武漢理工大學(xué)模電課件模電復(fù)習(xí)(1)

1、20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 總成績總成績=平時成績平時成績20%+期末考試成績期末考試成績60%+期中測驗期中測驗20% 平時成績?yōu)樽鳂I(yè)、考勤、期中小考、網(wǎng)上習(xí)題或課后小電平時成績?yōu)樽鳂I(yè)、考勤、期中小考、網(wǎng)上習(xí)題或課后小電 路設(shè)計的考評成績路設(shè)計的考評成績。 期末考試方法采用閉卷考試，參照課程組原制定的考試大期末考試方法采用閉卷考試，參照課程組原制定的考試大 綱執(zhí)行。期末考試內(nèi)容由教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)學(xué)時決定，內(nèi)容涵蓋綱執(zhí)行。期末考試內(nèi)容由教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)學(xué)時決定，內(nèi)容涵蓋 所有教學(xué)內(nèi)容，各教學(xué)內(nèi)容所占分值多少，由教學(xué)學(xué)時決定，所有教

2、學(xué)內(nèi)容，各教學(xué)內(nèi)容所占分值多少，由教學(xué)學(xué)時決定， 教學(xué)學(xué)時較多的，考試時所占分值較高。教學(xué)學(xué)時較多的，考試時所占分值較高。 期末考試題型包含客觀題、計算題、作圖題、分析題、設(shè)期末考試題型包含客觀題、計算題、作圖題、分析題、設(shè) 計題等。計題等。 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 一、一、 考核要求考核要求 重點考核模擬電路所涉及到的有關(guān)概念、基本分析、計算重點考核模擬電路所涉及到的有關(guān)概念、基本分析、計算 方法。考核分三個層次要求：方法。考核分三個層次要求： 掌握：掌握：要求學(xué)習(xí)者能夠熟練運用的基本理論和基本分析方要求學(xué)習(xí)者能夠熟練運

3、用的基本理論和基本分析方 法。法。 理解：理解：要求學(xué)習(xí)者能夠明確認(rèn)識的基本概念和基本理論。要求學(xué)習(xí)者能夠明確認(rèn)識的基本概念和基本理論。 了解：了解：定性知道的一些概念。定性知道的一些概念。 二、二、 試題題型試題題型 客觀題客觀題：主要涉及本課程的一些基本概念、特點、重要定主要涉及本課程的一些基本概念、特點、重要定 義、結(jié)論等。義、結(jié)論等。 計算題：計算題：運用計算求解運用計算求解電路電路的的指標(biāo)參數(shù)的指標(biāo)參數(shù)的綜合題。綜合題。 作圖題：作圖題：分析，畫出電路圖或波形圖。分析，畫出電路圖或波形圖。 u 分析題：分析題：分析電路的結(jié)構(gòu)、工作原理、功能。分析電路的結(jié)構(gòu)、工作原理、功能。 設(shè)計題：

4、設(shè)計題：設(shè)計設(shè)計求解的綜合題。求解的綜合題。 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 器件：器件：二極管，二極管，BJT三極管，場效應(yīng)三極管，理想運放三極管，場效應(yīng)三極管，理想運放 電路：電路： 基本放大電路：基本放大電路：(靜態(tài)、動態(tài)分析、計算靜態(tài)、動態(tài)分析、計算,特點特點)共射共射(共源共源)、 共集共集(共漏共漏)、共基、共基(共柵共柵); 功率放大電路：功率放大電路：(概念、典型計算概念、典型計算)乙類乙類/甲乙類雙電源互補對稱甲乙類雙電源互補對稱(OCL)、 甲乙類單電源互補功率甲乙類單電源互補功率(OTL) 差分放大電路差分放

5、大電路：(概念、分析、計算概念、分析、計算)雙入雙入(單入單入)雙出、雙入雙出、雙入(單入單入)單出；單出； 恒流源：恒流源：(認(rèn)識、作用認(rèn)識、作用)鏡像、緩沖鏡像、比例、微電流、多路鏡像、緩沖鏡像、比例、微電流、多路 反饋：反饋：(判斷判斷分類、特點、深度負(fù)反饋下近似計算分類、特點、深度負(fù)反饋下近似計算) 線性運算放大電路：線性運算放大電路：(分析計算分析計算)比例、加比例、加、減、積分、微分減、積分、微分 有源濾波放大電路：有源濾波放大電路：(特點特點)低通、高通、帶通、帶阻低通、高通、帶通、帶阻 電壓比較器電壓比較器：(分析、計算、畫圖、應(yīng)用分析、計算、畫圖、應(yīng)用)單限、滯回、窗口單限、

6、滯回、窗口 信號產(chǎn)生電路：信號產(chǎn)生電路：(分析、計算、判斷分析、計算、判斷)RC正弦波正弦波振蕩電路振蕩電路 直流穩(wěn)壓電源：直流穩(wěn)壓電源：(結(jié)構(gòu)、分析、經(jīng)驗關(guān)系式結(jié)構(gòu)、分析、經(jīng)驗關(guān)系式)變壓、整流、濾波、穩(wěn)壓變壓、整流、濾波、穩(wěn)壓 重點掌握：基本概念、基本電路、基本方重點掌握：基本概念、基本電路、基本方 法法 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 1、了解半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。、了解半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。 2、理解本征半導(dǎo)體（、理解本征半導(dǎo)體（N型和型和P型）的特性，型）的特性， 理解雜質(zhì)半導(dǎo)體（理解雜質(zhì)半導(dǎo)體（N型和型和P型）的特性，型）的特

7、性， 3、正確理解和掌握、正確理解和掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。結(jié)的單向?qū)щ娦浴?1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體化學(xué)成分純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體化學(xué)成分純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體( (硅、鍺硅、鍺) )。 電子空穴對電子空穴對由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對。 本征半導(dǎo)體中電子空穴數(shù)量相等，室溫下數(shù)量少本征半導(dǎo)體中電子空穴數(shù)量相等，室溫下數(shù)量少 半導(dǎo)體中有半導(dǎo)體中有2種載流子種載流子電子和空穴電子和空穴，空穴可視為帶正電的空穴可視為帶正電的

8、離子，所帶電量與電子相等，符號相反；空穴的移離子，所帶電量與電子相等，符號相反；空穴的移 動方向與電子的相反，表示了電流的方向動方向與電子的相反，表示了電流的方向 自由運動的帶電粒子自由運動的帶電粒子 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體摻入五價雜質(zhì)元素（如磷）的半導(dǎo)體。摻入五價雜質(zhì)元素（如磷）的半導(dǎo)體。自由自由電子電子 是多數(shù)載流子，是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是空穴是 少數(shù)載流子少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)產(chǎn)生由熱激發(fā)產(chǎn)生。 P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體摻入三價雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。摻入三價雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。空穴是多

9、空穴是多 數(shù)載流子，數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)提供；它主要由雜質(zhì)提供；自由自由電子是少數(shù)電子是少數(shù) 載流子，載流子， 由熱激發(fā)產(chǎn)生由熱激發(fā)產(chǎn)生。 2 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) PN結(jié)的特性單向?qū)щ娦越Y(jié)的特性單向?qū)щ娦?正偏正偏(P區(qū)電位高于區(qū)電位高于N區(qū)電位區(qū)電位)時，呈現(xiàn)低電阻，時，呈現(xiàn)低電阻，多子形成多子形成大大 的正向擴散電流；的正向擴散電流； 反偏反偏(P區(qū)電位低于區(qū)電位低于N區(qū)電位區(qū)電位)時，呈現(xiàn)高電阻，少子形成很時，呈現(xiàn)高電阻，少子形成很 小的反向漂移電流小的反向漂移電流

10、 (反向飽和電流反向飽和電流)。 PN結(jié)結(jié)P型和型和N型半導(dǎo)體結(jié)合面離子薄層形成的型半導(dǎo)體結(jié)合面離子薄層形成的空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)。 其中由于缺少多子又稱其中由于缺少多子又稱耗盡層耗盡層；還稱還稱勢壘區(qū)勢壘區(qū)。 iD/mA 1.0 0.5 iD=IS 0.51.00.501.0 D/V 2 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 1、掌握普通二極管的理想模型、恒壓降模型、特性和應(yīng)、掌握普通二極管的理想模型、恒壓降模型、特性和應(yīng) 用，掌握波形繪制。用，掌握波形繪制。 2、掌握穩(wěn)壓二極管的特性和應(yīng)

11、用，掌握波形繪制。、掌握穩(wěn)壓二極管的特性和應(yīng)用，掌握波形繪制。 3、掌握發(fā)光二極管的特性和應(yīng)用。、掌握發(fā)光二極管的特性和應(yīng)用。 2 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) u二極管二極管的的特性特性：單向?qū)щ娦裕簡蜗驅(qū)щ娦?1. 理想模型理想模型 2. 恒壓降模型恒壓降模型 適用于適用于 電源電源大大 正偏導(dǎo)通正偏導(dǎo)通vD=0； 反偏截止反偏截止 vD=0.7V/0.2V 適用于電適用于電 源源較小較小 u穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管(齊納二極管齊納二極管) 穩(wěn)壓條件：穩(wěn)壓條件：工作于反向擊穿區(qū)工作于

12、反向擊穿區(qū)(即反偏電壓模即反偏電壓模 值大于穩(wěn)壓管的值大于穩(wěn)壓管的Vz值值)，且，且 IZmin IZ =V_，正偏導(dǎo)通；，正偏導(dǎo)通；V+=V_，正偏導(dǎo)通；，正偏導(dǎo)通；V+V_且反偏電壓模值小于且反偏電壓模值小于Vz, 反偏截止；反偏截止；V+V_且反偏電壓模值大于且反偏電壓模值大于Vz,反向擊穿，穩(wěn)壓。反向擊穿，穩(wěn)壓。 4）根據(jù)要求具體求解；）根據(jù)要求具體求解； u 二極管二極管/穩(wěn)壓管的應(yīng)用穩(wěn)壓管的應(yīng)用： 整流、限幅、穩(wěn)壓、開關(guān)電路、保護整流、限幅、穩(wěn)壓、開關(guān)電路、保護 2 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子

13、技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 3 雙極型三極管及其放大電路雙極型三極管及其放大電路 1、掌握雙極型三極管的輸入和輸出特性、電流分配關(guān)系，、掌握雙極型三極管的輸入和輸出特性、電流分配關(guān)系， 理解雙極型三極管的工作原理。理解雙極型三極管的工作原理。 2、掌握放大的概念與本質(zhì)，放大的條件。、掌握放大的概念與本質(zhì)，放大的條件。 3、熟練掌握四種典型三極管放大電路靜態(tài)工作點的估算方、熟練掌握四種典型三極管放大電路靜態(tài)工作點的估算方 法和用簡化的法和用簡化的h參數(shù)等效電路分析放大電路的電壓放大倍數(shù)參數(shù)等效電路分析放大電路的電壓放大倍數(shù)Av、 輸入電阻輸入電阻Ri、輸出電阻、輸出電阻Ro的方法，掌握的方法，掌握

14、rbe的近似估算公式。的近似估算公式。 4、正確理解利用圖解法分析放大電路的靜態(tài)工作點和動態(tài)、正確理解利用圖解法分析放大電路的靜態(tài)工作點和動態(tài) 工作波形繪制情況。工作波形繪制情況。 5、正確理解溫度變化對三極管參數(shù)的影響，掌握射極偏置、正確理解溫度變化對三極管參數(shù)的影響，掌握射極偏置 電路工作點穩(wěn)定的工作原理。電路工作點穩(wěn)定的工作原理。 6、掌握多級放大電路的工作原理、特點和電壓放大倍數(shù)的、掌握多級放大電路的工作原理、特點和電壓放大倍數(shù)的 計算方法。一般了解各種耦合方式計算方法。一般了解各種耦合方式(直接耦合、阻容耦合、變壓器直接耦合、阻容耦合、變壓器 耦合耦合)的特點。的特點。 7、理解和掌

15、握頻率響應(yīng)的概念，了解含有一個時間常數(shù)的、理解和掌握頻率響應(yīng)的概念，了解含有一個時間常數(shù)的 單管共射放大電路頻率響應(yīng)。單管共射放大電路頻率響應(yīng)。 8、正確理解上限頻率、正確理解上限頻率fH、下限頻率、下限頻率fL、通頻帶、通頻帶BW、頻率失、頻率失 真、波特圖的意義和掌握波特圖的畫法。真、波特圖的意義和掌握波特圖的畫法。 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏（放大狀態(tài)下體現(xiàn)了（放大狀態(tài)下體現(xiàn)了極電流分極電流分 配比例關(guān)系，配比例關(guān)系，）。 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高； 集電區(qū)

16、摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大； 基區(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低?；鶇^(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低。 u 內(nèi)部條件內(nèi)部條件-決定了決定了BJT三極管極電流分配比例關(guān)系三極管極電流分配比例關(guān)系 、 參數(shù)參數(shù)，與外加電壓無關(guān)。，與外加電壓無關(guān)。 u 外外部條件部條件-取決于外加電壓取決于外加電壓 三極管內(nèi)有兩種載流子三極管內(nèi)有兩種載流子(自由電子和空穴自由電子和空穴)參與導(dǎo)電，故稱參與導(dǎo)電，故稱 為雙極型為雙極型BJT三極管三極管，BJT管是電流控制電流的器件管是電流控制電流的器件。 3 雙極型三極管及其放大電路雙極型三極

17、管及其放大電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) BJT的兩個的兩個PN結(jié)分別是正偏還是反偏，決定了結(jié)分別是正偏還是反偏，決定了BJT可能工可能工 作于四種工作狀態(tài)：作于四種工作狀態(tài)：放大放大、飽和飽和、截止截止和倒置。這取決于外加和倒置。這取決于外加 電壓電壓外部工作條件外部工作條件。 為保證外部條件為保證外部條件 NPN管：管： VEVBVC PNP管：管： VCVB iB = 0 iB = 0 硅管主要考慮硅管主要考慮VBE和和 的影響；的影響； 鍺管主要考慮鍺管主要考慮ICBO的影響的影響 3 雙極型三極管及其放大電路雙極型

18、三極管及其放大電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 2）3種組態(tài)的特點及用途種組態(tài)的特點及用途 共射電路：共射電路：電壓和電流增益均電壓和電流增益均1，vo與與vi反相，反相，輸入電阻居輸入電阻居 中，輸出電阻與中，輸出電阻與Rc有關(guān)，適用于低頻多級放大電路的有關(guān)，適用于低頻多級放大電路的 輸輸 入級、中間級或輸出級。入級、中間級或輸出級。 共集電路：共集電路：電壓增益電壓增益 1（電壓跟隨），電流增益（電壓跟隨），電流增益1；輸入電阻；輸入電阻 最高，輸出電阻最小，頻率特性好，可以作為連接高最高，輸出電阻最小，頻率特性好，可以作

19、為連接高 內(nèi)阻信號源的輸入級或驅(qū)動大負(fù)載的輸出級，常用的內(nèi)阻信號源的輸入級或驅(qū)動大負(fù)載的輸出級，常用的 功率放大電路均采用這種射隨器的電路形式。功率放大電路均采用這種射隨器的電路形式。 共基電路：共基電路：電壓增益電壓增益1，電流增益電流增益1, 輸入電阻最小，輸出電輸入電阻最小，輸出電 阻與阻與Rc有關(guān)，高頻特性好，常用于高頻、寬頻帶放大電路。有關(guān)，高頻特性好，常用于高頻、寬頻帶放大電路。 （Ri小小,發(fā)射結(jié)上的電容效應(yīng)不明顯，在很寬的頻率范圍內(nèi)發(fā)射結(jié)上的電容效應(yīng)不明顯，在很寬的頻率范圍內(nèi) 電路的放大性能基本可以保持不變電路的放大性能基本可以保持不變) u BJT放大電路三種組態(tài)的比較放大電

20、路三種組態(tài)的比較 1) 3種組態(tài)的判斷種組態(tài)的判斷 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 電壓增益：電壓增益： be Lc )/( r RR 輸入電阻：輸入電阻： beb /rR 輸出電阻：輸出電阻： c R )/)(1( )/()1( Lebe Le RRr RR )/)(1(/ Lebeb RRrR 1 )/( / bebs e rRR R be Lc )/( r RR 1 / be e r R c R u BJT放大電路三種組態(tài)的比較放大電路三種組態(tài)的比較 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)

21、基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) Ri1 Ro1 1io1V AV - + 1i V - + Ri2 Ro2 RL i2o2V AV - + O1 V - + O V - + u多級放大電路的增益多級放大電路的增益 )j ( )j ( )j ( i o V V A V )j ( )j ( )j ( )j ( )j ( )j ( 1)-o(n on o1 o2 i o1 V V V V V V n21 )j ()j ( VVV AAA 前級的開路電壓是下級的信號源電壓前級的開路電壓是下級的信號源電壓 前級的輸出阻抗是下級的信號源阻抗前級的輸出阻抗是下級的信號源阻抗 下級的輸入阻抗是前級的負(fù)載下級的輸入阻抗是

22、前級的負(fù)載 第一第一級的輸入級的輸入電阻即電阻即是是Ri,，最后一級最后一級的輸出電阻就是的輸出電阻就是Ro 。 3 雙極型三極管及其放大電路雙極型三極管及其放大電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 幅度失真：幅度失真： 對不同頻率的信號增益不同，產(chǎn)生的失真。對不同頻率的信號增益不同，產(chǎn)生的失真。 相位失真：相位失真： 考慮三極管極間電容考慮三極管極間電容。 頻率失真頻率失真與非與非線性失真線性失真 u頻率頻率響應(yīng)響應(yīng) 高頻響應(yīng)高頻響應(yīng)： 對不同頻率的信號增益不同，產(chǎn)生的失真。對不同頻率的信號增益不同，產(chǎn)生的失真。 低頻響應(yīng)低頻響

23、應(yīng)： 考慮放大電路中的耦合、旁路電容考慮放大電路中的耦合、旁路電容。 )j1 ( 1 )j1 ( 1 H L SMvs f f f f AA V 7 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 4 場效應(yīng)管及其放大電路場效應(yīng)管及其放大電路 1、了解、了解JFET和和MOSFET內(nèi)部的工作原理；掌握場效應(yīng)內(nèi)部的工作原理；掌握場效應(yīng) 管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性；管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性； 2、正確理解場效應(yīng)管與三極管各自特點；、正確理解場效應(yīng)管與三極管各自特點； 3、理解場效應(yīng)管基本放大電路的組成、工作原理及性能、

24、理解場效應(yīng)管基本放大電路的組成、工作原理及性能 特點；特點； 4、理解場效應(yīng)放大電路的基本分析方法和性能指標(biāo)計算，、理解場效應(yīng)放大電路的基本分析方法和性能指標(biāo)計算， 無大題計算。無大題計算。 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) u場效應(yīng)管場效應(yīng)管FETFET器件特點器件特點 溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電， 所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管（BJTBJT為雙極型）為雙極型）。 場效應(yīng)管場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，是電壓控制電流器件，i iD D受受v vGS

25、GS控制 控制。（。（BJTBJT為電為電 流控制電流的器件，流控制電流的器件，ieie控制控制icic、ibib。 預(yù)夾斷前預(yù)夾斷前i iD D與與v vDS DS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， 呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， i iD D趨于飽和。趨于飽和。 場效應(yīng)管場效應(yīng)管i iG G 0 0，輸入電阻很高，輸入電阻很高（比（比BJTBJT的高）的高）。 FET FET各極和各極和組態(tài)組態(tài)電路與電路與BJTBJT的的對應(yīng)關(guān)系對應(yīng)關(guān)系 CE BJTFET CS CCCD CBCG 4 場效應(yīng)管及其放大電路場效應(yīng)管及其放大電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技

26、術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) VP 飽和區(qū)飽和區(qū) 線性放大區(qū)線性放大區(qū) VGS 0.2 Pom U(BR)CEO 2VCC ICM VCC / RL 選管原則：選管原則： 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) u功率放大電路的主要特點功率放大電路的主要特點和指標(biāo)參數(shù)和指標(biāo)參數(shù) 功率放大電路功率放大電路應(yīng)能應(yīng)能輸出輸出足夠足夠大大的的功率功率，驅(qū)動低阻值負(fù)載，驅(qū)動低阻值負(fù)載， 帶負(fù)載能力要強。輸出功率為交流功率；帶負(fù)載能力要強。輸出功率為交流功率； 要解決的問題要解決的問題 提高效率提高效率 減小失真減小失真 管子的保護管子的保護 提高效率的途

27、徑提高效率的途徑 降低靜態(tài)功耗，即減小靜態(tài)電流。降低靜態(tài)功耗，即減小靜態(tài)電流。 要求同時輸出較大的電壓和電流要求同時輸出較大的電壓和電流，放大電路，放大電路 管子工作在接近極限狀態(tài)管子工作在接近極限狀態(tài)， 5 功率放大電路功率放大電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) u乙類雙電源互補對稱功放乙類雙電源互補對稱功放 由一對由一對NPN、PNP特性相同的特性相同的 互補互補BJT組成，用正、負(fù)雙電源供組成，用正、負(fù)雙電源供 電。這種電路也稱為電。這種電路也稱為OCL (Output Capacitorless)互補功率放大電路。互補功

28、率放大電路。 2. 工作原理工作原理 兩個三極管在信號一個正、負(fù)兩個三極管在信號一個正、負(fù) 半周輪流導(dǎo)通，使半周輪流導(dǎo)通，使負(fù)載得到一個完負(fù)載得到一個完 整的波形。整的波形。 vi 0 T1 導(dǎo)通導(dǎo)通 T2 截止截止 vO = iE1RL vi V(VpVN N,Vo=Vo,Vo=VoH H,VpV,Vp0, VN即即viVREF 時，時， vOmax = +VCC VPVN即即viVREF時，時， vOmin = -VEE vO VOH VOL vIO VREF 理想理想 實際實際 9 信號的信號的運算運算與處理電路與處理電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模

29、擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) R2 R1 vi vo D2 D1 D3 DZ RL vI O T 2 3 4 t t vO VOH O VOL 過零比較器過零比較器集成運放的凈輸入電壓等于輸入電壓，集成運放的凈輸入電壓等于輸入電壓， 為保護集成運放的輸入級，需加輸入端限幅電路。為保護集成運放的輸入級，需加輸入端限幅電路。 二極管限幅電路使凈輸二極管限幅電路使凈輸 入電壓最大值為入電壓最大值為VD 實用的單門限電壓比較器實用的單門限電壓比較器 9 信號的信號的運算運算與處理電路與處理電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) Vi R1

30、 Vo VREF R2 A 反相輸入遲滯電壓比較器反相輸入遲滯電壓比較器 電路特點：電路特點：正反饋，正反饋，Vth與與Vo有關(guān)，有關(guān)， 具有上、下具有上、下2個個Vth。 u雙門限電壓比較器雙門限電壓比較器(遲滯比較器遲滯比較器) 反相輸入遲滯電壓比較器反相輸入遲滯電壓比較器 電壓傳輸特性電壓傳輸特性 Vo Vi VT+ VT- 0 VOH VOL 回差電壓為：回差電壓為： T VVV TT vi上升時與上升時與VT+比較，比較，vI下降時與下降時與 VT-比較。比較。(變化幅度超過回差電壓變化幅度超過回差電壓) 同相輸入遲滯電壓比較器同相輸入遲滯電壓比較器 Vi R1 Vo VREF R2

31、 A 同相輸入遲滯電壓比較器同相輸入遲滯電壓比較器 Vi Vo VT+ VT- 0 VOH VOL 電壓傳輸特性電壓傳輸特性 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)反相輸入遲滯電壓比較器反相輸入遲滯電壓比較器 8.6.3 遲滯電壓比較器 同相輸入遲滯電壓比較器同相輸入遲滯電壓比較器 遲滯比較器抗干擾遲滯比較器抗干擾 能力強能力強 示意圖：示意圖： 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 10 正弦正弦信號產(chǎn)生電路信號產(chǎn)生電路 1、掌握產(chǎn)生正弦波振蕩的相位平衡條件和幅度平衡條件；、掌握

32、產(chǎn)生正弦波振蕩的相位平衡條件和幅度平衡條件； 掌握利用相位平衡條件產(chǎn)生振蕩的判斷方法；掌握利用相位平衡條件產(chǎn)生振蕩的判斷方法； 2、掌握文氏電橋式、掌握文氏電橋式RC振蕩電路的工作原理、振蕩頻率、振蕩電路的工作原理、振蕩頻率、 起振條件以及電路的特點；起振條件以及電路的特點； 3、正確理解典型的、正確理解典型的LC振蕩電路振蕩電路(變壓器反饋式、電感三變壓器反饋式、電感三 點式和電容三點式等點式和電容三點式等)的工作原理及振蕩頻率計算；的工作原理及振蕩頻率計算； 4、了解石英晶體振蕩電路的特點及工作原理。、了解石英晶體振蕩電路的特點及工作原理。 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子

33、技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) u振蕩振蕩平衡平衡條件條件: 1)()( FA 振幅平衡條件振幅平衡條件 n2)()( fa 相位平衡條件相位平衡條件 u振蕩振蕩起振起振條件條件: 1)()( FA n2)()( fa (2)反饋網(wǎng)絡(luò)（構(gòu)成正反饋的）反饋網(wǎng)絡(luò)（構(gòu)成正反饋的） (3)選頻網(wǎng)絡(luò)（選擇滿足相位平衡條件的一個頻率選頻網(wǎng)絡(luò)（選擇滿足相位平衡條件的一個頻率（由（由RC、LC 晶振等器件構(gòu)成），晶振等器件構(gòu)成），經(jīng)常與反饋網(wǎng)絡(luò)合二為一。經(jīng)常與反饋網(wǎng)絡(luò)合二為一。） (4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)（穩(wěn)幅環(huán)節(jié)（與與負(fù)反饋放大電路負(fù)反饋放大電路中的負(fù)反饋通路的元件合二中的負(fù)反饋通路的元件合二 為一為

34、一）。 (1)放大電路（包括負(fù)反饋放大電路）放大電路（包括負(fù)反饋放大電路） u正弦波振蕩電路的基本組成：正弦波振蕩電路的基本組成： 10 正弦正弦信號產(chǎn)生電路信號產(chǎn)生電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) uRCRC文氏橋振蕩器文氏橋振蕩器 1 f v R R 1A RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)的選頻特性串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)的選頻特性： 基本放大電路基本放大電路( (同相比例運放同相比例運放) )： RC 1 0 時時諧諧振振，即即振振蕩蕩頻頻率率即即： RC2 1 f0 幅頻響應(yīng)有最大值幅頻響應(yīng)有最大值 3 1 max V F 相頻響應(yīng)相頻響應(yīng)

35、0 f 滿足振蕩平衡條件要求：滿足振蕩平衡條件要求： 31 1 f R R A V n2 fa 0 a 穩(wěn)幅措施：穩(wěn)幅措施： 改變改變Av，使，使R2、或、或R1采用非線性元件采用非線性元件 10 正弦正弦信號產(chǎn)生電路信號產(chǎn)生電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 1)變壓器變壓器耦合耦合LC振蕩電路振蕩電路; 2)三點式三點式LC并聯(lián)電路并聯(lián)電路: 電容三點式、電感三點式電容三點式、電感三點式 u LC正弦波振蕩電路正弦波振蕩電路 u判斷判斷LC正弦波振蕩電路能否正常工作的步驟：正弦波振蕩電路能否正常工作的步驟： （1）檢查電路是

36、否具備正弦波振蕩器的基本組成部分，即）檢查電路是否具備正弦波振蕩器的基本組成部分，即 基本放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)，并且有選頻環(huán)節(jié)?；痉糯笃骱头答伨W(wǎng)絡(luò)，并且有選頻環(huán)節(jié)。 （2）檢查放大器的偏置電路，看靜態(tài)工作點是否能確保放）檢查放大器的偏置電路，看靜態(tài)工作點是否能確保放 大器正常工作。大器正常工作。 （3）分析振蕩器是否滿足振幅平衡條件和相位平衡條件）分析振蕩器是否滿足振幅平衡條件和相位平衡條件 (主要看是否滿足相位平衡條件，即用瞬時極性法判別是主要看是否滿足相位平衡條件，即用瞬時極性法判別是 否存在正反饋否存在正反饋) 。從假設(shè)信號輸入端從假設(shè)信號輸入端(選頻網(wǎng)絡(luò)與基本放選頻網(wǎng)絡(luò)與基本放 大電路的

37、反饋連接點大電路的反饋連接點)開始標(biāo)瞬時極性開始標(biāo)瞬時極性 CL2 1 f0 振蕩頻率：振蕩頻率： 石英晶體振蕩器：石英晶體振蕩器：高高Q Q，頻率穩(wěn)定，可感性或容性。，頻率穩(wěn)定，可感性或容性。 10 正弦正弦信號產(chǎn)生電路信號產(chǎn)生電路 20142021-7-12 電子技術(shù)精品課程電子技術(shù)精品課程-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 1、理解單相整流電路（尤其是橋式整流電路）的組成、理解單相整流電路（尤其是橋式整流電路）的組成、 工作原理與選型計算。工作原理與選型計算。 2、理解電容濾波電路的組成、工作原理與選型計算。、理解電容濾波電路的組成、工作原理與選型計算。 3、了解串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的組成、穩(wěn)壓原理和輸出電壓調(diào)、了解串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的組成、穩(wěn)壓原