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文檔簡介
1、1邏輯門邏輯門內(nèi)容提要:內(nèi)容提要:(1)數(shù)字電路的基本邏輯單元)數(shù)字電路的基本邏輯單元門電路,及其門電路,及其對應(yīng)的邏輯運算與圖形描述符號對應(yīng)的邏輯運算與圖形描述符號 。(2)三態(tài)邏輯門和集電極開路輸出門)三態(tài)邏輯門和集電極開路輸出門 。(3)TTL集成門的電路簡介、邏輯功能、外特性和集成門的電路簡介、邏輯功能、外特性和性能參數(shù)性能參數(shù) 。(4)CMOS集成門的邏輯功能、外特性和性能參數(shù)。集成門的邏輯功能、外特性和性能參數(shù)。 2主要內(nèi)容:主要內(nèi)容:與、或、非三種基本邏輯運算與、或、非三種基本邏輯運算 與、或、非三種基本邏輯門的邏輯功能與、或、非三種基本邏輯門的邏輯功能 邏輯門真值表的列法邏輯門
2、真值表的列法 畫各種邏輯門電路的輸出波形畫各種邏輯門電路的輸出波形基本邏輯門基本邏輯門 重點:重點:基本邏輯運算基本邏輯運算基本邏輯門的邏輯功能基本邏輯門的邏輯功能3l 在邏輯代數(shù)中,最基本的邏輯運算有與與、或或、非非三種 。l 最基本的邏輯關(guān)系有三種:與與邏輯關(guān)系、或或邏輯關(guān)系、非非邏輯關(guān)系。l 實現(xiàn)基本邏輯運算和常用復(fù)合邏輯運算的單元電路稱為邏輯門電路邏輯門電路。 4與門l 實現(xiàn)實現(xiàn)“與與”運算的電路稱為運算的電路稱為與邏輯門與邏輯門,簡稱,簡稱與門與門 。l邏輯邏輯與與運算可用開關(guān)電路中兩個開關(guān)相運算可用開關(guān)電路中兩個開關(guān)相串聯(lián)串聯(lián)的例子的例子來說明來說明 。5l “與與”運算的邏輯表達(dá)
3、式為:運算的邏輯表達(dá)式為: F = ABl “與與”運算真值表運算真值表 :l “與與”邏輯的運算規(guī)律為:邏輯的運算規(guī)律為:0 000 11 001 11 001AAAA AA 6 l 與門的邏輯符號與門的邏輯符號: 國內(nèi)符號國內(nèi)符號 國際符號國際符號l 例例2-2 : 向向2輸入與門輸入圖示的波形,求其輸出波輸入與門輸入圖示的波形,求其輸出波形形F。 解:解: 7或門l 實現(xiàn)實現(xiàn)“或或”運算的電路稱為運算的電路稱為或邏輯門或邏輯門,簡稱,簡稱或門或門 。l 邏輯邏輯或或運算可用開關(guān)電路中兩個開關(guān)相運算可用開關(guān)電路中兩個開關(guān)相并聯(lián)并聯(lián)的例的例子來說明子來說明 8l “或或”運算的邏輯表達(dá)式為:
4、運算的邏輯表達(dá)式為: F = A+Bl “或或”運算真值表運算真值表 :l “或或”邏輯的運算規(guī)律為:邏輯的運算規(guī)律為:000011011 11 011AAAAAA 9l 或門的邏輯符號或門的邏輯符號: l 例例2-4 : 向向2輸入或門輸入圖示的波形,求其輸出波輸入或門輸入圖示的波形,求其輸出波形形F。 解:解: 10非門l 實現(xiàn)實現(xiàn)“非非”運算的電路稱為運算的電路稱為非邏輯門非邏輯門,簡稱,簡稱非門非門 。l 邏輯邏輯“非非”運算可用圖(運算可用圖(a)中的開關(guān)電路來說明。)中的開關(guān)電路來說明。在圖(在圖(b)中,若令)中,若令A(yù)表示開關(guān)處于常開位置,則表示開關(guān)處于常開位置,則A非表示開關(guān)
5、處于常閉位置。非表示開關(guān)處于常閉位置。 11l “非非”運算的邏輯表達(dá)式為:運算的邏輯表達(dá)式為:l “非非”運算真值表運算真值表 :l “非非”邏輯的運算規(guī)律為:邏輯的運算規(guī)律為:FA10AAAAA A12l 非門的邏輯符號非門的邏輯符號: l 例例2-5 : 向非門輸入圖示的波形,求其輸出波形向非門輸入圖示的波形,求其輸出波形F。 解:解: 13集成非門簡介集成非門簡介TTL反相器的工作原理反相器的工作原理A為高電平:為高電平:T1倒倒置運用,置運用,VB12.1V,T2、T5飽飽和,和,VC20.9V,T4截止,截止,L為低電為低電平。即平。即A1,L0。b) A為低電平:為低電平:T1深
6、深飽和運用,飽和運用,VB10.9V,T2、T5截截止,止,T4導(dǎo)通(放大導(dǎo)通(放大狀態(tài)),狀態(tài)),L為高電為高電平。即平。即A0,L1。14CMOS非門電路l 由由NMOS和和PMOS兩種場效應(yīng)管組成的邏輯電路稱兩種場效應(yīng)管組成的邏輯電路稱為互補為互補MOS,即,即CMOS電路。電路。 l CMOS反相器電路反相器電路(P285,圖,圖11-21)注意:圖中注意:圖中FET 均為增強型均為增強型 CMOS反相器的開關(guān)模型反相器的開關(guān)模型 1415復(fù)合邏輯門復(fù)合邏輯門 l 與非、或非、異或、同或的復(fù)合邏輯運算與非、或非、異或、同或的復(fù)合邏輯運算l 與非門、或非門的邏輯功能與非門、或非門的邏輯功
7、能l 異或門、同或門的邏輯功能異或門、同或門的邏輯功能l 各種復(fù)合邏輯門的真值表描述及輸出波形各種復(fù)合邏輯門的真值表描述及輸出波形主要內(nèi)容:主要內(nèi)容:16l 基本邏輯運算的復(fù)合叫做基本邏輯運算的復(fù)合叫做復(fù)合邏輯運算復(fù)合邏輯運算。而實現(xiàn)。而實現(xiàn)復(fù)合邏輯運算的電路叫復(fù)合邏輯運算的電路叫復(fù)合邏輯門復(fù)合邏輯門。最常用的復(fù)。最常用的復(fù)合邏輯門有合邏輯門有與非門與非門、或非門或非門、與或非門與或非門和和異或門異或門等。等。17與非門與非門l “與與”運算后再進(jìn)行運算后再進(jìn)行“非非”運算的復(fù)合運算稱為運算的復(fù)合運算稱為“與非與非”運算運算,實現(xiàn),實現(xiàn)“與非與非”運算的邏輯電路稱運算的邏輯電路稱為為與非門與非
8、門。 l 與非門與非門的邏輯關(guān)系表達(dá)式為:的邏輯關(guān)系表達(dá)式為:l 與非門的邏輯符號與非門的邏輯符號 :l “與非與非”門真值表門真值表 :FA B18或非門或非門l “或或”運算后再進(jìn)行運算后再進(jìn)行“非非”運算的復(fù)合運算稱為運算的復(fù)合運算稱為“或非或非”運算運算,實現(xiàn),實現(xiàn)“或非或非”運算的邏輯電路稱運算的邏輯電路稱為為或非門或非門。 l 或非門或非門的邏輯關(guān)系表達(dá)式為:的邏輯關(guān)系表達(dá)式為:l 或非門的邏輯符號或非門的邏輯符號 :l “或非或非”門真值表門真值表 :FAB19異或門異或門l 實現(xiàn)實現(xiàn)“異或異或”邏輯運算的邏輯電路稱為邏輯運算的邏輯電路稱為異或門異或門。 l 異或門異或門的邏輯關(guān)
9、系表達(dá)式為:的邏輯關(guān)系表達(dá)式為:l 異或門的邏輯符號異或門的邏輯符號 :l “異或異或”門真值表門真值表 :FABABAB20同或門同或門l “異或異或”運算之后再進(jìn)行運算之后再進(jìn)行“非非”運算,則稱為運算,則稱為“同或同或”運算。實現(xiàn)運算。實現(xiàn)“同或同或”邏輯運算的邏輯電邏輯運算的邏輯電路稱為路稱為同或門同或門。 l 同或門同或門的邏輯關(guān)系表達(dá)式為:的邏輯關(guān)系表達(dá)式為:l 同或門的邏輯符號同或門的邏輯符號 :l “同或同或”門真值表門真值表 :FABABABAB2121集成復(fù)合門電路一、 TTL與非門電路多發(fā)射極管多發(fā)射極管T1的二極管等效的二極管等效電路電路TTL與非門集成電路主要有:與非
10、門集成電路主要有:74LS00,74LS10,74LS20和和74LS30等等。典型的典型的TTL與非門電路圖與非門電路圖22 TTL與非門電路的低電平輸出工作狀態(tài)與非門電路的低電平輸出工作狀態(tài) 2223TTL與非門電路的高電平輸出工作狀態(tài)與非門電路的高電平輸出工作狀態(tài) 2324TTL門電路的灌電流工作狀態(tài)門電路的灌電流工作狀態(tài) OLILIN ITTL與非門灌電流負(fù)載能力受限于低電平扇出系數(shù)與非門灌電流負(fù)載能力受限于低電平扇出系數(shù) 2425TTL門電路的拉電流工作狀態(tài)門電路的拉電流工作狀態(tài) OHIHIN I拉電流負(fù)載能力受限于高電平扇出系數(shù)拉電流負(fù)載能力受限于高電平扇出系數(shù) 2526TTL或非
11、門電路或非門電路 l TTL或非門集成電路有或非門集成電路有74LS02、74LS27等。等。FAB2627TTL與或非門電路l TTL與或非門集成電路有與或非門集成電路有74LS54、74LS55等。等。FABCD2728肖特基TTL與非門電路l 肖特基箝位晶體管,簡稱肖特基箝位晶體管,簡稱肖特基晶體管肖特基晶體管。l 肖特基肖特基TTL門電路門電路 2829CMOS門電路門電路 l 場效應(yīng)管的場效應(yīng)管的開關(guān)模型開關(guān)模型 :場效應(yīng)管像一個開關(guān),它:場效應(yīng)管像一個開關(guān),它有無窮大的有無窮大的“斷開斷開”電阻和有限的電阻和有限的“導(dǎo)通導(dǎo)通”電阻電阻Ron l NMOS管符號管符號 l PMOS管
12、符號管符號 2930CMOS與非門電路與非門電路 l CMOS電路特點:電路特點:u互補互補CMOS結(jié)構(gòu)的上拉和下拉網(wǎng)絡(luò)互為對偶網(wǎng)絡(luò),這意結(jié)構(gòu)的上拉和下拉網(wǎng)絡(luò)互為對偶網(wǎng)絡(luò),這意味著在上拉網(wǎng)絡(luò)中并聯(lián)的味著在上拉網(wǎng)絡(luò)中并聯(lián)的PMOS管相應(yīng)于在下拉網(wǎng)絡(luò)中管相應(yīng)于在下拉網(wǎng)絡(luò)中NMOS管的串聯(lián)管的串聯(lián) 。3031CMOS或非門電路l CMOS或非門電路:或非門電路:3132CMOS門電路的構(gòu)成規(guī)則l 一個一個CMOS門是由上拉網(wǎng)絡(luò)和下拉網(wǎng)絡(luò)的組合而門是由上拉網(wǎng)絡(luò)和下拉網(wǎng)絡(luò)的組合而成的成的 。l 當(dāng)邏輯門的輸出為邏輯當(dāng)邏輯門的輸出為邏輯1時,它將提供一條在輸出時,它將提供一條在輸出和和VDD之間的通路。之
13、間的通路。 l 當(dāng)邏輯門的輸出為邏輯當(dāng)邏輯門的輸出為邏輯0時,在輸出和地之間提供時,在輸出和地之間提供一條通路。一條通路。 l 上拉網(wǎng)絡(luò)和下拉網(wǎng)絡(luò)是以相互排斥的方式構(gòu)成的上拉網(wǎng)絡(luò)和下拉網(wǎng)絡(luò)是以相互排斥的方式構(gòu)成的 l 下拉網(wǎng)絡(luò)由下拉網(wǎng)絡(luò)由NMOS管構(gòu)成,而上拉網(wǎng)絡(luò)由管構(gòu)成,而上拉網(wǎng)絡(luò)由PMOS管管構(gòu)成。構(gòu)成。 3233l 由上拉網(wǎng)絡(luò)和下拉網(wǎng)絡(luò)組成的互補邏輯門由上拉網(wǎng)絡(luò)和下拉網(wǎng)絡(luò)組成的互補邏輯門 :l 一個互補一個互補CMOS結(jié)構(gòu)的上拉和下拉網(wǎng)絡(luò)互為對偶結(jié)構(gòu)的上拉和下拉網(wǎng)絡(luò)互為對偶網(wǎng)絡(luò),這意味著在上拉網(wǎng)絡(luò)中網(wǎng)絡(luò),這意味著在上拉網(wǎng)絡(luò)中并聯(lián)并聯(lián)的的PMOS管相應(yīng)管相應(yīng)于在下拉網(wǎng)絡(luò)中于在下拉網(wǎng)絡(luò)中NM
14、OS管的管的串聯(lián)串聯(lián),反之亦然。,反之亦然。 33343435l 例例11-3 :利用互補利用互補CMOS 邏輯合成一個邏輯合成一個CMOS復(fù)復(fù)合門電路,其功能為:合門電路,其功能為: 解:解: ()FDABC下拉網(wǎng)絡(luò) 識別子電路 3536設(shè)計完整的門電路如下:設(shè)計完整的門電路如下:3637其它邏輯門主要內(nèi)容主要內(nèi)容三態(tài)邏輯門的邏輯功能三態(tài)邏輯門的邏輯功能含有三態(tài)邏輯門電路的分析含有三態(tài)邏輯門電路的分析集電極開路輸出邏輯門的邏輯功能集電極開路輸出邏輯門的邏輯功能集電極開路輸出邏輯門的應(yīng)用集電極開路輸出邏輯門的應(yīng)用重點重點三態(tài)邏輯門、集電極開路的三態(tài)邏輯門、集電極開路的邏輯功能和應(yīng)用邏輯功能和應(yīng)
15、用38三態(tài)邏輯門l 三態(tài)輸出門三態(tài)輸出門(簡稱(簡稱TS門門)有三種邏輯狀態(tài),即)有三種邏輯狀態(tài),即0、1、Z。第三種狀態(tài)為。第三種狀態(tài)為高阻狀態(tài)高阻狀態(tài)(Z),或禁止?fàn)顟B(tài)。,或禁止?fàn)顟B(tài)。l 三態(tài)邏輯門符號:l 高電平有效高電平有效的三態(tài)門真值表的三態(tài)門真值表 :控制端EN高電平有效 控制端EN低電平有效 39三態(tài)門的應(yīng)用:三態(tài)門的應(yīng)用:l 三態(tài)門用于總線傳輸三態(tài)門用于總線傳輸 :l 用三態(tài)門實現(xiàn)數(shù)據(jù)雙向傳輸用三態(tài)門實現(xiàn)數(shù)據(jù)雙向傳輸 :總線傳輸總線傳輸雙向傳輸雙向傳輸40集電極開路邏輯門l 集電極開路門,簡稱集電極開路門,簡稱OC門門。其特點是門電路內(nèi)部。其特點是門電路內(nèi)部輸出三極管的集電極開
16、路。在使用時,必須外接輸出三極管的集電極開路。在使用時,必須外接“上拉電阻上拉電阻RP” 。l OC與非門的邏輯符號與非門的邏輯符號 :l 兩個兩個OC門輸出端可以直接相連,實現(xiàn)門輸出端可以直接相連,實現(xiàn)“線與線與”功功能。能。 12FFFAB CD41l OC門用來實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換:門用來實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換:l OC門用做驅(qū)動器:門用做驅(qū)動器:42集電極開路門與三態(tài)門電路一、集電極開路的一、集電極開路的TTL與非門電路與非門電路42常用型號:常用型號:74LS01、74LS03、74LS12等。等。 43l OC門輸出并聯(lián)接法門輸出并聯(lián)接法 :實現(xiàn)了:實現(xiàn)了“線與線與”功能。功能。 12FFFABC
17、IJKABCIJK4344l OC門外門外接上拉電阻接上拉電阻RP的計算方法:的計算方法: CCOH(min)P(max)OHIHVVRnImICCOL(max)P(min)OL (max)IL(max) VVRIkIP(min)P P(max)RRR4445三態(tài)輸出門電路三態(tài)輸出門電路 l 三態(tài)輸出門是在普通門電路的基礎(chǔ)上增加控制電三態(tài)輸出門是在普通門電路的基礎(chǔ)上增加控制電路所形成的。路所形成的??刂贫丝刂贫薊N高電平有效高電平有效 控制端控制端EN低電平有效低電平有效 4546集成電路邏輯門的參數(shù)及應(yīng)用集成電路邏輯門的參數(shù)及應(yīng)用l TTL 和和CMOS集成邏輯門概述集成邏輯門概述l 各種各
18、種TTL系列門電路的特性比較系列門電路的特性比較l 集成電路邏輯門的性能指標(biāo)集成電路邏輯門的性能指標(biāo)l TTL與與CMOS兩種集成電路在混合應(yīng)用時的接口兩種集成電路在混合應(yīng)用時的接口主要內(nèi)容:主要內(nèi)容:47概述概述 l 把若干個有源器件和無源器件及其連線,按照一把若干個有源器件和無源器件及其連線,按照一定的功能要求,制作在一塊半導(dǎo)體基片上,這樣定的功能要求,制作在一塊半導(dǎo)體基片上,這樣的產(chǎn)品叫的產(chǎn)品叫集成電路集成電路。l 最簡單的數(shù)字集成電路是最簡單的數(shù)字集成電路是集成邏輯門集成邏輯門。 l 集成電路的優(yōu)點:如體積小、耗電省、重量輕、集成電路的優(yōu)點:如體積小、耗電省、重量輕、可靠性高可靠性高
19、l 數(shù)字集成電路的規(guī)模一般是根據(jù)門的數(shù)目來劃分?jǐn)?shù)字集成電路的規(guī)模一般是根據(jù)門的數(shù)目來劃分的的 :有:有SSI ,MSI ,LSI ,VLSI 等。等。l 集成電路邏輯門按照組成的有源器件可分為兩大集成電路邏輯門按照組成的有源器件可分為兩大類:類: TTL門門 ,MOS門,后者主要是門,后者主要是CMOS門。門。 48TTL集成電路邏輯門l TTL門電路由雙極型三極管構(gòu)成,其特點是門電路由雙極型三極管構(gòu)成,其特點是速度速度快、抗靜電能力強,但其功耗較大,不適宜做成快、抗靜電能力強,但其功耗較大,不適宜做成大規(guī)模集成電路。大規(guī)模集成電路。 l TTL門電路有門電路有74(民用)和(民用)和54(軍
20、用)兩大系列,(軍用)兩大系列,每個系列中又有若干子系列。每個系列中又有若干子系列。圖2-37 7400引腳配置及DIP封裝外形圖引腳及封裝引腳及封裝 P38 封裝形式:雙列直插和表面貼裝封裝形式:雙列直插和表面貼裝 4954系列與74系列的比較:TTL系列速度及功耗的比較: 50CMOS集成電路邏輯門l CMOS集成門電路由場效應(yīng)管構(gòu)成,它的特點是集成門電路由場效應(yīng)管構(gòu)成,它的特點是集成度高、集成度高、功耗低,但速度較慢、抗靜電能力差。功耗低,但速度較慢、抗靜電能力差。 l 同同TTL門電路一樣,門電路一樣,CMOS門電路也有門電路也有74和和54兩大系列。兩大系列。 l 74系列系列5V
21、CMOS門電路的基本子系列如下:門電路的基本子系列如下:u74HC和和74HCT:高速:高速CMOS(High-speed CMOS),),T表示和表示和TTL直接兼容。直接兼容。u74AC和和74ACT:先進(jìn):先進(jìn)CMOS(Advanced CMOS),它們提供了比),它們提供了比TTL系列更高的速度和更低的功耗。系列更高的速度和更低的功耗。u74AHC和和AHCT:先進(jìn)高速:先進(jìn)高速CMOS(Advanced High-speed CMOS)。)。l 74系列系列3.3V CMOS門電路的基本子系列如下:門電路的基本子系列如下:u74LVC:低壓:低壓CMOS(Lower-voltage
22、CMOS)。)。u74ALVC:先進(jìn)低壓:先進(jìn)低壓CMOS(Advanced Lower-voltage CMOS)。)。51集成電路門的性能參數(shù)l 數(shù)字集成電路的性能參數(shù)主要包括:數(shù)字集成電路的性能參數(shù)主要包括:u直流電源電壓直流電源電壓u輸入輸入 / 輸出邏輯電平輸出邏輯電平u輸入輸入 / 輸出電流輸出電流u扇出系數(shù)扇出系數(shù)u傳輸延時傳輸延時u功耗功耗 52l 標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)TTL門的輸入門的輸入 / 輸出邏輯電平輸出邏輯電平 :Unallowed53l 傳輸延遲時間傳輸延遲時間tpdl tPHL和和tPLH的定義的定義 :1()2pdPHLPLHttt54扇入和扇出系數(shù)扇入和扇出系數(shù)l “拉電
23、流拉電流”工作狀態(tài)工作狀態(tài) :(相對驅(qū)動門來說的(相對驅(qū)動門來說的)l “灌電流灌電流”工作狀態(tài)工作狀態(tài): l 扇入系數(shù)扇入系數(shù):指一個門電路所能允許的輸入端個數(shù)。:指一個門電路所能允許的輸入端個數(shù)。l 扇出系數(shù)扇出系數(shù):一個門電路所能驅(qū)動的同類門電路輸:一個門電路所能驅(qū)動的同類門電路輸入端的最大數(shù)目。入端的最大數(shù)目。 l 扇出系數(shù)的計算公式為:扇出系數(shù)的計算公式為:OHOLIHILIIII扇出系數(shù)或55TTL與CMOS集成電路的接口*TTL門與門與CMOS門的連接條件門的連接條件 表2-13 TTL門與CMOS門的連接條件驅(qū)動門負(fù)載門VOH(min)VIH(min)VOL(max)VIL(m
24、ax)IOHIIHIOLIIL56TTL與CMOS集成電路的接口*(續(xù))TTL門與門與CMOS門連接的原則門連接的原則1、凡是滿足、凡是滿足表表2-13 的連接條件的,的連接條件的,TTL門和門和CMOS門可門可以直接連接。以直接連接。圖2-41 TTL驅(qū)動門與CMOS負(fù)載門的連接2、凡是和、凡是和TTL門兼容的門兼容的CMOS門(如門(如74HCT和和74ACT系列系列CMOS門)可以和門)可以和TTL的輸出端直接連接,的輸出端直接連接,不必外加元器件。不必外加元器件。3、TTL門和門和CMOS門門不能直接連接的,必須外不能直接連接的,必須外接接口電路。接接口電路。例:輸出加上拉電阻,提例:
25、輸出加上拉電阻,提高高VO1H57接口電路(續(xù))1) 直接驅(qū)動直接驅(qū)動 2) 加上拉電阻加上拉電阻3) 加集電極開路門加集電極開路門4) 加專用接口芯片加專用接口芯片CD4010B是具有兩種是具有兩種電源的電源的CMOS緩沖器緩沖器58負(fù)載驅(qū)動電路抗干擾措施1、直接驅(qū)動、直接驅(qū)動2、驅(qū)動門并聯(lián)、驅(qū)動門并聯(lián)*注意均流3、加功率放大電路、加功率放大電路1、多余端的處理、多余端的處理2、電源去耦濾波電路、電源去耦濾波電路3、正確接地、正確接地59譯碼器主要內(nèi)容主要內(nèi)容譯碼器的概念由門電路構(gòu)成的三位二進(jìn)制譯碼器 三位二進(jìn)制集成譯碼器74LS138二-十進(jìn)制集成譯碼器74LS42用集成譯碼器構(gòu)成組合邏輯電路共陰極和共陽極數(shù)碼顯示管顯示譯碼器74LS47、74LS48和CD451160 把具有特定含義的二進(jìn)制代碼“翻譯”成數(shù)字或字符的過程稱為譯碼,實現(xiàn)譯碼操作的電路稱為譯碼器。 譯碼器是一個多輸入,多輸出的組合邏輯電路,根據(jù)功能可分為:二進(jìn)制譯碼器、BCD碼譯碼器和顯示譯碼器。 譯碼器功能框圖如下圖所示: 譯碼器的概念61二進(jìn)制譯碼器 二進(jìn)制譯碼器通常有n個輸入端,2n個輸出端,并且每一個輸出端對應(yīng)一個n個輸入端組成的最小項。 常見的MSI集成譯碼器有2線-4線、3線-8線和4線-16線
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