結(jié)晶的概念PPT學習教案

1、會計學1結(jié)晶的概念結(jié)晶的概念n排列無規(guī)則排列無規(guī)則-沉淀沉淀第1頁/共50頁第2頁/共50頁 AFMAFM下的抗生素晶體下的抗生素晶體第3頁/共50頁 AFMAFM下的抗生素晶體層下的抗生素晶體層第4頁/共50頁第5頁/共50頁C*-小晶體的溶解度；小晶體的溶解度； C-顆粒半徑為顆粒半徑為r r的溶質(zhì)的溶質(zhì)溶解度溶解度-固體顆粒與溶液間的界面張力；固體顆粒與溶液間的界面張力；-晶體密度晶體密度R-氣體常數(shù)氣體常數(shù)； T-絕對溫度絕對溫度rRTMcc2*ln第6頁/共50頁第7頁/共50頁成的動態(tài)平衡之中，只有達到成的動態(tài)平衡之中，只有達到一定的過飽和度以后，晶核才一定的過飽和度以后，晶核才能

2、夠穩(wěn)定存在。能夠穩(wěn)定存在。第8頁/共50頁*ccS 最先析出的微小顆粒是以后晶體的中心，稱為晶核。最先析出的微小顆粒是以后晶體的中心，稱為晶核。晶體的形成過程：晶體的形成過程：過飽和溶液的形成過飽和溶液的形成晶核的形成晶核的形成晶體生長晶體生長其中，其中，溶液達到過飽和狀態(tài)是結(jié)晶的前提；過溶液達到過飽和狀態(tài)是結(jié)晶的前提；過飽和度是結(jié)晶的推動力。飽和度是結(jié)晶的推動力。第9頁/共50頁第10頁/共50頁第11頁/共50頁第12頁/共50頁第13頁/共50頁第14頁/共50頁第15頁/共50頁第16頁/共50頁第17頁/共50頁第18頁/共50頁第19頁/共50頁第20頁/共50頁第21頁/共50頁

3、Gv形成單位體積晶體的吉布斯自由能變化第22頁/共50頁第23頁/共50頁過飽和度過飽和度臨界晶體半徑臨界晶體半徑rrrrc c 晶體自動溶解晶體自動溶解r rr rc c晶體自動生長晶體自動生長第24頁/共50頁sGG31max臨界成核功僅相當于形成臨界半徑晶核時表面吉布斯自由能的1/3，亦即形成晶核時增加的G s中有2/3為G v的降低所抵消第25頁/共50頁第26頁/共50頁RTGkeB/maxB成核速度Gmax成核時臨界吉布斯自由能K常數(shù)nncckB)(Kn晶核形成速度常數(shù)c溶液中溶質(zhì)的濃度C*飽和溶液中溶質(zhì)的濃度n成核過程中的動力學指數(shù)第27頁/共50頁的濃度會有所降低，進入并穩(wěn)的濃

4、度會有所降低，進入并穩(wěn)定在亞穩(wěn)定的養(yǎng)晶區(qū)使晶體生定在亞穩(wěn)定的養(yǎng)晶區(qū)使晶體生長。長。第28頁/共50頁第29頁/共50頁)/(33pspsLLWW Ws，Wp晶種和產(chǎn)品的質(zhì)量，kgLs，Lp晶種和產(chǎn)品的尺寸，mm第30頁/共50頁第31頁/共50頁第32頁/共50頁)(idccAkdtdm)(*ccAkdtdmir擴散過程表面反應過程dtdm 質(zhì)量傳遞速度Kd擴散傳質(zhì)系數(shù)Kr表面反應速度常數(shù)C，Ci，C*分別為溶液主體濃度、溶液界面濃度、溶液飽和濃度第33頁/共50頁*)(ccKAdtdmrdkkK111其中第34頁/共50頁第35頁/共50頁Aml/6第36頁/共50頁第37頁/共50頁ipEE /分離因素Ep結(jié)晶因素，晶體中P的量與其在濾液中的量的比值Ei結(jié)晶因素，晶體中雜質(zhì)的量與其在濾液中的量的比值第38頁/共50頁dldNlNnl0limN單位體積中含有尺寸從0l的各種大小晶體的數(shù)目；第39頁/共50頁母液中的母液中的雜質(zhì)雜質(zhì)、結(jié)晶速度、晶體、結(jié)晶速度、晶體粒度及粒度分布粒度及粒度分布第40頁/共50頁晶體的溶解和移動，為晶粒間晶體的溶解和移動，為晶粒間晶橋的形成提供飽和溶液，導晶橋的形成提供飽和溶液，導致晶體結(jié)塊。致晶體結(jié)塊。第41頁/共50頁第42頁/共50頁第43頁/共50頁第44頁/共50頁 蒸發(fā)結(jié)晶釜蒸發(fā)結(jié)晶釜第