正性光刻膠及5mask簡介

1、OutlineArray 5 mask 簡介簡介Array 4 mask正型正型PR成成份介紹份介紹正型正型PR的的工作原理工作原理PR Test1.Metal 1 (GATE) :鍍上鍍上Mo (鉬鉬)，Al(鋁鋁) 2. G : Gate SiNx (氮矽化合物氮矽化合物，絕緣層絕緣層) I : -Si (非結晶矽，通道層非結晶矽，通道層) N : N+ -Si (高濃度磷高濃度磷(PH3)的矽的矽)降低界面電位差降低界面電位差, 使成為歐姆接觸使成為歐姆接觸(ohmic contact) 3. Metal 2 (source,drain3. Metal 2 (source,drain)

2、) : :Mo(Mo(鉬鉬),Al),Al 4. Passivation (Via): SiNx，保護層，保護層,把金屬蓋住把金屬蓋住,另另有有Via和和ITO連通連通5. ITO (畫素電極畫素電極)1 Array 5 mask簡介簡介工藝流程Photo ResistThin FilmGlass曝光LightPhoto Mask剝膜Thin FilmGlass成膜Photo Resist顯影蝕刻2021-11-2UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD)涂布,曝光,顯影Wet etchSTP(去光阻)Metal 1 processABMo/Al Mo在Al上層 避免Al氧化2.38%TM

3、AHAl蝕刻液(磷酸，醋酸，硝酸)Stripper-剝離液：MEA+DMSO(7:3)2021-11-2GIN processABGIN sputterCVD（化學氣相沉積）Photo(涂布,曝光,顯影)Dry etchSTP(去光阻)SF6/Cl2，SiF4，SiCl42021-11-2Metal sputter（Mo/Al/Mo)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(M2濕蝕刻)DET(N+蝕刻)STP(去光阻)ABMetal 2 process2021-11-2ABCVD SiNxPhoto(涂布,曝光,顯影)DET(Pass蝕刻)STP(去光阻)Pass process2021-11-

4、2ABITO sputter (PVD)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(ITO濕蝕刻)STP(去光阻)OVN(ITO oven)ITO process2021-11-22 Array 4 mask2021-11-22021-11-23 正型正型PR成份介紹成份介紹定義定義 光刻膠(Photoresist簡稱PR)又稱光致抗蝕劑，它是一種對光敏感的有機化合物，它受紫外光曝光后，在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。作作用用 a、將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面頂層的光刻膠中； b、在后續(xù)工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2021-11-2 成份成份 樹脂20%感光劑5%溶劑75%添加劑0%P

5、AC type 成份比例樹脂感光劑溶劑添加劑樹脂樹脂感光劑感光劑溶劑溶劑添加劑添加劑粘附性、膠膜厚度粘附性、膠膜厚度曝光時間、光線強度曝光時間、光線強度賦予組合物流動性賦予組合物流動性如防止如防止PR反射等特性反射等特性2021-11-24 正型正型PR的工作原理的工作原理Esterification 2021-11-2UVN2Wolff 重組H2ONaOH(CH3)4NOHTMAH2021-11-25 PR TestTestEOPMarginThermal StabilityFilm LossStripper TestResoluti-on涂布Pre-bake曝光顯影Post-bakeStripper2021-11-2EOP TestEOP Test：將光罩上的圖案按1/1比例映射在PR上的光罩能量2021-11-2Margin TestMargin Test：不同顯影時間、軟烤溫度及軟烤時間下，PR顯影 后的CD變化2021-11-22021-11-2Thermal Stability TestThermal Stability Test：post-bask后PR形狀的變化測試2021-11-2Stripper TestStripper Test：PR的剝離時間2021-11-2Resolution TestResolution Test：能顯影出完整圖像的較