微波等離子體學習小結(jié)

1、微波等離子體技術(shù) -學習匯報背景介紹背景介紹010203Contents理論基礎(chǔ)理論基礎(chǔ)應(yīng)用現(xiàn)狀應(yīng)用現(xiàn)狀微波等離子體技術(shù)010102020303背景介紹 1 1 背景介紹背景介紹 微波等離子體特點：電子溫度高 5eV15eV產(chǎn)生氣體范圍寬大氣壓強 10-6Torr 1 1 背景介紹背景介紹 方案方案特點特點直流放電直流放電有極放電，密度低，電離度低，有極放電，密度低，電離度低，運行氣壓高運行氣壓高射頻放電射頻放電無極放電，密度與電離度有所無極放電，密度與電離度有所提高，但應(yīng)用范圍受限提高，但應(yīng)用范圍受限微波放電微波放電等離子體為介電媒質(zhì)，電磁輻等離子體為介電媒質(zhì)，電磁輻射與等離子體為集體相互作

2、用射與等離子體為集體相互作用 現(xiàn)有放電技術(shù)現(xiàn)有放電技術(shù)微波等離子體技術(shù)010102020303理論基礎(chǔ) 2 2 理論基礎(chǔ)理論基礎(chǔ) 氣體的微波擊穿氣體的微波擊穿1 12 23 34 4微波傳輸系統(tǒng)中傳輸功率與模式場的關(guān)系微波傳輸系統(tǒng)中傳輸功率與模式場的關(guān)系 微波激勵氣體放電的電子速度分布函數(shù)微波激勵氣體放電的電子速度分布函數(shù)微波電子回旋激勵系統(tǒng)中氣體放電的擊穿條件微波電子回旋激勵系統(tǒng)中氣體放電的擊穿條件微波電子回旋激勵系統(tǒng)中的放電擊穿功率微波電子回旋激勵系統(tǒng)中的放電擊穿功率5 5微波放電的擊穿電場微波放電的擊穿電場6 6微波放電能量饋入結(jié)構(gòu)的要求微波放電能量饋入結(jié)構(gòu)的要求 2 2 理論基礎(chǔ)理論基

3、礎(chǔ) 微波等離子體的反應(yīng)器結(jié)構(gòu)微波等離子體的反應(yīng)器結(jié)構(gòu)波導波導耦合耦合型型 圓柱圓柱諧振腔諧振腔型型 ECR(電子回旋諧振電子回旋諧振)型型 2 2 理論基礎(chǔ)理論基礎(chǔ) 微波等離子體的反應(yīng)器結(jié)構(gòu)微波等離子體的反應(yīng)器結(jié)構(gòu)波導波導耦合型耦合型微波等離子體技術(shù)010102020303應(yīng)用現(xiàn)狀微波等離子燈光通量 光強 亮度 照度 光效 色溫 相關(guān)色溫 顯色指數(shù)利用頻率為2459MHz電磁能量電磁能量來激勵硫粉等發(fā)光物質(zhì)，使其在石英泡殼中形成等離子等離子體體并發(fā)光的無極放電燈。無極放電燈。微波等離子燈改變附加填充物對某一性能的改變（激勵硫粉發(fā)光）改變附加填充物對某一性能的改變（激勵硫粉發(fā)光）（1）氪氪85

4、提高燈泡的啟動性能（2）NaI等物質(zhì)等物質(zhì) 改變硫燈相關(guān)色溫（3）低電離勢物質(zhì)低電離勢物質(zhì) 提高光色的空間均勻性，熄滅特性，起 輝可靠性等（4）氙氣氙氣 提高光效（同時加少量氬氣，提高啟動性能）（5）氖氣，少量氬氣氖氣，少量氬氣 降低放電電壓，縮短啟動時間改變改變主要發(fā)光物質(zhì)主要發(fā)光物質(zhì)（1）InBr (溴化銦溴化銦) 更接近太陽光譜，顯色指數(shù)95，光效高于100lm/W（2）SnBr2(二溴化錫二溴化錫)，汞為輔助填充物，緩沖氣體氬氣配套光具配套光具 反光罩與導光管反光罩與導光管微波等離子燈理論基礎(chǔ)理論基礎(chǔ)（1 1）發(fā)光）發(fā)光原理原理硫硫在高溫下主要以在高溫下主要以S S（2 2）等離子體燈發(fā)光系統(tǒng)的光譜自吸收理論）等離子體燈發(fā)光系統(tǒng)的光譜自吸收理論（3 3）等離子體發(fā)光系統(tǒng)擴散控制的擊穿機理）等離子體發(fā)光系統(tǒng)擴散控制的擊穿機理（4 4）微波等離子燈熱狀況理論）微波等離子燈熱狀況理論分析分析微波等離子燈 國內(nèi)國內(nèi)研究現(xiàn)狀研究現(xiàn)狀： 微波微波等離子體等離子體燈并沒有真正推廣燈并沒有真正推廣原因原因（1 1）沒有真