術(shù)基礎(chǔ)。技術(shù)基礎(chǔ)。電子技術(shù)是在通信技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)上誕電子技術(shù)是在通信技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)上誕 生的。生的。隨著新型電子材料的發(fā)現(xiàn)，電子器件發(fā)生了隨著新型電子材料的發(fā)現(xiàn)，電子器件發(fā)生了 深刻變革。深刻變革。19061906年第一支電子器件發(fā)明以來，世界年第一支電子器件發(fā)明以來，世界 電子技術(shù)經(jīng)歷

4、了電子技術(shù)經(jīng)歷了電子管、晶體管和集成電路電子管、晶體管和集成電路等重要等重要 發(fā)展階段。發(fā)展階段。 1.原始通信方式原始通信方式人力、烽火臺等人力、烽火臺等 2.橫木通信機橫木通信機1791年（法）年（法）C.Chappe 3.有線電報有線電報1837年（美）年（美）S . B . Morse 4.有線電話有線電話1875年（蘇）年（蘇）A. G. Bell 5.無線電收發(fā)報機無線電收發(fā)報機1895年年（意）意）G.Marconi 通信業(yè)務(wù)蓬勃發(fā)展通信業(yè)務(wù)蓬勃發(fā)展電子器件產(chǎn)生之后。電子器件產(chǎn)生之后。 一一. . 通信技術(shù)的發(fā)展通信技術(shù)的發(fā)展 電子器件是按照電子器件是按照“電子管電子管晶體晶體

5、管管集成電路集成電路”的順序，逐步發(fā)展起的順序，逐步發(fā)展起 來的。來的。 二二. . 電子器件的產(chǎn)生電子器件的產(chǎn)生 電電 子子 管管 晶晶 體體 管管 集集 成成 電電 路路 1. 真空電子管的發(fā)明：真空電子管的發(fā)明： 真空二極管真空二極管1904年（美）年（美）Fleming 真空三極管真空三極管1906年（美）年（美）Leede Forest 2.晶體管的產(chǎn)生晶體管的產(chǎn)生 晶體管晶體管Transistor1947（美）（美） Shockley、 Bardeen、Brattain 集成電路集成電路IC(integrate circuit)1959 （美）（美） Kilby、Noyis 二二.

6、 . 電子器件的產(chǎn)生電子器件的產(chǎn)生 3.集成電路的出現(xiàn)集成電路的出現(xiàn) 集成電路的出現(xiàn)，標志著人類進入了微電子時代。集成電路的出現(xiàn)，標志著人類進入了微電子時代。 自電子器件出現(xiàn)自電子器件出現(xiàn) 至今，電子技術(shù)已經(jīng)至今，電子技術(shù)已經(jīng) 應用到了社會的各個應用到了社會的各個 領(lǐng)域。領(lǐng)域。 II .電子技術(shù)的應用電子技術(shù)的應用 返返 回回前前 進進 II .電子技術(shù)的應用電子技術(shù)的應用 1875年年 （蘇）（蘇） 1906年年 （美）（美） 1925年年 （美、英）（美、英） 1946年年 （美）（美） 1923年年 （瑞）（瑞） 1902年年 （美）（美） 1901年年 （美）（美） 1934年年 （俄

7、）（俄） Internet 互聯(lián)網(wǎng) 1990年年 （美）（美） 1992年年 （中）（中） VCD 1983年年 （美）（美） 1961年年 （美）（美） III. 課程安排課程安排 一一. 內(nèi)容劃分內(nèi)容劃分 模擬部分模擬部分 器件：器件：二極管二極管 、 三極管三極管 、 場效應管場效應管 放大器：放大器： 基本放大器基本放大器 、 反饋放大器反饋放大器 差動放大器差動放大器 、 功率放大器功率放大器 集成電路：集成電路：集成運算放大器集成運算放大器 電源：電源：交流電源（振蕩器）、交流電源（振蕩器）、 直流電源（穩(wěn)壓電源直流電源（穩(wěn)壓電源） 無線電：無線電：無線電知識無線電知識 、 收音機

8、收音機 數(shù)字部分數(shù)字部分 邏輯代數(shù)邏輯代數(shù) 無線電：無線電：無線電知識無線電知識 、 收音機收音機 邏輯門電路：邏輯門電路： 基本門基本門 、 復合門復合門 組合邏輯電路組合邏輯電路 ： 編碼器編碼器 、 譯碼器、選擇器譯碼器、選擇器 比較器比較器 、 加法器加法器 脈沖：脈沖： 脈沖變換脈沖變換 、 脈沖產(chǎn)生脈沖產(chǎn)生 返返 回回 前前 進進 二二. 時間安排時間安排 學習時間學習時間1學年學年 上半年：上半年：模擬部分模擬部分 下半年：下半年： 數(shù)字部分數(shù)字部分 三三.學習注意事項學習注意事項 課程特點課程特點 電路圖多、內(nèi)容分散、誤差較大電路圖多、內(nèi)容分散、誤差較大 計算簡單、實用性強計算

9、簡單、實用性強 學習方法學習方法 掌握電路的構(gòu)成原則、記住幾個典型電路掌握電路的構(gòu)成原則、記住幾個典型電路 及時總結(jié)及練習、掌握近似原則、與實驗有機結(jié)合及時總結(jié)及練習、掌握近似原則、與實驗有機結(jié)合 第一編第一編 模擬部分模擬部分 返返 回回 第一章第一章 半導體器件半導體器件 第二章第二章 基本放大電路基本放大電路 第三章第三章 放大電路的頻率特性放大電路的頻率特性 第四章第四章 集成運算放大器集成運算放大器 第五章第五章 負反饋放大器負反饋放大器 第六章第六章 信號運算電路信號運算電路 第七章第七章 波形發(fā)生電路波形發(fā)生電路 第八章第八章 功率放大電路功率放大電路 第九章第九章 直流電源直流

10、電源 前前 進進 退退 出出 第一章第一章 半導體器件半導體器件 半導體材料、由半導體構(gòu)成的半導體材料、由半導體構(gòu)成的PNPN 結(jié)、二極管結(jié)構(gòu)特性、三極管結(jié)構(gòu)特性及結(jié)、二極管結(jié)構(gòu)特性、三極管結(jié)構(gòu)特性及 場效應管結(jié)構(gòu)特性。場效應管結(jié)構(gòu)特性。 本章主要內(nèi)容：本章主要內(nèi)容： 返返 回回前前 進進 1 .1 半導體（半導體（Semiconductor）導電特性）導電特性 根據(jù)導電性質(zhì)把物質(zhì)分為根據(jù)導電性質(zhì)把物質(zhì)分為導體、絕導體、絕 緣體、半導體緣體、半導體三大類。三大類。 而半導體又分為而半導體又分為本征半導體、雜質(zhì)本征半導體、雜質(zhì) （摻雜）半導體（摻雜）半導體兩種。兩種。 1 .1 .1 本征半導體

11、本征半導體 純凈的、不含雜質(zhì)的半導體。常用的半導體材純凈的、不含雜質(zhì)的半導體。常用的半導體材 料有兩種：硅（料有兩種：硅（SiSi）、鍺（）、鍺（GeGe）。）。 硅硅Si Si （鍺（鍺GeGe）的原子結(jié)構(gòu)如下：）的原子結(jié)構(gòu)如下： 這種結(jié)構(gòu)的原子利用共價鍵構(gòu)成了這種結(jié)構(gòu)的原子利用共價鍵構(gòu)成了本征半導體本征半導體結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)。 但在外界激勵下，產(chǎn)生但在外界激勵下，產(chǎn)生電子電子空穴對（本空穴對（本 征激發(fā)）征激發(fā)） ，呈現(xiàn)導體的性質(zhì)。呈現(xiàn)導體的性質(zhì)。 這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得本征半導體常溫下這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得本征半導體常溫下 不能導電，呈現(xiàn)絕緣體性質(zhì)。不能導電，呈現(xiàn)絕緣體性質(zhì)。 但在外界激勵下，產(chǎn)生但在

12、外界激勵下，產(chǎn)生電子電子空穴對（本空穴對（本 征激發(fā)）征激發(fā)） ，呈現(xiàn)導體的性質(zhì)。呈現(xiàn)導體的性質(zhì)。 這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得本征半導體常溫下這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得本征半導體常溫下 不能導電，呈現(xiàn)絕緣體性質(zhì)。不能導電，呈現(xiàn)絕緣體性質(zhì)。 在外界激勵下，產(chǎn)生在外界激勵下，產(chǎn)生電子電子空穴對（本征激發(fā)）空穴對（本征激發(fā)）。 空穴也可移動（鄰近電子的依次填充）?？昭ㄒ部梢苿樱ㄠ徑娮拥囊来翁畛洌?。 在外界激勵下，產(chǎn)生在外界激勵下，產(chǎn)生電子電子空穴對（本征激發(fā)）空穴對（本征激發(fā)）。 空穴也可移動（鄰近電子的依次填充）?？昭ㄒ部梢苿樱ㄠ徑娮拥囊来翁畛洌?在外界激勵下，產(chǎn)生在外界激勵下，產(chǎn)生電子電子空穴對（本征激發(fā)

13、）空穴對（本征激發(fā)）。 空穴也可移動（鄰近電子的依次填充）?？昭ㄒ部梢苿樱ㄠ徑娮拥囊来翁畛洌?。 半導體內(nèi)部存在兩種半導體內(nèi)部存在兩種載流子載流子（可導（可導 電的自由電荷）：電子（負電荷）、空電的自由電荷）：電子（負電荷）、空 穴（正電荷）。穴（正電荷）。 在本征半導體中，在本征半導體中，本征激發(fā)本征激發(fā)產(chǎn)生了產(chǎn)生了 電子電子空穴對空穴對，同時存在電子，同時存在電子空穴對空穴對 的的復合復合 。 電子濃度電子濃度 = 空穴濃度空穴濃度 ni = pi 1 .1 .2 雜質(zhì)半導體雜質(zhì)半導體 在本征半導體中摻入少量的其他特定元在本征半導體中摻入少量的其他特定元 素（稱為雜質(zhì)）而形成的半導體。素（

14、稱為雜質(zhì)）而形成的半導體。 根據(jù)摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導體又分根據(jù)摻入雜質(zhì)的不同，雜質(zhì)半導體又分 為為N N型半導體型半導體和和P P型半導體型半導體。 常用的雜質(zhì)材料有常用的雜質(zhì)材料有5 5價元素磷價元素磷P P和和3 3價元素硼價元素硼B(yǎng) B。 N N型半導體內(nèi)部存在大量的電子和少量的空穴，電型半導體內(nèi)部存在大量的電子和少量的空穴，電 子屬于多數(shù)載流子（簡稱多子），空穴屬于少數(shù)載流子屬于多數(shù)載流子（簡稱多子），空穴屬于少數(shù)載流 子（簡稱少子）。子（簡稱少子）。 n n p p N N型半導體主要靠電子導電。型半導體主要靠電子導電。 一一 . N N型半導體（型半導體（電子型半導體）電子型半

15、導體） 摻如非金屬雜質(zhì)磷摻如非金屬雜質(zhì)磷 P 的半導體。的半導體。每摻入一個磷每摻入一個磷 原子就相當于向半導體內(nèi)原子就相當于向半導體內(nèi) 部注入一個自由電子。部注入一個自由電子。 P P型半導體內(nèi)部存在大量的空穴和少量的電子，空型半導體內(nèi)部存在大量的空穴和少量的電子，空 穴屬于多數(shù)載流子（簡稱多子），電子屬于少數(shù)載流穴屬于多數(shù)載流子（簡稱多子），電子屬于少數(shù)載流 子（簡稱少子）。子（簡稱少子）。 p np n P P型半導體主要靠空穴導電。型半導體主要靠空穴導電。 二二 . P P型半導體（空穴型型半導體（空穴型半導體）半導體） 摻如非金屬雜質(zhì)硼摻如非金屬雜質(zhì)硼 B 的半導體。的半導體。每摻入

16、一個硼每摻入一個硼 原子就相當于向半導體內(nèi)原子就相當于向半導體內(nèi) 部注入一個空穴。部注入一個空穴。 雜質(zhì)半導體導電性能主要由多數(shù)載流子決定，雜質(zhì)半導體導電性能主要由多數(shù)載流子決定， 總體是電中性的，通常只畫出其中的雜質(zhì)離子和等總體是電中性的，通常只畫出其中的雜質(zhì)離子和等 量的多數(shù)載流子。量的多數(shù)載流子。 雜質(zhì)半導體的簡化表示法雜質(zhì)半導體的簡化表示法 1 .2 半導體二極管（半導體二極管（Diode） 二極管的主要結(jié)構(gòu)是二極管的主要結(jié)構(gòu)是PNPN結(jié)。結(jié)。 1 .2 .1 PN結(jié)（結(jié)（ PN Junction ） 將一塊將一塊P型半導體和一塊型半導體和一塊N型半導體有機結(jié)合在型半導體有機結(jié)合在 一

17、起，其結(jié)合部就叫一起，其結(jié)合部就叫PN結(jié)（該區(qū)域具有特殊性質(zhì)）。結(jié)（該區(qū)域具有特殊性質(zhì)）。 一一. PN結(jié)的形成結(jié)的形成 多子擴散（在多子擴散（在PNPN結(jié)合結(jié)合 部形成內(nèi)電場部形成內(nèi)電場E EI I）。）。 內(nèi)電場阻礙多子擴內(nèi)電場阻礙多子擴 散、利于少子漂移。散、利于少子漂移。 當擴散與漂移相對當擴散與漂移相對 平衡，形成平衡，形成PNPN結(jié)。結(jié)。 PN結(jié)別名：耗盡層、結(jié)別名：耗盡層、 勢壘區(qū)、電位壁壘、勢壘區(qū)、電位壁壘、 阻擋層、內(nèi)電場、空阻擋層、內(nèi)電場、空 間電荷區(qū)等。間電荷區(qū)等。 二二. PN結(jié)性質(zhì)結(jié)性質(zhì)單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?1. 正向?qū)ㄕ驅(qū)?PNPN結(jié)外加正向電壓（正向偏置）結(jié)

18、外加正向電壓（正向偏置）P P接接 + +、N N接接 - - ，形成較，形成較 大正向電流（正向電阻較?。?。如大正向電流（正向電阻較?。?。如3mA3mA。 2. 反向截止反向截止 PNPN結(jié)外加反向電壓（反向偏置）結(jié)外加反向電壓（反向偏置）P P接接 - -、N N接接 + +，形成較，形成較 小反向電流（反向電阻較大）。如小反向電流（反向電阻較大）。如1010A A。 二二. PN結(jié)性質(zhì)結(jié)性質(zhì)單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?正偏電壓正偏電壓U= 0.7V（Si管）管） 0.2V（Ge管管 當電壓超過某個值（約零點幾伏），全部少子參與導電，形成當電壓超過某個值（約零點幾伏），全部少子參與導電，形成 “

19、反向飽和電流反向飽和電流I IS S”。 反偏電壓最高可達幾千伏。反偏電壓最高可達幾千伏。 1 .2 .2 二極管二極管 用外殼將用外殼將PNPN結(jié)封閉，引出結(jié)封閉，引出2 2根極線，就構(gòu)成了二極管根極線，就構(gòu)成了二極管 。 一二極管伏安特性一二極管伏安特性 正向電流較大（正向電阻正向電流較大（正向電阻 較小），反向電流較?。ǚ聪蜉^?。聪螂娏鬏^?。ǚ聪?電阻較大）。電阻較大）。 門 限 電 壓 （ 死 區(qū) 電 壓 ）門 限 電 壓 （ 死 區(qū) 電 壓 ） V(Si管約為管約為0.5V、Ge管約為管約為 0.1V)，反向擊穿電壓，反向擊穿電壓VBR（可（可 高達幾千伏）高達幾千伏） 二極管電

20、壓電流方程：二極管電壓電流方程： 二二極管主要參數(shù)二二極管主要參數(shù) 1. 最大整流電流最大整流電流IF 2. 最高反向工作電壓最高反向工作電壓UR 3. 反向電流反向電流IR 4. 最高工作頻率最高工作頻率fM 由三塊半導由三塊半導 體構(gòu)成，分為體構(gòu)成，分為NPNNPN 型和型和PNPPNP型兩種。型兩種。 三極管含有三極管含有3 3極、極、 2 2結(jié)、結(jié)、3 3區(qū)。其中區(qū)。其中 發(fā)射區(qū)高摻雜，發(fā)射區(qū)高摻雜， 基區(qū)較薄且低摻基區(qū)較薄且低摻 雜，集電區(qū)一般雜，集電區(qū)一般 摻雜。摻雜。 1 .3 三極管（三極管（Transistor） 1 .3 .1 三極管結(jié)構(gòu)及符號三極管結(jié)構(gòu)及符號 1 .3 三

21、極管（三極管（Transistor） 1 .3 .2 三極管的三種接法（三種組態(tài)）三極管的三種接法（三種組態(tài)） 三極管在放大電路中有三種接法：共發(fā)射極、三極管在放大電路中有三種接法：共發(fā)射極、 共基極、共集電極。共基極、共集電極。 1 .3 三極管（三極管（Transistor） 1 .3 .3 三極管內(nèi)部載流子傳輸三極管內(nèi)部載流子傳輸 下面以共發(fā)射極下面以共發(fā)射極NPNNPN管為例分析三極管內(nèi)部載管為例分析三極管內(nèi)部載 流子的運動規(guī)律，從而得到三極管的放大作用。流子的運動規(guī)律，從而得到三極管的放大作用。 為保證三極管具有放大作用（直流能量轉(zhuǎn)換為為保證三極管具有放大作用（直流能量轉(zhuǎn)換為 交流能

22、量），三極管電路中必須要有直流電源，并交流能量），三極管電路中必須要有直流電源，并 且直流電源的接法必須保證且直流電源的接法必須保證三極管的發(fā)射結(jié)正偏、三極管的發(fā)射結(jié)正偏、 集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏 。 1 .3 .3 三極管內(nèi)部載流子傳輸三極管內(nèi)部載流子傳輸 一一. .發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū) 發(fā)射載流子發(fā)射載流子( (電子電子) ) IEN IBN 1 .3 .3 三極管內(nèi)部載流子傳輸三極管內(nèi)部載流子傳輸 一一. .發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū) 發(fā)射載流子發(fā)射載流子( (電子電子) ) 二二. .電子在基區(qū)的電子在基區(qū)的 疏運輸運和復合疏運輸運和復合 IB IE ICBO IC ICN IBN 1

23、 .3 .3 三極管內(nèi)部載流子傳輸三極管內(nèi)部載流子傳輸 一一. .發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū) 發(fā)射載流子發(fā)射載流子( (電子電子) ) 二二. .電子在基區(qū)的電子在基區(qū)的 疏運輸運和復合疏運輸運和復合 三三. .集電區(qū)收集電子集電區(qū)收集電子 1 .3 .4 三極管各極電流關(guān)系三極管各極電流關(guān)系 一一. 各極電流關(guān)系各極電流關(guān)系 IE = IEN + IBN IEN IB = IBN ICBO IC = ICN + ICBO IE = IC + IB 二二. 電流控制作用電流控制作用 =ICN / IBNIC / IB IC=IB + (1+ )ICBO =IB + ICEO IC =ICN /

24、IENIC / IE IC= IE + ICBO IE 1 .3 .5 共射共射NPN三極管伏安特性曲線三極管伏安特性曲線 一一. 輸入特性曲線輸入特性曲線 IB = f ( UBE ，UCE ) 實際測試時如下進行：實際測試時如下進行： IB = f ( UBE )|UCE U UCE CE 5V5V的特性曲線基本重合為一條，手冊可給出該條曲線。的特性曲線基本重合為一條，手冊可給出該條曲線。 1 .3 .5 共射共射NPN三極管伏安特性曲線三極管伏安特性曲線 二二. 輸出特性曲線輸出特性曲線 IC = f ( IB ，UCE ) 實際測試時如此進行：實際測試時如此進行：IC = f ( UC

25、E )|IB 1 .3 .5 共射共射NPN三極管伏安特性曲線三極管伏安特性曲線 二二. 輸出特性曲線輸出特性曲線 IC = f ( IB ，UCE ) 實際測試時如下進行：實際測試時如下進行： IC = f ( UCE )|IB 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反 偏時，三極管工作在放大偏時，三極管工作在放大 區(qū)區(qū)( (處于放大狀態(tài)處于放大狀態(tài)) )，有放，有放 大作用：大作用：I IC C =I =IB B + + I ICEOCEO 兩結(jié)均反偏時，三極管兩結(jié)均反偏時，三極管 工作在截至區(qū)工作在截至區(qū)( (處于截止處于截止 狀態(tài)狀態(tài)) ) ，無放大作用。，無放大作用。 I IE E=

26、I=IC C=I=ICEOCEO00 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正 偏時，三極管工作在飽和偏時，三極管工作在飽和 區(qū)區(qū)( (處于飽和狀態(tài)處于飽和狀態(tài)) ) ，無，無 放大作用。放大作用。I IE E=I=IC C（較大）（較大） 1 .3 .6 1 .3 .6 三極管主要參數(shù)三極管主要參數(shù) 一一. . 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) 1. 1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)共發(fā)射極電流放大系數(shù) 直流直流IIC C/I/IB B 交流交流IIC C/I/IB B 均用均用表示。表示。 2. 2. 共基極電流放大系數(shù)共基極電流放大系數(shù) 直流直流IIC C/I/IE E 交流交流IIC C/I/IE

27、E 均用均用表示。表示。 二二. . 反向飽和電流反向飽和電流 1.1.集電極集電極基極間反向飽和電流基極間反向飽和電流I ICBOCBO 2.2.集電極集電極發(fā)射極間穿透電流發(fā)射極間穿透電流I ICEOCEO I ICEO CEO = = (1+)(1+) I ICBOCBO =/(1 =/(1) =/(1+) =/(1+) 1 .3 .6 1 .3 .6 三極管主要參數(shù)三極管主要參數(shù) 一一. . 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) IIC C/I/IB B I IC C/I/IE E =/(1=/(1) =/(1+) =/(1+) 二二. . 反向飽和電流反向飽和電流 I ICBO CBO I IC

28、EOCEO I ICEO CEO = = (1+)(1+) I ICBOCBO 三三. . 極限參數(shù)極限參數(shù) 1. 1. 集電極最大允許電流集電極最大允許電流I ICM CM 2. 2. 集電極最大允許功耗集電極最大允許功耗P PCMCM 3. 3. 反向擊穿電壓反向擊穿電壓U U(BR)CEO(BR)CEO 、U U(BR)CBO(BR)CBO 三極管的安全工作區(qū)三極管的安全工作區(qū) 1 .4 場效應管（場效應管（Field Effect Transistor ） 場效應管是單極性管子，其輸入場效應管是單極性管子，其輸入PNPN結(jié)處于反偏或結(jié)處于反偏或 絕緣狀態(tài)，具有很高的輸入電阻（這一點與三

29、極管相絕緣狀態(tài)，具有很高的輸入電阻（這一點與三極管相 反），同時，還具有噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射性反），同時，還具有噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射性 強、便于集成等優(yōu)點。強、便于集成等優(yōu)點。 場效應管是電壓控制器件，既利用柵源電壓控制場效應管是電壓控制器件，既利用柵源電壓控制 漏極電流漏極電流（i iD D = = g gm mu uGSGS）這一點與三級管（電流控這一點與三級管（電流控 制器件制器件, , 基極電流控制集電極電流基極電流控制集電極電流, ,i iC C = = i iB B）不同，）不同， 而柵極電流而柵極電流i iD D為為0 0（因為輸入電阻很大）。（因為輸入電阻很大）。

30、場效應管分為兩大類場效應管分為兩大類: :結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管（JFETJFET Junction Field Effect TransistorJunction Field Effect Transistor）、絕緣柵型場效應絕緣柵型場效應 管管（IGFETIGFETInsulated Gate Field Effect TransistorInsulated Gate Field Effect Transistor）。 1 .4 .1 結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管 一一. . 結(jié)構(gòu)及符號結(jié)構(gòu)及符號 N N溝道管靠（單一載流子）電子導電，溝道管靠（單一載流子）電子導電，P P溝道管靠溝道管靠

31、 （單一載流子）空穴導電。場效應管的柵極（單一載流子）空穴導電。場效應管的柵極G G、源極、源極S S 和漏極和漏極D D與三級管的基極與三級管的基極b b、發(fā)射極、發(fā)射極e e和集電極和集電極c c相對應。相對應。 1 .4 .1 結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管 二二. .工作原理工作原理（柵源電壓（柵源電壓U UGSGS對漏極電流對漏極電流I ID D的控制作用）的控制作用） 以以N N溝道管為例。漏源之間的溝道管為例。漏源之間的PNPN結(jié)必須反偏。結(jié)必須反偏。 N N溝道結(jié)型場效應管加上反溝道結(jié)型場效應管加上反 偏的柵源電壓偏的柵源電壓U UGSGS (U (UGSGS0) 0) ， 在漏源之

32、間加上漏源電壓在漏源之間加上漏源電壓 U UDSDS(U(UDSDS0)0)，便形成漏極電，便形成漏極電 流流I ID D。而且。而且U UGSGS可控制可控制I ID D。 1 .4 .1 結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管 二二. .工作原理工作原理（柵源電壓（柵源電壓U UGSGS對漏極電流對漏極電流I ID D的控制作用）的控制作用） 1.1.當當V VGSGS=0=0時，溝道最寬，溝道電阻最小，加上時，溝道最寬，溝道電阻最小，加上V VDSDS可形成最大的可形成最大的I ID D； 2.2.當當V VGSGS0 0時，溝道逐漸變窄，溝道電阻逐漸變大，時，溝道逐漸變窄，溝道電阻逐漸變大，I ID

33、 D逐漸減?。恢饾u減??； 3.3.當當V VGSGS=V=VP P ( (夾斷電壓夾斷電壓) )時，溝道夾斷，溝道電阻為無限大，時，溝道夾斷，溝道電阻為無限大，I ID D=0=0。 所以，柵源電壓所以，柵源電壓V VGSGS對漏極電流對漏極電流I ID D有控制作用。有控制作用。 1 .4 .1 結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管 三三. JFET. JFET特性曲線特性曲線 V VGSGS=0=0時時, ,隨著隨著V VDSDS的增大的增大, ,溝道變化情況如下溝道變化情況如下: : 加上加上V VGSGS，溝道會進一步變窄。，溝道會進一步變窄。 1 .4 .2 結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管 三三. J

34、FET. JFET特性曲線特性曲線 1.1.轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線 I ID D =f(=f( U UGSGS )|)|U UDSDS 1 .4 .1 結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管 三三. JFET. JFET特性曲線特性曲線 2.2.漏極特性曲線漏極特性曲線 變化變化V VGSGS, ,得到一族得到一族 特性曲線。分為可變特性曲線。分為可變 電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊 穿區(qū)三部分。穿區(qū)三部分。 JFETJFET管管 處于恒流狀態(tài)時，有處于恒流狀態(tài)時，有 I ID D= =g gm mV VGSGS I ID D =f(=f( U UDSDS )|)|U UGSGS 1 .4 .1 結(jié)

35、型場效應管結(jié)型場效應管 四四. JFET. JFET管工作過程小結(jié)管工作過程小結(jié) N N溝道溝道JFET JFET 柵源電壓柵源電壓V VGSGS為為負值負值，漏源電壓，漏源電壓V VDSDS為為 正值正值（P P溝道溝道JFETJFET與之相反）。在柵源電壓與之相反）。在柵源電壓V VGSGS控制下，控制下， 漏極電流漏極電流I ID D隨柵源電壓而發(fā)生變化。并且，隨柵源電壓而發(fā)生變化。并且，V VGSGS=0=0時，時， I ID D最大；最大；V VGSGS= = V VP P 時，時，I ID D=0=0。二者之間關(guān)系為：。二者之間關(guān)系為： I ID D= =g gm mV VGSGS

36、 （柵源間必須反偏）（柵源間必須反偏） 1 .4 .2 結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管 三三. JFET. JFET特性曲線特性曲線 3.3.轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移輸出特性關(guān)系輸出特性關(guān)系 由輸出特性曲線可得到轉(zhuǎn)移特性曲線由輸出特性曲線可得到轉(zhuǎn)移特性曲線 1 .4 .1 結(jié)型場效應管結(jié)型場效應管 四四. JFET. JFET管工作過程小結(jié)管工作過程小結(jié) N N溝道溝道JFET JFET 柵源電壓柵源電壓V VGSGS為為負值負值，漏源電壓，漏源電壓V VDSDS為為 正值正值（P P溝道溝道JFETJFET與之相反）。在柵源電壓與之相反）。在柵源電壓V VGSGS控制下，控制下， 漏極電流漏極電流I ID D隨柵

37、源電壓而發(fā)生變化。并且，隨柵源電壓而發(fā)生變化。并且，V VGSGS=0=0時，時， I ID D最大；最大；V VGSGS= = V VP P 時，時，I ID D=0=0。二者之間關(guān)系為：。二者之間關(guān)系為： I ID D= =g gm mV VGSGS （柵源間必須反偏）（柵源間必須反偏） 1 .4 .1 絕緣柵型場效應管絕緣柵型場效應管 這種場效應管的柵極處于絕緣狀態(tài)，輸入電阻這種場效應管的柵極處于絕緣狀態(tài)，輸入電阻 更高。廣泛運用的是金屬更高。廣泛運用的是金屬氧化物氧化物半導體場效應半導體場效應 管管MOSFETMOSFET（MetalMetalOxideOxideSemicondoct

38、orSemicondoctor type type Field Effect TransistorField Effect Transistor），簡計為），簡計為MOSMOS管。管。分為分為 增強型增強型MOSMOS管和耗盡型管和耗盡型MOSMOS管兩類管兩類 ，每類又有，每類又有N N溝道溝道 和和P P溝道兩種管子。溝道兩種管子。 1 .4 .1 絕緣柵型場效應管絕緣柵型場效應管 一一. . 結(jié)構(gòu)及符號結(jié)構(gòu)及符號 二二. . 增強型增強型N N溝道溝道MOSMOS管工作過程管工作過程 1. UGS=0，無導電，無導電 溝道，不能導電溝道，不能導電 2. UGS逐漸增大，逐漸增大， 形成耗

39、盡層形成耗盡層 3. UGS UT ，形成，形成 反型層（反型層（N溝道）溝道） 4. 加上加上UDS，導，導 電溝道不均勻電溝道不均勻 5. UGS - UDS = UT ， 溝道預夾斷溝道預夾斷 6. UDS繼續(xù)增大繼續(xù)增大,溝道溝道 夾斷夾斷, 使使ID基本不變基本不變 三三. .增強型增強型N N溝道溝道MOSMOS管特性曲線管特性曲線 轉(zhuǎn)移特性近似表示為轉(zhuǎn)移特性近似表示為I ID D =I=IDODO(U(UGSGS/U/UT T 1)1)2 2 （其中（其中I IDODO 為為U UGSGS = = 2U2UT T 時的時的I ID D 值）值） 四四. . 耗盡型耗盡型N N溝道

40、溝道MOSMOS管工作過程管工作過程 不加柵源電壓時，在不加柵源電壓時，在MOSMOS 管體內(nèi)已存在導電溝道。而所管體內(nèi)已存在導電溝道。而所 加柵源電壓可以控制導電溝道加柵源電壓可以控制導電溝道 的寬窄，從而控制漏極電流。的寬窄，從而控制漏極電流。 且當且當U UGS GS 0 0時，導電溝道更寬，時，導電溝道更寬， 電流電流U UD D變大；變大；U UGS GS 0 0時，導電時，導電 溝道保持原有寬度，電流溝道保持原有寬度，電流I ID D適適 中；當中；當V VGS GS 0 0時，導電溝道變時，導電溝道變 窄。電流窄。電流I ID D變小。當變小。當U UGS GS小到夾 小到夾 斷

41、電壓斷電壓U UP P 時，溝道全部夾斷，時，溝道全部夾斷， 使得使得I ID D=0=0。 四四. .耗盡型耗盡型N N溝道溝道MOSMOS管特性曲線管特性曲線 各類場效應管偏置電壓極性各類場效應管偏置電壓極性 場效應管類型場效應管類型柵源電壓柵源電壓UGS漏源電壓漏源電壓UDS N溝道溝道JFET -+ P溝道溝道JFET +- N溝道增強型溝道增強型MOS管管 + P溝道增強型溝道增強型MOS管管 - N溝道耗盡型溝道耗盡型MOS管管 + 0 -+ N溝道耗盡型溝道耗盡型MOS管管 + 0 - 五五. .場效應管的主要參數(shù)場效應管的主要參數(shù) 1.1.直流參數(shù)直流參數(shù) （1 1）飽和漏極電

42、流）飽和漏極電流I IDSSDSS （2 2）夾斷電壓）夾斷電壓U UP P （3 3）開啟電壓）開啟電壓U UT T 2.2.交流參數(shù)交流參數(shù) （1 1）低頻跨導）低頻跨導g gm m 其中其中 g gm m=(=(I ID D/ / I ID D )|U)|UDS DS （2 2）極間電容）極間電容 C CGSGS C CGD GD C CDS DS 3.3.極限參數(shù)極限參數(shù) （1 1） 漏源擊穿電壓漏源擊穿電壓V V（ （BRBR）DSDS （2 2） 柵源擊穿電壓柵源擊穿電壓V V（ （BRBR）GSGS （3 3） 最大漏極電流最大漏極電流I IDM DM （4 4） 最大漏極耗散功

43、率最大漏極耗散功率P PDM DM 第二章第二章 基本放大電路基本放大電路 放大器構(gòu)成及主要技術(shù)指標、放大器放大器構(gòu)成及主要技術(shù)指標、放大器 分析方法、三種組態(tài)放大器、場效應管放分析方法、三種組態(tài)放大器、場效應管放 大器、多級放大器大器、多級放大器 。 本章主要內(nèi)容：本章主要內(nèi)容： 前前 進進返返 回回 2 2.1 1 放大的概念放大的概念 1 1信號：信號：電流或電壓。電流或電壓。 信號放大時，放大的是信號的幅度，信號的頻率信號放大時，放大的是信號的幅度，信號的頻率 不變。信號放大主要是利用三極管基極電流對集電極不變。信號放大主要是利用三極管基極電流對集電極 電流的控制作用（電流的控制作用（

44、I IC C=I=Ib b）或場效應管柵極電壓對漏）或場效應管柵極電壓對漏 極電流的控制作用（極電流的控制作用（I Id d=g=gm mU Ugsgs）。）。 放大器放大器小信號小信號 大信號大信號 2放大的概念放大的概念 2 .2 .1 原理電路原理電路 主要元件主要元件處于放大狀態(tài)的三極管。處于放大狀態(tài)的三極管。 2.2 2.2 單管共發(fā)射極放大電路單管共發(fā)射極放大電路 為保證三極管的偏置，要加上直流電源。為保證三極管的偏置，要加上直流電源。 為限流，應加上降壓電阻。為限流，應加上降壓電阻。 為放大信號，加上信號源及輸出端。為放大信號，加上信號源及輸出端。 2 .2 .1 原理電路原理電

45、路 主要元件主要元件處于放大狀態(tài)的三極管。處于放大狀態(tài)的三極管。 2.2 2.2 單管共發(fā)射極放大電路單管共發(fā)射極放大電路 為保證三極管的偏置，要加上直流電源。為保證三極管的偏置，要加上直流電源。 為限流，應加上降壓電阻。為限流，應加上降壓電阻。 為放大信號，加上信號源及輸出端。為放大信號，加上信號源及輸出端。 2 .2 .2 電路放大工作原理電路放大工作原理 2.2 2.2 單管共發(fā)射極放大電路單管共發(fā)射極放大電路 考慮到考慮到u uCECE = V = VCC CC - - i iC CR RC C ， 而而V VCCCC是固定不便的，則是固定不便的，則 變化量變化量uuCECE = =

46、- -i iC CR RC C 。 u ui iu uBEBEi iB Bu uO Oi iC C =i iB B u uCECE 2 .2 .3 實際放大器實際放大器 2.2 2.2 單管共發(fā)射極放大電路單管共發(fā)射極放大電路 首先改成單電源供電，首先改成單電源供電， 再加上隔直電容，再加上隔直電容， 共射放大器共射放大器 共射放大器共射放大器 習慣畫成：習慣畫成： 2 .2 .4 放大器構(gòu)成原則放大器構(gòu)成原則 2.2 2.2 單管共發(fā)射極放大電路單管共發(fā)射極放大電路 1. 1. 保證三極管發(fā)射結(jié)正偏、保證三極管發(fā)射結(jié)正偏、 集電結(jié)反偏（如右圖所示）；集電結(jié)反偏（如右圖所示）； 2. 2. 欲

47、放大信號能進入三極管中；欲放大信號能進入三極管中； 3. 3. 所放大信號能傳輸?shù)截撦d上。所放大信號能傳輸?shù)截撦d上。 電路舉例電路舉例 2.2 2.2 單管共發(fā)射極放大電路單管共發(fā)射極放大電路 對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下 動態(tài)量（交流量）：動態(tài)量（交流量）： 2.3 2.3 放大電路主要技術(shù)指標放大電路主要技術(shù)指標 1.1.放大倍數(shù)（增益）放大倍數(shù)（增益）A Au u、A Ai i 3.3.非線性失真系數(shù)非線性失真系數(shù)D D 2.2.最大輸出信號幅度最大輸出信號幅度U Uomom、I Iomom 4.4.輸入電阻輸入電阻R

48、Ri i 5.5.輸出電阻輸出電阻R Ro o 6.6.通頻帶通頻帶BW BW 7.7.最大輸出功率最大輸出功率P Pomom及轉(zhuǎn)換效率及轉(zhuǎn)換效率 對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下 動態(tài)量（交流量）：動態(tài)量（交流量）： 2.3 2.3 放大電路主要技術(shù)指標放大電路主要技術(shù)指標 1.1.放大倍數(shù)（增益）放大倍數(shù)（增益）A Au u、A Ai i A Au u=U=Uo o / / U Ui i A Ai i=I=Io o / / I Ii i A Ausus=U=Uo o / / U Us s 對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還

49、要分析如下對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下 動態(tài)量（交流量）：動態(tài)量（交流量）： 2.3 2.3 放大電路主要技術(shù)指標放大電路主要技術(shù)指標 最大不失真輸最大不失真輸 出信號幅值。出信號幅值。 2.2.最大輸出信號幅度最大輸出信號幅度U Uomom、I Iomom 對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下 動態(tài)量（交流量）：動態(tài)量（交流量）： 2.3 2.3 放大電路主要技術(shù)指標放大電路主要技術(shù)指標 3.3.非線性失真系數(shù)非線性失真系數(shù)D D 輸出信號輸出信號 u uo o = u = u1 1 + u + u2 2 + u

50、 + u3 3 + + 其中，其中， u u1 1是基波，是基波， u u2 2 、 u u3 3 、是諧波是諧波 對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下 動態(tài)量（交流量）：動態(tài)量（交流量）： 2.3 2.3 放大電路主要技術(shù)指標放大電路主要技術(shù)指標 4.4.輸入電阻輸入電阻R Ri i R Ri i=U=Ui i / / I Ii i 對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下 動態(tài)量（交流量）：動態(tài)量（交流量）： 2.3 2.3 放大電路主要技術(shù)指標放大電路主要技術(shù)指標 5.5.

51、輸入電阻輸入電阻R Ro o 實際測量時實際測量時 Ro =Ro =（UUo o/ U/ Uo o - - 1 1）R RL L R Ro o=U=Uo o / / I Io oUs=0Us=0 R RL L= = 對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下 動態(tài)量（交流量）：動態(tài)量（交流量）： 2.3 2.3 放大電路主要技術(shù)指標放大電路主要技術(shù)指標 6.6.通通頻帶頻帶BWBW BW = fBW = fH H - f - fL L 對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下對于放大器，除分析靜態(tài)量（直流量），還要分析如下 動態(tài)量（

52、交流量）：動態(tài)量（交流量）： 2.3 2.3 放大電路主要技術(shù)指標放大電路主要技術(shù)指標 = = P Pomom/P/PV V 7.7.最大輸出功率最大輸出功率P Pomom及轉(zhuǎn)換效率及轉(zhuǎn)換效率 附：電路中有關(guān)符號規(guī)定附：電路中有關(guān)符號規(guī)定 直直 流流 量：量： 大寫字母、大寫腳碼大寫字母、大寫腳碼 如如 IB、UCE 交流瞬時量：交流瞬時量： 小寫字母、小寫腳碼小寫字母、小寫腳碼 如如 ib、uce 交流有效量：交流有效量： 大寫字母、小寫腳碼大寫字母、小寫腳碼 如如 Ib、Ucce 交直流總量：交直流總量： 小寫字母、大寫腳碼小寫字母、大寫腳碼 如如 iB、uCE 放大器分析有靜態(tài)分析和動態(tài)

53、分析。其中動態(tài)分析最常放大器分析有靜態(tài)分析和動態(tài)分析。其中動態(tài)分析最常 用的方法有圖解法（大信號）和等效電路法（小信號）。用的方法有圖解法（大信號）和等效電路法（小信號）。 2.4 2.4 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 一一. .直流等效電路（直流通路直流等效電路（直流通路） 2.4.1 放大器直流通路與交流通路放大器直流通路與交流通路 直流信號所通過的線路，用于分析直流信號所通過的線路，用于分析直直流量。流量。 直流通路作法：斷開隔直電容。直流通路作法：斷開隔直電容。 一一. .直流等效電路（直流通路直流等效電路（直流通路） 2.4.1 放大器直流通路與交流通路放大器直流通路與交

54、流通路 交流信號所通過的線路，用于分析交流量。交流信號所通過的線路，用于分析交流量。 交流交流通路作法：通路作法：短路短路隔直電容隔直電容和直流電源和直流電源。 2.4 2.4 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 二二. .交交流等效電路（流等效電路（交交流通路流通路） 在放大電路或其直流通路中，計算在放大電路或其直流通路中，計算I IB B，U UBEBE，I IC C，U UCE CE 。 其中，其中， U UBEBE = = 0.7V0.7V（SiSi管）或管）或0.2V0.2V（GeGe管）管）當作已知量。當作已知量。 2.4.2 靜態(tài)工作點的估算靜態(tài)工作點的估算 2.4 2.4

55、 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 I IB B = =（VccVcc - U - UBEBE ）/ / R RB B Vcc Vcc / / R RB B I IC C =I =IB B U UCE CE = Vcc= Vcc -I -IC CR RC C 2.4.3 圖解法圖解法 2.4 2.4 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 先利用估算法計算出先利用估算法計算出I IB B，在輸入特性曲線上作在輸入特性曲線上作靜態(tài)工作靜態(tài)工作 點點Q Q，再在輸出特性曲線上作出直流負載線再在輸出特性曲線上作出直流負載線u uCECE=V=VCCCC- -i iC CR RC C，其，其

56、 與與I IB B的交點及靜態(tài)工作點的交點及靜態(tài)工作點Q Q，直流負載線的斜率為，直流負載線的斜率為-1/R-1/RC C 。 一一靜態(tài)分析靜態(tài)分析 2.4.3 圖解法圖解法 2.4 2.4 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 先利用估算法計算出先利用估算法計算出I IB B，在輸入特性曲線上作在輸入特性曲線上作靜態(tài)工作靜態(tài)工作 點點Q Q，再在輸出特性曲線上作出直流負載線再在輸出特性曲線上作出直流負載線u uCECE=V=VCCCC- -i iC CR RC C，其，其 與與I IB B的交點及靜態(tài)工作點的交點及靜態(tài)工作點Q Q，直流負載線的斜率為，直流負載線的斜率為-1/R-1/RC

57、 C 。 一一靜態(tài)分析靜態(tài)分析 作出交流負載線作出交流負載線（斜率為交流負載斜率為交流負載-1/R-1/RL L、過靜態(tài)工作點、過靜態(tài)工作點 Q Q），）， 2.4.3 圖解法圖解法 2.4 2.4 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 二二動態(tài)分析動態(tài)分析 作出交流負載線作出交流負載線（斜率為交流負載斜率為交流負載-1/R-1/RL L、過靜態(tài)工作點、過靜態(tài)工作點 Q Q），）， 2.4.3 圖解法圖解法 2.4 2.4 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 二二動態(tài)分析動態(tài)分析 然后根據(jù)已知的輸入信號然后根據(jù)已知的輸入信號 如如u ui i=0.05sin=0.05sint(V)t

58、(V)，分別在輸，分別在輸 入特性、輸出特性上的靜態(tài)工作點附近入特性、輸出特性上的靜態(tài)工作點附近得出動態(tài)范圍，得出動態(tài)范圍， 作出交流負載線作出交流負載線（斜率為交流負載斜率為交流負載-1/R-1/RL L、過靜態(tài)工作點、過靜態(tài)工作點 Q Q），），然后根據(jù)已知的輸入信號然后根據(jù)已知的輸入信號 如如u ui i=0.05sin=0.05sint(V)t(V)，分，分 別在輸入特性、輸出特性上的靜態(tài)工作點附近別在輸入特性、輸出特性上的靜態(tài)工作點附近得出動態(tài)范圍，得出動態(tài)范圍， 根據(jù)動態(tài)范圍作出輸入輸出波形，求出根據(jù)動態(tài)范圍作出輸入輸出波形，求出A Au u、A Ai i。 2.4.3 圖解法圖解

59、法 2.4 2.4 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 二二動態(tài)分析動態(tài)分析 進而進而 作出交流負載線作出交流負載線（斜率為交流負載斜率為交流負載-1/R-1/RL L、過靜態(tài)工作點、過靜態(tài)工作點 Q Q），），然后根據(jù)已知的輸入信號然后根據(jù)已知的輸入信號 如如u ui i=0.05sin=0.05sint(V)t(V)，分，分 別在輸入特性、輸出特性上的靜態(tài)工作點附近別在輸入特性、輸出特性上的靜態(tài)工作點附近得出動態(tài)范圍，得出動態(tài)范圍， 進而根據(jù)動態(tài)范圍作出輸入輸出波形，求出進而根據(jù)動態(tài)范圍作出輸入輸出波形，求出A Au u、A Ai i。 2.4.3 圖解法圖解法 2.4 2.4 放大

60、電路基本分析方法放大電路基本分析方法 二二動態(tài)分析動態(tài)分析 1.1.估算估算I IB B，并在輸入特性曲線上標出，并在輸入特性曲線上標出Q Q點；點； 2.4.3 圖解法圖解法 2.4 2.4 放大電路基本分析方法放大電路基本分析方法 圖解法步驟小結(jié)：圖解法步驟小結(jié)： 2.2.在輸出特性曲線上作直流負載線，并標出在輸出特性曲線上作直流負載線，并標出Q Q點；點； 3.3.在輸出特性曲線上作交流負載線（斜率為在輸出特性曲線上作交流負載線（斜率為-1/R-1/RL L,過過Q Q點）；點）； 4.4.根據(jù)已知條件在輸入特性曲線上以靜態(tài)工作點為中心確定輸根據(jù)已知條件在輸入特性曲線上以靜態(tài)工作點為中心