第六章半導(dǎo)體二極管和晶體管YDH

1、模擬信號與模擬電路模擬信號與模擬電路1. 電子電路中信號的分類電子電路中信號的分類數(shù)字信號數(shù)字信號：離散性：離散性模擬信號：連續(xù)性。大多數(shù)物理量為模擬信號。模擬信號：連續(xù)性。大多數(shù)物理量為模擬信號。 2. 模擬電路模擬電路 模擬電路模擬電路是對模擬信號進(jìn)行處理的電路。是對模擬信號進(jìn)行處理的電路。 最基本的處理是對信號的放大，有功能和性能各異的放最基本的處理是對信號的放大，有功能和性能各異的放大電路。大電路。 其它模擬電路多以放大電路為基礎(chǔ)。其它模擬電路多以放大電路為基礎(chǔ)。“1”的電的電壓當(dāng)量壓當(dāng)量“1”的倍數(shù)的倍數(shù)介于介于K與與K+1之之間時需根據(jù)閾值間時需根據(jù)閾值確定為確定為K或或K+1任何

2、瞬間的任何任何瞬間的任何值均是有意義的值均是有意義的電子信息系統(tǒng)的組成模擬電子電路模擬電子電路數(shù)字電子電路（系統(tǒng)）數(shù)字電子電路（系統(tǒng)）傳感器傳感器接收器接收器隔離、濾隔離、濾波、放大波、放大運(yùn)算、轉(zhuǎn)運(yùn)算、轉(zhuǎn)換、比較換、比較功放功放模擬模擬- -數(shù)字混合電子電路數(shù)字混合電子電路模擬電子系統(tǒng)模擬電子系統(tǒng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)執(zhí)行機(jī)構(gòu)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課的特點(diǎn)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課的特點(diǎn) 1、工程性工程性 實(shí)際工程需要證明其可行性。實(shí)際工程需要證明其可行性。強(qiáng)調(diào)定性分析。強(qiáng)調(diào)定性分析。 實(shí)際工程在滿足基本性能指標(biāo)的前提下總是容許存實(shí)際工程在滿足基本性能指標(biāo)的前提下總是容許存 在一定的誤差范圍的。在一定的誤差范圍的。 定

3、量分析為定量分析為“估算估算”。 近似分析要近似分析要“合理合理”。 功能、性能。功能、性能。 電子電路歸根結(jié)底是電路。電子電路歸根結(jié)底是電路。不同條件下構(gòu)造不同模型。不同條件下構(gòu)造不同模型。2. 實(shí)踐性實(shí)踐性 常用電子儀器的使用方法常用電子儀器的使用方法 電子電路的測試方法電子電路的測試方法 故障的判斷與排除方法故障的判斷與排除方法 EDA軟件的應(yīng)用方法軟件的應(yīng)用方法主要內(nèi)容主要內(nèi)容模擬信號下的模擬信號下的1、電子器件、電子器件2、電子電路及其應(yīng)用、電子電路及其應(yīng)用第六章半導(dǎo)體二極管和晶體管6.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識6.2 二極管二極管6.3 特殊二極管特殊二極管6.4 晶體管晶體

4、管6.1 6.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識一、本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、三、PNPN結(jié)結(jié)6.1.16.1.1本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。1 1、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？ 導(dǎo)體導(dǎo)體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動，形成電流。子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動，形成電流。 絕緣體絕緣體惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電

5、子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場強(qiáng)到一定程度時才可能導(dǎo)子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場強(qiáng)到一定程度時才可能導(dǎo)電。（橡膠手柄，耐壓電。（橡膠手柄，耐壓2500V） 半導(dǎo)體半導(dǎo)體硅（硅（Si）、鍺（）、鍺（Ge），均為四價元素，它們原），均為四價元素，它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。子的最外層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。GeSi現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。的最外層電子（價電子）都是四個。本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。無雜質(zhì)無

6、雜質(zhì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)為什么用硅多用鍺少？在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個原子都處在正四面體的中心，晶體點(diǎn)陣，每個原子都處在正四面體的中心，而其它四個原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個原子而其它四個原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。電子。硅和鍺的晶體結(jié)硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：構(gòu)：2 2、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)由于熱運(yùn)動，具有足夠能量由于熱運(yùn)動，具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子而成為自由電子自由電子的產(chǎn)生使共價鍵中自由電

7、子的產(chǎn)生使共價鍵中留有一個空位置，稱為空穴留有一個空位置，稱為空穴 自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復(fù)合。自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復(fù)合。共價鍵共價鍵 一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運(yùn)動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對熱運(yùn)動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。（本征濃度）的濃度加大。（本征濃度）動態(tài)平衡動態(tài)平衡本征激發(fā)兩種載流子兩種載流子 外加電場時，帶負(fù)電的自由電外加電場時，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，且運(yùn)動方向相反。由于載流子數(shù)且運(yùn)動方向相

8、反。由于載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。目很少，故導(dǎo)電性很差。為什么要將半導(dǎo)體變成導(dǎo)電性很差的本征半導(dǎo)體？3 3、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。 溫度升高，熱運(yùn)動加劇，載溫度升高，熱運(yùn)動加劇，載流子濃度增大，導(dǎo)電性增強(qiáng)。流子濃度增大，導(dǎo)電性增強(qiáng)。 熱力學(xué)溫度熱力學(xué)溫度0K時不導(dǎo)電。時不導(dǎo)電。二、雜質(zhì)半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 1. 1. N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體5磷（磷（P） 雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，多子子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性

9、可控。導(dǎo)電性可控。多數(shù)載流子多數(shù)載流子 空穴比未加雜質(zhì)時的數(shù)目多空穴比未加雜質(zhì)時的數(shù)目多了？少了？為什么？了？少了？為什么？導(dǎo)電性能人為可控N型半導(dǎo)體呈電中性，只是導(dǎo)電性提高少數(shù)載流子少數(shù)載流子2. 2. P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體3硼（硼（B）多數(shù)載流子多數(shù)載流子 P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，導(dǎo)電性越強(qiáng)， 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時，載流子的數(shù)目變化嗎？少子與多載流子的數(shù)目變化嗎？少子與多子變化的數(shù)目相同嗎？少子與多子變化的數(shù)目相同嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎？子濃度的變化相同嗎？

10、少數(shù)載流子少數(shù)載流子P型半導(dǎo)體呈電中性，只是導(dǎo)電性提高3 3. 漂移電流和漂移電流和擴(kuò)散電流擴(kuò)散電流載流子定向運(yùn)動，才能形成定向電流。載流子定向運(yùn)動，才能形成定向電流。1、電場作用下，載流子產(chǎn)生定向遷移運(yùn)動漂移電流I漂漂正比于電場強(qiáng)度（正比于電場強(qiáng)度（電位差電位差）和載流子濃度。）和載流子濃度。2、由于載流子分布不均勻，載流子從濃度高向濃度、由于載流子分布不均勻，載流子從濃度高向濃度低處擴(kuò)散低處擴(kuò)散擴(kuò)散電流擴(kuò)散電流I擴(kuò)擴(kuò)正比于正比于濃度差濃度差漂移運(yùn)動漂移運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動三、三、PN結(jié)結(jié)擴(kuò)散運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動P區(qū)空穴區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高濃度遠(yuǎn)高于于N區(qū)。區(qū)。N區(qū)自由電區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高子濃度遠(yuǎn)高于于P

11、區(qū)。區(qū)。 擴(kuò)散運(yùn)動使靠近接觸面擴(kuò)散運(yùn)動使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場。區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場。在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)，通過摻入不同的雜質(zhì)，分別形成在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)，通過摻入不同的雜質(zhì)，分別形成N型型和和P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體PN 結(jié)的形成結(jié)的形成 因電場作用所產(chǎn)因電場作用所產(chǎn)生的運(yùn)動稱為漂移生的運(yùn)動稱為漂移運(yùn)動。運(yùn)動。 參與擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動態(tài)參與擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動態(tài)平衡，就形成了平衡，就形成了PN結(jié)。結(jié)。漂移運(yùn)動漂移運(yùn)動 由于擴(kuò)散運(yùn)動使由于擴(kuò)散運(yùn)動使P區(qū)與區(qū)與N區(qū)

12、的交界面缺少多數(shù)載流子，形成區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動的進(jìn)行。內(nèi)電場使空穴從內(nèi)電場，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動的進(jìn)行。內(nèi)電場使空穴從N區(qū)向區(qū)向P區(qū)、自由電子從區(qū)、自由電子從P區(qū)向區(qū)向N 區(qū)運(yùn)動。區(qū)運(yùn)動。PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：結(jié)加正向電壓導(dǎo)通： 耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動加耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動加劇，由于外電源的作用，形劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，成擴(kuò)散電流，PNPN結(jié)處于導(dǎo)通結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓截止：結(jié)加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動，耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動，有利于漂移運(yùn)動，形成漂移電有利于漂移運(yùn)動，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似流。由于電

13、流很小，故可近似認(rèn)為其截止。認(rèn)為其截止。必要嗎？必要嗎？PN 結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦运摹⑺?、PN 結(jié)的電容效應(yīng)結(jié)的電容效應(yīng)1. 勢壘電容 PN結(jié)外加電壓變化時，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變結(jié)外加電壓變化時，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容同，其等效電容稱為勢壘電容Cb。2. 擴(kuò)散電容 PN結(jié)外加的正向電壓變化時，在擴(kuò)散路程中載流子結(jié)外加的正向電壓變化時，在擴(kuò)散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴(kuò)

14、散電容過程，其等效電容稱為擴(kuò)散電容Cd。dbjCCC結(jié)電容：結(jié)電容： 結(jié)電容不是常量！若結(jié)電容不是常量！若PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦?！則失去單向?qū)щ娦裕栴}問題 為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料制為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料制成本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能極差，又將其摻雜，成本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能極差，又將其摻雜，改善導(dǎo)電性能？改善導(dǎo)電性能？ 為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？ 為什么半導(dǎo)體器件有最高工作頻率？為什么半導(dǎo)體器件

15、有最高工作頻率？6.2 6.2 二極管二極管一、二極管的結(jié)構(gòu)一、二極管的結(jié)構(gòu)二、二極管的伏安特性及電流方程二、二極管的伏安特性及電流方程三、二極管的等效電路三、二極管的等效電路四、二極管的主要參數(shù)四、二極管的主要參數(shù) 一、二極管的結(jié)構(gòu)一、二極管的結(jié)構(gòu)將將PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。小功率小功率二極管二極管大功率大功率二極管二極管穩(wěn)壓穩(wěn)壓二極管二極管發(fā)光發(fā)光二極管二極管點(diǎn)接觸型：結(jié)面積小，點(diǎn)接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電容小，故結(jié)允許結(jié)電容小，故結(jié)允許的電流小，最高工作的電流小，最高工作頻率高。頻率高。高頻檢波和高頻檢波和脈沖開關(guān)脈沖開關(guān) 面接觸型：結(jié)

16、面積大，面接觸型：結(jié)面積大，結(jié)電容大，故結(jié)允許結(jié)電容大，故結(jié)允許的電流大，最高工作的電流大，最高工作頻率低。頻率低。低頻整流低頻整流 平面型：擴(kuò)散工藝，平面型：擴(kuò)散工藝，結(jié)面積可小、可大，結(jié)面積可小、可大，小的工作頻率高，大小的工作頻率高，大的結(jié)允許的電流大。的結(jié)允許的電流大。材料材料開啟電壓開啟電壓導(dǎo)通電壓導(dǎo)通電壓反向飽和電流反向飽和電流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下鍺鍺Ge0.1V0.10.3V幾十A)(ufi mV)26( ) 1e (TSTUIiUu常溫下溫度的溫度的電壓當(dāng)量電壓當(dāng)量二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。二、二極管的

17、伏安特性二、二極管的伏安特性O(shè)U/VI/mAUBRIS反向特性死區(qū)電壓正向特性0.51.01020Uth擊穿擊穿電壓電壓反向飽反向飽和電流和電流開啟開啟電壓電壓從二極管的伏安特性可以反映出：從二極管的伏安特性可以反映出： 1. 單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦訲eSTUuIiUu，則若正向電壓) 1e (TSUuIi2. 伏安特性受溫度影響伏安特性受溫度影響T（）在電壓不變情況下電流增加在電壓不變情況下電流增加 反向飽和電流反向飽和電流IS，U(BR) T（）正向特性左移正向特性左移，反向特性下移，反向特性下移正向特性為正向特性為指數(shù)曲線指數(shù)曲線反向特性為橫軸的平行線反向特性為橫軸的平行線增大增大1倍倍/

18、10STIiUu，則若反向電壓材料材料開啟電壓開啟電壓導(dǎo)通電壓導(dǎo)通電壓反向飽和電流反向飽和電流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下鍺鍺Ge0.1V0.10.3V幾十A開啟開啟電壓電壓反向飽反向飽和電流和電流擊穿擊穿電壓電壓PN結(jié)的擊穿：結(jié)的擊穿：齊納擊穿：齊納擊穿：UBR大多小于大多小于4V ,摻雜濃度高摻雜濃度高PN結(jié)較薄，共價鍵電子被結(jié)較薄，共價鍵電子被拉出。拉出。雪崩擊穿：雪崩擊穿：UBR大多大于大多大于6V ,摻雜濃度低摻雜濃度低PN結(jié)較厚（碰撞幾率大），結(jié)較厚（碰撞幾率大），電場使得動能大，把電子撞出來，一個撞一個越撞越多。電場使得動能大，把電子撞出來，一個撞一個越撞越多。以上為電

19、擊穿，為可逆擊穿，熱擊穿不可逆，一定要串聯(lián)電阻，以上為電擊穿，為可逆擊穿，熱擊穿不可逆，一定要串聯(lián)電阻，涉及功率發(fā)熱涉及功率發(fā)熱P=UI三、二極管的等效電路三、二極管的等效電路理想理想二極管二極管近似分析近似分析中最常用中最常用理想開關(guān)理想開關(guān)導(dǎo)通時導(dǎo)通時 UD0截止時截止時IS0導(dǎo)通時導(dǎo)通時UDUon截止時截止時IS0導(dǎo)通時導(dǎo)通時i與與u成線性關(guān)系成線性關(guān)系應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！將伏安特性折線化？100V？5V？1V？四、四、 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù) 1最大整流電流最大整流電流IF最大整流電流是指二極管長時間工作時，允許流過二極管的最大

20、正向平均電流，最大整流電流是指二極管長時間工作時，允許流過二極管的最大正向平均電流，它由它由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。 2最大反向工作電壓最大反向工作電壓UR它是二極管加反向電壓時為防止擊穿所取的安全電壓，一般將反向擊穿電壓它是二極管加反向電壓時為防止擊穿所取的安全電壓，一般將反向擊穿電壓UBR的一半定為最大反向工作電壓的一半定為最大反向工作電壓UR。 3反向電流反向電流IRIR是指二極管加上最大反向工作電壓是指二極管加上最大反向工作電壓UR時的反向電流。時的反向電流。IR愈小，二極管的單向愈小，二極管的單向?qū)щ娦跃陀?。此外，由于反向電流是由少?shù)載流子形成的，所

21、以，溫度對導(dǎo)電性就愈好。此外，由于反向電流是由少數(shù)載流子形成的，所以，溫度對IR的的 影響很大影響很大 4最高工作頻率最高工作頻率fMfM主要由主要由PN結(jié)電容的大小決定，結(jié)電容愈大，則結(jié)電容的大小決定，結(jié)電容愈大，則fM就越低。若工作頻率超過就越低。若工作頻率超過fM，則二極管的單向?qū)щ娦跃妥儾?，甚至無法使用。則二極管的單向?qū)щ娦跃妥儾?，甚至無法使用。 二極管主要是利用其單向?qū)щ娦?，通常用于整流、檢波、限幅、元件保護(hù)等，二極管主要是利用其單向?qū)щ娦?，通常用于整流、檢波、限幅、元件保護(hù)等，在數(shù)字電路中常作為開關(guān)元件。在數(shù)字電路中常作為開關(guān)元件。 6.3 6.3 特殊二極管特殊二極管一、穩(wěn)壓二極

22、管一、穩(wěn)壓二極管二、變?nèi)荻O管二、變?nèi)荻O管三、光電二極管三、光電二極管四、發(fā)光二極管四、發(fā)光二極管一、穩(wěn)壓二極管一、穩(wěn)壓二極管1. 伏安特性進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流不至于損壞的最大電流不至于損壞的最大電流 由一個由一個PN結(jié)組結(jié)組成，反向擊穿后成，反向擊穿后在一定的電流范在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本圍內(nèi)端電壓基本不變，為穩(wěn)定電不變，為穩(wěn)定電壓。壓。 若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會因功耗過大而損壞，因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電因功耗過大而損壞，因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！流的限流電阻

23、！限流電阻限流電阻斜率？斜率？特殊工藝制造的面接觸型特殊工藝制造的面接觸型硅二極管硅二極管1穩(wěn)壓值穩(wěn)壓值UZ 穩(wěn)壓管在正常工作時管子兩端的電壓穩(wěn)壓管在正常工作時管子兩端的電壓 2穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZ 能使穩(wěn)壓管正常工作的最小電流。能使穩(wěn)壓管正常工作的最小電流。 IIZ時穩(wěn)壓效果較差。時穩(wěn)壓效果較差。4動態(tài)電阻動態(tài)電阻rZ（ rZ愈愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好）小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好） rZ指穩(wěn)壓管兩端電壓與電流的變化量之比，定義式為：指穩(wěn)壓管兩端電壓與電流的變化量之比，定義式為： ZZZIUr5電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)u %100TUu對硅穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值在對硅穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值在4V以下的，以

24、下的，u為負(fù)值，為負(fù)值，6V以上的，以上的，u為正為正值，穩(wěn)壓值在值，穩(wěn)壓值在4V到到6V之間，之間，u最小，最小，u一般不超過一般不超過0.1%/。 3額定功耗額定功耗PZ穩(wěn)壓管允許的最大平均功率穩(wěn)壓管允許的最大平均功率,有的給出最大穩(wěn)定電流有的給出最大穩(wěn)定電流IZM，PZ=IZMUZ2.穩(wěn)壓管的主要參數(shù) UZZUZIOU/VI/mA穩(wěn)壓管和限流電阻穩(wěn)壓管和限流電阻串聯(lián)即構(gòu)成簡單的穩(wěn)壓電路，限流電阻串聯(lián)即構(gòu)成簡單的穩(wěn)壓電路，限流電阻R是穩(wěn)壓是穩(wěn)壓電路不可缺少的組成元件。當(dāng)輸入電壓有波動或負(fù)載電流變化時，電路不可缺少的組成元件。當(dāng)輸入電壓有波動或負(fù)載電流變化時，電路自動通過調(diào)節(jié)電路自動通過調(diào)節(jié)R上的壓降來保持輸出電壓基本不變。上的壓降來保持輸出電壓基本不變。 （1）設(shè)）設(shè)RL不變，不變，UI增大，則增大，則U0=UZ也將增大，也將增大，UZ增大，使增大，使IZ增大，增大，IR=IZ+IO及及UR隨之增大，從而使隨之增大，從而使UO=UI- -UR保持基本不變。此過程保持基本不變。此過程可表示