專題一表貼元件PPT課件

1、表面安裝電阻和電位器1 1、矩形片式電阻矩形片式電阻的包裝方式 散裝（塑料盒） 紙編帶包裝 編帶包裝 塑料編帶包裝第1頁(yè)/共46頁(yè) 標(biāo)記識(shí)別方法：（1 1）元件上的標(biāo)注當(dāng)片式電阻阻值精度為5%5%時(shí)，采用三個(gè)數(shù)字表示：跨接線（0 0 ）記為000000；阻值1010，在兩個(gè)數(shù)字之間補(bǔ)加R R；阻值1010，第三位數(shù)值表示增加的零的個(gè)數(shù)；當(dāng)片式電阻阻值精度為10%10%時(shí)，采用四個(gè)數(shù)字表示：前三個(gè)數(shù)字為有效數(shù)，第四位表示增加的零的個(gè)數(shù)；阻值1010，在第二位補(bǔ)加R R；1010阻值100100，在第三位補(bǔ)R R，第四位補(bǔ)0 0；阻值100100，第四位數(shù)值表示增加的零的個(gè)數(shù)；第2頁(yè)/共46頁(yè)RC

2、05K103JTRC05K103JT RC 05 K 103 J T RC 05 K 103 J T 產(chǎn)品代號(hào) 型號(hào) 電阻溫度系數(shù) 阻值 電阻值誤差 包裝片狀電阻器 0202：0402 F0402 F：25 F25 F：1% T1% T：編帶包裝 0303：0603 G0603 G：50 G50 G：2% B2% B：塑料盒散包裝 0505：0805 H0805 H：100 J100 J：5%5% 06 06：1206 K1206 K：250 O250 O：跨接電阻 M M：500500RI11 1/8W 100k JRI11 1/8W 100k J R I 1 1 1/8W 100k J 主

3、體 材料 分類 序號(hào) 額定功率 標(biāo)稱阻值 標(biāo)稱阻值允許偏差電阻器 玻璃釉膜 普通片狀 1（2）料盤上的標(biāo)注有些資料及編帶盤上采用一組數(shù)字及符號(hào)來表示片式電阻的綜合性能。第3頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電阻和電位器2 2、圓柱形固定電阻 圓柱形固定電阻的包裝方式 散裝（塑料袋） 0.125W 0.125W 的 MELF MELF 采用編帶包裝（聚酯封帶包裝、塑料基帶包裝）圓柱形固定電阻，即金屬電極無引腳端面元件 MELF MELF 電阻。 與片式電阻相比，無方向性和正反面性，包裝使用方便，裝配密度高，固定到印制板上有較高的抗彎曲能力，特別是噪聲電平和三次諧波失真都比較低，常用于高檔音響電器產(chǎn)品中。 標(biāo)記

4、識(shí)別：色環(huán)標(biāo)志法第4頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電阻和電位器3 3、小型固定電阻網(wǎng)絡(luò) 電阻網(wǎng)絡(luò)的包裝方式 一般采用塑料編帶（24mm24mm44mm44mm）包裝， 也有采用32mm32mm黏接式編帶包裝或散裝包裝電阻網(wǎng)絡(luò)是電阻器集成的復(fù)合元件，具有體積小、重量輕、可高密度安裝、可靠性高、可焊性好等特點(diǎn)。使用時(shí)，焊點(diǎn)遠(yuǎn)離元件的引出端，不會(huì)帶來熱沖擊，引出端扁平短小，且元件均進(jìn)行了密封，寄生電參數(shù)小，便于屏蔽。電阻網(wǎng)絡(luò)按電阻膜特性分為厚膜型和薄膜型。常用的是厚膜電阻網(wǎng)絡(luò)，薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)只在要求高頻、精密的情況下使用。第5頁(yè)/共46頁(yè)第6頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電阻和電位器4 4、片式電位器 片式電位器的包裝方

5、式 一般采用 12mm 12mm 塑料編帶包裝，也有采用棒式包裝的。 表面安裝電位器，又稱片式電位器。它包括片狀、圓柱狀、扁平矩形結(jié)構(gòu)等各類電位器，在電路中起調(diào)節(jié)分電路電壓和分電路電阻的作用，故分別稱為分壓式電位器和可變電阻器。 片式電位器的外形結(jié)構(gòu) 敞開式結(jié)構(gòu)、防塵式結(jié)構(gòu)、微調(diào)式結(jié)構(gòu)、全封閉式結(jié)構(gòu)第7頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電阻和電位器第8頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電阻和電位器第9頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電容器1 1、多層片狀瓷介電容器 MLCMLC 由于片式電容的端電極、金屬電極、介質(zhì)三者的膨脹系數(shù)不同，因此在焊接過程中升溫速率不能過快，特別是波峰焊時(shí)預(yù)熱溫度應(yīng)足夠高，否則易造成片式電容的損壞，客觀上片

6、式電容損壞率明顯高于片式電阻損壞率。 片式電容的外形尺寸第10頁(yè)/共46頁(yè) 標(biāo)記識(shí)別方法：（1 1）元件上的標(biāo)注片式電容容量系數(shù)表片式電容容量倍率表（pF）第11頁(yè)/共46頁(yè)例一：成都無線電四廠CC41 03 CH 101J 500 NCC41 03 CH 101J 500 N C C 41 03 CH 101J 500 N 廠家 I類 多層 尺寸 溫度特性 容量誤差 耐壓 銀（2）料盤上的標(biāo)注 一般標(biāo)識(shí)于電容外包裝上，下面舉幾個(gè)國(guó)內(nèi)外廠家的標(biāo)注例子。例二：日本松下公司EUC M IE 101J C HEUC M IE 101J C HEUC M IE 101J C H公司 包裝 耐壓 耐壓

7、溫度特性 尺寸 X：散件 1H：50V V：紙帶 1E：28V M：管裝 片式電電容的包裝方式：與片式電阻相同第12頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電容器2 2、特種多層片狀瓷介電容器高頻多層片狀瓷介電容器高精度多層瓷介電容器大容量片狀瓷介電容器高耐壓瓷介電容器超薄CT41H型II類多層片狀瓷介電容器CC41H/CT41H CC41H/CT41H 交流片狀多層瓷介電容器射頻微波用多層瓷介電容器第13頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電容器3 3、鉭電解電容器 膽電解電容器，簡(jiǎn)稱膽電容，單位體積容量大，在容量超過0.33uF0.33uF時(shí)，大都采用膽電解電容器。由于其電解質(zhì)響應(yīng)速度快，因此在需要高速運(yùn)算處理的大規(guī)模集成電

8、路中應(yīng)用較多。標(biāo)記矩形膽電容器外殼為有色所料封裝，一端印有深色標(biāo)記線，為正極。在封面上有電容量的數(shù)值及耐壓值，一般有醒目的標(biāo)志，以防用錯(cuò)。圓柱形膽電容器采用色標(biāo)識(shí)別法。包裝矩形膽電容器通常采用塑料編帶裝供貨，但由于膽電容價(jià)格較貴，亦采用散裝及管裝供貨。 裸片形 矩形固體膽電解電容器 模塑封裝型 端帽型 圓柱形膽電解電容器第14頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電容器第15頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電容器4 4、鋁電解電容器鋁電解電容主要應(yīng)用于各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，價(jià)格低廉。按外形和封裝材料的不同，可分為矩形鋁電解電容（樹脂封裝）和圓柱形鋁電解電容（金屬封裝）兩類。由于鋁電解電容中采用非固體介質(zhì)作為電極材料，因此在

9、再流焊工藝中，應(yīng)嚴(yán)格控制焊接溫度。標(biāo)記 鋁電解電容外殼上的深色標(biāo)記代表負(fù)極，容量值及耐壓值在外殼上也有標(biāo)記。包裝鋁電解電容通常采用塑料編帶裝供貨，但亦采用散裝及管裝供貨。第16頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電容器5 5、云母電容器云母電容器采用天然云母作為電介質(zhì)，做成矩形片狀。具有耐熱性好、損耗低、Q Q值和精度高、以做成小電容量等特點(diǎn)，特別適合在高頻電路中使用，近年來已在無線通訊、硬磁盤系統(tǒng)中大量應(yīng)用。包裝云母電容器以編帶包裝為主。第17頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝電感器 片式電感同插裝式電感一樣，在電路中起扼流、退耦、濾波、調(diào)諧、延遲、補(bǔ)償?shù)茸饔谩?片式電容器的種類較多，按形狀可分為矩形和圓柱形；按磁路可分

10、為開路形和閉路形；按電感量可分為固定的和可調(diào)的；按結(jié)構(gòu)和制造工藝可分為繞線形、多層形、卷繞形。目前用量較大的是繞線形和多層形片式電感器，卷繞形用得較少。第18頁(yè)/共46頁(yè)1 1、繞線形片式電感器 電感量范圍寬、Q Q值高、工藝簡(jiǎn)單，在片式電感器中使用的最多，但體積大、耐熱性較差。表面安裝電感器國(guó)產(chǎn)華達(dá)電子繞線形片式電感器的標(biāo)識(shí) HDW 2012 UC R10 K G THDW 2012 UC R10 K G T產(chǎn)品代碼 規(guī)格尺寸 芯片類型 電感量 公差 端頭 包裝方式 UCUC：陶瓷芯 R10R10：0.1uH J0.1uH J：5% G：金端頭 B：散包裝 UFUF：鐵氧體芯 2N22N2：

11、2.2nH K2.2nH K：10% S：錫端頭 T：編帶包裝 033033：0.033uH M0.033uH M：20%第19頁(yè)/共46頁(yè)1 1、繞線形片式電感器表面安裝電感器第20頁(yè)/共46頁(yè)2 2、多層形片式電感器 尺寸小，耐熱性優(yōu)良，焊接性能好，閉合磁路的結(jié)構(gòu)使它不干擾周圍元件，也不易受周圍器件干擾，有利于提高元件組裝密度。但它的電感量和 Q Q 值較低。表面安裝電感器國(guó)產(chǎn)華達(dá)電子多層片式電感器的標(biāo)識(shí) CMI 1608 V 56N M TCMI 1608 V 56N M T產(chǎn)品代碼 規(guī)格尺寸 材料代碼 標(biāo)稱電感量 誤差 包裝方式 56N56N：0.056uH J0.056uH J：5%

12、 B：散包裝 2R22R2：2.2nH K2.2nH K：10% T：編帶包裝 270270：27uH M27uH M：20%第21頁(yè)/共46頁(yè) 磁珠是一種填充磁芯的電感器，它在高頻下阻抗迅速增加，故它可以抑制各種電子線路中由電磁干擾源產(chǎn)生的電磁干擾雜波，具有小而薄、高阻抗的特性，適合波峰焊和再流焊，并已廣泛地應(yīng)用于各種產(chǎn)品。磁 珠國(guó)產(chǎn)華達(dá)電子片式磁珠的標(biāo)識(shí) CBG 1608 U 050 TCBG 1608 U 050 T產(chǎn)品代碼 規(guī)格尺寸 材料代碼 阻抗 包裝方式 050050：5 5 B：散包裝 121121：121210 T：編帶包裝 片式磁珠多層片式磁珠第22頁(yè)/共46頁(yè)其他片式元件片

13、式多層壓敏電阻器：因電壓變化而導(dǎo)致電阻變化的電阻。 負(fù)溫度系數(shù) NTCR：用于軍事、醫(yī)療、自動(dòng)化設(shè)施的溫度補(bǔ)償和溫度檢測(cè)片式熱敏電阻 正溫度系數(shù) PTCR：用于通信、汽車、儀表、計(jì)算機(jī)、家電的恒溫發(fā)熱、 限流保護(hù)、電機(jī)啟動(dòng)、TV消磁片式表面波濾波器：利用表面彈性波進(jìn)行濾波的帶通濾波器。片式多層LC濾波器：抗電磁干擾片式多層延時(shí)線：使信號(hào)從輸入端到輸出端在規(guī)定的延遲時(shí)間內(nèi)通過。第23頁(yè)/共46頁(yè) 表面安裝半導(dǎo)體器件 SMDSMD，它是在原有雙列直插 DIP DIP 器件的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，是通孔插裝技術(shù) THT THT 向表貼技術(shù) SMT SMT 發(fā)展的重要標(biāo)志，也是表貼技術(shù)發(fā)展的重要?jiǎng)恿?。表?/p>

14、安裝半導(dǎo)體器件SMD 引腳的形狀： 翼形引腳（Gull-Wing）：常見的器件品種有 SOP SOP 和 QFP QFP ，此類器件焊接后具有吸收應(yīng)力 的特點(diǎn)，與PCBPCB匹配性好，但引腳共面性差，特別是多引腳細(xì)間距 的QFPQFP，引腳極易損壞，貼裝過程應(yīng)小心 J 形引腳（J-Lead）：常見的器件品種有 SOJ 和 PLCC 。J 形引腳剛性好且間距大，共面性好， 但由于引腳在元件本題之下，有陰影效應(yīng)，焊接溫度不易調(diào)節(jié)好。 球柵陣列（Ball Grid Array）：芯片I/O端子呈陣列式分布在器件底面上，并呈球狀， 適應(yīng)于多引腳數(shù)器件的封裝，常見的有BGA、CSP、FC 等。 焊接時(shí)存

15、在陰影效應(yīng)，器件與PCB之間存在著差異性，應(yīng)認(rèn)真對(duì)待。第24頁(yè)/共46頁(yè)DIP 與 SMD DIPDual Inline Package PLCC QFPQuad Flat Package EBGA 680L 第25頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件1 1、二極管表貼式二極管有三種封裝形式圓柱形無引腳二極管：其封裝結(jié)構(gòu)是將二極管芯片裝在具有內(nèi)部電極的細(xì)玻璃管中， 玻璃管兩端裝上金屬帽作為正負(fù)電極。外形尺寸有1.5mm1.5mm3.5mm 和 2.7mm5.2mm。 通常用于齊納二極管、高速開關(guān)二極管和 通用二極管，采用塑料編帶包裝。片狀二極管：塑料矩形薄片，尺寸為3.8mm1.5mm1.1mm，可

16、用于 VHF 頻段到 S 頻段， 塑料編帶包裝。SOT-23 封裝的片狀二極管：多用于封裝復(fù)合二極管，也用于高速開關(guān)二極管和高壓二極管第26頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件2 2、小外形封裝晶體管SOT-23SOT-23有三條“翼形”引腳，引腳材料為4242號(hào)合金，強(qiáng)度好，但可焊性差。在大氣中的功耗為150mW150mW，在陶瓷基板上的功耗為300mW300mW。常見為小功率晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管和帶電阻網(wǎng)絡(luò)的復(fù)合晶體管。采用卷帶包裝或模壓塑料空腔帶包裝。SOT-89SOT-89三條薄的短引腳分布在晶體管的一端，晶體管芯片黏貼在較大的銅片上，以增加散熱能力在大氣中的功耗為500mW500mW，在陶瓷基

17、板上的功耗為1W1W。常見于大功率表面安裝晶體管。包裝同SOT-SOT-2323，但由于它外形較大，所以在帶子上的位置較寬松。SOT-143SOT-143有四條“翼形”短引腳，引腳中寬度偏大一點(diǎn)的是集電極。散熱能力同SOT-23SOT-23，常用于雙柵場(chǎng)效應(yīng)管及高頻晶體管，包裝同SOT-23SOT-23。T-252 T-252 功耗在2W2W50W50W之間，各種功率晶體管都可采用這種封裝。第27頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件2 2、小外形封裝晶體管第28頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件SOT223 SOT23/SOT323 SOT26/SOT363 SOT343 SOT89 SOT523 第2

18、9頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件3 3、小外形封裝集成電路 SOPSOP小外形封裝集成電路 SOP，又稱 SOIC，由雙列直插式封裝 DIP 演變而來。引腳形式 “ 翼形 ”引腳：易于焊接和檢測(cè)，但占 PCB PCB 面積大。 “ J J ”形引腳：占 PCB PCB 面積較小，可提高裝配密度。包裝視外形、間距大小有以下不同包裝方式1 1、塑料編帶包裝，帶寬分別是16mm16mm、24mm24mm、44mm44mm。2 2、32mm 32mm 粘接式編帶包裝3 3、棒式包裝4 4、托盤式包裝第30頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件SOP TSSOP SOPSmall Outline Package

19、 SOJ 32L SOJ SOP EIAJ TYPE II 14L TSOPThin Small Outline Package 第31頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件4 4、有引腳塑封芯片載體 PLCCPLCCPLCC也是由雙列直插式封裝 DIP 演變而來的，當(dāng)引腳超過40 時(shí)便可采用這種封裝，引腳采用“ J ”結(jié)構(gòu)。PLCC PLCC 的外形有方形和矩形兩種。每種 PLCC PLCC 表面都有標(biāo)記點(diǎn)定位，以供貼片時(shí)判斷方向。由于 PLCC PLCC 為“ J J ”引腳，故在包裝上可采用帶狀及棒狀包裝，這樣更利于運(yùn)輸及貼片時(shí)裝料，當(dāng)然也可使用華夫盤包裝。第32頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件P

20、LCC LCC JLCC LDCC 第33頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件5 5、方形扁平封裝 QFPQFP QFP 是適應(yīng) IC 內(nèi)容增多、I/O 數(shù)量增多而出現(xiàn)的封裝形式，隨著引腳數(shù)目增多，引腳厚度寬度減少，“ J ”引腳封裝就很困難，所以QFP 器件采用“翼形”封裝。QFP 的外形有方形和矩形兩種。 日式 美式：四角各有一突出的角，起到對(duì)器件引腳的保護(hù)作用，一般外形比引腳長(zhǎng)3mil包裝美式帶角墊的QFPQFP，可采用卷帶、盤、管袋包裝，無論是運(yùn)輸還是貼片都很方便日式不帶角墊的QFP，只能采用華夫盤包裝第34頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件TQFP 100L QFPQuad Flat Pack

21、age BQFP132 LQFP 100L PQFP 100L 第35頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件6 6、陶瓷芯片載體陶瓷芯片載體封裝的芯片是全密封的，具有很好的環(huán)境保護(hù)作用，一般用于軍品中。無引腳 LCCC：引出端子的特點(diǎn)是在陶瓷外殼側(cè)面有類似城堡狀的金屬化凹槽和外殼底面鍍金 電極相連，提供了較短的信號(hào)通路，電感和電容損耗較低，可用于高頻工作狀態(tài)。有引腳LDEC：生產(chǎn)工藝繁瑣，不適應(yīng)大批量生產(chǎn)，現(xiàn)已很少使用。第36頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件7 7、BGA BGA （Ball Grid ArrayBall Grid Array） 20世紀(jì)80年代中后期至90年代，以QPF 為代表的周邊端

22、子型的IC 得到了很大的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。但由于組裝工藝的限制，QFP的尺寸（40mm）、引腳數(shù)目（360根）、引腳間距（0.3mm）已達(dá)到了極限，為適應(yīng)I/O數(shù)的快速增長(zhǎng)，由美國(guó)Motorola和日本Citigen Watch共同開發(fā)了新的封裝形式門陣列式球形封裝。優(yōu)點(diǎn)：安裝高度低、引腳間距大、引腳共面性好，極大地改善了組裝的工藝性。 引腳短，組裝密度高，因此電器特性更優(yōu)越，特別適合在高頻電路中使用。 散熱性能好。缺點(diǎn)：焊接后檢查和維修比較困難，必須使用X射線透視或X射線分層檢測(cè)， 才能確保焊接連接的可靠性，設(shè)備費(fèi)用大。 易吸濕，使用前應(yīng)經(jīng)烘干處理。第37頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件BGA

23、Ball Grid Array EBGA 680L LBGA 160L PBGA 217LPlastic Ball Grid Array SBGA 192L TSBGA 680L 第38頁(yè)/共46頁(yè)按芯片放置方式分類：芯片表面向上、芯片表面向下按引腳排列分類：球柵陣列均勻全分布、球柵陣列交錯(cuò)全分布、球柵陣列周邊分布、 球柵陣列帶中心散熱和接地點(diǎn)的周邊分布等。按密封方式分類：模制密封、澆注密封等散熱角度分類：熱增強(qiáng)型、膜腔向下型、金屬體 BGABGA按基座材料不同：塑封球柵陣列PBGAPBGA、陶瓷球柵陣列 CBGACBGA、 陶瓷柱柵陣列CCGACCGA、載帶球柵陣列 TBGATBGA包裝一般

24、采用 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)托盤和小型芯片專用托盤。第39頁(yè)/共46頁(yè)表面安裝半導(dǎo)體器件8 8、CSPCSP（Chip Scale PackageChip Scale Package）CSP 是BGA 進(jìn)一步微型化的產(chǎn)物，問世于20世紀(jì)90年代中期。封裝尺寸與裸芯片相同或比裸芯片稍大，外部端子間距大于0.5mm，能適應(yīng)再流焊組裝通常封裝尺寸與裸芯片之比定義為 1.2 ：1優(yōu)點(diǎn)1、CSP 是一種有品質(zhì)保證的器件，在出廠時(shí)半導(dǎo)體制造廠商均經(jīng)過性能測(cè)試，確保器件質(zhì)量的可靠性，又稱為 KGD 器件。2、封裝尺寸比 BGA 小。3、比QFP 提供更短的互連，電性能更好，阻抗低、干擾小、噪聲低、屏蔽效果好，更適

25、合在高頻領(lǐng)域下應(yīng)用。4、具有高導(dǎo)熱性缺點(diǎn)1、存在焊接后焊點(diǎn)質(zhì)量測(cè)試問題和膨脹系數(shù)匹配問題2、基板超細(xì)過孔制造困難，給推廣帶來一定困難。第40頁(yè)/共46頁(yè)包裝一般采用 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)托盤和小型芯片專用托盤。也可采用裸芯片的托盤包裝形式編帶盤包裝第41頁(yè)/共46頁(yè)裸芯片（Bare Chip） 隨著 LSILSI、VLSI VLSI 迅速發(fā)展，芯片的工藝特征尺寸達(dá)到深亞微米級(jí)（0.15um0.15um）；芯片尺寸達(dá)到 20mm20mm20mm 20mm 以上，其I/OI/O數(shù)已超過10001000個(gè)，但芯片封裝卻成了一個(gè)大難題，人們力圖將它直接封裝到PCBPCB上。通常采用的封裝方法 COB COB 芯片：焊區(qū)與芯片體在同一平面上，焊區(qū)周邊均勻分布， 制造工藝難度相對(duì)增大，COB COB 的散熱也有一定困難。 F.CF.C（Flip ChipFlip Chip）：第42頁(yè)/共46頁(yè)塑封表貼器件的保管 三、已吸濕SMD 的驅(qū)濕烘干所有塑封SMD，當(dāng)開封時(shí)發(fā)現(xiàn)濕度指示卡的