ch位錯(cuò)位錯(cuò)的動(dòng)力學(xué)性質(zhì)詳解實(shí)用PPT學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1ch位錯(cuò)位錯(cuò)的動(dòng)力學(xué)性質(zhì)詳解實(shí)用位錯(cuò)位錯(cuò)的動(dòng)力學(xué)性質(zhì)詳解實(shí)用2第1頁/共75頁3第2頁/共75頁4第3頁/共75頁5第4頁/共75頁6第5頁/共75頁7第6頁/共75頁8晶體中都存在位錯(cuò)。n退火晶體中的位錯(cuò)密度約為104mm2，經(jīng)大量范性變形后增至1089mm2。n形變初期，位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)傾向于在單一相互平行的滑移面內(nèi)進(jìn)行，其后在其它滑移系統(tǒng)中繼發(fā)滑移，不同系統(tǒng)中運(yùn)動(dòng)的位錯(cuò)會(huì)相互作用，快速增殖導(dǎo)致加工硬化。第7頁/共75頁9第8頁/共75頁10第9頁/共75頁11 在在370370均勻保溫，去除與包裹體相關(guān)的內(nèi)應(yīng)變，最后冷至均勻保溫，去除與包裹體相關(guān)的內(nèi)應(yīng)變，最后冷至2020，形成棱柱位錯(cuò)環(huán)

2、，形成棱柱位錯(cuò)環(huán)( (圖中為其側(cè)面圖中為其側(cè)面) )，它們顯然是被玻璃包裹體擠壓出來的。位錯(cuò)環(huán)軸向平行于，它們顯然是被玻璃包裹體擠壓出來的。位錯(cuò)環(huán)軸向平行于。第10頁/共75頁12第11頁/共75頁13第12頁/共75頁14第13頁/共75頁15第14頁/共75頁16第15頁/共75頁17第16頁/共75頁18第17頁/共75頁19第18頁/共75頁20第19頁/共75頁21第20頁/共75頁22第21頁/共75頁23nLine tension T can be equated to energy/unit length.n T 1/2 Gb2第22頁/共75頁24ori.e equilibr

3、ium radius of curvature is controlled by stress.第23頁/共75頁25source.n Intersections with other dislocations jogs increase the length of the line , and may act as Frank Read sources.第24頁/共75頁26第25頁/共75頁27第26頁/共75頁28第27頁/共75頁29 第28頁/共75頁30 第29頁/共75頁31 第30頁/共75頁32 第31頁/共75頁33 第32頁/共75頁34 第33頁/共75頁35第34頁/

4、共75頁36第35頁/共75頁37第36頁/共75頁38第37頁/共75頁39第38頁/共75頁40第39頁/共75頁41第40頁/共75頁42第41頁/共75頁43第42頁/共75頁44Two repulsive sourcesTwo attractive sources第43頁/共75頁45單軸單軸F-R源（源（L形源）形源）第44頁/共75頁46第45頁/共75頁47第46頁/共75頁48第47頁/共75頁49第48頁/共75頁50第49頁/共75頁51第50頁/共75頁52第51頁/共75頁531AC2B，AC3B，最后給出環(huán)形原子層或空位層。nAC1B又回到原位，繼續(xù)攀移增殖，形成一

5、疊不斷攀移長大的位錯(cuò)環(huán)。第52頁/共75頁54第53頁/共75頁55第54頁/共75頁56第55頁/共75頁57第56頁/共75頁58第57頁/共75頁59第58頁/共75頁60 可見可見：（：（1 1）bb，P-NP-N力力 ，所以，所以b b小的容易滑移小的容易滑移； 滑移總是沿密排方向滑移總是沿密排方向。（2 2） aa ，P-NP-N力力 ，密排面的，密排面的aa，所以所以一般滑移沿密排面一般滑移沿密排面第59頁/共75頁61第60頁/共75頁62第61頁/共75頁63第62頁/共75頁64第63頁/共75頁65第64頁/共75頁66第65頁/共75頁67時(shí)攀移過程才能進(jìn)行。（一）攀移

6、的驅(qū)動(dòng)力（二）攀移的阻力（三）攀移速度第66頁/共75頁68第67頁/共75頁69nxxo，拉應(yīng)力，F(xiàn)e為負(fù)，向下攀移； xxFm(攀移所需要的力)，位錯(cuò)才可能在Fe作用下攀移。第68頁/共75頁70有第69頁/共75頁71第70頁/共75頁72Fc=Fe+Fs+FT第71頁/共75頁73攀移是物質(zhì)輸運(yùn)過程，需要吸收或放出點(diǎn)缺陷（主要攀移是物質(zhì)輸運(yùn)過程，需要吸收或放出點(diǎn)缺陷（主要是空位），這就需要能量，從而構(gòu)成攀移的阻力是空位），這就需要能量，從而構(gòu)成攀移的阻力F Fm m；設(shè)單位長度刃位錯(cuò)攀移了設(shè)單位長度刃位錯(cuò)攀移了dsds距離，引起體積變化距離，引起體積變化dV=bdV=bdsds1 1，

7、若原子體積若原子體積v vb b3 3，則則dVdV所需點(diǎn)缺陷數(shù)所需點(diǎn)缺陷數(shù)dN=dV/v=ds/bdN=dV/v=ds/b2 2；克服攀移阻力作的功產(chǎn)生克服攀移阻力作的功產(chǎn)生dNdN個(gè)點(diǎn)缺陷所需要的能量個(gè)點(diǎn)缺陷所需要的能量設(shè)點(diǎn)缺陷的形成能為設(shè)點(diǎn)缺陷的形成能為U Uf f，則單位長度刃位錯(cuò)攀移阻力則單位長度刃位錯(cuò)攀移阻力F Fm m U Uf fdN/ds= UdN/ds= Uf f/b/b2 2；攀移比滑移困難得多；攀移比滑移困難得多；通常，驅(qū)動(dòng)力通常，驅(qū)動(dòng)力F Fc c遠(yuǎn)小于攀移阻力遠(yuǎn)小于攀移阻力F Fm m，因此，位錯(cuò)不能，因此，位錯(cuò)不能整體攀移，只能通過割階的攀移（即點(diǎn)缺陷擴(kuò)散）來整體攀移，只