微納米加工技術(shù)

1、微納米加工技術(shù)微納米加工技術(shù)光刻（光學(xué)曝光技術(shù)）聚焦離子束加工技術(shù)掃描探針加工技術(shù)自組裝納米加工技術(shù)光刻基本介紹在基底（通常為硅片）表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上的過程。決定最小特征尺寸。 IC制程中最重要的模塊,是集成電路中關(guān)鍵的工藝技術(shù)最早的構(gòu)想來源于印刷技術(shù)中的照相制版。光刻技術(shù)最早于1958年開始應(yīng)用，并實(shí)現(xiàn)了平面晶體管的制作。如何在硅片上制作微結(jié)構(gòu)？1.涂膠涂膠1.1清洗硅片清洗硅片1.2旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)勻勻膠膠1.3勻膠后烘勻膠后烘2.曝光曝光2.1對(duì)準(zhǔn)和曝光對(duì)準(zhǔn)和曝光2.2曝光后烘曝光后烘3.顯影顯影3.1顯影顯影3.2圖形檢查圖形檢

2、查4.刻蝕刻蝕5.除膠除膠1.涂膠涂膠1.1清洗硅片清洗硅片1.2旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)勻勻膠膠1.3勻膠后勻膠后烘烘2.曝光曝光2.1對(duì)準(zhǔn)和曝光對(duì)準(zhǔn)和曝光2.2曝光后烘曝光后烘3.顯影顯影3.1顯影顯影3.2圖形檢查圖形檢查4.刻蝕刻蝕5.除膠除膠光刻膠膜使光刻膠中的大部分溶劑蒸發(fā)。溶劑幫助得到薄的光刻膠膜但是吸收光且影響?zhàn)じ叫云毓夂蠛鏁r(shí)間和溫度取決于工藝條件過烘:聚合,光敏性降低后烘不足:影響?zhàn)じ叫院推毓?.涂膠涂膠1.1清洗硅片清洗硅片1.2旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)勻勻膠膠1.3勻膠后烘勻膠后烘2.曝光曝光2.1對(duì)準(zhǔn)和曝光對(duì)準(zhǔn)和曝光2.2曝光后烘曝光后烘3.顯影顯影3.1顯影顯影3.2圖形檢查圖形檢查4.刻蝕刻蝕5.

3、除膠除膠l三種曝光方式 接觸式，接近式，投影式l曝光光源選擇l新型曝光技術(shù) X射線，電子束，離子束1.涂膠涂膠1.1清洗硅片清洗硅片1.2旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)勻勻膠膠1.3勻膠后烘勻膠后烘2.曝光曝光2.1對(duì)準(zhǔn)和曝光對(duì)準(zhǔn)和曝光2.2曝光后烘曝光后烘3.顯影顯影3.1顯影顯影3.2圖形檢查圖形檢查4.刻蝕刻蝕5.除膠除膠顯影液溶解部分光刻膠正膠顯影液通常使用弱堿性的溶劑最常用的是四甲基氫氧化銨將掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上三個(gè)基本步驟:顯影清洗干燥1.涂膠涂膠1.1清洗硅片清洗硅片1.2旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)勻勻膠膠1.3勻膠后烘勻膠后烘2.曝光曝光2.1對(duì)準(zhǔn)和曝光對(duì)準(zhǔn)和曝光2.2曝光后烘曝光后烘3.顯影顯影3.1顯影顯影

4、3.2圖形檢查圖形檢查4.刻蝕刻蝕（濕法、干法）（濕法、干法）5.除膠除膠安全化學(xué)制品安全濕法清洗 硫酸(H2SO4）:強(qiáng)腐蝕性 雙氧水(H2O2):強(qiáng)氧化劑二甲苯(負(fù)膠溶劑和顯影液):易燃易爆HMDS(前處理):易燃易爆TMAH（正膠顯影溶劑):有毒，有腐蝕性汞(Hg,UV lamp)蒸氣 高毒性;氯(Cl2,受激準(zhǔn)分子激光器) 有毒，有腐蝕性氟(F2,受激準(zhǔn)分子激光器) 有毒，有腐蝕性機(jī)械安全活動(dòng)部件熱表面高壓燈電安全高壓供電源掉電地面靜電荷標(biāo)注清晰和鎖緊放射性安全UV光可破壞化學(xué)鍵有機(jī)分子有長(zhǎng)化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)更易因UV引起損傷UV光通常用于消毒殺菌如果直視UV光源會(huì)傷害眼睛有時(shí)需要戴防UV護(hù)目鏡應(yīng)用：微機(jī)械的制造納米加工技術(shù)的應(yīng)用其他加工方法掃描隧道顯微鏡（STM）電子/離子束加工 自組裝納米制造技術(shù)與膠體化學(xué)聯(lián)系微納米加工 膠體化學(xué) 具有特殊