地彈噪聲整改案例-去耦電容和地線的重要性

1、NRC-819開入異常測(cè)試一、 測(cè)試說明針對(duì)WDR-821B/G3開入異?，F(xiàn)象，本次試驗(yàn)針對(duì)以下7項(xiàng)內(nèi)容進(jìn)行了測(cè)試：1） 測(cè)量正常與疑似異常HCT245在開入變位時(shí)輸入端低電平幅值。2） 通過可調(diào)電位器，測(cè)量HCT245芯片開入變位門檻值。3） 通過可調(diào)電位器，測(cè)量HC245芯片開入變位門檻值。4） 針對(duì)疑似異常HCT245芯片，調(diào)節(jié)跳位開入前端回路參數(shù)，測(cè)試對(duì)異?，F(xiàn)象的影響。5） 使用HC245芯片，調(diào)節(jié)跳位開入前端回路參數(shù)，測(cè)試對(duì)開入變位的影響。6） 疑似異常HCT245芯片電源加電容測(cè)試。7） 開入動(dòng)作電壓值測(cè)量二、相關(guān)電路原理圖和PCB三、測(cè)試項(xiàng)目1. 測(cè)量正常與疑似異常HCT245在

2、開入變位時(shí)輸入端低電平幅值1.1 正常HCT245芯片在光耦變位時(shí)，用電壓表測(cè)量YXKR1 YXKR11的電壓為0.67V左右。1.2 正常HCT245芯片KR1(TWKR)的電壓為0.654V（返回時(shí)高電平4.24V左右）。1.3 疑似異常HCT245芯片KR1(TWKR)的電壓為0.656V（返回時(shí)高電平4.24V左右），去掉跳位面板指示燈后，KR1(TWKR)的電壓為0.543V。2. HCT245芯片開入變位門檻值2.1 正常HCT245芯片，測(cè)量遙信開入在1.2V左右，HCT245輸出變位。通道1：光耦后YXKR3 通道3：數(shù)據(jù)線D2 通道3：片選CS22.2 疑似異常芯片遙信開入變

3、位門檻值將YXKR9的上拉電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電位器，調(diào)節(jié)電位器，測(cè)量YXKR9在1.2V左右，HCT245輸出變位。變位過程中波形如下三個(gè)波形：通道1：D0(YXKR9經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：YXKR9通道1：D0(YXKR9經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：YXKR9通道1：D0(YXKR9經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：YXKR92.3 疑似異常芯片KR1(TWKR)開入變位門檻值斷開KR1(TWKR)前端回路，將YXKR9回路接入到KR1(TWKR)上，將YXKR9的上拉電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電位器，調(diào)節(jié)電位器，測(cè)量YXKR9在1.09V左右，HC

4、T245輸出變位。變位過程中波形如下三個(gè)波形：通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR1通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR1通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR13. HC245芯片開入變位門檻值將YXKR9的上拉電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電位器，調(diào)節(jié)電位器，測(cè)量YXKR9在2.5V左右，HC245輸出表現(xiàn)為不定態(tài)，但無抖動(dòng)現(xiàn)象，測(cè)得如下兩個(gè)波形：通道1：D0(YXKR9經(jīng)HC245輸出端)，通道2：片選，通道3：YXKR9通道1：D0(YXKR9經(jīng)HC245輸出端)，通道2：片選，通道3：YXKR94.

5、 針對(duì)疑似異常HCT245芯片，調(diào)節(jié)跳位開入前端回路參數(shù)，測(cè)試對(duì)異?，F(xiàn)象的影響4.1 不去指示燈情況下，測(cè)得如下波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR14.2 去掉指示燈情況下，測(cè)得如下波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR14.3 斷開YXKR9前端回路，再與KR1(TWKR)并聯(lián)，測(cè)得如下波形。通道1：D0(YXKR9經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：YXKR94.4 在電子車間測(cè)試時(shí)，斷開YXKR9前端回路將KR1(TWKR)前端負(fù)載接到Y(jié)XKR9開入位，波形如下：通道1：D0(YXKR9經(jīng)HCT24

6、5輸出端)，通道2：片選4.5 將信號(hào)插件NXH-850上的TVS1去掉，測(cè)得如下波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR14.6 將NRJ-883上跳位指示燈的限流電阻改為1k、680、470，分別測(cè)得如下三個(gè)波形。a）限流電阻為1k時(shí)通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR1b)限流電阻為680時(shí)通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR1c)限流電阻為470時(shí)波形通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR15. 使用HC245芯片，調(diào)節(jié)跳位開入前端回路參數(shù)，測(cè)試對(duì)開入

7、變位的影響。5.1 使用HC245，將YXKR9的上拉電阻兩端并聯(lián)一個(gè)電位器，調(diào)節(jié)電位器，測(cè)量YXKR9在2.5V左右，HC245輸出表現(xiàn)為不定態(tài)，但無抖動(dòng)現(xiàn)象，測(cè)得如下兩個(gè)波形：通道1：D0(YXKR9經(jīng)HC245輸出端)，通道2：片選，通道3：YXKR9通道1：D0(YXKR9經(jīng)HC245輸出端)，通道2：片選，通道3：YXKR95.2 使用HC245，將NRJ-883上跳位指示燈的限流電阻R10兩端并聯(lián)電位器，逐漸調(diào)小電位器電阻直至0，跳位開入KR1（TWKR）未出現(xiàn)抖動(dòng)現(xiàn)象。電位器電阻為0時(shí)的波形如下。通道1：D3(KR1經(jīng)HC245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16. 疑似異常

8、HCT245芯片電源加電容測(cè)試6.1 在NRC-819背板端子J3的VCC和GND之間并聯(lián)1個(gè)0.1uF獨(dú)石電容，測(cè)得如下波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16.2 在HCT245芯片U14電源管腳旁邊加1個(gè)0.1uF獨(dú)石電容后，波形如下：通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16.3 在NRC-819背板端子J3的VCC和GND之間并聯(lián)1個(gè)10uF瓷片電容，測(cè)得如下兩個(gè)波形：通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR1通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16

9、.4 在HCT245芯片U14電源管腳旁邊加1個(gè)10uF瓷片電容后，測(cè)得如下波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16.5 在NRC-819背板端子J3的VCC和GND之間并聯(lián)1個(gè)220uF鉭電容，測(cè)得如下兩個(gè)波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR1通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16.6 在HCT245芯片U14電源管腳旁邊加1個(gè)220uF鉭電容，測(cè)得如下：通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16.7 用導(dǎo)線將HCT245芯片U14的電源和地管腳

10、分別連接到端子J3，測(cè)得如下波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16.8 用導(dǎo)線只將HCT245芯片U14的電源管腳連接到端子J3，測(cè)得如下波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR16.9 用導(dǎo)線只將HCT245芯片U14的電源地腳連接到端子J3，測(cè)得如下波形。通道1：D3(KR1經(jīng)HCT245輸出端)，通道2：片選，通道3：KR17. 開入動(dòng)作電壓值測(cè)量開入回路動(dòng)作電壓測(cè)試開入回路動(dòng)作電壓值（V）并聯(lián)電阻1k，HCT245并聯(lián)電阻1.1k，HCT245并聯(lián)電阻1.1k，HC245YXKR1148.5135.5134.

11、5YXKR2150137136YXKR3153.5141140YXKR4154141.5140.5YXKR5155.5143141.5YXKR6156144142.5YXKR7158146144.5YXKR8156.5144143YXKR9155.5143141.5YXKR10156.5143141.5YXKR11154142.5141.5四、測(cè)試結(jié)果通過上述測(cè)試，得出以下結(jié)果：1） 測(cè)量HCT245開入在電路中變位時(shí)的低電平幅值在0.65V左右，HCT245芯片開入變位門檻值在1.2V左右，疑似異常芯片未損壞。2） 通過調(diào)節(jié)監(jiān)視燈電阻參數(shù)可以改善波形，監(jiān)視燈回路是造成異?，F(xiàn)象的一個(gè)誘導(dǎo)原因。

12、3） HCT245芯片電源管腳旁邊加0.1uF去耦電容或減小地線回流阻抗和感抗，監(jiān)視異常消失。4） 可換用HC245芯片替代HCT245，無抖動(dòng)異常。測(cè)試人：張鋒、王志鵬 2016/02/01245芯片未加旁路電容統(tǒng)計(jì)插件名稱PCB版本設(shè)計(jì)日期設(shè)計(jì)人員NRC-8128XJ 035 784(V03.30).PCB2011/04/14宋一丁NRC-8198XJ 036 385(V01.10).PCB2013/01/22王志鵬NRC-8218XJ 036 422 (V01.30).PCB2012/08/22宋一丁NRC-81028XJ 036 498(V01.20) .PCB2012/01/17宋一丁NRC-81098XJ 037 128.(V01.10).PCB2014/03/27宋一丁NKR-8188XJ 036 745(V01.00).PCB2012/02/29宋一丁NKR-81018XJ 036 049(V01.00).PCB2010/05/10郭震NKR-81028XJ036048(V01.00).PCB2010/04/23宋一丁NKR-81038XJ 036 510（V01.00）.PCB2011/05/18宋一丁NKR-81048XJ 037 039(V01.00).PCB2012/12/04宋一丁NKR-81078XJ 03