計(jì)算機(jī)維修技術(shù)第3版第05章內(nèi)存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修

1、 清華大學(xué)出版社清華大學(xué)出版社2013年年8月月本課件隨教材給讀者，讀者可自由播放、復(fù)制、分發(fā)本課件，也可對(duì)課件內(nèi)容進(jìn)行修改。課件中部分圖片來自因特網(wǎng)公開的技術(shù)資料，這些圖片的。感謝在因特網(wǎng)上提供技術(shù)資料的企業(yè)和個(gè)人。課件版權(quán)屬于作者和清華大學(xué)出版社，其他任何單位和個(gè)人都不得對(duì)本課件進(jìn)行銷售或修改后銷售。作者：易建勛2013年8月 作者聲明作者聲明5.1 存儲(chǔ)器類型與組成5.1.1 存儲(chǔ)器的基本類型5.1.2 內(nèi)存條的組成形式5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理5.1.4 內(nèi)存芯片陣列結(jié)構(gòu)5.1.5 內(nèi)存的讀寫與刷新內(nèi)存的讀寫與刷新5.2 內(nèi)存條的基本結(jié)構(gòu)5.2.1 內(nèi)存條的容量內(nèi)存條

2、的容量5.2.2 unb-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)5.2.3 so-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)5.2.4 reg-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)5.3 內(nèi)存主要技術(shù)性能5.3.1 內(nèi)存條接口形式與信號(hào)5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)5.3.3 ddr3內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)5.3.4 雙通道內(nèi)存技術(shù)5.4 內(nèi)存故障分析與處理5.4.1 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn)5.4.2 內(nèi)存條信號(hào)測試點(diǎn)5.4.3 內(nèi)存常見故障分析5.4.4 內(nèi)存故障維修案例5.1.1 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的基本類型的基本類型1存儲(chǔ)器的分類 dram：ddr4 內(nèi)存 sram：cpu內(nèi)部存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體：閃存（ssd/ 外存 磁介質(zhì)： 光介質(zhì)

3、：cd-ram/bd主講：易建勛第6頁 共70頁5.1.1 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的基本類型的基本類型2存儲(chǔ)器的材料內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存內(nèi)存材料：材料：半導(dǎo)體芯片半導(dǎo)體芯片；內(nèi)存內(nèi)存類型：類型：dram，sram；內(nèi)存特性：內(nèi)存特性：可以可以進(jìn)行隨機(jī)讀寫進(jìn)行隨機(jī)讀寫操作操作；斷電后會(huì)斷電后會(huì)丟失其中的數(shù)據(jù)。丟失其中的數(shù)據(jù)。外存外存性能要求：性能要求：容量大，價(jià)格便宜，斷電后容量大，價(jià)格便宜，斷電后數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)不丟失。不丟失。內(nèi)存類型：內(nèi)存類型：半導(dǎo)體半導(dǎo)體：電子硬盤，電子硬盤，u盤盤，存儲(chǔ)，存儲(chǔ)卡卡等等；磁介質(zhì)磁介質(zhì)：硬盤；硬盤；光介質(zhì)光介質(zhì)：cd-rom，dvd-rom，bd-rom等等?！狙a(bǔ)充補(bǔ)充】存儲(chǔ)器的層次

4、結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)5.1.1 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的基本類型的基本類型【補(bǔ)充】常用存儲(chǔ)器性能比較 存儲(chǔ)器類型存儲(chǔ)器類型讀寫速度讀寫速度存取密度存取密度可靠性可靠性讀寫次數(shù)讀寫次數(shù)存儲(chǔ)成本存儲(chǔ)成本存儲(chǔ)材料存儲(chǔ)材料dram4a4a5a無限無限40元元/gb半導(dǎo)體半導(dǎo)體sram5a2a5a無限無限400元元/gb半導(dǎo)體半導(dǎo)體flash memory3a4a5a10萬次萬次15元元/gb半導(dǎo)體半導(dǎo)體hdd3a5a4a無限無限0.25元元/gb磁介質(zhì)磁介質(zhì)cd-rom1a1a3a無限無限2.0元元/gb光盤光盤dvd-rom1a2a3a無限無限1.5元元/gb光盤光盤bd-rom1a4a3a無限無限0.5元元

5、/gb光盤光盤注：1a=最慢/最低/最差；5a=最快/最高/最好5.1.1 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的基本類型的基本類型3jedec內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)由內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)由jedec（聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)）（聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)）制定。制定。jedec內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)（1）電氣參數(shù)電氣參數(shù)：內(nèi)存芯片的時(shí)鐘長度、發(fā)送、載入、終止等信號(hào)的電氣參數(shù)；內(nèi)存芯片的時(shí)鐘長度、發(fā)送、載入、終止等信號(hào)的電氣參數(shù)；內(nèi)存芯片的類型、工作頻率、傳輸帶寬等。內(nèi)存芯片的類型、工作頻率、傳輸帶寬等。（2）機(jī)械參數(shù)機(jī)械參數(shù)：線路最大和最小長度；線路寬度和線路之間的間距；印制電線路最大和最小長度；線路寬度和線路之間的間距；印

6、制電路板的層數(shù)路板的層數(shù)等等。（3）電磁兼容電磁兼容：對(duì)內(nèi)存抑制電磁干擾提出了要求。對(duì)內(nèi)存抑制電磁干擾提出了要求。5.1.1 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的基本類型的基本類型4內(nèi)存技術(shù)的市場發(fā)展內(nèi)存以內(nèi)存以dram芯片應(yīng)用最為芯片應(yīng)用最為廣泛廣泛。5.1.1 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的基本類型的基本類型內(nèi)存的發(fā)展過程內(nèi)存的發(fā)展過程5.1.1 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的基本類型的基本類型內(nèi)存的發(fā)展過程內(nèi)存的發(fā)展過程5.1.2 內(nèi)存條的組成形式內(nèi)存條的組成形式1內(nèi)存條的組成形式內(nèi)存條內(nèi)存條組成：組成：dram（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）芯片）芯片；spd（內(nèi)存序列檢測）芯片（內(nèi)存序列檢測）芯片；pcb（印制電路板）（印制電路板）；貼

7、片電阻、貼片電容、金手指貼片電阻、貼片電容、金手指、散熱片等。散熱片等。內(nèi)存條的區(qū)別內(nèi)存條的區(qū)別不同技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存條，它們?cè)谕庥^上并沒有太大區(qū)別，不同技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存條，它們?cè)谕庥^上并沒有太大區(qū)別，但是它們的工作電壓不同，引腳數(shù)量不同，定位卡口位但是它們的工作電壓不同，引腳數(shù)量不同，定位卡口位置不同，互相不能兼容。置不同，互相不能兼容。5.1.2 內(nèi)存條的組成形式內(nèi)存條的組成形式內(nèi)存條組成形式內(nèi)存條組成形式定位卡口定位卡口金手指金手指pcb內(nèi)存芯片內(nèi)存芯片電阻電容電阻電容spd5.1.2 內(nèi)存條的組成形式內(nèi)存條的組成形式【補(bǔ)充補(bǔ)充】安裝在主板上的安裝在主板上的內(nèi)存條內(nèi)存條5.1.2 內(nèi)存條的組成

8、形式內(nèi)存條的組成形式【補(bǔ)充補(bǔ)充】內(nèi)存條金手指內(nèi)存條金手指金手指鍍金厚度為：金手指鍍金厚度為：據(jù)測試，據(jù)測試，0.4m的鍍金厚度可插拔的鍍金厚度可插拔200次；次；1.3m的鍍層可插拔的鍍層可插拔2000次左右。次左右。 金手指5.1.2 內(nèi)存條的組成形式內(nèi)存條的組成形式【補(bǔ)充補(bǔ)充】內(nèi)存條內(nèi)存條安裝方式安裝方式拉開固定卡拉開固定卡對(duì)準(zhǔn)卡口對(duì)準(zhǔn)卡口插入內(nèi)存條插入內(nèi)存條5.1.2 內(nèi)存條的組成形式內(nèi)存條的組成形式2spd芯片的基本功能spd芯片結(jié)構(gòu)芯片結(jié)構(gòu)采用采用8引腳引腳eeprom芯片芯片，tsop封裝封裝，容量容量256字節(jié)字節(jié)，工作頻率工作頻率100khz，型號(hào)多為，型號(hào)多為：24lc01b

9、、24c02a、24wc02j等。等。spd記錄內(nèi)容記錄內(nèi)容內(nèi)存條類型，工作頻率，芯片容量，工作電壓，操作時(shí)內(nèi)存條類型，工作頻率，芯片容量，工作電壓，操作時(shí)序（如序（如cl、trcd、trp、tras等）等），等，等其他參數(shù)。其他參數(shù)。spd主要功能主要功能協(xié)助內(nèi)存控制器調(diào)整內(nèi)存參數(shù)，協(xié)助內(nèi)存控制器調(diào)整內(nèi)存參數(shù)，使內(nèi)存達(dá)到最佳使內(nèi)存達(dá)到最佳性能性能。開機(jī)時(shí)開機(jī)時(shí)，bios讀取讀取spd中中的的內(nèi)存參數(shù)，內(nèi)存參數(shù)，內(nèi)存控制器內(nèi)存控制器根根據(jù)據(jù)spd參數(shù)自動(dòng)配置相應(yīng)的內(nèi)存時(shí)序。參數(shù)自動(dòng)配置相應(yīng)的內(nèi)存時(shí)序。用戶也可以手工調(diào)整部分內(nèi)存控制參數(shù)。用戶也可以手工調(diào)整部分內(nèi)存控制參數(shù)。5.1.2 內(nèi)存條的組

10、成形式內(nèi)存條的組成形式【補(bǔ)充補(bǔ)充】內(nèi)存時(shí)鐘頻率獲取內(nèi)存時(shí)鐘頻率獲取5.1.2 內(nèi)存條的組成形式內(nèi)存條的組成形式【補(bǔ)充補(bǔ)充】內(nèi)存內(nèi)存工作頻率和電壓的變化工作頻率和電壓的變化5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理1內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條上一般有內(nèi)存條上一般有4/8/16個(gè)內(nèi)存芯片個(gè)內(nèi)存芯片；每個(gè)內(nèi)存芯片內(nèi)部有每個(gè)內(nèi)存芯片內(nèi)部有2/4/8/16個(gè)邏輯存儲(chǔ)陣列組個(gè)邏輯存儲(chǔ)陣列組（bank）；每個(gè)邏輯存儲(chǔ)陣列組有幾千萬個(gè)存儲(chǔ)單元（每個(gè)邏輯存儲(chǔ)陣列組有幾千萬個(gè)存儲(chǔ)單元（cell）；這些存儲(chǔ)單元的組合體稱為這些存儲(chǔ)單元的組合體稱為“存儲(chǔ)陣列存儲(chǔ)陣列”。5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工

11、作原理內(nèi)存條內(nèi)存條基本基本結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理2dram存儲(chǔ)單元（cell）工作原理（1）dram存儲(chǔ)單元電路結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)單元電路結(jié)構(gòu)。優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：電路結(jié)構(gòu)簡單，集成度高，容量大電路結(jié)構(gòu)簡單，集成度高，容量大；缺點(diǎn)缺點(diǎn)：速度慢。速度慢。5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理（2）存儲(chǔ)單元的）存儲(chǔ)單元的充電與放電充電與放電。晶體管晶體管m控制數(shù)據(jù)輸入線控制數(shù)據(jù)輸入線d到存儲(chǔ)電容到存儲(chǔ)電容c之間的電流通之間的電流通斷斷；當(dāng)晶體管當(dāng)晶體管接通接通（on）時(shí)，數(shù)據(jù)線到存儲(chǔ)電容之間是連）時(shí)，數(shù)據(jù)線到存儲(chǔ)電容之間是連通的通的；當(dāng)晶體管斷開（當(dāng)晶體管斷開（off）時(shí)，數(shù)據(jù)

12、線到存儲(chǔ)電容之間不能）時(shí)，數(shù)據(jù)線到存儲(chǔ)電容之間不能連通。連通。可見晶體管可見晶體管m控制著電容控制著電容c的充電和放電。的充電和放電。晶體管接通狀態(tài)晶體管接通狀態(tài)(on)晶體管斷開狀態(tài)晶體管斷開狀態(tài)(off)5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理（3）電容的功能）電容的功能電容電容c的功能是保存數(shù)據(jù)的功能是保存數(shù)據(jù)。電容中有電荷時(shí)，存儲(chǔ)器為邏輯電容中有電荷時(shí)，存儲(chǔ)器為邏輯“1”；電容中沒有電荷時(shí)，存儲(chǔ)器為邏輯電容中沒有電荷時(shí)，存儲(chǔ)器為邏輯“0”。（4）數(shù)據(jù)讀寫）數(shù)據(jù)讀寫當(dāng)當(dāng)wl=1時(shí)，時(shí)，晶體管晶體管m處于處于接通接通（on）狀態(tài)，允許在）狀態(tài)，允許在數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線d進(jìn)行進(jìn)行讀或?qū)懖僮髯x或

13、寫操作。（5）數(shù)據(jù)保持）數(shù)據(jù)保持當(dāng)當(dāng)wl=0時(shí)，時(shí)，晶體管晶體管m處于斷開（處于斷開（off）狀態(tài)，數(shù)據(jù)線）狀態(tài)，數(shù)據(jù)線d不不允許允許寫入或讀出，寫入或讀出，存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元保持原來狀態(tài)保持原來狀態(tài)。5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理（6）存儲(chǔ)單元的刷新）存儲(chǔ)單元的刷新存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)單元中，電容電容c失去電荷的速度非?？焓ル姾傻乃俣确浅？臁?dòng)態(tài)刷新是周期性的動(dòng)態(tài)刷新是周期性的對(duì)存儲(chǔ)單元對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出、放大、回寫進(jìn)行讀出、放大、回寫操作。操作。斷電時(shí)，刷新電路不能工作，存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)全部丟斷電時(shí)，刷新電路不能工作，存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)全部丟失。失。5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單

14、元工作原理【補(bǔ)充補(bǔ)充】dram類似一個(gè)水桶中的浮動(dòng)開關(guān)。類似一個(gè)水桶中的浮動(dòng)開關(guān)。水在高位時(shí)為水在高位時(shí)為“1”；水在低位時(shí)為水在低位時(shí)為“0”；但是水桶總是漏水但是水桶總是漏水 。5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理【補(bǔ)充補(bǔ)充】dram半導(dǎo)體電路圖半導(dǎo)體電路圖5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理【補(bǔ)充補(bǔ)充】dram芯片存儲(chǔ)陣列芯片存儲(chǔ)陣列dram內(nèi)存芯片制程工藝達(dá)到了內(nèi)存芯片制程工藝達(dá)到了22nm線寬（線寬（2012年）。年）。5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理3sram存儲(chǔ)單元（cell）工作原理sram工作原理工作原理當(dāng)開關(guān)當(dāng)開關(guān)c接通接通時(shí)，相當(dāng)于邏輯時(shí)，相當(dāng)

15、于邏輯“1”狀態(tài)狀態(tài)；當(dāng)開關(guān)當(dāng)開關(guān)c關(guān)閉關(guān)閉時(shí)，相當(dāng)于邏輯時(shí)，相當(dāng)于邏輯“0”狀態(tài)狀態(tài)。sram不不需要刷新電路需要刷新電路。sram存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元組成組成一個(gè)一個(gè)sram存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元由由6個(gè)晶體管組成個(gè)晶體管組成;存儲(chǔ)存儲(chǔ)一個(gè)一個(gè)字節(jié)需要字節(jié)需要8個(gè)個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元；也就是說也就是說保存一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)需要保存一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)需要48個(gè)晶體管個(gè)晶體管。5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理sram存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理sram芯片半導(dǎo)體電路（放大）芯片半導(dǎo)體電路（放大）5.1.3 存儲(chǔ)單元工作原理存儲(chǔ)單元工作原理【補(bǔ)充補(bǔ)充】sram不需

16、要周期性刷新；不需要周期性刷新；因此因此cpu內(nèi)部的內(nèi)部的cache采用采用sram作為存儲(chǔ)單元；作為存儲(chǔ)單元；dram與與sram的性能差別在縮小。的性能差別在縮小。sram是對(duì)晶體管鎖存器進(jìn)行讀寫；是對(duì)晶體管鎖存器進(jìn)行讀寫；dram是對(duì)存儲(chǔ)器電容進(jìn)行讀寫。是對(duì)存儲(chǔ)器電容進(jìn)行讀寫。sdram屬于屬于dram，它不是，它不是sram。5.1.4 內(nèi)內(nèi)存芯片陣列結(jié)構(gòu)存芯片陣列結(jié)構(gòu)1邏輯存儲(chǔ)陣列組（bank）內(nèi)存芯片內(nèi)存芯片結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)：采用采用“存儲(chǔ)陣列存儲(chǔ)陣列” （）結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)陣列存儲(chǔ)陣列尋址：尋址：先指定先指定存儲(chǔ)塊（存儲(chǔ)塊（bankbank）；）；再指定再指定行行號(hào)和號(hào)和列列號(hào)號(hào)，就就

17、可以準(zhǔn)確找到存儲(chǔ)單元?？梢詼?zhǔn)確找到存儲(chǔ)單元。5.1.4 內(nèi)內(nèi)存芯片陣列結(jié)構(gòu)存芯片陣列結(jié)構(gòu)bank的大小的大小由于技術(shù)和成本等原因，不能做一個(gè)全內(nèi)存容量的由于技術(shù)和成本等原因，不能做一個(gè)全內(nèi)存容量的bank；單一的單一的bank將會(huì)造成嚴(yán)重的尋址沖突。將會(huì)造成嚴(yán)重的尋址沖突。ddr1內(nèi)存芯片中的內(nèi)存芯片中的bank為為2或或4個(gè)個(gè)；ddr2內(nèi)存芯片中的內(nèi)存芯片中的bank為為4或或8個(gè)個(gè)；ddr3中中bank為為8或或16個(gè)。個(gè)。5.1.4 內(nèi)內(nèi)存芯片陣列結(jié)構(gòu)存芯片陣列結(jié)構(gòu)2物理存儲(chǔ)陣列組（rank）內(nèi)存總線位寬內(nèi)存總線位寬cpu內(nèi)部寄存器和內(nèi)部寄存器和前端總線為前端總線為64位位；如果內(nèi)存系統(tǒng)

18、一次傳輸如果內(nèi)存系統(tǒng)一次傳輸64位數(shù)據(jù)，位數(shù)據(jù)，cpu就不需要等待就不需要等待；內(nèi)存控制器內(nèi)存控制器（北橋（北橋或或cpu內(nèi)內(nèi)）位寬為位寬為64位。位。計(jì)算機(jī)最大內(nèi)存計(jì)算機(jī)最大內(nèi)存北橋芯片內(nèi)部帶有內(nèi)存控制器，因此內(nèi)存的一些重要參數(shù)也北橋芯片內(nèi)部帶有內(nèi)存控制器，因此內(nèi)存的一些重要參數(shù)也由芯片組決定。如主板的最大內(nèi)容容量，單條內(nèi)存容量等。由芯片組決定。如主板的最大內(nèi)容容量，單條內(nèi)存容量等。32位系統(tǒng)的最大物理尋址能力支持到位系統(tǒng)的最大物理尋址能力支持到4gb內(nèi)存。內(nèi)存。64位位cpu可以使用大內(nèi)存，但是需要主板和操作系統(tǒng)的支持?？梢允褂么髢?nèi)存，但是需要主板和操作系統(tǒng)的支持。部分部分64位位cpu集

19、成了內(nèi)存控制器，因此支持最大內(nèi)存容量也集成了內(nèi)存控制器，因此支持最大內(nèi)存容量也就由就由cpu、主板和操作系統(tǒng)來決定。、主板和操作系統(tǒng)來決定。5.1.4 內(nèi)內(nèi)存芯片陣列結(jié)構(gòu)存芯片陣列結(jié)構(gòu)物理陣列（物理陣列（rank）64位位寬的一組內(nèi)存芯片存儲(chǔ)單元稱為位位寬的一組內(nèi)存芯片存儲(chǔ)單元稱為1個(gè)個(gè)rank。內(nèi)存芯片的位寬較小，需要用多個(gè)芯片構(gòu)成一個(gè)內(nèi)存條。內(nèi)存芯片的位寬較小，需要用多個(gè)芯片構(gòu)成一個(gè)內(nèi)存條。1個(gè)rank1個(gè)bank5.4.2 內(nèi)存條信號(hào)測試點(diǎn)內(nèi)存條信號(hào)測試點(diǎn)內(nèi)存內(nèi)存【補(bǔ)充】內(nèi)存總線布線5.1.5 內(nèi)內(nèi)存的讀寫與刷新存的讀寫與刷新1內(nèi)存數(shù)據(jù)的讀取過程首先進(jìn)行列地址選定（首先進(jìn)行列地址選定（c

20、as）；準(zhǔn)備準(zhǔn)備數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)i/o通道通道，將數(shù)據(jù)輸出到內(nèi)存總線上。將數(shù)據(jù)輸出到內(nèi)存總線上。從從cas與讀命令發(fā)出與讀命令發(fā)出，到第一次數(shù)據(jù)輸出的時(shí)間定義為到第一次數(shù)據(jù)輸出的時(shí)間定義為cl（列地址選通潛伏期）。（列地址選通潛伏期）。存儲(chǔ)單元的電容很小，讀取的信號(hào)要經(jīng)過放大才能識(shí)別。存儲(chǔ)單元的電容很小，讀取的信號(hào)要經(jīng)過放大才能識(shí)別。一個(gè)一個(gè)bank對(duì)應(yīng)一個(gè)讀出放大器（對(duì)應(yīng)一個(gè)讀出放大器（s-amp）通道）通道。讀操作形式有：順序讀，隨機(jī)讀，突發(fā)讀，讀讀操作形式有：順序讀，隨機(jī)讀，突發(fā)讀，讀-寫，讀寫，讀-預(yù)充電，讀預(yù)充電，讀-狀態(tài)中止等。狀態(tài)中止等。5.1.5 內(nèi)內(nèi)存的讀寫與刷新存的讀寫與刷新讀操作

21、讀操作dram的讀操作是一個(gè)放電過程的讀操作是一個(gè)放電過程；狀態(tài)為狀態(tài)為“1”的電容在讀操作后，會(huì)因?yàn)榉烹姸優(yōu)檫壿嫷碾娙菰谧x操作后，會(huì)因?yàn)榉烹姸優(yōu)檫壿嫛?”；為了保證數(shù)據(jù)的可靠性，需要對(duì)存儲(chǔ)單元原有數(shù)據(jù)進(jìn)行為了保證數(shù)據(jù)的可靠性，需要對(duì)存儲(chǔ)單元原有數(shù)據(jù)進(jìn)行重寫重寫；重寫任務(wù)由讀出放大器（重寫任務(wù)由讀出放大器（s-amp）完成。）完成。讀操作時(shí)，讀出放大器會(huì)保持?jǐn)?shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)，再次讀讀操作時(shí)，讀出放大器會(huì)保持?jǐn)?shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)，再次讀取同一數(shù)據(jù)時(shí)，它直接發(fā)送，不用再進(jìn)行新的尋址。取同一數(shù)據(jù)時(shí)，它直接發(fā)送，不用再進(jìn)行新的尋址。5.1.5 內(nèi)內(nèi)存的讀寫與刷新存的讀寫與刷新2內(nèi)存數(shù)據(jù)的寫入過程dram寫

22、操作是一寫操作是一個(gè)個(gè)充電過程充電過程。寫操作與讀過程基本相同寫操作與讀過程基本相同；只是在列尋址時(shí)，只是在列尋址時(shí)，we#為有效狀態(tài)為有效狀態(tài)；行尋址與列尋址的時(shí)序與讀操作一樣。行尋址與列尋址的時(shí)序與讀操作一樣。寫操作寫操作的的形式有：寫形式有：寫-寫、隨機(jī)寫、突發(fā)寫、寫到讀、寫、隨機(jī)寫、突發(fā)寫、寫到讀、寫到預(yù)充電、寫固定長度或全頁等。寫到預(yù)充電、寫固定長度或全頁等。5.1.5 內(nèi)內(nèi)存的讀寫與刷新存的讀寫與刷新3內(nèi)存系統(tǒng)的刷新過程存儲(chǔ)單元中，電容的電荷會(huì)慢慢泄漏存儲(chǔ)單元中，電容的電荷會(huì)慢慢泄漏；ddr2內(nèi)存的充電時(shí)間為內(nèi)存的充電時(shí)間為60ns左右左右；。充電過程中，存儲(chǔ)單元不能被訪問。充電過

23、程中，存儲(chǔ)單元不能被訪問。定時(shí)對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電稱為定時(shí)對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行充電稱為“”；在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元的動(dòng)態(tài)刷新并不困難。在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元的動(dòng)態(tài)刷新并不困難。目前公認(rèn)的目前公認(rèn)的。5.2.1 內(nèi)存條的容量存條的容量1內(nèi)存芯片技術(shù)規(guī)格內(nèi)存芯片容量采用內(nèi)存芯片容量采用“mw”的形式表示，的形式表示，m表示表示1個(gè)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)據(jù)i/o接口的最大存儲(chǔ)容量，單位接口的最大存儲(chǔ)容量，單位bit；w表示內(nèi)存芯片表示內(nèi)存芯片輸入輸入/輸出位寬。輸出位寬?！纠纠?-3】：】：64mbit8，表示內(nèi)存芯片在，表示內(nèi)存芯片在1個(gè)個(gè)i/o接口的接口的存儲(chǔ)容量為存儲(chǔ)容量為64mbit，內(nèi)存芯片有，內(nèi)存芯片有8個(gè)這樣

24、的數(shù)據(jù)個(gè)這樣的數(shù)據(jù)i/o接接口，口，1個(gè)內(nèi)存芯片總存儲(chǔ)容量為個(gè)內(nèi)存芯片總存儲(chǔ)容量為64mbit8=512mbit。如果采用如果采用8個(gè)這樣的內(nèi)存芯片，則可以構(gòu)成一個(gè)個(gè)這樣的內(nèi)存芯片，則可以構(gòu)成一個(gè)512mb的內(nèi)存條（的內(nèi)存條（1個(gè)個(gè)rank）；）；如果采用如果采用16個(gè)這樣的內(nèi)存芯片個(gè)這樣的內(nèi)存芯片，則可以構(gòu)成一個(gè)則可以構(gòu)成一個(gè)1gb的的內(nèi)存條（內(nèi)存條（2個(gè)個(gè)rank）。）。5.2.1 內(nèi)存條的容量存條的容量3內(nèi)存芯片與內(nèi)存條內(nèi)存芯片與內(nèi)存條rank的關(guān)系的關(guān)系內(nèi)存芯片數(shù)據(jù)內(nèi)存芯片數(shù)據(jù)i/o位寬有位寬有：4/8/16/32bit等等類型。類型。組成一個(gè)組成一個(gè)rank（64bit）就需要多個(gè)內(nèi)

25、存芯片并聯(lián)工作。）就需要多個(gè)內(nèi)存芯片并聯(lián)工作?！纠纠?-4】：】：內(nèi)存條的不同組成形式。內(nèi)存條的不同組成形式。采用采用16bit的的i/o位寬芯片時(shí)，需要位寬芯片時(shí)，需要4顆（顆（16bit4顆顆=64bit）芯片；芯片；8bit的的i/o位寬芯片，需要位寬芯片，需要8顆（顆（8bit8顆顆=64bit）；）；4bit的的i/o位寬芯片，需要位寬芯片，需要16顆（顆（4bit16顆顆=64bit）。）。5.2.1 內(nèi)存條的容量存條的容量4內(nèi)存條的類型內(nèi)存條類型內(nèi)存條類型ddr3ddr2ddrsdramunb-dimm240腳，無ecc240腳，無ecc184腳，無ecc168腳，無eccso

26、-dimm204腳，無ecc200腳，無ecc200腳，無ecc144腳，無eccreg-dimm240腳，有ecc240腳，有ecc184腳，有ecc168腳，有eccmicro-dimm214腳，無ecc172腳，無ecc144腳，無eccmini-dimm244腳，有ecc注：ecc=錯(cuò)誤校驗(yàn)5.2.1 內(nèi)存條的容量存條的容量unb-dimm（無緩沖雙列直插式內(nèi)存模組）（無緩沖雙列直插式內(nèi)存模組）臺(tái)式計(jì)算機(jī)臺(tái)式計(jì)算機(jī)使用最多使用最多，簡稱簡稱dimm；分為有分為有ecc和無和無ecc兩種，市場上絕大部分是無兩種，市場上絕大部分是無ecc型。型。so-dimm（小外型內(nèi)存模組）（小外型內(nèi)存

27、模組）筆記本筆記本計(jì)算機(jī)使用的計(jì)算機(jī)使用的dimm；市場上絕大部分是無市場上絕大部分是無ecc型。型。reg-dimm（寄存（寄存器器內(nèi)存模組）內(nèi)存模組）用于用于pc服務(wù)器服務(wù)器；市場上幾乎都是市場上幾乎都是ecc型。型。5.2.2 unb-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)1unb-dimm內(nèi)存條設(shè)計(jì)方案unb-dimm內(nèi)存條主要用于臺(tái)式計(jì)算機(jī)內(nèi)存條主要用于臺(tái)式計(jì)算機(jī)；主板中內(nèi)存總線位寬是固定的（主板中內(nèi)存總線位寬是固定的（64位）；位）；主板對(duì)內(nèi)存條的容量和數(shù)量都有限制主板對(duì)內(nèi)存條的容量和數(shù)量都有限制。5.2.2 unb-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條容量計(jì)算公式：內(nèi)存條容量

28、計(jì)算公式：由上式可見：由上式可見：bank容量和芯片容量和芯片i/o位寬由芯片廠商提供；位寬由芯片廠商提供；采用不同位寬的芯片，可以設(shè)計(jì)不同容量的內(nèi)存條；采用不同位寬的芯片，可以設(shè)計(jì)不同容量的內(nèi)存條；內(nèi)存條有不同容量和不同芯片的設(shè)計(jì)方案。內(nèi)存條有不同容量和不同芯片的設(shè)計(jì)方案。 5.2.2 unb-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)【例例5-5】：采用不同位寬的內(nèi)存芯片，設(shè)計(jì)一個(gè)】：采用不同位寬的內(nèi)存芯片，設(shè)計(jì)一個(gè)內(nèi)存總線位寬為內(nèi)存總線位寬為64bit，容量為，容量為1gb的內(nèi)存條。的內(nèi)存條。（1）方案）方案1：采用采用128mbit4的內(nèi)存芯片，需要的內(nèi)存芯片，需要16個(gè)內(nèi)個(gè)內(nèi)存芯片。存芯片

29、。優(yōu)點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：采用低容量內(nèi)存芯片，實(shí)現(xiàn)高容量內(nèi)存條設(shè)計(jì)采用低容量內(nèi)存芯片，實(shí)現(xiàn)高容量內(nèi)存條設(shè)計(jì)；缺點(diǎn)缺點(diǎn)：工藝復(fù)雜。工藝復(fù)雜。（2）方案）方案2：采用采用128mbit8的內(nèi)存的內(nèi)存芯片，需要芯片，需要8個(gè)內(nèi)存?zhèn)€內(nèi)存芯片芯片。應(yīng)用：應(yīng)用：廣泛廣泛用于用于臺(tái)式計(jì)算機(jī)內(nèi)存條設(shè)計(jì)。臺(tái)式計(jì)算機(jī)內(nèi)存條設(shè)計(jì)。（3）方案）方案3：采用采用128mbit16的內(nèi)存的內(nèi)存芯片，需要芯片，需要4個(gè)內(nèi)個(gè)內(nèi)存存芯片芯片。優(yōu)點(diǎn)：利用高容量內(nèi)存芯片實(shí)現(xiàn)少芯片的內(nèi)存條設(shè)計(jì)。缺點(diǎn)：要求采用高密度內(nèi)存芯片；應(yīng)用：廣泛用于筆記本計(jì)算機(jī)。5.2.2 unb-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)2unb-dimm內(nèi)存條電路結(jié)構(gòu)內(nèi)存條內(nèi)

30、存條的電路結(jié)構(gòu)差別的電路結(jié)構(gòu)差別不大不大；64位位ddr3 1gb內(nèi)存條電路內(nèi)存條電路結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)。5.2.3 so-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)so-dimm內(nèi)存條主要用于筆記本計(jì)算機(jī)。內(nèi)存條主要用于筆記本計(jì)算機(jī)。so-dimm內(nèi)存條在電氣參數(shù)和性能上，與內(nèi)存條在電氣參數(shù)和性能上，與unb-dimm和和reg-dimm內(nèi)存條相同。內(nèi)存條相同。so-dimm內(nèi)存條機(jī)械尺寸更短。內(nèi)存條機(jī)械尺寸更短。64位位ddr3 so-dimm內(nèi)存條尺寸內(nèi)存條尺寸5.2.3 so-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)8gb ddr3-1600 so-dimm內(nèi)存條內(nèi)存條5.2.3 so-dimm內(nèi)存條基本

31、結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)64位位ddr3 so-dimm 512mb內(nèi)存條電路結(jié)構(gòu)內(nèi)存條電路結(jié)構(gòu)5.2.4 reg-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)reg-dimm內(nèi)存條內(nèi)存條增加的器件增加的器件registered（寄存器）（寄存器）：穩(wěn)定信號(hào)，隔離外部干擾。：穩(wěn)定信號(hào)，隔離外部干擾。pll（鎖相環(huán)）（鎖相環(huán)）：減少內(nèi)存時(shí)延，保證數(shù)據(jù)同步。：減少內(nèi)存時(shí)延，保證數(shù)據(jù)同步。ecc（錯(cuò)誤校驗(yàn)）（錯(cuò)誤校驗(yàn)）：保證數(shù)據(jù)安全。：保證數(shù)據(jù)安全。在在ddr 1/2/3內(nèi)存條內(nèi)存條中中，這，這3個(gè)器件都相同。個(gè)器件都相同。72位位ddr reg-dimm內(nèi)存條內(nèi)存條5.2.4 reg-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存

32、條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條內(nèi)存條數(shù)量增加導(dǎo)致的問題數(shù)量增加導(dǎo)致的問題服務(wù)器服務(wù)器內(nèi)存數(shù)量內(nèi)存數(shù)量的的增增加加，會(huì)導(dǎo)致以下問題：會(huì)導(dǎo)致以下問題：內(nèi)存內(nèi)存芯片到芯片到cpu之間之間的線路的線路長度長度產(chǎn)生產(chǎn)生較大差別較大差別；容易導(dǎo)致信號(hào)時(shí)序產(chǎn)生錯(cuò)位；容易導(dǎo)致信號(hào)時(shí)序產(chǎn)生錯(cuò)位；使命令與尋址信號(hào)的穩(wěn)定性受到嚴(yán)峻考驗(yàn)；使命令與尋址信號(hào)的穩(wěn)定性受到嚴(yán)峻考驗(yàn)；內(nèi)存控制器的信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力內(nèi)存控制器的信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力也也會(huì)不堪重負(fù)會(huì)不堪重負(fù)。解決方案：解決方案：服務(wù)器內(nèi)存條上服務(wù)器內(nèi)存條上增加了增加了寄存器芯片寄存器芯片；內(nèi)存控制信號(hào)僅僅針對(duì)寄存器內(nèi)存控制信號(hào)僅僅針對(duì)寄存器芯片通信芯片通信，不用對(duì)內(nèi)存條上每個(gè)，不用對(duì)內(nèi)存條上

33、每個(gè)內(nèi)存芯片輸出信號(hào)內(nèi)存芯片輸出信號(hào)；這降低了內(nèi)存控制這降低了內(nèi)存控制器器的負(fù)載的負(fù)載；寄存器的作用是穩(wěn)定命令寄存器的作用是穩(wěn)定命令和和地址信號(hào)，隔離外部干地址信號(hào)，隔離外部干擾擾。5.2.4 reg-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)reg-dimm（寄存器型內(nèi)存模組（寄存器型內(nèi)存模組）ddr芯片ecc芯片reg芯片spd芯片5.2.4 reg-dimm內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu)reg-dimm內(nèi)存條內(nèi)存條5.3.1 內(nèi)存條接口形式與信號(hào)內(nèi)存條接口形式與信號(hào)1ddr sdram（雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）內(nèi)存內(nèi)存ddr內(nèi)存采用的技術(shù)內(nèi)存采用的技術(shù)一般將一般將ddr sdram內(nèi)存統(tǒng)

34、稱為內(nèi)存統(tǒng)稱為ddr內(nèi)存。內(nèi)存。采用了延時(shí)鎖相環(huán)（采用了延時(shí)鎖相環(huán)（dll）技術(shù)）技術(shù)；在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù)在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù)；采用同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)采用同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)傳輸?shù)葌鬏數(shù)炔襟E既能獨(dú)立步驟既能獨(dú)立執(zhí)行，又與執(zhí)行，又與cpu保持完全同步。保持完全同步。不同類型的不同類型的ddr內(nèi)存在結(jié)構(gòu)沒有太大區(qū)別內(nèi)存在結(jié)構(gòu)沒有太大區(qū)別；主要區(qū)別在一些技術(shù)參數(shù)和內(nèi)存性能上。主要區(qū)別在一些技術(shù)參數(shù)和內(nèi)存性能上。5.3.1 內(nèi)存條接口形式與信號(hào)內(nèi)存條接口形式與信號(hào)ddr內(nèi)存技術(shù)參數(shù)內(nèi)存技術(shù)參數(shù)技術(shù)指標(biāo)技術(shù)指標(biāo)技技 術(shù)術(shù) 參參 數(shù)數(shù)內(nèi)存類型ddr3

35、ddr2ddrjedec標(biāo)準(zhǔn)pc3-6400/8500/10600/12800pc2-3200/43003/53007pc-1600/2100/2700內(nèi)存標(biāo)注ddr3-800/1066/1333/1600ddr2-400/533/667/800ddr-200/266/333/400內(nèi)存時(shí)鐘頻率（mhz）100/133/166/200100/133/166/200100/133/166/200數(shù)據(jù)傳輸頻率（mhz）800/1000/1333/1600400/533/667/800200/266/333/400總線位寬（bit）646464總線帶寬（gb/s）6.4/8.0/10.7/12.83

36、.2/4.3/5.3/6.41.6/2.1/2.7/3.2內(nèi)存插座類型240腳dimm240腳dimm184腳dimm工作電壓（v）1.50.0751.80.12.50.1芯片封裝78/82/96球點(diǎn)fbga60/84球點(diǎn)bgatsop/tsop iibank數(shù)（個(gè)）8/164/82/4芯片i/o位寬（bit）4/8/164/8/164/8/16/32單芯片最大容量512mbit8gbit256mbit4gbit64mbit1gbitcas周期cl=7/8/9/10cl=3/4/5cl=1.5/2/2.5/3突發(fā)長度（bit）bl=8/4bl=4/8bl=2/4/8預(yù)取長度（bit）842時(shí)鐘

37、輸入差分時(shí)鐘差分時(shí)鐘差分時(shí)鐘pcb層數(shù)86/865.3.1 內(nèi)存條接口形式與信號(hào)內(nèi)存條接口形式與信號(hào)2不同ddr內(nèi)存的區(qū)別不同規(guī)格的不同規(guī)格的ddr內(nèi)存，定位卡口位置會(huì)有不同，這樣內(nèi)存，定位卡口位置會(huì)有不同，這樣防止了用戶的錯(cuò)誤安裝。防止了用戶的錯(cuò)誤安裝。5.3.1 內(nèi)存條接口形式與信號(hào)內(nèi)存條接口形式與信號(hào)3ddr3內(nèi)存條主要信號(hào)引腳數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)總線（總線（dq0dq63）：）：64地址總線地址總線（ a0a13 ）：）：14bank地址選擇地址選擇（ba0ba2 ）：3rank地址選擇地址選擇（s0#s1#）：）：2行地址選通（行地址選通（ras）；1列地址選通（列地址選通（cas）：1寫允許（

38、寫允許（ we# ）；1數(shù)據(jù)掩碼（數(shù)據(jù)掩碼（dm0dm7）：8電源（電源（vdd）：24地線地線（vss）：59時(shí)鐘：時(shí)鐘：4共計(jì)共計(jì)240根信號(hào)線根信號(hào)線。5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)1內(nèi)存的內(nèi)部時(shí)鐘頻率和外部時(shí)鐘頻率內(nèi)存頻率指標(biāo)內(nèi)存頻率指標(biāo)核心頻率：內(nèi)存內(nèi)部存儲(chǔ)單元（核心頻率：內(nèi)存內(nèi)部存儲(chǔ)單元（cell）的工作頻率；）的工作頻率；i/o頻率：內(nèi)存輸入頻率：內(nèi)存輸入/輸出（輸出（i/o）緩存的傳輸頻率；）緩存的傳輸頻率；數(shù)據(jù)傳輸頻率：內(nèi)存在總線上的數(shù)據(jù)傳輸速率。數(shù)據(jù)傳輸頻率：內(nèi)存在總線上的數(shù)據(jù)傳輸速率。5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)ddr3內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸內(nèi)存數(shù)據(jù)傳

39、輸ddr3核心核心時(shí)鐘頻率時(shí)鐘頻率在在200mhz以上；以上；ddr3的的i/o傳輸頻率為傳輸頻率為400mhz以上；以上；因此因此ddr3的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到了的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到了800mhz以上以上。5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存帶寬計(jì)算：內(nèi)存帶寬計(jì)算：內(nèi)存帶寬內(nèi)存帶寬(b/s)=內(nèi)存?zhèn)鬏旑l率內(nèi)存?zhèn)鬏旑l率(hz)內(nèi)存總線位數(shù)內(nèi)存總線位數(shù)(bit)/8例：計(jì)算例：計(jì)算ddr3 1600內(nèi)存條的帶寬。內(nèi)存條的帶寬。1600是指內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率，內(nèi)存總線位寬為是指內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率，內(nèi)存總線位寬為64bit；內(nèi)存帶寬內(nèi)存帶寬=1600mhz64bit/8=12800mb/s=12.

40、5gb/s5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存條內(nèi)存條技術(shù)技術(shù)規(guī)格規(guī)格技術(shù)指標(biāo)技術(shù)指標(biāo)技技 術(shù)術(shù) 參參 數(shù)數(shù)內(nèi)存類型ddr3-1600 ddr3-1333 ddr3-1066 ddr3-800ddr2-400ddr-200核心頻率(mhz)400333266200100100i/o頻率(mhz)800666533400200100傳輸頻率(mhz)160013331066800400200總線位寬(bit)646464646464最高帶寬(mb/s)1280010664852864003200800插座類型dimmdimmdimmdimmdimmdimm信號(hào)引腳（個(gè)）2402402

41、40240240184長高（mm）133301333013330133301333013330適應(yīng)cpucore i系列core i系列core i系列core i系列core 2pentium4工作電壓（v）1.51.51.51.51.82.5市場應(yīng)用高端主流主流主流淘汰淘汰5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)【補(bǔ)充補(bǔ)充】實(shí)際實(shí)際捕獲的捕獲的ddr2數(shù)據(jù)傳輸信號(hào)數(shù)據(jù)傳輸信號(hào)注：dq=數(shù)據(jù)；dqs=數(shù)據(jù)選取脈沖5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)2ddr內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫延遲用內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫延遲用“cl-trcd-trp ” 參數(shù)形式表示。參數(shù)形式表示。例例：某個(gè)某個(gè)

42、ddr2-533的內(nèi)存延遲參數(shù)為的內(nèi)存延遲參數(shù)為“4-4-4”；低低1個(gè)數(shù)字個(gè)數(shù)字=cl（列地址選擇潛伏周期列地址選擇潛伏周期）=4；第第2個(gè)數(shù)字個(gè)數(shù)字=trcd（ras相對(duì)相對(duì)cas的延遲的延遲）=4；第第3個(gè)數(shù)字個(gè)數(shù)字=trp（行預(yù)充電有效周期行預(yù)充電有效周期）=4。以上延遲參數(shù)以以上延遲參數(shù)以tck（內(nèi)存時(shí)鐘周期內(nèi)存時(shí)鐘周期）為單位為單位；它們的它們的延遲延遲時(shí)間為：延遲周期數(shù)時(shí)間為：延遲周期數(shù)tck的時(shí)間的時(shí)間假設(shè)假設(shè)tck=5ns時(shí)，時(shí)，“4-4-4”的延遲時(shí)間為：的延遲時(shí)間為：20-20-20（ns）。）。5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存信號(hào)延遲技術(shù)參數(shù)內(nèi)存信號(hào)延遲

43、技術(shù)參數(shù)（時(shí)鐘周期）（時(shí)鐘周期）：決定內(nèi)存工作頻率。決定內(nèi)存工作頻率。（列地址選通潛伏期）（列地址選通潛伏期）：決定列尋址到數(shù)據(jù)被讀取所花費(fèi)的時(shí)間。決定列尋址到數(shù)據(jù)被讀取所花費(fèi)的時(shí)間。（從行地址轉(zhuǎn)換到列地址的延遲）（從行地址轉(zhuǎn)換到列地址的延遲）：決定行尋址有效至讀決定行尋址有效至讀/寫命令列尋址之間的時(shí)間。寫命令列尋址之間的時(shí)間。 （行預(yù)充電有效周期）（行預(yù)充電有效周期）：決定在同一決定在同一bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的時(shí)間。中不同工作行轉(zhuǎn)換的時(shí)間。5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)【補(bǔ)充補(bǔ)充】ddr3內(nèi)存信號(hào)延遲內(nèi)存信號(hào)延遲參數(shù)參數(shù)5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)【補(bǔ)充補(bǔ)

44、充】bios中中cl-trcd-trp 參數(shù)參數(shù)調(diào)整調(diào)整5.3.2 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù)【補(bǔ)充補(bǔ)充】bios中內(nèi)存中內(nèi)存參數(shù)參數(shù)調(diào)整調(diào)整5.3.3 ddr3內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)1ddr3內(nèi)存性能的提高ddr3內(nèi)存工作電壓從內(nèi)存工作電壓從ddr2的的1.8v降至降至1.5v，降低，降低了了功耗功耗；ddr3新增了一些功能，在引腳方面有所增加。新增了一些功能，在引腳方面有所增加。ddr3的延遲值高于的延遲值高于ddr2。2ddr3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn)（1）預(yù)取位數(shù)）預(yù)取位數(shù)：ddr2是是4bit，ddr3提提高高到到8bit。（2）尋址時(shí)序）尋址時(shí)序：ddr2的的cl在在25，ddr3在

45、在511。（3）突發(fā)長度。）突發(fā)長度。ddr3的突發(fā)長度的突發(fā)長度bl=8。5.3.4 雙通道內(nèi)存技術(shù)雙通道內(nèi)存技術(shù)多通道內(nèi)存主要是依靠多通道內(nèi)存主要是依靠內(nèi)存內(nèi)存控制控制器器技術(shù)，與內(nèi)存技術(shù)，與內(nèi)存本身無關(guān)。本身無關(guān)。多通道技術(shù)：多通道技術(shù)：內(nèi)存控制器在多個(gè)不同數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀寫數(shù)據(jù)。內(nèi)存控制器在多個(gè)不同數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀寫數(shù)據(jù)。部分部分cpu內(nèi)部集成了內(nèi)存控制器內(nèi)部集成了內(nèi)存控制器；另外一部分集成在北橋芯片中。另外一部分集成在北橋芯片中。雙通道雙通道內(nèi)存技術(shù)內(nèi)存技術(shù)可以可以使數(shù)據(jù)使數(shù)據(jù)等待時(shí)間減少等待時(shí)間減少50%。5.3.4 雙通道內(nèi)存技術(shù)雙通道內(nèi)存技術(shù)安裝要求安裝要求：顏色顏

46、色相同相同的內(nèi)存插槽的內(nèi)存插槽，它們屬于同一個(gè)，它們屬于同一個(gè)內(nèi)存通道內(nèi)存通道。單內(nèi)存條無法達(dá)到雙通道的性能。單內(nèi)存條無法達(dá)到雙通道的性能。注意注意（不同顏色搭配不同顏色搭配），第，第1個(gè)通道個(gè)通道（如黃色）（如黃色）的的第第1個(gè)插槽個(gè)插槽，搭配第搭配第2個(gè)通道個(gè)通道（如紅色）的（如紅色）的第第1個(gè)插槽，個(gè)插槽，依此類推。依此類推。相同顏色插槽上安裝內(nèi)存條，只能工作在單通道模式。相同顏色插槽上安裝內(nèi)存條，只能工作在單通道模式。測試表明，雙通道內(nèi)存性能測試表明，雙通道內(nèi)存性能能夠能夠提升提升60%左右。左右。5.4.1 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn)內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn)1存儲(chǔ)器引發(fā)的故障存儲(chǔ)器引發(fā)的故障內(nèi)存芯片出

47、錯(cuò)的原因內(nèi)存芯片出錯(cuò)的原因電源中的尖峰電壓電源中的尖峰電壓；高頻脈沖干擾信號(hào)高頻脈沖干擾信號(hào)；電源噪聲電源噪聲；不正確的內(nèi)存速率不正確的內(nèi)存速率；無線電射頻干擾無線電射頻干擾；靜電影響等。靜電影響等。干擾引發(fā)的錯(cuò)誤不會(huì)引起內(nèi)存芯片損壞，但是它們將引干擾引發(fā)的錯(cuò)誤不會(huì)引起內(nèi)存芯片損壞，但是它們將引發(fā)臨時(shí)性數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。發(fā)臨時(shí)性數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。5.4.1 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn)內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn)2奇偶校驗(yàn)奇偶校驗(yàn)早期內(nèi)存條都設(shè)計(jì)有奇偶校驗(yàn)芯片。早期內(nèi)存條都設(shè)計(jì)有奇偶校驗(yàn)芯片。1994年開始，大部分內(nèi)存廠商取消了內(nèi)存條上的奇偶校年開始，大部分內(nèi)存廠商取消了內(nèi)存條上的奇偶校驗(yàn)芯片，這樣內(nèi)存條可以節(jié)約驗(yàn)芯片，這樣內(nèi)存條可以節(jié)約10左右的生產(chǎn)成本。左右的生產(chǎn)成本。目前微機(jī)一般目前微機(jī)一般不支持奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條。不支持奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條。pc服務(wù)器服務(wù)器大多大多采用奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條采用奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條。5