課件-第6章半導(dǎo)體器件

1、1第第6章章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)6.1 半導(dǎo)體基本知識半導(dǎo)體基本知識6.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體圖圖6-1 硅和鍺簡化原子結(jié)構(gòu)模型，它們都是四價(jià)元素，最外硅和鍺簡化原子結(jié)構(gòu)模型，它們都是四價(jià)元素，最外層軌道上都有四個(gè)階電子。層軌道上都有四個(gè)階電子。圖圖6-2 本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)示意本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)示意 圖圖6-3 本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴2 原子的電中性被破壞，呈現(xiàn)出正電性，其正電量與電子的負(fù)電量相等，原子的電中性被破壞，呈現(xiàn)出正電性，其正電量與電子的負(fù)電量相等，人們常稱呈現(xiàn)正電性的這個(gè)空位為人們常稱呈現(xiàn)正電性的這個(gè)空位為空穴空穴。 在外電場的作

2、用下在外電場的作用下,使空穴產(chǎn)生定向移動，形成使空穴產(chǎn)生定向移動，形成空穴電流空穴電流。半導(dǎo)體中存在著半導(dǎo)體中存在著兩種載流子兩種載流子：帶負(fù)電的：帶負(fù)電的自由電子自由電子和帶正電的和帶正電的空穴空穴 本征半導(dǎo)體自由電子數(shù)量很少，電阻率很大，因此導(dǎo)電能力差，本征半導(dǎo)體自由電子數(shù)量很少，電阻率很大，因此導(dǎo)電能力差，不能作半導(dǎo)體器件使用不能作半導(dǎo)體器件使用。6.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體N（Negative）型半導(dǎo)體）型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素，例如磷，可形成在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素，例如磷，可形成N（Negative）型）型半導(dǎo)體，也稱半導(dǎo)體，也稱電子型半導(dǎo)體電子型半導(dǎo)體

3、。在在N型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中自由電子（結(jié)合后多一個(gè)電子）是自由電子（結(jié)合后多一個(gè)電子）是多數(shù)載流子多數(shù)載流子 。它主要由雜質(zhì)原子提供；另外，硅晶體由于熱激發(fā)會產(chǎn)生少量的電子它主要由雜質(zhì)原子提供；另外，硅晶體由于熱激發(fā)會產(chǎn)生少量的電子空穴對，所以空穴是少數(shù)載流子。空穴對，所以空穴是少數(shù)載流子。 五價(jià)雜質(zhì)原子因失去一個(gè)電子而帶單位正電荷而成為正離子，因此五價(jià)雜質(zhì)五價(jià)雜質(zhì)原子因失去一個(gè)電子而帶單位正電荷而成為正離子，因此五價(jià)雜質(zhì)原子又稱為原子又稱為施主雜質(zhì)施主雜質(zhì)。P（Positive）型半導(dǎo)體：）型半導(dǎo)體： 在本征半導(dǎo)體中摻入在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等則形成了元素，如硼

4、、鎵、銦等則形成了P（Positive）型）型半導(dǎo)體，也稱為半導(dǎo)體，也稱為空穴型半導(dǎo)體（三電子與半導(dǎo)體結(jié)合留下一個(gè)空穴）空穴型半導(dǎo)體（三電子與半導(dǎo)體結(jié)合留下一個(gè)空穴）。 3空穴是其主要載流子空穴是其主要載流子，而電子是少數(shù)載流子。，而電子是少數(shù)載流子。 由于由于3價(jià)雜質(zhì)價(jià)雜質(zhì)原子原子可接受自由電子形成空穴，故稱為可接受自由電子形成空穴，故稱為受主雜質(zhì)受主雜質(zhì)。6.1.3 PN結(jié)及其特性結(jié)及其特性在兩種半導(dǎo)體（在兩種半導(dǎo)體（P- N）的結(jié)合面上會形成一個(gè)）的結(jié)合面上會形成一個(gè)P- N 薄層，稱為薄層，稱為PN結(jié)結(jié) 由于交界面兩側(cè)濃度相差使由于交界面兩側(cè)濃度相差使電子電子由由N 區(qū)向區(qū)向P 區(qū)擴(kuò)散

5、；區(qū)擴(kuò)散；空穴由空穴由P區(qū)向區(qū)向N區(qū)區(qū)擴(kuò)散擴(kuò)散。 在在P區(qū)和區(qū)和N區(qū)的交界處形成了區(qū)的交界處形成了方向由方向由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)區(qū)的內(nèi)電場的內(nèi)電場，在此電場的作用下，在此電場的作用下，載流子載流子將作漂移運(yùn)動，方向正好與擴(kuò)散運(yùn)動方向相反，阻止擴(kuò)散運(yùn)動將作漂移運(yùn)動，方向正好與擴(kuò)散運(yùn)動方向相反，阻止擴(kuò)散運(yùn)動 。 當(dāng)達(dá)到平衡時(shí)，擴(kuò)散運(yùn)動作用與漂移運(yùn)動作用相等，通過界面的載流子數(shù)為當(dāng)達(dá)到平衡時(shí)，擴(kuò)散運(yùn)動作用與漂移運(yùn)動作用相等，通過界面的載流子數(shù)為0，即即PN結(jié)的電流為結(jié)的電流為0。此時(shí)在。此時(shí)在PN區(qū)交界處形成一個(gè)缺少載流子的高阻區(qū)，稱為區(qū)交界處形成一個(gè)缺少載流子的高阻區(qū)，稱為耗盡層耗盡層。 PN結(jié)具

6、有下列特性：結(jié)具有下列特性：（1）單向?qū)щ娦裕﹩蜗驅(qū)щ娦?將電源將電源正正極接極接P區(qū)，區(qū)，負(fù)負(fù)極接極接N區(qū)，稱區(qū)，稱正向接法正向接法或或正向偏置正向偏置。與自建場方向。與自建場方向相反，削弱了內(nèi)電場，使耗盡層變窄，這樣相反，削弱了內(nèi)電場，使耗盡層變窄，這樣擴(kuò)散擴(kuò)散作用就會作用就會大于大于漂移漂移作用作用 。形成正向電流，其方向是由電源的正極通過形成正向電流，其方向是由電源的正極通過P區(qū)、區(qū)、N區(qū)到電源負(fù)極。此時(shí)區(qū)到電源負(fù)極。此時(shí)PN結(jié)結(jié)處于處于導(dǎo)通狀態(tài)導(dǎo)通狀態(tài) 。4反向電流很小，反向電流很小，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài) ，反向電阻值很大。反向電阻值很大。 PN結(jié)外加結(jié)外加正偏電壓正偏電

7、壓時(shí)，形成較大的正向電流，時(shí)，形成較大的正向電流，PN結(jié)呈現(xiàn)較小結(jié)呈現(xiàn)較小的正向電阻；外加的正向電阻；外加反偏電壓反偏電壓時(shí)，反向電流很小，時(shí)，反向電流很小，PN結(jié)呈現(xiàn)很大結(jié)呈現(xiàn)很大的反向電阻，這就是的反向電阻，這就是PN結(jié)的結(jié)的單向?qū)щ娞匦?。單向?qū)щ娞匦浴?（a） 外加正向電壓外加正向電壓 （b） 外加反向電壓外加反向電壓（2）反向擊穿性）反向擊穿性（3）電容性）電容性 將電源將電源正正極接極接N區(qū)，區(qū)，負(fù)負(fù)極接極接P區(qū)，稱區(qū)，稱反向接法反向接法或或反向偏置反向偏置。與自建場方向相同與自建場方向相同 ，增強(qiáng)了內(nèi)電場，使耗盡層變寬，增強(qiáng)了內(nèi)電場，使耗盡層變寬，漂移漂移作作用就會用就會大于大于擴(kuò)

8、散擴(kuò)散作用作用 ，稱為，稱為反向電流反向電流。 56.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管6.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)二極管的結(jié)構(gòu)二極管（二極管（PN結(jié)）一般分為點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三類結(jié)）一般分為點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三類 6.2.2 二極管的特性二極管的特性 二極管的二極管的伏安特性伏安特性可用可用特性曲線表示，也可用方特性曲線表示，也可用方程表示。程表示。 對對不同頻率不同頻率的信號，的信號，PN呈現(xiàn)的呈現(xiàn)的阻抗特性也不同阻抗特性也不同。 當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同，結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這就相當(dāng)電容充放電過程，呈現(xiàn)

9、這就相當(dāng)電容充放電過程，呈現(xiàn)電容效應(yīng)電容效應(yīng)。 陽極為陽極為P區(qū)，陰區(qū)，陰極為極為N區(qū)。區(qū)。6（a）硅二極管的伏安特性曲線）硅二極管的伏安特性曲線 （b）鍺二極管的伏安特性曲線）鍺二極管的伏安特性曲線 二極管的伏安特性二極管的伏安特性曲線可用下式表示曲線可用下式表示 ) 1TUUS(eII 式中式中IS 為反向飽和電流，為反向飽和電流，U 為二極管兩端的電壓降，為二極管兩端的電壓降，UT =kT/q 稱為稱為溫度的電壓當(dāng)量，溫度的電壓當(dāng)量，k為玻耳茲曼常數(shù)，為玻耳茲曼常數(shù)，q 為電子電荷量，為電子電荷量，T 為熱力學(xué)溫度。為熱力學(xué)溫度。 室溫（相當(dāng)室溫（相當(dāng)T=300 K），則有），則有UT=

10、26 mV。 導(dǎo)通電壓導(dǎo)通電壓，或稱，或稱門限門限電壓、死區(qū)電壓，電壓、死區(qū)電壓，硅管硅管的的Uon約為約為0.60.8伏，伏，鍺管鍺管的的Uon約為約為0.10.3伏。二極管加反向電壓時(shí)，伏。二極管加反向電壓時(shí)，反向電流數(shù)值很小反向電流數(shù)值很小 。反向擊穿有反向擊穿有雪崩擊穿雪崩擊穿和和齊納擊穿齊納擊穿兩種形式。兩種形式。反向電壓足夠高時(shí)反向電壓足夠高時(shí)，耗盡層內(nèi)電場很強(qiáng)，耗盡層內(nèi)電場很強(qiáng)，雪崩擊穿雪崩擊穿。 圖圖6-6 二極管的伏安特性曲線二極管的伏安特性曲線7電流過大時(shí)，電流過大時(shí)，PN結(jié)耗散功率超過允許值，導(dǎo)致結(jié)耗散功率超過允許值，導(dǎo)致PN結(jié)過熱而燒壞結(jié)過熱而燒壞 。 6.2.3 二極

11、管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù)（1）最大整流電流）最大整流電流IDM （2）最大反向工作電壓）最大反向工作電壓URM （3）最大反向電流）最大反向電流IRM （4）最高工作頻率）最高工作頻率fM 【例【例6.1】 【例【例6.2】 6.2.4 二極管的應(yīng)用二極管的應(yīng)用 1. 二極管的整流二極管的整流 【例【例6.3】 2. 限幅電路限幅電路【例【例6.4】 3. 開關(guān)電路開關(guān)電路【例【例6.5】 4. 低電壓穩(wěn)壓電路低電壓穩(wěn)壓電路發(fā)生擊穿并不意味著發(fā)生擊穿并不意味著PN結(jié)被損壞。穩(wěn)壓二極管就是利用結(jié)被損壞。穩(wěn)壓二極管就是利用PN結(jié)的擊穿特性結(jié)的擊穿特性 。 當(dāng)當(dāng)PN結(jié)兩邊結(jié)兩邊摻入高濃度的雜質(zhì)摻

12、入高濃度的雜質(zhì)，其耗盡層寬度很小，其耗盡層寬度很小，齊納擊穿齊納擊穿 8【例【例6.6】 （1）穩(wěn)壓二極管）穩(wěn)壓二極管 6.2.5 特殊二極管特殊二極管（a）伏安特性）伏安特性 （b） 符號符號 圖圖6-13 穩(wěn)壓管的應(yīng)用穩(wěn)壓管的應(yīng)用 圖圖6-12 穩(wěn)壓管的伏安特性和符號穩(wěn)壓管的伏安特性和符號 9 砷化鎵中加一些磷可發(fā)出砷化鎵中加一些磷可發(fā)出紅色光紅色光，而磷化鎵可以發(fā)出，而磷化鎵可以發(fā)出綠色光綠色光。它的開啟電壓比普通二極管的大，紅色的在它的開啟電壓比普通二極管的大，紅色的在1.6V1.8V之間，之間，綠色的約為綠色的約為2V。 發(fā)光二極管的發(fā)光顏色決定于所發(fā)光二極管的發(fā)光顏色決定于所用材料

13、，通常用元素周期表中用材料，通常用元素周期表中、族元素族元素的化合物，如砷化鎵、磷的化合物，如砷化鎵、磷化鎵等所制成的?；壍人瞥傻?。 （2）發(fā)光二極管）發(fā)光二極管 圖圖6-15 發(fā)光二極管的外形和符號發(fā)光二極管的外形和符號（a） 外形外形 （b） 符號符號（3）光電二極管）光電二極管 圖圖6-16 光電二極管符號光電二極管符號 光電二極管是用光敏感的光電二極管是用光敏感的半導(dǎo)體材料制成半導(dǎo)體材料制成 ，它的反向它的反向電流隨光照度的增加而上升。電流隨光照度的增加而上升。廣泛用于遙控、報(bào)警及光廣泛用于遙控、報(bào)警及光電傳感器之中電傳感器之中 。 10圖圖 6.18 常見的三極管外形常見的三極管

14、外形 將兩個(gè)將兩個(gè)PN結(jié)背靠背的連接起來可構(gòu)成三極管，又稱為結(jié)背靠背的連接起來可構(gòu)成三極管，又稱為晶體管或稱雙極型晶體管（也稱晶體管或稱雙極型晶體管（也稱BJT），三極管可分為），三極管可分為PNP和和NPN兩種類型兩種類型 。6.3 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管（a）NPN型硅管的結(jié)構(gòu)型硅管的結(jié)構(gòu) （b）NPN型管的型管的 （c）NPN和和PNP結(jié)結(jié) 構(gòu)示意圖構(gòu)示意圖 型管符號型管符號圖圖6-17 三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號116.3.2 三極管工作原理三極管工作原理1. 電流放大原理的實(shí)驗(yàn)電流放大原理的實(shí)驗(yàn) 常用的半導(dǎo)體材料為常用的半導(dǎo)體材料為硅硅和和鍺鍺，因此共有，因此

15、共有3A（鍺（鍺PNP）、）、3B（鍺（鍺NPN）、）、3C（硅（硅PNP）、）、3D（硅（硅NPN）四種三極管四種三極管系列系列。無特殊說明時(shí)，本書均以廣泛應(yīng)用的。無特殊說明時(shí)，本書均以廣泛應(yīng)用的硅硅NPN三極管三極管為例。為例。 無論是無論是NPN型還是型還是PNP型的三極管，型的三極管，均包含三個(gè)區(qū)均包含三個(gè)區(qū)，分別稱為分別稱為發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)、基區(qū)基區(qū)和和集電區(qū)集電區(qū)；由三個(gè)區(qū)引出的三個(gè)電極；由三個(gè)區(qū)引出的三個(gè)電極分別稱為分別稱為發(fā)射極（發(fā)射極（e）、基極（基極（b）和和集電極（集電極（c）；在三個(gè)區(qū)；在三個(gè)區(qū)的兩兩交界處形成的兩個(gè)的兩兩交界處形成的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為結(jié)分別稱為發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)

16、和和集電結(jié)集電結(jié)。圖（圖（c）符號中發(fā)射極上的箭頭方向，表示）符號中發(fā)射極上的箭頭方向，表示發(fā)射結(jié)正偏時(shí)電流發(fā)射結(jié)正偏時(shí)電流的流向。的流向。由實(shí)驗(yàn)及測量結(jié)果可以看出由實(shí)驗(yàn)及測量結(jié)果可以看出:122. 三極管實(shí)現(xiàn)電流分配的原理三極管實(shí)現(xiàn)電流分配的原理圖圖6-20 三極管外電源連接及電流分配三極管外電源連接及電流分配（1）外電源連接方法）外電源連接方法 三極管外電源要求三極管外電源要求發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)正向偏置正向偏置，集電結(jié)集電結(jié)反向偏置反向偏置連接。連接。 （2）載流子傳輸過程）載流子傳輸過程a. 發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射自由電子。發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射自由電子。b. 基區(qū)中電子的擴(kuò)散和復(fù)合基區(qū)中電子的擴(kuò)散和復(fù)合

17、c. 集電區(qū)收集電子。集電區(qū)收集電子。13（3）電流分配關(guān)系）電流分配關(guān)系 IE =IC+IB BCBCEOCIIIIIbcBCiiIIECIIecECiiII直流、交流兩種放大系數(shù)很接近，故可混用。直流、交流兩種放大系數(shù)很接近，故可混用。三極管的電流分配關(guān)系可近似表示為：三極管的電流分配關(guān)系可近似表示為： BEBCBCEIIIIIII)1 (146.3.3 三極管的特性曲線三極管的特性曲線 三極管外部的極間電壓與電流的相互關(guān)系稱為三極管的三極管外部的極間電壓與電流的相互關(guān)系稱為三極管的特性曲線特性曲線，反映了各極電流，反映了各極電流與電壓之間的關(guān)系。與電壓之間的關(guān)系。 1. 輸入特性輸入特性

18、當(dāng)電壓當(dāng)電壓UCE不變時(shí)，輸入回路的不變時(shí)，輸入回路的IB與電壓與電壓UBE之間的關(guān)系曲線稱為之間的關(guān)系曲線稱為輸入特性輸入特性 CEUBEBUfI)(輸入特性與二極管伏安特性曲線相似輸入特性與二極管伏安特性曲線相似 （a） 共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路 （b） 三極管的輸入特性三極管的輸入特性2. 輸出特性輸出特性 15輸出特性輸出特性是指是指IB一定時(shí)，輸出回路中集電極電流一定時(shí)，輸出回路中集電極電流IC與集射極電壓與集射極電壓UCE之間的關(guān)系之間的關(guān)系 BICECUfI)(圖圖6-22共發(fā)射極的輸出特性曲線共發(fā)射極的輸出特性曲線將輸出特性曲線分為三個(gè)工作區(qū)：將輸出特性曲線分為三個(gè)工作區(qū)：截止

19、區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。（1） 截止區(qū)截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏 。即即IB0的部分。的部分。IB=0為臨界截止，為臨界截止，此時(shí)此時(shí)ICICEO0， （2） 放大區(qū)：放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。此時(shí)此時(shí)IC=IB，IC的大小只受的大小只受IB的控制，的控制，三極管處于放大狀態(tài)。三極管處于放大狀態(tài)。 （3） 飽和區(qū)：飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。ICIB，三極管，三極管無放大作用。當(dāng)三極管處于深度飽和時(shí)，無放大作用。當(dāng)三極管處于深度飽和時(shí)，UCE值很?。ㄖ岛苄。║CE

20、1 V）此時(shí)的）此時(shí)的UCE稱為飽和壓降，用稱為飽和壓降，用UCE（sat）來表示，三極管的來表示，三極管的C，E兩極之間接近短路。兩極之間接近短路。 16特性曲線特性曲線隨溫度而變化：隨溫度而變化： 溫度升高時(shí)，溫度升高時(shí)，輸入特性曲線輸入特性曲線向左平移；向左平移；輸出特性曲線輸出特性曲線平行上移。平行上移。6.3.4三極管的微變等效電路三極管的微變等效電路如果輸入信號很小，可以把三極管看成是一個(gè)線性元件，即微變等效電路狀態(tài)。如果輸入信號很小，可以把三極管看成是一個(gè)線性元件，即微變等效電路狀態(tài)。（1）三極管的輸入回路）三極管的輸入回路bbeBBEbeiuiur)(26)1 (300EbeI

21、mVr（2）三極管的輸出回路）三極管的輸出回路（a）三極管）三極管 （b）三極管的微變等效電路）三極管的微變等效電路圖圖6-23 三極管的交流輸入電阻三極管的交流輸入電阻rbe176.3.5 三極管的主要參數(shù)三極管的主要參數(shù)（1）電流放大系數(shù)）電流放大系數(shù)（2）極間反向電流）極間反向電流 （3）特征頻率）特征頻率實(shí)際使用時(shí)，要保證工作頻率比特征頻率低得多三極管才能正常放大。實(shí)際使用時(shí)，要保證工作頻率比特征頻率低得多三極管才能正常放大。 （6）集電極最大允許功率）集電極最大允許功率PCM 三極管的安全工作區(qū)三極管的安全工作區(qū) 【例【例6.7】 6.3.6 復(fù)合管復(fù)合管181.復(fù)合管的結(jié)構(gòu)復(fù)合管的

22、結(jié)構(gòu)四種常見的復(fù)合管結(jié)構(gòu)四種常見的復(fù)合管結(jié)構(gòu) 2.復(fù)合管的特點(diǎn)復(fù)合管的特點(diǎn)（1）復(fù)合管的類型與組成復(fù)合管的）復(fù)合管的類型與組成復(fù)合管的第一只三極管的類型相同。第一只三極管的類型相同。（2）復(fù)合管的電流放大系數(shù)）復(fù)合管的電流放大系數(shù)近似為組成該復(fù)近似為組成該復(fù)合管的各三極管電流放大系數(shù)的乘積。合管的各三極管電流放大系數(shù)的乘積。.3216.4 場效應(yīng)管場效應(yīng)管(場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件;而晶體管是即有多數(shù)載流而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。被稱之為雙極型器件。)

23、場效應(yīng)管則是一種電壓控制器件，它是利用電場效應(yīng)來控制其電流的大小，場效應(yīng)管則是一種電壓控制器件，它是利用電場效應(yīng)來控制其電流的大小，從而實(shí)現(xiàn)放大。場效應(yīng)管工作時(shí)，內(nèi)部參與導(dǎo)電的只有多子一種載流子，因此從而實(shí)現(xiàn)放大。場效應(yīng)管工作時(shí)，內(nèi)部參與導(dǎo)電的只有多子一種載流子，因此又稱為單極性器件。又稱為單極性器件。場效應(yīng)管分為兩大類，場效應(yīng)管分為兩大類，結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管和和絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管。 196.4.1 絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管 由金屬（由金屬（Metal）、氧化物（）、氧化物（Oxide）和半導(dǎo)體（）和半導(dǎo)體（Semiconductor）材料構(gòu)成的，）材料構(gòu)成的，因此又叫因此

24、又叫MOS管。管。 絕緣柵場效應(yīng)管分為絕緣柵場效應(yīng)管分為增強(qiáng)型增強(qiáng)型和和耗盡型耗盡型兩種，每一種又包括兩種，每一種又包括N溝道溝道和和P溝道溝道兩種類型。兩種類型。 1. N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型場效應(yīng)場效應(yīng)管管（1）結(jié)構(gòu)與符號）結(jié)構(gòu)與符號N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)與符號管的結(jié)構(gòu)與符號 符號中的箭頭表示從符號中的箭頭表示從P 區(qū)（襯底）區(qū)（襯底）指向指向N 區(qū)（區(qū)（N溝道），虛線表示增強(qiáng)型。溝道），虛線表示增強(qiáng)型。（2）工作原理）工作原理如圖如圖6-29所示，形成導(dǎo)電溝道所需要所示，形成導(dǎo)電溝道所需要的最小柵源電壓的最小柵源電壓UGS，稱為開啟電壓，稱為開啟電壓UT 。 （a）UGS=0 （b）UGS0圖圖6-29 N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOS管加?xùn)旁措妷汗芗?/p>