《晶體二極管及應用》ppt課件

1、1/132第第1 1章章 緒論緒論第第2 2章章 晶體二極管及運用晶體二極管及運用第第3 3章章 晶體三極管及運用晶體三極管及運用第第4 4章章 場效應管及根本放大電路場效應管及根本放大電路第第5 5章章 放大電路的頻率呼應放大電路的頻率呼應第第6 6章章 負反響放大電路負反響放大電路第第7 7章章 雙極型模擬集成電路的分析與運用雙極型模擬集成電路的分析與運用第第8 8章章 集成運算放大器的分析與運用集成運算放大器的分析與運用第第1010章章 直流穩(wěn)壓源電路直流穩(wěn)壓源電路2/132問題：問題：1.為什么用半導體資料制造電子器件？為什么用半導體資料制造電子器件？2.PN結上所加的電壓和電流符合歐

2、姆定律嗎？結上所加的電壓和電流符合歐姆定律嗎？3.常用電子器件主要有哪些？常用電子器件主要有哪些？4. 各種器件有何功能？各種器件有何功能？第二章晶體二極管及運用第二章晶體二極管及運用3/132第二章晶體二極管及運用第二章晶體二極管及運用2.1 2.1 半導體根底知識半導體根底知識2.2 PN2.2 PN結結2.3 2.3 半導體二極管二極管半導體二極管二極管4/132一、半導體的特性一、半導體的特性二、本征半導體及半導體的能帶二、本征半導體及半導體的能帶三、雜質半導體三、雜質半導體5/132 什么是半導體？什么是半導體？導導 體體: 導電率為導電率為105s-1105s-1，量級，如金屬。，

3、量級，如金屬。S:S:西門子西門子) )絕緣體絕緣體: 導電率為導電率為10-2210-2210-14 s-110-14 s-1量級，如：橡膠、云量級，如：橡膠、云母、塑料等。母、塑料等。導電才干介于導體和絕緣體之間。如：硅、鍺、砷導電才干介于導體和絕緣體之間。如：硅、鍺、砷化鎵等。化鎵等。半導體半導體: 半導體特性半導體特性摻入雜質那么導電率添加幾百倍摻入雜質那么導電率添加幾百倍摻雜特性摻雜特性半導體器件半導體器件溫度添加使導電率大為添加溫度添加使導電率大為添加溫度特性溫度特性熱敏器件熱敏器件光照不僅使導電率大為添加還可以產(chǎn)生電動勢光照不僅使導電率大為添加還可以產(chǎn)生電動勢光照特性光照特性光敏

4、器件光敏器件光電器件光電器件6/132本征半導體本征半導體完全純真、構造完好的半導體晶體。完全純真、構造完好的半導體晶體。純度：純度：99.9999999%99.9999999%，“九個九個9 9它在物理構它在物理構造上呈單晶體形狀。造上呈單晶體形狀。常用的本征半導體常用的本征半導體+4晶體特征晶體特征在晶體中，質點的陳列有一定的規(guī)律。在晶體中，質點的陳列有一定的規(guī)律。硅鍺的原子硅鍺的原子構造簡化模型構造簡化模型價電子價電子正離子正離子留意：為了方便，留意：為了方便，原子構造常用二維原子構造常用二維構造描畫，實踐上構造描畫，實踐上是三維構造。是三維構造。7/132鍺晶體的共價鍵構造表示圖鍺晶體

5、的共價鍵構造表示圖 半導體能帶構造表示圖半導體能帶構造表示圖價帶中留下的空位稱為空穴價帶中留下的空位稱為空穴導帶導帶自在電子定向挪動自在電子定向挪動構成電子流構成電子流 本征半導體的原子構造和共價鍵本征半導體的原子構造和共價鍵共價鍵內(nèi)的電子共價鍵內(nèi)的電子稱為束縛電子稱為束縛電子價帶價帶禁帶禁帶EG外電場外電場E束縛電子填補空穴的束縛電子填補空穴的定向挪動構成空穴流定向挪動構成空穴流掙脫原子核束縛的電子掙脫原子核束縛的電子稱為自在電子稱為自在電子8/1321. 本征半導體中有兩種載流子本征半導體中有兩種載流子 自在電子和空穴自在電子和空穴它們是成對出現(xiàn)的它們是成對出現(xiàn)的2. 在外電場的作用下，產(chǎn)

6、生電流在外電場的作用下，產(chǎn)生電流 電子流和空穴流電子流和空穴流電子流電子流自在電子作定向運動構成的自在電子作定向運動構成的方向與外電場方向相反方向與外電場方向相反自在電子一直在導帶內(nèi)運動自在電子一直在導帶內(nèi)運動空穴流空穴流價電子遞補空穴構成的價電子遞補空穴構成的方向與外電場方向一樣方向與外電場方向一樣一直在價帶內(nèi)運動一直在價帶內(nèi)運動3. 留意：本征半導體在熱力學零度留意：本征半導體在熱力學零度0K和沒有外界能量激和沒有外界能量激發(fā)下，晶體內(nèi)無自在電子，不導電。發(fā)下，晶體內(nèi)無自在電子，不導電。載流子概念：運載電荷的粒子。載流子概念：運載電荷的粒子。9/132 本征半導體的載流子的濃度本征半導體的

7、載流子的濃度電子濃度電子濃度 ni : ni :表示單位體積內(nèi)的自在電子數(shù)表示單位體積內(nèi)的自在電子數(shù)空穴濃度空穴濃度 pi : pi :表示單位體積內(nèi)的空穴數(shù)。表示單位體積內(nèi)的空穴數(shù)。G03/2k2iioETnpA T e A0 與資料有關的常數(shù)與資料有關的常數(shù)EG0 禁帶寬度禁帶寬度T 絕對溫度絕對溫度k 玻爾曼常數(shù)玻爾曼常數(shù)結論結論1. 本征半導體中本征半導體中 電子濃度電子濃度ni = 空穴濃度空穴濃度pi 2. 載流子的濃度與載流子的濃度與T、EG0有關有關 10/132 載流子的產(chǎn)生與復載流子的產(chǎn)生與復合合g載流子的產(chǎn)生率載流子的產(chǎn)生率 即每秒成對產(chǎn)生的電子空穴的濃度。即每秒成對產(chǎn)生

8、的電子空穴的濃度。R載流子的復合率載流子的復合率 即每秒成對復合的電子空穴的濃度。即每秒成對復合的電子空穴的濃度。當?shù)竭_動態(tài)平衡時當?shù)竭_動態(tài)平衡時 g=R R = r nipi 其中其中r復合系數(shù)，與資料有關。復合系數(shù)，與資料有關。11/132雜質半導體雜質半導體摻入雜質的本征半導體。摻入雜質的本征半導體。摻雜后半導體的導電率大為提高。摻雜后半導體的導電率大為提高。 摻入的三價元素如摻入的三價元素如B硼、硼、Al鋁鋁等，構成等，構成P型半導體，也稱空穴型半導體。型半導體，也稱空穴型半導體。 摻入的五價元素如摻入的五價元素如P磷磷 、砷等，、砷等，構成構成N型半導體，也稱電子型半導體。型半導體，

9、也稱電子型半導體。12/132 N型半導體型半導體在本征半導體中摻入的五價元素，如在本征半導體中摻入的五價元素，如P。價帶價帶導帶導帶+施主施主能級能級自在電子是多子即多數(shù)載流子自在電子是多子即多數(shù)載流子空穴是少子空穴是少子雜質原子提供雜質原子提供由熱激發(fā)構成由熱激發(fā)構成由于五價元素很容易奉獻電由于五價元素很容易奉獻電子，因此將其稱為施主雜質。子，因此將其稱為施主雜質。施主雜質因提供自在電子而施主雜質因提供自在電子而帶正電荷成為正離子。帶正電荷成為正離子。13/132自在電子是多子即多數(shù)載流子自在電子是多子即多數(shù)載流子空穴是少子空穴是少子問題：與本征半導體相比，問題：與本征半導體相比，N型半導

10、體中空穴多了？型半導體中空穴多了？還是少了？還是少了？ N型半導體型半導體14/132舉例：鍺原子密度為舉例：鍺原子密度為4.41022/cm3 ，鍺本征半導，鍺本征半導ni=2.51013/cm3，假設每，假設每104個鍺原子中摻入個鍺原子中摻入1個磷原子個磷原子摻雜密度為萬分之一，那么在單位體積中就摻入了摻雜密度為萬分之一，那么在單位體積中就摻入了10-44.41022=4.41018/cm3個磷原子。個磷原子。 那么施主雜質濃度為：那么施主雜質濃度為： ND= 4.41018/cm3 比比ni大十萬倍大十萬倍雜質半導體小結：雜質半導體小結：雖然雜質含量很少如萬分之一，但提供的載流子雖然雜

11、質含量很少如萬分之一，但提供的載流子數(shù)量仍遠大于本征半導體中載流子的數(shù)量。數(shù)量仍遠大于本征半導體中載流子的數(shù)量。載流子的濃度主要取決于多子即雜質，故使導電載流子的濃度主要取決于多子即雜質，故使導電才干激增才干激增 。半導體的摻雜、溫度等可人為控制。半導體的摻雜、溫度等可人為控制。15/132 P型半導體型半導體在本征半導體中摻入的三價元素如在本征半導體中摻入的三價元素如 B。價帶價帶導帶導帶-受主受主能級能級自在電子是少子自在電子是少子空穴是多子空穴是多子雜質原子提供雜質原子提供由熱激發(fā)構成由熱激發(fā)構成因留下的空穴很容易俘獲因留下的空穴很容易俘獲電子，使雜質原子成為負電子，使雜質原子成為負離子

12、。三價雜質離子。三價雜質 因此也因此也稱為受主雜質。稱為受主雜質。雜質半導體的載流子濃度雜質半導體的載流子濃度N型半導體：施主雜質的濃度型半導體：施主雜質的濃度ND n 表示總電子的濃度表示總電子的濃度 p 表示空穴的濃度表示空穴的濃度n =p+ND ND施主雜質的濃度施主雜質的濃度pP型半導體：型半導體： NA表示受主雜質的濃度表示受主雜質的濃度 ， n 表示電子的濃度表示電子的濃度 p 表示總空穴的濃度表示總空穴的濃度p= n+ NA NA 受主雜質的濃度受主雜質的濃度n 闡明：因摻雜的濃度很小，可近似以為復合系數(shù)闡明：因摻雜的濃度很小，可近似以為復合系數(shù)R堅持不堅持不變。在一定溫度條件下

13、，空穴與電子濃度的乘積為一常數(shù)。變。在一定溫度條件下，空穴與電子濃度的乘積為一常數(shù)。17/132結論：在雜質型半導體中，多子濃度比本征半導體結論：在雜質型半導體中，多子濃度比本征半導體的濃度大得多，而少子濃度比本征半導體的濃度小的濃度大得多，而少子濃度比本征半導體的濃度小得多，但兩者乘積堅持不變。得多，但兩者乘積堅持不變。其中：其中：ni 表示本征資料中電子的濃度表示本征資料中電子的濃度 pi 表示本征資料中空穴的濃度。表示本征資料中空穴的濃度。n p = ni pi = ni2=C18/13219/132P區(qū)區(qū)N區(qū)區(qū)分散運動分散運動載流子從濃度大向濃度小載流子從濃度大向濃度小的區(qū)域分散的區(qū)域

14、分散,稱分散運動稱分散運動構成的電流成為分散電流構成的電流成為分散電流內(nèi)電場內(nèi)電場內(nèi)電場妨礙多子向對方的分散內(nèi)電場妨礙多子向對方的分散即妨礙分散運動即妨礙分散運動同時促進少子向對方漂移同時促進少子向對方漂移即促進了漂移運動即促進了漂移運動分散運動分散運動=漂移運動時漂移運動時到達動態(tài)平衡到達動態(tài)平衡耗盡層耗盡層PN結結P區(qū)區(qū)N區(qū)區(qū)空穴空穴自在電子自在電子負電荷負電荷正電荷正電荷20/132內(nèi)電場阻止多子分散內(nèi)電場阻止多子分散 濃度差濃度差多子的分散運動多子的分散運動由雜質離子構成空間電荷區(qū)由雜質離子構成空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)構成內(nèi)電場空間電荷區(qū)構成內(nèi)電場內(nèi)電場促使少子漂移內(nèi)電場促使少子漂移分散運

15、動分散運動多子從濃度大向濃度小的區(qū)域分散多子從濃度大向濃度小的區(qū)域分散, 稱分散運動。稱分散運動。分散運動產(chǎn)生分散電流。分散運動產(chǎn)生分散電流。漂移運動漂移運動少子向對方漂移少子向對方漂移,稱漂移運動。稱漂移運動。漂移運動產(chǎn)生漂移電流。漂移運動產(chǎn)生漂移電流。動態(tài)平衡動態(tài)平衡分散電流分散電流 = = 漂移電流，漂移電流，PNPN結內(nèi)總電流結內(nèi)總電流=0=0。PN PN 結結穩(wěn)定的空間電荷區(qū)穩(wěn)定的空間電荷區(qū)，又稱高阻區(qū)，又稱高阻區(qū) ，也稱耗盡層。，也稱耗盡層。P區(qū)區(qū)N區(qū)區(qū)21/132 U 內(nèi)電場內(nèi)電場 的建立，使的建立，使PN結中產(chǎn)生結中產(chǎn)生了電位差了電位差 ，從而構成接觸電位，從而構成接觸電位U

16、。接觸電位接觸電位U U決議于資料及摻雜濃度決議于資料及摻雜濃度硅：硅： U U=0.6=0.60.7 V0.7 V鍺：鍺： U U=0.2=0.20.3 V0.3 V22/1321. PN1. PN結加正向電壓時的導電情況結加正向電壓時的導電情況 原理：外電場方向與原理：外電場方向與PNPN結內(nèi)電場方向相反，減弱結內(nèi)電場方向相反，減弱了內(nèi)電場。了內(nèi)電場。 于是內(nèi)電場對多子分于是內(nèi)電場對多子分散運動的妨礙減弱，分散散運動的妨礙減弱，分散電流加大。電流加大。 分散電流遠大于漂移分散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的電流，可忽略漂移電流的影響。影響。P區(qū)的電位高于區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正

17、向電壓，簡稱正偏；區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；內(nèi)內(nèi)外外結論：結論：PNPN結正偏時，呈現(xiàn)低阻性。結正偏時，呈現(xiàn)低阻性。23/1322. PN2. PN結加反向電壓時的導電情況結加反向電壓時的導電情況原理：外電場與原理：外電場與PNPN結內(nèi)電場結內(nèi)電場方向一樣，加強內(nèi)電場。方向一樣，加強內(nèi)電場。 內(nèi)電場對多子分散內(nèi)電場對多子分散運動妨礙加強，分散電流大運動妨礙加強，分散電流大大減小。少子在內(nèi)電場的作大減小。少子在內(nèi)電場的作用下構成的漂移電流加大。用下構成的漂移電流加大。 此時此時PNPN結區(qū)少子漂結區(qū)少子漂移電流大于分散電流，可忽移電流大于分散電流，可忽略分散電流。略分散電流。P區(qū)的電位

18、低于區(qū)的電位低于N區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡稱反偏。區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡稱反偏。內(nèi)內(nèi)外外結論：結論：PNPN結反偏時，呈現(xiàn)高阻性，結反偏時，呈現(xiàn)高阻性，近似為截止形狀。近似為截止形狀。24/132結論是：結論是：PN結具有單導游結具有單導游電性。電性。小結：小結： PN結加正向電壓時，呈結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向現(xiàn)低電阻，具有較大的正向分散電流；分散電流； PN結加反向電壓時，呈結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。漂移電流。問題：有必要問題：有必要加電阻加電阻R嗎？嗎？25/132PN結兩端的電壓與結兩端的電壓與流過流過PN結電

19、流的關系式結電流的關系式式中式中 Is 飽和電流飽和電流; UT = kT/q 等效電壓等效電壓 k 波爾茲曼常數(shù)；波爾茲曼常數(shù)；q為電子的電量；為電子的電量； T=300k室溫時室溫時 UT= 26mv由半導體物理可推出：由半導體物理可推出：1)(TSUUeII3. PN3. PN結電流方程結電流方程26/1321)(TSUUeII當加反向電壓時：當加反向電壓時：當加正向電壓時：當加正向電壓時：(UUT)TSUUeII SII 結電流方程結電流方程IU27/132反向擊穿：反向擊穿： PN結上所加的反向電壓到達某一數(shù)值時，反向電結上所加的反向電壓到達某一數(shù)值時，反向電流激增的景象。流激增的景

20、象。雪崩擊穿雪崩擊穿當反向電壓增高時，少子獲得能量高速運動，在當反向電壓增高時，少子獲得能量高速運動，在空間電荷區(qū)與原子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生碰撞電離。構空間電荷區(qū)與原子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生碰撞電離。構成連鎖反響，象雪崩一樣。使反向電流激增。成連鎖反響，象雪崩一樣。使反向電流激增。齊納擊穿齊納擊穿當反向電壓較大時，強電場直接從共價鍵中將電當反向電壓較大時，強電場直接從共價鍵中將電子拉出來，構成大量載流子子拉出來，構成大量載流子, ,使反向電流激增。使反向電流激增。擊穿是可逆。摻雜濃度擊穿是可逆。摻雜濃度小的二極管容易發(fā)生。小的二極管容易發(fā)生。擊穿是可逆。摻雜濃度擊穿是可逆。摻雜濃度大的二極管容易發(fā)生。大的二

21、極管容易發(fā)生。不可逆擊穿不可逆擊穿 熱擊穿。熱擊穿。 PN結的電流或電壓較大，使結的電流或電壓較大，使PN結耗散功率超越極限值，使結溫結耗散功率超越極限值，使結溫升高，導致升高，導致PN結過熱而燒毀。結過熱而燒毀。28/132 勢壘電容勢壘電容CB 當外加電壓不同時，耗盡層的電荷量隨外加電壓而增當外加電壓不同時，耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少，與電容的充放電過程一樣。耗盡層寬窄變化所多或減少，與電容的充放電過程一樣。耗盡層寬窄變化所等效的電容為勢壘電容。等效的電容為勢壘電容。29/132 分散電容是由多子分散后，在分散電容是由多子分散后，在PN結的另一側面積累而結的另一側面積累而構成的。

22、因構成的。因PN結正偏時，由結正偏時，由N區(qū)分散到區(qū)分散到P區(qū)的電子，與外電區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復合，構成正向電流。剛分散過來的電子就源提供的空穴相復合，構成正向電流。剛分散過來的電子就堆積在堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠區(qū)內(nèi)緊靠PN結的附近，構成一定的多子濃度梯度結的附近，構成一定的多子濃度梯度分布曲線。分布曲線。留意：勢壘電容和分散電留意：勢壘電容和分散電容均是非線性電容容均是非線性電容, ,并同時并同時存在。外加電壓變化緩慢時存在。外加電壓變化緩慢時可以忽略，但是變化較快時可以忽略，但是變化較快時不容忽略。不容忽略。 分散電容分散電容CD 外加電壓不同情況下，外加電壓不同情況下，P、N區(qū)

23、少子濃度的分布將發(fā)生區(qū)少子濃度的分布將發(fā)生變化，分散區(qū)內(nèi)電荷的積累變化，分散區(qū)內(nèi)電荷的積累與釋放過程與電容充放電過與釋放過程與電容充放電過程一樣，這種電容等效為分程一樣，這種電容等效為分散電容。散電容。30/132 PN結的電致發(fā)光結的電致發(fā)光 假設在假設在PNPN結加正偏電壓結加正偏電壓E E，外電場將消弱內(nèi)建電場對，外電場將消弱內(nèi)建電場對載流子分散的阻撓作用。在外加電場滿足一定條件下，注載流子分散的阻撓作用。在外加電場滿足一定條件下，注入到耗盡區(qū)內(nèi)的電子和空穴經(jīng)過輻射復合而產(chǎn)生光子的速入到耗盡區(qū)內(nèi)的電子和空穴經(jīng)過輻射復合而產(chǎn)生光子的速率將大于資料對光子的吸收速率，從而在半導體內(nèi)產(chǎn)生光率將大

24、于資料對光子的吸收速率，從而在半導體內(nèi)產(chǎn)生光增益。增益。EDPN31/132 PN結的光電效應結的光電效應 PN結用導線銜接成回路時，載流子面臨結用導線銜接成回路時，載流子面臨PN結勢壘的阻結勢壘的阻撓，在回路中不產(chǎn)生電流。當有光照射撓，在回路中不產(chǎn)生電流。當有光照射PN結資料上時，假設結資料上時，假設光子能量大于半導體的禁帶寬度，那么在光子能量大于半導體的禁帶寬度，那么在PN結的耗盡區(qū)、結的耗盡區(qū)、P區(qū)、區(qū)、N區(qū)內(nèi)產(chǎn)生光生的電子區(qū)內(nèi)產(chǎn)生光生的電子-空穴對，耗盡區(qū)內(nèi)的載流子在內(nèi)空穴對，耗盡區(qū)內(nèi)的載流子在內(nèi)建場的作用下電子迅速移向建場的作用下電子迅速移向N區(qū)，空穴移向區(qū)，空穴移向P區(qū)，在回路內(nèi)構

25、區(qū)，在回路內(nèi)構成光電流，而成光電流，而P、N區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光子無內(nèi)建電場的作用只進展區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光子無內(nèi)建電場的作用只進展自在的分散運動，多數(shù)因復合而消逝，對光電流根本沒有奉自在的分散運動，多數(shù)因復合而消逝，對光電流根本沒有奉獻。獻。DEDDRLUDIP留意：為了充分利用在留意：為了充分利用在PN結各區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光生結各區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的光生載流子，載流子，PN結需加適當結需加適當?shù)姆聪蚱珘?。的反向偏壓?2/132一、晶體二極管的構造類型一、晶體二極管的構造類型二、晶體二極管的伏安特性二、晶體二極管的伏安特性三、晶體二極管的等效電阻三、晶體二極管的等效電阻四、光電二極管四、光電二極管五、發(fā)光二極管五、發(fā)光二

26、極管六、穩(wěn)壓二極管六、穩(wěn)壓二極管七、變?nèi)荻O管七、變?nèi)荻O管八、二極管的典型運用八、二極管的典型運用33/132一、晶體二極管的構造類型一、晶體二極管的構造類型在在PN結上加上引線和封裝，就成為一個二極管。結上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按構造分二極管按構造分點接觸型點接觸型面接觸型面接觸型平面型平面型PN結面積小，結電容小，結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路用于檢波和變頻等高頻電路PN結面積大，用結面積大，用于工頻大電流整流電路于工頻大電流整流電路往往用于集成電路制造工藝中。往往用于集成電路制造工藝中。PN 結面積可大可小，結面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。用于

27、高頻整流和開關電路中。34/132伏安特性：是指二極管兩端電壓和流過二極管電流之間的關系。伏安特性：是指二極管兩端電壓和流過二極管電流之間的關系。由由PN結電流方程求出理想的伏安特性曲線，結電流方程求出理想的伏安特性曲線，IU1.1.當加正向電壓時當加正向電壓時PN結電流方程為：結電流方程為：1)(TSUUeII2.2.當加反向電壓時當加反向電壓時TSUUeII I 隨隨U，呈指數(shù)規(guī)率，呈指數(shù)規(guī)率I - IsI根本不變根本不變二、晶體二極管的伏安特性二、晶體二極管的伏安特性35/132 晶體二極管的伏安特性晶體二極管的伏安特性正向起始部分存在正向起始部分存在一個死區(qū)或門坎，一個死區(qū)或門坎，稱為

28、門限電壓。稱為門限電壓。 硅：硅：Ur=0.5Ur=0.50.6V; 0.6V; 鍺：鍺：Ur=0.1Ur=0.10.2V0.2V。加反向電壓時，反加反向電壓時，反向電流很小向電流很小 即即IsIs硅硅(nA)Is(nA)Is鍺鍺( (A) A) 硅管比鍺管穩(wěn)定。硅管比鍺管穩(wěn)定。當反壓增大當反壓增大VBRVBR時時再添加，反向激增，再添加，反向激增，發(fā)生反向擊穿，發(fā)生反向擊穿，VBRVBR稱為反向擊穿稱為反向擊穿電壓。電壓。實測伏安特性實測伏安特性二、晶體二極管的伏安特性續(xù)二、晶體二極管的伏安特性續(xù)資料資料 門限電壓門限電壓 導通電壓導通電壓 Is/ A硅硅 0.50.6V 0.7V 0時時u

29、2 0時，二極管瞬間導通，時，二極管瞬間導通，C快速充電，快速充電， 電容兩端電壓電容兩端電壓uc=V1，充電終了后輸出，充電終了后輸出uo=0. 當輸入當輸入ui0.7V時，二極管導通，導通后，時，二極管導通，導通后，UD=0.7V鍺管：當鍺管：當UD0.3V時，二極管導通，導通后，時，二極管導通，導通后，UD=0.3V 穩(wěn)壓管是一種運用很廣的特殊類型的二極管，任務區(qū)在穩(wěn)壓管是一種運用很廣的特殊類型的二極管，任務區(qū)在反向擊穿區(qū)?？梢蕴峁┮粋€穩(wěn)定的電壓。運用時留意加限反向擊穿區(qū)?？梢蕴峁┮粋€穩(wěn)定的電壓。運用時留意加限流電阻。流電阻。 晶體二極管根本用途是整流穩(wěn)壓和限幅等。晶體二極管根本用途是整流穩(wěn)壓和限幅等。 半導體光電器件分光敏器件和發(fā)光器件，可實現(xiàn)