【創(chuàng)新設計】2015高考化學(江西專用)二輪專題復習配套：第15講 物質(zhì)結(jié)構與性質(zhì)ppt課件

1、考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練第第15講物質(zhì)結(jié)構與性質(zhì)講物質(zhì)結(jié)構與性質(zhì)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練最新考綱最新考綱1原子結(jié)構與元素的性質(zhì)原子結(jié)構與元素的性質(zhì)(1)了解原子核外電子的排布原理及能級分布，能用電子排布式表示常見元素了解原子核外電子的排布原理及能級分布，能用電子排布式表示常見元素(136號號)原子核外電子、價電子的排布。了解原子核外電子的運動狀態(tài)；原子核外電子、價電子的排布。了解原子核外電子的運動狀態(tài)；(2)了了解元素電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)；解元素電離能的含義，并能用以說明元素的某些性質(zhì)；(3)了解原子核外電子在了解原子核外電子在一定條件下會發(fā)

2、生躍遷，了解其簡單應用；一定條件下會發(fā)生躍遷，了解其簡單應用；(4)了解電負性的概念，知道元素的了解電負性的概念，知道元素的性質(zhì)與電負性的關系。性質(zhì)與電負性的關系?？键c突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練2化學鍵與物質(zhì)的性質(zhì)化學鍵與物質(zhì)的性質(zhì)(1)理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構特征解釋其物理性質(zhì)；理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構特征解釋其物理性質(zhì)；(2)了解了解共價鍵的形成，能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)；共價鍵的形成，能用鍵能、鍵長、鍵角等說明簡單分子的某些性質(zhì)；(3)了解原了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構與性質(zhì)的關系；子晶體的特征，

3、能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構與性質(zhì)的關系；(4)理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)；了解金屬晶體理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)；了解金屬晶體常見的堆積方式；常見的堆積方式；(5)了解雜化軌道理論及常見的雜化軌道類型了解雜化軌道理論及常見的雜化軌道類型(sp，sp2，sp3)；(6)能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測常見的簡單分子或離子的空能用價層電子對互斥理論或者雜化軌道理論推測常見的簡單分子或離子的空間結(jié)構。間結(jié)構?？键c突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練3分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)(1)了解化學鍵和分子間作

4、用力的區(qū)別；了解化學鍵和分子間作用力的區(qū)別；(2)了解氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)的影響，了解氫鍵的存在對物質(zhì)性質(zhì)的影響，能列舉含有氫鍵的物質(zhì)；能列舉含有氫鍵的物質(zhì)；(3)了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構微粒、微粒間作用力的區(qū)別。結(jié)構微粒、微粒間作用力的區(qū)別。(4)能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進行相關的能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進行相關的計算。計算。(5)了解晶格能的概念及其對離子晶體性質(zhì)的影響。了解晶格能的概念及其對離子晶體性質(zhì)的影響?？键c突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練考點一原子結(jié)構與元素性質(zhì)的關系考點一原子結(jié)構與元素性質(zhì)的關系重溫真題

5、重溫真題考情考情1原子核外電子的排布原子核外電子的排布(1)基態(tài)基態(tài)Fe原子有原子有_個未成對電子。個未成對電子。Fe3的電子排布式為的電子排布式為_。可用。可用硫氰化鉀檢驗硫氰化鉀檢驗Fe3，形成的配合物的顏色為，形成的配合物的顏色為_。 2014全全國新課標國新課標，37(2)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練(2)Na位于元素周期表第位于元素周期表第_周期第周期第_族；族；S的基態(tài)原子核外有的基態(tài)原子核外有_個個未 成 對 電 子 ；未 成 對 電 子 ； S i 的 基 態(tài) 原 子 核 外 電 子 排 布 式 為的 基 態(tài) 原 子 核 外 電 子 排 布 式 為 _ _ _ _

6、_ _ _ _ 。 2014安徽理綜，安徽理綜，25(1)(3)31Ga基態(tài)原子的核外電子排布式是基態(tài)原子的核外電子排布式是_。2014浙江自選模塊浙江自選模塊25(1)(4)Cu基態(tài)核外電子排布式為基態(tài)核外電子排布式為_。2014江蘇化學，江蘇化學，21A(1)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練(5)基態(tài)基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為_，該能層具有的原子軌道數(shù)，該能層具有的原子軌道數(shù)為為_、電子數(shù)為、電子數(shù)為_。(2013新課標新課標，37(1)(6)Ni2的價層電子排布圖為的價層電子排布圖為_。(2013新課標新課標，37，改編，改編)考點突

7、破考點突破專題提升訓練專題提升訓練考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練(3)Ga為為31號元素，其基態(tài)原子的核外電子排布式為號元素，其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1或或Ar3d104s24p1。(4)Cu是由是由Cu原子失去原子失去1個個4s電子形成的。電子形成的。(5)基態(tài)基態(tài)Si原子中，有原子中，有14個電子，核外電子排布式為個電子，核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，電子占據(jù)的最高，電子占據(jù)的最高能層符號為能層符號為M，該能層具有的原子軌道數(shù)為，該能層具有的原子軌道數(shù)為1個個s軌道，軌道，3個個p軌道，軌道，5個個d軌道，其中

8、軌道，其中3s軌道有軌道有2個電子，個電子，3p軌道有軌道有2個電子。個電子。(6)Ni原子的核外電子排布式為原子的核外電子排布式為Ar3d84s2，Ni2的價電子排布式為的價電子排布式為3d8，畫出價層電，畫出價層電子排布圖。子排布圖?？键c突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練2元素的性質(zhì)元素的性質(zhì)(高考題匯編高考題匯編)(1)第一電離能第一電離能Si_S(用用“”或或“”填空填空) 2014安徽，安徽，25(2)(2)F、K、Fe、Ni四種元素中第一電離能最小的是四種元素中第一電離能最小的是_，電負性最大的是，電負性最大的是_(填元素符號填元素符號)。

9、(2013新課標新課標，37(2)改編改編)(3)依據(jù)第依據(jù)第2周期元素第一電離能周期元素第一電離能的變化規(guī)律，參照如圖的變化規(guī)律，參照如圖B、F元素元素的位置，用小黑點標出的位置，用小黑點標出C、N、O三種元素的相對位置。三種元素的相對位置。 (2013福建，福建，31(1)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練(4)請回答下列問題：請回答下列問題：N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：則該元素是則該元素是_(填寫元素符號填寫元素符號)。電離能電離能I1I2I3I4Im/kJmol15781 8172 74511 578考點突破

10、考點突破專題提升訓練專題提升訓練基態(tài)鍺基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是原子的電子排布式是_。Ge的最高價氯化物分子式是的最高價氯化物分子式是_。該元素。該元素可能的性質(zhì)或應用有可能的性質(zhì)或應用有_。A是一種活潑的金屬元素是一種活潑的金屬元素B其電負性大于硫其電負性大于硫C其單質(zhì)可作為半導體材料其單質(zhì)可作為半導體材料D其最高價氯化物的沸點低于其溴化物的沸點其最高價氯化物的沸點低于其溴化物的沸點2013浙江自選，浙江自選，15(1)(2)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練(5)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個

11、電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為原子的第一電離能由大到小的順序為_。2012全國新課標，全國新課標，37(2)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練解析解析(3)B的第一電離能最小，的第一電離能最小，F(xiàn)的第一電離能最大，注意的第一電離能最大，注意N的第一電離能比的第一電離能比O的的大。則第一電離能大小順序為：大。則第一電離能大小順序為：BCONF；(4)I4I3，所以該元素最外層有，所以該元素最外層有3個 電 子 ， 應 為個 電 子 ， 應 為 A l 。 G e 是是 A 族 元 素 ， 其 原 子 的 電 子 排

12、布 式 為族 元 素 ， 其 原 子 的 電 子 排 布 式 為1s22s22p63s23p63d104s24p2，最高價氯化物分子式是，最高價氯化物分子式是GeCl4，Ge位于金屬和非金屬交界位于金屬和非金屬交界處，其單質(zhì)可作半導體材料，處，其單質(zhì)可作半導體材料，GeCl4和和GeBr4的分子組成相似，由于的分子組成相似，由于GeCl4的分子量小的分子量小于于GeBr4，故沸點，故沸點GeCl4GeBr4。(5)同主族元素、從上往下元素第一電離能逐漸減同主族元素、從上往下元素第一電離能逐漸減小。小。考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練答案答案(1)(2)KF(3)(4)Al1s22s22

13、p63s23p63d104s24p2或或Ar3d104s24p2GeCl4CD(5)OSSe考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練高考定位高考定位本考點在高考中常見的命題角度有原子核外電子的排布規(guī)律及其表示方法、原子結(jié)本考點在高考中常見的命題角度有原子核外電子的排布規(guī)律及其表示方法、原子結(jié)構與元素電離能和電負性的關系及其應用、原子核外電子的躍遷及其應用等。在高構與元素電離能和電負性的關系及其應用、原子核外電子的躍遷及其應用等。在高考試題中，各考查點相對獨立，難度不大，一般為填空題。考試題中，各考查點相對獨立，難度不大，一般為填空題?？键c突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練知能突破知能突破考點

14、考點一、原子核外電子的排布一、原子核外電子的排布1原子原子(離子離子)核外電子排布式核外電子排布式(圖圖)的書寫的書寫(1)核外電子排布式：按電子排入各能層中各能級的先后順序，用數(shù)字在能級符核外電子排布式：按電子排入各能層中各能級的先后順序，用數(shù)字在能級符號右上角標明該能級上排布的電子數(shù)的式子。如號右上角標明該能級上排布的電子數(shù)的式子。如Cu： ，其，其簡化電子排布式為：簡化電子排布式為：Ar3d104s1。(2)價電子排布式：如價電子排布式：如Fe原子的電子排布式為原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，價電子排布，價電子排布式為式為 。價電子排布式能反映基態(tài)原子的能層

15、數(shù)和參與成鍵的電子數(shù)以及。價電子排布式能反映基態(tài)原子的能層數(shù)和參與成鍵的電子數(shù)以及最外層電子數(shù)。最外層電子數(shù)。1s22s22p63s23p63d104s1 3d64s2 考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練2基態(tài)原子、激發(fā)態(tài)原子和原子光譜基態(tài)原子、激發(fā)態(tài)原子和原子光譜(1)基態(tài)原子：處于基態(tài)原子：處于 的原子。的原子。(2)激發(fā)態(tài)原子：當基態(tài)原子的電子激發(fā)態(tài)原子：當基態(tài)原子的電子 后，電子會躍遷到較高能級，變成后，電子會躍遷到較高能級，變成激發(fā)態(tài)原子。激發(fā)態(tài)原子。(3)原子光譜：當電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)原子光譜：當電子從

16、較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時，釋放一定頻率的光子，這是產(chǎn)生原子光譜的原因。時，釋放一定頻率的光子，這是產(chǎn)生原子光譜的原因。不同元素的原子發(fā)生躍遷時會吸收或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取各種不同元素的原子發(fā)生躍遷時會吸收或釋放不同的光，可以用光譜儀攝取各種元素的電子的吸收光譜或發(fā)射光譜，總稱原子光譜。元素的電子的吸收光譜或發(fā)射光譜，總稱原子光譜。最低能量最低能量 吸收能量吸收能量 考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練二、電離能和電負性的規(guī)律及應用二、電離能和電負性的規(guī)律及應用1電離能電離能(1)含義含義第一電離能：氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要第

17、一電離能：氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的的 ，符號，符號 ，單位，單位 。(2)規(guī)律規(guī)律同周期：第一種元素的第一電離能同周期：第一種元素的第一電離能 ，最后一種元素的第一電離能，最后一種元素的第一電離能 ，總，總體呈現(xiàn)體呈現(xiàn) 的變化趨勢。的變化趨勢。同族元素：從上至下元素的第一電離能同族元素：從上至下元素的第一電離能 。同種原子：逐級電離能越來越同種原子：逐級電離能越來越 (即即I1 I2 I3)。最低能量最低能量 I kJmol1 最小最小 從左至右逐漸增大從左至右逐漸增大 逐漸減小逐漸減小 大大 ”、“”或或“”)圖甲中圖甲中1號號C與相鄰與相鄰C形成的鍵角。形

18、成的鍵角。 (3)若將圖乙所示的氧化石墨烯分散在若將圖乙所示的氧化石墨烯分散在H2O中，則氧化石墨烯中可與中，則氧化石墨烯中可與H2O形成氫鍵的形成氫鍵的原子有原子有_(填元素符號填元素符號)?？键c突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練解析解析(1)石墨烯是層狀結(jié)構，每一層上每個碳原子都是以石墨烯是層狀結(jié)構，每一層上每個碳原子都是以3個共價鍵與其他碳原子連個共價鍵與其他碳原子連接，接，3個共價鍵中有一個碳碳雙鍵和兩個碳碳單鍵個共價鍵中有一個碳碳雙鍵和兩個碳碳單鍵 ，故共有，故共有3個個鍵。鍵。(2)圖乙中圖乙中1號碳形成了號碳形成了4個共價鍵，故其雜化方式為個共價鍵，故其雜化方式為sp3；圖甲中

19、的鍵角為；圖甲中的鍵角為120，而，而圖乙中圖乙中1號碳原子與甲烷中的碳原子類似，都是飽和碳原子，其鍵角接近號碳原子與甲烷中的碳原子類似，都是飽和碳原子，其鍵角接近109.5。(3)只有電負性較大的非金屬原子與氫原子才可形成氫鍵。只有電負性較大的非金屬原子與氫原子才可形成氫鍵。答案答案(1)3(2)sp3”或或“”填空填空)。2014安徽理綜，安徽理綜，25(2)(2)石墨烯可轉(zhuǎn)化為富勒烯石墨烯可轉(zhuǎn)化為富勒烯(C60)，某金屬，某金屬M與與C60可制備一種低溫超導材料，晶胞可制備一種低溫超導材料，晶胞如圖所示，如圖所示，M原子位于晶胞的棱上與內(nèi)部。原子位于晶胞的棱上與內(nèi)部。該晶胞中該晶胞中M原

20、子的個數(shù)為原子的個數(shù)為 _，該材料的化學式為該材料的化學式為_。 2014山東理綜，山東理綜，32(4)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練(3)Cu2O在稀硫酸中生成在稀硫酸中生成Cu和和CuSO4。銅晶胞結(jié)構如圖所示，銅晶體中每個銅原子周。銅晶胞結(jié)構如圖所示，銅晶體中每個銅原子周圍距離最近的銅原子數(shù)目為圍距離最近的銅原子數(shù)目為_。2014江蘇化學，江蘇化學，21(5)(4)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構類似的晶體，其中原子與原子之間以單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構類似的晶體，其中原子與原子之間以_相結(jié)合，相結(jié)合，其晶胞中共有其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻個原子，其中在面心位置貢獻_個原子。個

21、原子。 2013新課標新課標，37(3)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練解析解析(1)NaCl晶體為離子晶體，晶體為離子晶體，Si為原子晶體，熔點為原子晶體，熔點NaClSi。(2)一個晶胞中一個晶胞中M原子的個數(shù)為原子的個數(shù)為12912；一個晶胞中；一個晶胞中C60的個數(shù)為的個數(shù)為864，M與與C60的個數(shù)比為的個數(shù)比為3 1，故該材料的化學式為，故該材料的化學式為M3C60。(3)由銅的晶胞結(jié)構示意圖可知，晶胞為面心立方，每個銅原子周圍等距且最近的銅由銅的晶胞結(jié)構示意圖可知，晶胞為面心立方，每個銅原子周圍等距且最近的銅原子個數(shù)為原子個數(shù)為12個。個。(4)單質(zhì)硅與金剛石都屬于原子晶

22、體，其中原子與原子之間以共價鍵結(jié)合，其晶胞中單質(zhì)硅與金剛石都屬于原子晶體，其中原子與原子之間以共價鍵結(jié)合，其晶胞中共有共有8個原子，其中在面心位置貢獻為個原子，其中在面心位置貢獻為61/23個原子。個原子。答案答案(1)(2)12M3C60(3)12(4)共價鍵共價鍵3考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練2(1)某種半導體材料由某種半導體材料由Ga和和As兩種元素組成，該半導體材料的化學式是兩種元素組成，該半導體材料的化學式是_，其晶體結(jié)構類型可能為，其晶體結(jié)構類型可能為_。維生素維生素B1可作為輔酶參與糖的代謝，并有保護神經(jīng)系統(tǒng)的作用。該物質(zhì)的結(jié)可作為輔酶參與糖的代謝，并有保護神經(jīng)系統(tǒng)的

23、作用。該物質(zhì)的結(jié)構式為：構式為：以下關于維生素以下關于維生素B1的說法正確的是的說法正確的是_。A只含只含鍵和鍵和鍵鍵B既有共價鍵又有離子鍵既有共價鍵又有離子鍵C該物質(zhì)的熔點可能高于該物質(zhì)的熔點可能高于NaClD該物質(zhì)易溶于鹽酸該物質(zhì)易溶于鹽酸考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練維生素維生素B1晶體溶于水的過程中要克服的微粒間作用力有晶體溶于水的過程中要克服的微粒間作用力有_。A離子鍵、共價鍵離子鍵、共價鍵B離子鍵、氫鍵、共價鍵離子鍵、氫鍵、共價鍵C氫鍵、范德華力氫鍵、范德華力D離子鍵、氫鍵、范德華力離子鍵、氫鍵、范德華力(2014浙江自選模塊浙江自選模塊15節(jié)選節(jié)選)考點突破考點突破專題

24、提升訓練專題提升訓練(2)Cu2O為半導體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有為半導體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有4個氧原子，其余氧原子位于面心和個氧原子，其余氧原子位于面心和頂點，則該晶胞中有頂點，則該晶胞中有_個銅原子。個銅原子。Al單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a0.405 nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_。 列式表示列式表示Al單質(zhì)的密度單質(zhì)的密度_ gcm3(不必計算出結(jié)果不必計算出結(jié)果)。(2014新課標卷新課標卷，37節(jié)選節(jié)選)(3)MgBr2、SiCl4、BN的熔點由高到低的順序是的熔點由高到低的順序是_，PH3、NH3、H2O的沸點由高到低

25、的順序是的沸點由高到低的順序是_。(2013重慶理綜，重慶理綜，3C、D改編改編)考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練解析解析(1)由由Ga和和As組成的半導體材料，性質(zhì)與單晶硅相似，故結(jié)構也與單晶硅相組成的半導體材料，性質(zhì)與單晶硅相似，故結(jié)構也與單晶硅相似，在似，在Ga和和As形成的晶體中，每個形成的晶體中，每個Ga原子與原子與4個個As原子相連，每個原子相連，每個As原子與原子與4個個Ga原子相連，故該晶體中原子相連，故該晶體中Ga和和As的原子個數(shù)比是的原子個數(shù)比是1 1，晶體的化學式為，晶體的化學式為GaAs，屬于原，屬于原子晶體。由維生素子晶體。由維生素B1的結(jié)構簡式可以得知分子

26、中含有單鍵和雙鍵，故分子中含有的結(jié)構簡式可以得知分子中含有單鍵和雙鍵，故分子中含有鍵和鍵和鍵，同時分子中還含有離子鍵，故鍵，同時分子中還含有離子鍵，故A錯，錯，B正確；離子化合物的熔點高低取決正確；離子化合物的熔點高低取決于離子鍵的強弱，離子鍵越強，化合物的熔點越高，該物質(zhì)的離子鍵是由于離子鍵的強弱，離子鍵越強，化合物的熔點越高，該物質(zhì)的離子鍵是由Cl和非金和非金屬屬N的陽離子形成的，離子鍵弱于的陽離子形成的，離子鍵弱于Cl和和Na之間形成的離子鍵，故維生素之間形成的離子鍵，故維生素B1的熔點的熔點低于低于NaCl，C錯；由于該物質(zhì)中含有錯；由于該物質(zhì)中含有NH2，故該物質(zhì)能與鹽酸反應，故該物質(zhì)能與鹽酸反應，D正確。正確。考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練考點突破考點突破專題提升訓練專題提升訓練高考定位高考定位本考點高考中常見的命題角度有晶體的類型、結(jié)構與性質(zhì)的關系，晶體熔沸點高低本考點高考中常