武漢半導(dǎo)體硅片項目建議書（范文模板）

1、泓域咨詢 /武漢半導(dǎo)體硅片項目建議書武漢半導(dǎo)體硅片項目建議書xxx投資管理公司報告說明半導(dǎo)體硅片行業(yè)技術(shù)壁壘高、資金壁壘高、人才壁壘高，并且與宏觀經(jīng)濟關(guān)聯(lián)性較強，半導(dǎo)體硅片企業(yè)需通過規(guī)模效應(yīng)來提高盈利能力，預(yù)計未來半導(dǎo)體硅片市場仍將保持較高的集中度。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資16983.98萬元，其中：建設(shè)投資13737.42萬元，占項目總投資的80.88%；建設(shè)期利息200.72萬元，占項目總投資的1.18%；流動資金3045.84萬元，占項目總投資的17.93%。項目正常運營每年營業(yè)收入32700.00萬元，綜合總成本費用27960.77萬元，凈利潤3451.16萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率14

2、.27%，財務(wù)凈現(xiàn)值1639.84萬元，全部投資回收期6.47年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和行業(yè)技術(shù)進步要求，符合市場要求，受到國家技術(shù)經(jīng)濟政策的保護和扶持，適應(yīng)本地區(qū)及臨近地區(qū)的相關(guān)產(chǎn)品日益發(fā)展的要求。項目的各項外部條件齊備，交通運輸及水電供應(yīng)均有充分保證，有優(yōu)越的建設(shè)條件。，企業(yè)經(jīng)濟和社會效益較好，能實現(xiàn)技術(shù)進步，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，提高經(jīng)濟效益的目的。項目建設(shè)所采用的技術(shù)裝備先進，成熟可靠，可以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量要求。本期項目是基于公開的產(chǎn)業(yè)信息、市場分析、技術(shù)方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設(shè)計，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行

3、業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。目錄第一章 行業(yè)發(fā)展分析7一、 半導(dǎo)體硅片需求情況7二、 半導(dǎo)體硅片需求情況10三、 半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢13第二章 項目建設(shè)背景、必要性17一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢17二、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景20三、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類22第三章 項目概述28一、 項目名稱及項目單位28二、 項目建設(shè)地點28三、 可行性研究范圍28四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則28五、 建設(shè)背景、規(guī)模29六、 項目建設(shè)進度30七、 原輔材料及設(shè)備30八、 環(huán)境影響31九、 建設(shè)投資估算31十、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標32主要經(jīng)濟指標一覽表32十一、 主要結(jié)論及建

4、議34第四章 選址可行性分析35一、 項目選址原則35二、 建設(shè)區(qū)基本情況35三、 創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展38四、 社會經(jīng)濟發(fā)展目標40五、 產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向42六、 項目選址綜合評價47第五章 SWOT分析說明48一、 優(yōu)勢分析（S）48二、 劣勢分析（W）50三、 機會分析（O）50四、 威脅分析（T）51第六章 工藝技術(shù)分析55一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析55二、 項目技術(shù)工藝分析57三、 質(zhì)量管理58四、 項目技術(shù)流程59五、 設(shè)備選型方案60主要設(shè)備購置一覽表61第七章 勞動安全分析62一、 編制依據(jù)62二、 防范措施63三、 預(yù)期效果評價67第八章 項目節(jié)能說明69一、 項目節(jié)能概述69二、 能源消費

5、種類和數(shù)量分析70能耗分析一覽表71三、 項目節(jié)能措施71四、 節(jié)能綜合評價73第九章 投資方案分析74一、 投資估算的依據(jù)和說明74二、 建設(shè)投資估算75建設(shè)投資估算表77三、 建設(shè)期利息77建設(shè)期利息估算表77四、 流動資金78流動資金估算表79五、 總投資80總投資及構(gòu)成一覽表80六、 資金籌措與投資計劃81項目投資計劃與資金籌措一覽表81第十章 風險風險及應(yīng)對措施83一、 項目風險分析83二、 項目風險對策85第十一章 附表附件87主要經(jīng)濟指標一覽表87建設(shè)投資估算表88建設(shè)期利息估算表89固定資產(chǎn)投資估算表90流動資金估算表90總投資及構(gòu)成一覽表91項目投資計劃與資金籌措一覽表92營

6、業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表93綜合總成本費用估算表94利潤及利潤分配表95項目投資現(xiàn)金流量表96借款還本付息計劃表97第一章 行業(yè)發(fā)展分析一、 半導(dǎo)體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導(dǎo)體硅片制造。半導(dǎo)體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領(lǐng)域的芯片制造企業(yè)。半導(dǎo)體硅片的終端應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋智能手機、便攜式設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學技術(shù)的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產(chǎn)能情況（1）芯片制造產(chǎn)能情況2017至2020年，全球芯片制造產(chǎn)能（折合成200mm）預(yù)

7、計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復(fù)合增長率6.64%；中國芯片制造產(chǎn)能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復(fù)合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴產(chǎn)，中國大陸芯片制造產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。隨著芯片制造產(chǎn)能的增長，對于半導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長。目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產(chǎn)能低于200mm芯片制造產(chǎn)能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實力的不斷提升，預(yù)計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產(chǎn)能將會超過200mm制造芯片制造產(chǎn)能。（2）半導(dǎo)體器件需求增速情況3DNAND存儲器芯片

8、主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產(chǎn)能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升。SEMI預(yù)計，2019年3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能增速將達4.01%，3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。圖像傳感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號，在智能手機、汽車電子、視頻監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)中廣泛應(yīng)用。隨著多攝像頭手機成為市場的主流產(chǎn)品，預(yù)計2019年圖像傳感器產(chǎn)能增速將達到21%，圖像傳感器將成為半導(dǎo)體行業(yè)近年增長最強勁的細分領(lǐng)域之一

9、。功率器件主要用于電子電力的開關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、功率放大、線路保護等，是在電力控制電路和電源開關(guān)電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復(fù)合增長率7.45%。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設(shè)計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模隨之擴大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高達41%，是2018

10、年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導(dǎo)體芯片制造市場規(guī)模根據(jù)WSTS分類標準，半導(dǎo)體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導(dǎo)體銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長，以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升的帶動下，

11、存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復(fù)合增長率43.45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復(fù)合增長率達11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復(fù)合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機的普及，CMOS圖像傳感器增長迅速；手機新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。二、 半導(dǎo)體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導(dǎo)體硅片制造。半導(dǎo)體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合

12、晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領(lǐng)域的芯片制造企業(yè)。半導(dǎo)體硅片的終端應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋智能手機、便攜式設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學技術(shù)的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產(chǎn)能情況（1）芯片制造產(chǎn)能情況2017至2020年，全球芯片制造產(chǎn)能（折合成200mm）預(yù)計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復(fù)合增長率6.64%；中國芯片制造產(chǎn)能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復(fù)合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴產(chǎn)，中國大陸芯片制造

13、產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。隨著芯片制造產(chǎn)能的增長，對于半導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長。目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產(chǎn)能低于200mm芯片制造產(chǎn)能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實力的不斷提升，預(yù)計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產(chǎn)能將會超過200mm制造芯片制造產(chǎn)能。（2）半導(dǎo)體器件需求增速情況3DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產(chǎn)能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升。SEMI預(yù)計，2019年3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能增速將達4.0

14、1%，3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。圖像傳感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號，在智能手機、汽車電子、視頻監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)中廣泛應(yīng)用。隨著多攝像頭手機成為市場的主流產(chǎn)品，預(yù)計2019年圖像傳感器產(chǎn)能增速將達到21%，圖像傳感器將成為半導(dǎo)體行業(yè)近年增長最強勁的細分領(lǐng)域之一。功率器件主要用于電子電力的開關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、功率放大、線路保護等，是在電力控制電路和電源開關(guān)電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.0

15、5億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復(fù)合增長率7.45%。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設(shè)計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模隨之擴大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高達41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導(dǎo)體芯片制造市場規(guī)模根據(jù)WSTS分類標準，半導(dǎo)體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導(dǎo)體

16、銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長，以及智能手機與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升的帶動下，存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復(fù)合增長率43.45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復(fù)合增長率達11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復(fù)合

17、材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機的普及，CMOS圖像傳感器增長迅速；手機新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。三、 半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢1、全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢由于半導(dǎo)體行業(yè)與全球宏觀經(jīng)濟形勢緊密相關(guān)，全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)在2009年受經(jīng)濟危機影響較為低迷出貨量與銷售額均出現(xiàn)下滑；2010年由于智能手機放量增長，硅片行業(yè)大幅反彈。2011年至2016年，全球經(jīng)濟逐漸復(fù)蘇但依舊較為低迷，硅片行業(yè)亦隨之低速發(fā)展。2017年以來，受益于半導(dǎo)體終端市場需求強勁，下游傳統(tǒng)應(yīng)

18、用領(lǐng)域計算機、移動通信、固態(tài)硬盤、工業(yè)電子市場持續(xù)增長，新興應(yīng)用領(lǐng)域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子的快速發(fā)展，半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模不斷增長，并于2018年突破百億美元大關(guān)。2、全球各尺寸半導(dǎo)體硅片市場情況2018年，300mm硅片和200mm硅片市場份額分別為63.83%和26.14%，兩種尺寸硅片合計占比接近90.00%。2011年開始，200mm半導(dǎo)體硅片市場占有率穩(wěn)定在25-27%之間。2016年至2017年，由于汽車電子、智能手機用指紋芯片、液晶顯示器市場需求快速增長，200mm硅片出貨面積從2,690.00百萬平方英寸上升至3,085.00百萬平方英寸，同比增長14.68%。20

19、18年，受益于汽車電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域的強勁需求，以及功率器件、傳感器等生產(chǎn)商將部分產(chǎn)能從150mm轉(zhuǎn)移至200mm，帶動200mm硅片繼續(xù)保持增長，200mm硅片出貨面積達到3,278.00百萬平方英寸，同比增長6.25%。自2000年全球第一條300mm芯片制造生產(chǎn)線建成以來，300mm半導(dǎo)體硅片市場需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨量首次超過200mm半導(dǎo)體硅片；2009年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積超過其他尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積之和。2000年至2018年，由于移動通信、計算機等終端市場持續(xù)快速發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積從94.00百

20、萬平方英寸擴大至8,005.00百萬平方英寸，市場份額從1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成為半導(dǎo)體硅片市場最主流的產(chǎn)品。2016至2018年，由于人工智能、區(qū)塊鏈、云計算等新興終端市場的蓬勃發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積分別為6,817.00、7,261.00、8,005.00百萬平方英寸，年均復(fù)合增長率為8.36%。3、中國大陸半導(dǎo)體硅片市場現(xiàn)狀及前景2008年至2013年，中國大陸半導(dǎo)體硅片市場發(fā)展趨勢與全球半導(dǎo)體硅片市場一致。2014年起，隨著中國各半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線投產(chǎn)、中國半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進步與中國半導(dǎo)體終端產(chǎn)品市場的飛速發(fā)展，中國大陸半導(dǎo)體硅片市場步入了飛躍式發(fā)

21、展階段。2016年至2018年，中國大陸半導(dǎo)體硅片銷售額從5.00億美元上升至9.92億美元，年均復(fù)合增長率高達40.88%，遠高于同期全球半導(dǎo)體硅片的年均復(fù)合增長率25.65%。中國作為全球最大的半導(dǎo)體產(chǎn)品終端市場，預(yù)計未來隨著中國芯片制造產(chǎn)能的持續(xù)擴張，中國半導(dǎo)體硅片市場的規(guī)模將繼續(xù)以高于全球市場的速度增長。半導(dǎo)體硅片作為芯片制造的關(guān)鍵材料，市場集中度很高，目前全球半導(dǎo)體硅片市場主要被日本、德國、韓國、中國臺灣等國家和地區(qū)的知名企業(yè)占據(jù)。中國大陸的半導(dǎo)體硅片企業(yè)主要生產(chǎn)150mm及以下的半導(dǎo)體硅片，僅有少數(shù)幾家企業(yè)具有200mm半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。2017年以前，300mm半導(dǎo)體硅片幾乎

22、全部依賴進口。2018年，硅產(chǎn)業(yè)集團子公司上海新昇作為中國大陸率先實現(xiàn)300mm硅片規(guī)?；N售的企業(yè)，打破了300mm半導(dǎo)體硅片國產(chǎn)化率幾乎為0%的局面。第二章 項目建設(shè)背景、必要性一、 行業(yè)發(fā)展態(tài)勢1、半導(dǎo)體硅片向大尺寸方向發(fā)展在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。在未來一段時間內(nèi)，300mm半導(dǎo)體硅片仍將作為主流尺寸，同時100-150mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能將逐步向200mm硅片轉(zhuǎn)移，而200mm硅片產(chǎn)能將逐步向300mm硅片轉(zhuǎn)移。向大尺寸方向發(fā)展是半導(dǎo)體硅片行業(yè)最基本的發(fā)展趨勢。2、行業(yè)集中度較高過去30年間，半導(dǎo)體硅片行業(yè)集中度持續(xù)提升。20世紀90年代，全球主要的半導(dǎo)

23、體硅片企業(yè)超過20家。2016-2018年，全球前五大硅片企業(yè)的市場份額已從85%提升至93%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)兼具技術(shù)密集型、資本密集型與人才密集型的特征。行業(yè)龍頭企業(yè)通過多年的技術(shù)積累和規(guī)模效應(yīng)，已經(jīng)建立了較高的行業(yè)壁壘。半導(dǎo)體行業(yè)的周期性較強，規(guī)模較小的企業(yè)難以在行業(yè)低谷時期生存，而行業(yè)龍頭企業(yè)由于產(chǎn)品種類較為豐富、與行業(yè)上下游的談判能力更強、單位固定成本更低，更容易承受行業(yè)的周期性波動。通過并購的方式實現(xiàn)外延式擴張是一些半導(dǎo)體硅片龍頭企業(yè)發(fā)展壯大的路徑。如信越化學在1999年并購了日立的硅片業(yè)務(wù)；SUMCO為住友金屬工業(yè)的硅制造部門、聯(lián)合硅制造公司以及三菱硅材料公司合并而成；環(huán)球晶圓在2

24、012年收購了東芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)之后成為全球第六大半導(dǎo)體硅片廠，并于2016年收購了正在虧損的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麥TopsilSemiconductorMaterialsA/S半導(dǎo)體事業(yè)部，進一步提升其市場占有率，也提高了整個行業(yè)的集中度。3、終端新興應(yīng)用涌現(xiàn)半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟影響，亦受到具體終端市場的影響。例如2010年，全球宏觀經(jīng)濟增速僅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉動了半導(dǎo)體行業(yè)的需求，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長達32%。2017年開始，大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能、

25、新能源汽車、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn)，半導(dǎo)體行業(yè)進入了多種新型需求同時爆發(fā)的新一輪上行周期。4、全球半導(dǎo)體行業(yè)區(qū)域轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體行業(yè)具有生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風險大、下游應(yīng)用廣泛等特點，疊加下游新興應(yīng)用市場的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工的趨勢越來越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次為20世紀70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀80年代向韓國與中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)正在開始第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國大陸轉(zhuǎn)移。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動了目標國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進程的推進和資源優(yōu)化配置。對于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的目標國，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往

26、往從封裝測試向芯片制造與設(shè)計延伸，擴展至半導(dǎo)體材料與設(shè)備，最終實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展。與發(fā)達國家和地區(qū)相比，目前中國大陸在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分工仍處于前期，半導(dǎo)體材料和設(shè)備行業(yè)將成為未來增長的重點。受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國大陸作為全球最大半導(dǎo)體終端產(chǎn)品消費市場，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模不斷擴大，隨著國際產(chǎn)能不斷向中國轉(zhuǎn)移，中資、外資半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在中國投資建廠，中國大陸半導(dǎo)體硅片需求將不斷增長。5、政策推動中國半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)是中國電子信息產(chǎn)業(yè)的重要增長點、驅(qū)動力。近年來，中國政府頒布了一系列政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2016年，全國人大發(fā)布中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第

27、十三個五年規(guī)劃綱要，明確將培育集成電路產(chǎn)業(yè)體系、大力推進先進半導(dǎo)體等新興前沿領(lǐng)域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化作為中國近期發(fā)展重點。2017年，科技部將300mm硅片大生產(chǎn)線的應(yīng)用并實現(xiàn)規(guī)模化銷售列為“十三五”先進制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃。2018年，國務(wù)院將推動集成電路、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展列入2018年政府工作報告。2014年，隨著國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的設(shè)立，各地方亦紛紛設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金。半導(dǎo)體硅片作為集成電路基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性材料，屬于國家行業(yè)政策與資金重點支持發(fā)展的領(lǐng)域。二、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美

28、元，年均復(fù)合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復(fù)合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產(chǎn)工藝更復(fù)雜、成本更高、應(yīng)用領(lǐng)域更專業(yè)，全球范圍內(nèi)僅有Soitec、信越化學、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產(chǎn)業(yè)集團等少數(shù)企業(yè)有能力生產(chǎn)。而在需求方面，中國大陸芯片制造領(lǐng)域具備SOI芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產(chǎn)銷規(guī)模較小。2、SOI硅片在射頻前端芯片中的應(yīng)用射頻前端芯片是超小型內(nèi)置芯片模塊，集成了無線前端電路中使用的各種功能芯片，包括功率放大器、天線調(diào)諧器、低噪聲放大器、濾波器和射頻開關(guān)等。射頻前端芯片主要功能為處理模擬信號

29、，是以移動智能終端為代表的無線通信設(shè)備的核心器件之一。近年來，移動通信技術(shù)迅速發(fā)展，移動數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速度不斷提升，對于配套的射頻前端芯片的工作頻率、集成度與復(fù)雜性的要求隨之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有電荷陷阱層的高阻SOI），是用于射頻前端芯片的SOI硅片，其具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、集成密度高、速度快、功耗低、工藝簡單等優(yōu)點，符合射頻前端芯片對于高速、高線性與低插損等要求。為了應(yīng)對射頻前端芯片對于集成度與復(fù)雜性的更高要求，RF-SOI工藝可以在不影響半導(dǎo)體器件工作頻率的情況下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的結(jié)構(gòu)與良好的電學

30、性能，為系統(tǒng)設(shè)計提供了巨大的靈活性。由于SOI是硅基材料，很容易與其它器件集成，同時可以使用標準的集成電路生產(chǎn)線以降低芯片制造企業(yè)的生產(chǎn)成本。例如，SOI與CMOS工藝的兼容使其能將數(shù)字電路與模擬電路混合，在射頻電路應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢明顯。RF-SOI工藝在射頻集成方面具有多種優(yōu)勢：SOI硅片中絕緣埋層（BOX）的存在，實現(xiàn)了器件有源區(qū)和襯底之間的完全隔離，有效降低了寄生電容，從而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻襯底，降低高頻RF和數(shù)字、混和信號器件之間的串擾并大幅度降低射頻前端的噪聲量，同時降低了高頻插入損耗；作為一種全介質(zhì)隔離，RF-SOI實現(xiàn)了RF電路與數(shù)字電路的單片集成。目前海外RF-S

31、OI產(chǎn)業(yè)鏈較為成熟，格羅方德、意法半導(dǎo)體、TowerJazz、臺電和臺灣聯(lián)華電子等芯片制造企業(yè)均具有基于RF-SOI工藝的芯片生產(chǎn)線。國內(nèi)RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡，下游終端智能手機市場發(fā)展迅速，中游射頻前端模塊和器件大部分依賴進口。目前，雖然我國企業(yè)具備RF-SOI硅片大規(guī)模生產(chǎn)能力，但是國內(nèi)僅有少數(shù)芯片制造企業(yè)具有基于RF-SOI工藝制造射頻前端芯片的能力，因此國產(chǎn)RF-SOI硅片以出口為主。SOI硅片主要應(yīng)用于智能手機、WiFi等無線通信設(shè)備的射頻前端芯片，亦應(yīng)用于汽車電子、功率器件、傳感器等產(chǎn)品。未來，隨著5G通信技術(shù)的不斷成熟，新一輪智能手機的更新?lián)Q代即將到來，以及自動駕駛、車聯(lián)網(wǎng)

32、技術(shù)的發(fā)展，SOI硅片需求將持續(xù)上升。三、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點為1,415，高于鍺的熔點937，較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材

33、料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）

34、等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩

35、爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小

36、，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配?？紤]到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于3

37、00mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPG

38、A（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留

39、的損傷層，實現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。

40、除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高

41、、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。第三章 項目概述一、 項目名稱及項目單位項目名稱：武漢半導(dǎo)體硅片項目項目單位：xxx投資管理公司二、 項目建設(shè)地點本期項目選址位于xx（待定），占地面積約37.00畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。三、 可行性研究范圍1、確定生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)品方案；2、調(diào)研產(chǎn)品市場；3、確定工程技術(shù)方案；4、估算項目總投資，提出資金籌措方式及來源；5、測算項目

42、投資效益，分析項目的抗風險能力。四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則（一）編制依據(jù)1、承辦單位關(guān)于編制本項目報告的委托；2、國家和地方有關(guān)政策、法規(guī)、規(guī)劃；3、現(xiàn)行有關(guān)技術(shù)規(guī)范、標準和規(guī)定；4、相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、政策；5、項目承辦單位提供的基礎(chǔ)資料。（二）技術(shù)原則1、所選擇的工藝技術(shù)應(yīng)先進、適用、可靠，保證項目投產(chǎn)后，能安全、穩(wěn)定、長周期、連續(xù)運行。2、所選擇的設(shè)備和材料必須可靠，并注意解決好超限設(shè)備的制造和運輸問題。3、充分依托現(xiàn)有社會公共設(shè)施，以降低投資，加快項目建設(shè)進度。4、貫徹主體工程與環(huán)境保護、勞動安全和工業(yè)衛(wèi)生、消防同時設(shè)計、同時建設(shè)、同時投產(chǎn)。5、消防、衛(wèi)生及安全設(shè)施的設(shè)置必須貫徹國家關(guān)于環(huán)

43、境保護、勞動安全的法規(guī)和要求，符合行業(yè)相關(guān)標準。6、所選擇的產(chǎn)品方案和技術(shù)方案應(yīng)是優(yōu)化的方案，以最大程度減少投資，提高項目經(jīng)濟效益和抗風險能力。科學論證項目的技術(shù)可靠性、項目的經(jīng)濟性，實事求是地作出研究結(jié)論。五、 建設(shè)背景、規(guī)模（一）項目背景半導(dǎo)體材料包括半導(dǎo)體制造材料與半導(dǎo)體封測材料。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年全球半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模為330.18億美元，同比增長17.14%；全球半導(dǎo)體封裝測試材料市場規(guī)模預(yù)計為197.01億美元，同比增長3.02%。2009年至今，制造材料市場規(guī)模增速一直高于封測材料市場增速。2009年，制造材料市場規(guī)模與封測材料市場規(guī)模相當，經(jīng)過近十年發(fā)展，制造材料

44、市場規(guī)模是封測材料市場規(guī)模的1.68倍。（二）建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積24667.00（折合約37.00畝），預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積38860.61。其中：生產(chǎn)工程24519.37，倉儲工程9076.21，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施3116.04，公共工程2148.99。項目建成后，形成年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。六、 項目建設(shè)進度結(jié)合該項目建設(shè)的實際工作情況，xxx投資管理公司將項目工程的建設(shè)周期確定為12個月，其工作內(nèi)容包括：項目前期準備、工程勘察與設(shè)計、土建工程施工、設(shè)備采購、設(shè)備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。七、 原輔材料及設(shè)備（一）項目主要原輔材料該項目主要原輔材料包括脂肪酸聚氧

45、、乙烯醚水、脂肪醇聚氧、乙烯醚、脂肪酸聚氧、仲烷基磺酸鈉、脂肪醇聚氧、脂肪酸聚氧、滲透劑、水、消泡劑、天然氣、氨基改性硅油、非離子乳化劑、冰醋酸、多元嵌段硅油、非離子乳化劑、氨基改性硅油、多元嵌段硅油。（二）主要設(shè)備主要設(shè)備包括：真空泵、制氮機、捏合機、濾膠機、三輥研研磨機、攪拌分散機、空壓機。八、 環(huán)境影響本項目污染物主要為廢水、廢氣、噪聲和固廢等，通過污染防治措施后，各污染物均可達標排放，并且保持相應(yīng)功能區(qū)要求。本項目符合各項政策和規(guī)劃，本項目各種污染物采取治理措施后對周圍環(huán)境影響較小。從環(huán)境保護角度，本項目建設(shè)是可行的。九、 建設(shè)投資估算（一）項目總投資構(gòu)成分析本期項目總投資包括建設(shè)投資

46、、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資16983.98萬元，其中：建設(shè)投資13737.42萬元，占項目總投資的80.88%；建設(shè)期利息200.72萬元，占項目總投資的1.18%；流動資金3045.84萬元，占項目總投資的17.93%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項目建設(shè)投資13737.42萬元，包括工程費用、工程建設(shè)其他費用和預(yù)備費，其中：工程費用11740.54萬元，工程建設(shè)其他費用1662.54萬元，預(yù)備費334.34萬元。十、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標（一）財務(wù)效益分析根據(jù)謹慎財務(wù)測算，項目達產(chǎn)后每年營業(yè)收入32700.00萬元，綜合總成本費用27960.77萬元，納稅總額2435.

47、42萬元，凈利潤3451.16萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率14.27%，財務(wù)凈現(xiàn)值1639.84萬元，全部投資回收期6.47年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標表主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積24667.00約37.00畝1.1總建筑面積38860.611.2基底面積13566.851.3投資強度萬元/畝357.012總投資萬元16983.982.1建設(shè)投資萬元13737.422.1.1工程費用萬元11740.542.1.2其他費用萬元1662.542.1.3預(yù)備費萬元334.342.2建設(shè)期利息萬元200.722.3流動資金萬元3045.843資金籌措萬元16983.983.1自籌資金萬元

48、8791.223.2銀行貸款萬元8192.764營業(yè)收入萬元32700.00正常運營年份5總成本費用萬元27960.776利潤總額萬元4601.557凈利潤萬元3451.168所得稅萬元1150.399增值稅萬元1147.3510稅金及附加萬元137.6811納稅總額萬元2435.4212工業(yè)增加值萬元8660.5413盈虧平衡點萬元15616.08產(chǎn)值14回收期年6.4715內(nèi)部收益率14.27%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元1639.84所得稅后十一、 主要結(jié)論及建議該項目的建設(shè)符合國家產(chǎn)業(yè)政策；同時項目的技術(shù)含量較高，其建設(shè)是必要的；該項目市場前景較好；該項目外部配套條件齊備，可以滿足生產(chǎn)要

49、求；財務(wù)分析表明，該項目具有一定盈利能力。綜上，該項目建設(shè)條件具備，經(jīng)濟效益較好，其建設(shè)是可行的。第四章 選址可行性分析一、 項目選址原則1、符合國家地區(qū)城市規(guī)劃要求；2、滿足項目對：原材料、能源、水和人力的供應(yīng)；3、節(jié)約和效力原則；安全的原則；4、實事求是的原則；5、節(jié)約用地；6、注意環(huán)保（以人為本，減少對生態(tài)環(huán)境影響）。二、 建設(shè)區(qū)基本情況武漢，簡稱漢，別稱江城，是湖北省省會，中部六省唯一的副省級市，特大城市，國務(wù)院批復(fù)確定的中國中部地區(qū)的中心城市，全國重要的工業(yè)基地、科教基地和綜合交通樞紐。截至2019年末，全市下轄13個區(qū)，總面積8569.15平方千米，建成區(qū)面積812.39平方千米，

50、常住人口1121.2萬人，地區(qū)生產(chǎn)總值1.62萬億元。武漢地處江漢平原東部、長江中游，長江及其最大支流漢江在城中交匯，形成武漢三鎮(zhèn)隔江鼎立的格局，市內(nèi)江河縱橫、湖港交織，水域面積占全市總面積四分之一。作為中國經(jīng)濟地理中心，武漢素有九省通衢之稱，是中國內(nèi)陸最大的水陸空交通樞紐和長江中游航運中心，其高鐵網(wǎng)輻射大半個中國，是華中地區(qū)唯一可直航全球五大洲的城市。武漢是聯(lián)勤保障部隊機關(guān)駐地、長江經(jīng)濟帶核心城市、中部崛起戰(zhàn)略支點、全面創(chuàng)新改革試驗區(qū)，也是全國三大智力密集區(qū)之一，中國光谷致力打造有全球影響力的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)中心。根據(jù)國家發(fā)改委要求，武漢正加快建成以全國經(jīng)濟中心、高水平科技創(chuàng)新中心、商貿(mào)物流中心和國

51、際交往中心四大功能為支撐的國家中心城市。武漢是國家歷史文化名城、楚文化的重要發(fā)祥地，境內(nèi)盤龍城遺址有3500年歷史。春秋戰(zhàn)國以來，武漢一直是中國南方的軍事和商業(yè)重鎮(zhèn)，明清時期成為楚中第一繁盛處、天下四聚之一。清末漢口開埠和洋務(wù)運動開啟武漢現(xiàn)代化進程，使其成為近代中國重要的經(jīng)濟中心，被譽為東方芝加哥。武漢是辛亥革命首義之地，近代史上數(shù)度成為全國政治、軍事、文化中心。高質(zhì)量發(fā)展勢頭良好，主要指標保持全國同類城市前列，預(yù)計地區(qū)生產(chǎn)總值增長7.8%左右。新動能加快成長，高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)增加值占經(jīng)濟總量比重達24.5%，數(shù)字經(jīng)濟占比40%左右，“芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，五大產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)全面提速，構(gòu)筑起高

52、質(zhì)量發(fā)展強大支撐。當前，武漢正處于高質(zhì)量發(fā)展關(guān)鍵時期。我們要準確把握我國仍處于重要戰(zhàn)略機遇期，經(jīng)濟穩(wěn)中向好、長期向好的基本趨勢沒有改變，堅定必勝信心，保持戰(zhàn)略定力，集中精力做好武漢的事情。我們要看到，推動長江經(jīng)濟帶發(fā)展、促進中部地區(qū)崛起等國家戰(zhàn)略疊加聚焦，為武漢高質(zhì)量發(fā)展提供了戰(zhàn)略機遇，特別是第七屆世界軍人運動會成功舉辦，極大提升了城市知名度和國際影響力，城市認同、城市自信空前高漲，武漢高質(zhì)量發(fā)展進入“高光時刻”。我們必須抓住機遇、乘勢而上，提升城市能級和核心競爭力，加快建設(shè)現(xiàn)代化、國際化、生態(tài)化大武漢，加速邁向國家中心城市和新一線城市?！笆濉睍r期，國際國內(nèi)環(huán)境顯著變化。世界經(jīng)濟在深度調(diào)整

53、中曲折復(fù)蘇，國際環(huán)境復(fù)雜多變。我國經(jīng)濟發(fā)展進入新常態(tài)，呈現(xiàn)速度變化、結(jié)構(gòu)優(yōu)化、動力轉(zhuǎn)換三大特點，經(jīng)濟韌性好、潛力足、回旋余地大的基本特征沒有變，經(jīng)濟發(fā)展長期向好的基本面沒有變，仍處于可以大有作為的重要戰(zhàn)略機遇期。創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、綠色、開放、共享等五大理念，為適應(yīng)引領(lǐng)新常態(tài)指明了方向。“十三五”時期，是武漢率先全面建成小康社會決勝階段，是推進經(jīng)濟總量“萬億倍增”、建設(shè)國家中心城市的關(guān)鍵階段。一些結(jié)構(gòu)性矛盾、功能性缺陷、體制性障礙、周期性問題與外部環(huán)境的不確定不穩(wěn)定因素相互交織并集中體現(xiàn)，呈現(xiàn)爬坡過坎、滾石上坡的階段性特征。經(jīng)濟下行壓力較大，經(jīng)濟發(fā)展方式亟待轉(zhuǎn)變；交通擁堵、環(huán)境污染、空間擁擠等“城市病

54、”加劇，城市發(fā)展方式亟待轉(zhuǎn)變；社會不穩(wěn)定因素和風險增多，社會治理方式亟待轉(zhuǎn)變。適應(yīng)國家中心城市建設(shè)的交通樞紐功能、產(chǎn)業(yè)帶動功能、要素聚集功能和綜合服務(wù)管理創(chuàng)新功能亟待增強。尚存在著產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力不足、民營經(jīng)濟發(fā)展不夠、居民收入水平不高的問題，公共服務(wù)和產(chǎn)品依然呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性短缺，弱勢群體和困難群體數(shù)量規(guī)模還較大，補短板、兜底線任務(wù)仍較繁重。“十三五”時期，多重國家戰(zhàn)略機遇疊加，保持持續(xù)較快發(fā)展的支撐條件沒有變：一是長江經(jīng)濟帶戰(zhàn)略賦予武漢建設(shè)長江中游航運中心和引領(lǐng)長江中游城市群發(fā)展的重任，有利于加快高端要素集聚，提升輻射帶動功能，在推動形成區(qū)域協(xié)同發(fā)展增長極中發(fā)揮更大作用。二是全面創(chuàng)新改革試驗和國家創(chuàng)

55、新型城市建設(shè)，有利于強化體制創(chuàng)新和有效供給，加快改造傳統(tǒng)增長引擎，促進大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新，超前布局支撐城市未來發(fā)展的產(chǎn)業(yè)體系和創(chuàng)新體系。三是國家新型城鎮(zhèn)化綜合試點、武漢城市圈科技金融改革創(chuàng)新等國家戰(zhàn)略推進實施，有利于發(fā)揮內(nèi)需前沿陣地優(yōu)勢，拓展新的消費、投資空間，是武漢率先全面建成小康社會、打造創(chuàng)新驅(qū)動型經(jīng)濟的重要支撐。三、 創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展構(gòu)建創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)支撐平臺，打造協(xié)作分享新經(jīng)濟，合理規(guī)劃布局創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)空間，營造創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)社會氛圍，形成“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”的生動局面。（一）全面推進“四眾”依托互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新載體，拓寬創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的市場、社會需求對接通道。推進專業(yè)空間、網(wǎng)絡(luò)平臺和企業(yè)內(nèi)部眾創(chuàng)，加強創(chuàng)新資源共享

56、合作。構(gòu)建一批低成本、便利化、全要素、開放式的眾創(chuàng)空間，創(chuàng)辦一批智谷空間、創(chuàng)客空間等新型孵化器，建設(shè)一批創(chuàng)新園區(qū)。推行研發(fā)創(chuàng)意、制造運維、知識內(nèi)容和生活服務(wù)眾包，推動大眾參與線上生產(chǎn)流通分工。營造公共機構(gòu)支持，企業(yè)、個人互助的眾扶文化，共助創(chuàng)業(yè)者成長。穩(wěn)健發(fā)展實物眾籌、股權(quán)眾籌和網(wǎng)絡(luò)借貸，提供快速便捷的線上融資服務(wù)。（二）拓展創(chuàng)新發(fā)展空間提升開發(fā)區(qū)、功能區(qū)綜合競爭力。充分發(fā)揮東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)國家自主創(chuàng)新示范區(qū)建設(shè)和中國內(nèi)陸自由貿(mào)易區(qū)政策先行先試疊加和聯(lián)動優(yōu)勢，促進創(chuàng)新要素和信息技術(shù)、生命健康等新興產(chǎn)業(yè)高度集聚發(fā)展，加快建設(shè)“自由創(chuàng)新區(qū)”。推進武漢經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)加快向開放創(chuàng)新綜合試驗區(qū)轉(zhuǎn)型升級，

57、支持東風公司等企業(yè)搶占智能產(chǎn)品發(fā)展制高點，支撐智能制造等新興產(chǎn)業(yè)高度集聚發(fā)展，打造“中國車都”升級版。依托臨空港經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)、漢口主城區(qū)和江北新城區(qū)部分區(qū)域，推動國家級新區(qū)“長江新區(qū)”落地，努力打造長江經(jīng)濟帶和“一帶一路”的戰(zhàn)略承載區(qū)。推動武鋼、武石化、中韓石化升級改造，建設(shè)綠色低碳循環(huán)發(fā)展的一流生態(tài)化工園區(qū)。推動?xùn)|湖生態(tài)旅游風景區(qū)打造國際知名、國內(nèi)一流的文化旅游生態(tài)風景名勝區(qū)。拓展中心城區(qū)城市綜合服務(wù)功能。中心城區(qū)依托高校院所周邊區(qū)域、舊廠、舊村、舊商業(yè)設(shè)施等更新改造，堅持錯位發(fā)展理念，推動各區(qū)圍繞科技服務(wù)、生命健康、教育服務(wù)、現(xiàn)代商貿(mào)、創(chuàng)意時尚、現(xiàn)代金融、文化演藝等領(lǐng)域，打造一批創(chuàng)業(yè)街區(qū)、創(chuàng)業(yè)生態(tài)園區(qū)。增強新城區(qū)綜合實力。新城區(qū)結(jié)合工業(yè)