BIOS內(nèi)存設(shè)置全面優(yōu)化要點(diǎn)

1、BIOS內(nèi)存設(shè)置全面優(yōu)化內(nèi)存在電腦中的重要性和地位僅次于CPU ,其品質(zhì)的優(yōu)劣對(duì)電腦性能有至關(guān)重要的影響。為充分發(fā)揮內(nèi)存的潛能，必須在 BIOS設(shè)置中對(duì)與內(nèi)存有關(guān)的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。下面針對(duì) 目前主流的支持 Intel Pentiumm、Celeron n處理器的Intel 815E/815EP芯片組主板、 VIA（威 盛）694X 芯片組主板和支持AMD Thunder bird雷鳥(niǎo)）、Duron鉆龍）處理器的 VIAKT133/133A芯片組主板，介紹如何在最常見(jiàn)的Award BIOS 6 . 0中優(yōu)化內(nèi)存設(shè)置。對(duì)于使用較早芯片組的主板和低版本的Award BIOS,其內(nèi)存設(shè)置項(xiàng)相對(duì)要少一些，

2、但本文所介紹的設(shè)置方法同樣是適用的。Intel 815E/815EP芯片組主板在這類(lèi)主板 BIOS的Advanced Chipset Features（高級(jí)芯片組特性）設(shè)置頁(yè)面中一般包含以 下內(nèi)存設(shè)置項(xiàng)：Set SDRAM Timing By SPD（根據(jù) SPD 確定內(nèi)存時(shí)序）可選項(xiàng)：Disabled , Enabledo SPD Serial Presence Detect ）是內(nèi)存條上一個(gè)很小的芯片，它存儲(chǔ)了內(nèi)存條的工作參數(shù)信息。如果使用優(yōu)質(zhì)的品牌內(nèi)存，則可以將 DRAM Timing By SPD 設(shè)置成Enabled ,此時(shí)，就無(wú)需對(duì) 下面介紹的BIOS內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置了，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)

3、根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。有些兼容內(nèi)存的 SPD是空的 或者感覺(jué)某些品牌內(nèi)存的SPD參數(shù)比較保守，想充分挖掘其潛能，則可以將該參數(shù)設(shè)置成Disabled ,這時(shí)，就可以對(duì)以下的內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行調(diào)整了。SDRAM CAS Latency Time（內(nèi)存 CAS 延遲時(shí)間）可選項(xiàng)：2, 3。內(nèi)存 CAS（Column Address Strobe,列地址選通脈沖）延遲時(shí)間控制SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要 等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過(guò)程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。在133MHz頻率下，品質(zhì)一般

4、的兼容內(nèi)存大多只能在CAS=3下運(yùn)行，在CAS=2下運(yùn)行會(huì)使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無(wú)法啟動(dòng)。CAS延遲時(shí)間是一個(gè)非常重要的內(nèi)存參數(shù)，對(duì)電腦性能的影響比較大，Intel與VIA就PC133內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān)，Intel認(rèn)為PC133內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn)定運(yùn)行于133MHz頻率、CAS=2下，而VIA認(rèn)為PC133內(nèi)存能穩(wěn)定運(yùn)行于 133MHz頻率即 可，并未特別指定 CAS值，因此Intel的規(guī)范更加嚴(yán)格，一般只有品牌內(nèi)存才能夠滿(mǎn)足此規(guī) 范，所以大家感覺(jué)Intel的主板比較挑內(nèi)存。SDRAM Cycle Time Tras/Trc（內(nèi)存Tras/Trc時(shí)鐘周期）可選項(xiàng)：5/7, 7/9。該參數(shù)

5、用于確 定SDRAM內(nèi)存行激活時(shí)間和行周期時(shí)間的時(shí)鐘周期數(shù)。Tras代表SDRAM行激活時(shí)間（RowActive Time）,它是為進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸而開(kāi)啟行單元所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。Trc代表SDRAM行周期時(shí)間（Row Cycle Time）,它是包括行單元開(kāi)啟和行單元刷新在內(nèi)的整個(gè)過(guò)程所需要的時(shí) 鐘周期數(shù)。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為5/7,這時(shí)內(nèi)存的速度較快，但有可能出現(xiàn)因行單元開(kāi)啟時(shí)間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r，在SDRAM內(nèi)存的工作頻率高于 100MHz時(shí)尤其是這樣，即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。SDRAM RAS-TO-CAS Delay（內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間）

6、可選項(xiàng)：2, 3。該參數(shù)可以控制 SDRAM行地址選通脈沖（RAS , Row Address Strobe）信號(hào)與列地址選通脈沖信 號(hào)之間的延遲。對(duì)SDRAM 進(jìn)行讀、寫(xiě)或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2,如果系統(tǒng)無(wú)法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3。SDRAM RAS Precharge Time（內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間）可選項(xiàng)：2, 3。該參數(shù)可以控制在進(jìn)行 SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。將預(yù) 充電時(shí)間設(shè)為2可以提高SDRAM的性能，但是如果 2個(gè)時(shí)鐘周期的預(yù)充電時(shí)間不足，則 SDRAM會(huì)因無(wú)法正常完成

7、刷新操作而不能保持?jǐn)?shù)據(jù)。Memory Hole At 15M-16M（ 位于 15M 16M 的內(nèi)存保留區(qū)）可選項(xiàng)： Disabled , Enabled。 一些特殊的ISA擴(kuò)展卡的正常工作需要使用位于15M16M的內(nèi)存區(qū)域，該參數(shù)設(shè)為Enabled就將該內(nèi)存區(qū)域保留給此類(lèi)ISA擴(kuò)展卡使用。由于PC' 9飆范已不再支持ISA擴(kuò)展槽，所以新型的主板一般都沒(méi)有ISA插槽，因而應(yīng)將該參數(shù)設(shè)為Disabled oSystem Memory Frequency（系統(tǒng)內(nèi)存頻率）可選項(xiàng)：AUTO、100MHz、133MHz。此項(xiàng) 設(shè)置實(shí)現(xiàn)內(nèi)存異步運(yùn)行管理功能。AUTO :根據(jù)內(nèi)存的特性自動(dòng)設(shè)定內(nèi)存的

8、工作頻率；100MHz :將內(nèi)存強(qiáng)制設(shè)定在 100MHz頻率下工作；133MHz :將內(nèi)存強(qiáng)制設(shè)定在 133MHz 頻率下工作。Memory Parity/ECC Check（內(nèi)存奇偶 /ECC 校驗(yàn)）可選項(xiàng)：Disabled, Enabled。如果系統(tǒng) 使用了 ECC內(nèi)存，可以將該參數(shù)設(shè)為 Enabled,否則一定要將該參數(shù)設(shè)成Disabled。ECC表示差錯(cuò)校驗(yàn)和糾正（Error Checking and Correction） 一般是高檔服務(wù)器內(nèi)存條所具備的功 能，這種內(nèi)存條有實(shí)現(xiàn) ECC功能的內(nèi)存顆粒，使系統(tǒng)能夠檢測(cè)并糾正內(nèi)存中的一位數(shù)據(jù)差 錯(cuò)或者是檢測(cè)出兩位數(shù)據(jù)差錯(cuò)。ECC功能可以提

9、高數(shù)據(jù)的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性，這對(duì)服務(wù)器尤其重要，但 ECC會(huì)造成一定的性能損失。VIA芯片組主板VIA芯片組主板一般比Intel芯片組主板內(nèi)存設(shè)置選項(xiàng)要豐富一些，在這類(lèi)主板BIOS的Advanced Chipset Features府級(jí)芯片組特性）設(shè)置頁(yè)面中一般包含以下內(nèi)存設(shè)置項(xiàng)（像DRAM Timing By SPD、SDRAM Cycle Length 等參數(shù)的意義和設(shè)置方法同 Intel 815E/815EP 芯片組主板，就不再提了 ）：Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing（內(nèi)存速度設(shè)定）可選項(xiàng)：Turbo（高速），F(xiàn)ast（快速）， Medium（中等），Norm

10、al（正常），SDRAM 8/10 ns。該選項(xiàng)用于設(shè)定內(nèi)存的速度， 對(duì)于SDRAM 內(nèi)存條，設(shè)定為 SDRAM 8/10 ns即可。SDRAM Clock（內(nèi)存時(shí)鐘頻率）可選項(xiàng)：HOST CLK , HCLK+33M（或 HCLK-33M）。該參 數(shù)設(shè)置內(nèi)存的異步運(yùn)行模式。HOST CLK表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于系統(tǒng)的外頻，HCLK+33M表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于系統(tǒng)外頻再加上33MHz , HCLK-33M表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于系統(tǒng)外頻減去33MHz。如Pentium m 800EB時(shí)，BIOS自動(dòng)使該參數(shù)的可選項(xiàng)出現(xiàn)HOST CLK和HCLK-33M，如果使用PC133內(nèi)存，可以將該參數(shù)設(shè)為 HO

11、ST CLK ,如果使用 PC100內(nèi)存， 則可以將該參數(shù)設(shè)為 HCLK-33M ,這樣就可使系統(tǒng)配合性能較低的PC100內(nèi)存使用。內(nèi)存異步功能使系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存的兼容性的提升是比較明顯的，也是VIA芯片組一項(xiàng)比較重要的功能。Bank Interleave（內(nèi)存 Bank 交錯(cuò)）可選項(xiàng)：Disabled , 2-Bank , 4-Bank。內(nèi)存交錯(cuò)使 SDRAM內(nèi)存各個(gè)面的刷新時(shí)鐘信與讀寫(xiě)時(shí)鐘信號(hào)能夠交錯(cuò)出現(xiàn)，這可以 實(shí)現(xiàn)CPU在刷新一個(gè)內(nèi)存面的同時(shí)對(duì)另一個(gè)內(nèi)存面進(jìn)行讀寫(xiě)，這樣就不必花費(fèi)專(zhuān)門(mén)的時(shí)間 來(lái)對(duì)各個(gè)內(nèi)存面進(jìn)行刷新。而且在CPU即將訪問(wèn)的一串內(nèi)存地址分別位于不同內(nèi)存面的情況下，內(nèi)存面交錯(cuò)使 C

12、PU能夠?qū)崿F(xiàn)在向后一個(gè)內(nèi)存面發(fā)送地址的同時(shí)從前一個(gè)內(nèi)存面接收 數(shù)據(jù)，從而產(chǎn)生一種流水線操作的效果，提高了 SDRAM內(nèi)存的帶寬。因此，有人甚至認(rèn) 為啟用內(nèi)存交錯(cuò)對(duì)于系統(tǒng)性能的提高比將內(nèi)存CAS延遲時(shí)間從3改成2還要大。不過(guò)，內(nèi)存交錯(cuò)是一個(gè)比較高級(jí)的內(nèi)存設(shè)置選項(xiàng)，有一些采用 VIA 694X芯片組的主板 由于BIOS版本較舊，可能沒(méi)有該設(shè)置項(xiàng)，這時(shí)可以升級(jí)主板的 BIOS。如果在最新版的BIOS 中仍未出現(xiàn)該設(shè)置項(xiàng)，那就只有通過(guò)某些VIA 芯片組內(nèi)存 BANK 交錯(cuò)開(kāi)啟軟件，如WPCREdit和相應(yīng)的插件（可以從驅(qū)動(dòng)之家”網(wǎng)站下載）來(lái)修改北橋芯片的寄存器，從而打開(kāi) 內(nèi)存交錯(cuò)模式。SDRAM Dr

13、iver Strength（內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)的強(qiáng)度 ）可選項(xiàng)：Auto, Manual。此選項(xiàng)用于控制 內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)的強(qiáng)度。一般情況下可以將該選項(xiàng)設(shè)置成Auto ,此時(shí)芯片組承擔(dān)內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)強(qiáng)度的控制工作并自動(dòng)調(diào)整內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)的強(qiáng)度以與電腦中安裝的內(nèi)存相適應(yīng)。如果需要超頻或排除電腦故障，則可以將該參數(shù)設(shè)為Manual,這時(shí)就可以手工調(diào)整 SDRAM DriverValue（內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)強(qiáng)度值）的數(shù)值。SDRAM Driver Value（內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)強(qiáng)度值）可選項(xiàng)：00至FF（十六進(jìn)制）。該選項(xiàng)決定 了內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)強(qiáng)度的數(shù)值。要注意的是只有將SDRAM Driver Strength選項(xiàng)設(shè)為Manual時(shí)，SDRAM Driver Value 的數(shù)值才是有效的。SDRAM Driver Value 的范圍是十六進(jìn)制的00至FF,其數(shù)值越大，則內(nèi)存訪問(wèn)信號(hào)的強(qiáng)度也越大。內(nèi)存對(duì)工作頻率是比較敏感的，當(dāng)工 作頻率高于內(nèi)存的標(biāo)稱(chēng)頻率時(shí)，將該選項(xiàng)的數(shù)值調(diào)高，可以提高電腦在超頻狀態(tài)下的穩(wěn)定性。這種作法盡管沒(méi)有提高內(nèi)存的工作電壓（有一些超頻功能較強(qiáng)的主板可以調(diào)整內(nèi)存的工作電壓），但在提高SDRAM Driver Value的數(shù)值時(shí)仍然要十分慎重，以