超實用的入門資料MOS管那些事兒

1、超實用的入門資料： MOS 管那些事兒1' MOS 管的那些事兒非常好非常詳細(xì)的 MOSFET 基礎(chǔ)教程，分享一下。MOS 管的那些事兒 .ppt75 (2.5 MB)2' MOSFET 管驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié) 31MOS 管種類和結(jié)構(gòu)MOS 管導(dǎo)通特性MOS 開關(guān)管損失MOS 管驅(qū)動MOS 管應(yīng)用電路MOS 管整流 20MOS 管的開關(guān)特性 133' MOS 管為什么可以防止電源反接？ 52電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免 的。所以，我們就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接 反電源，也不會損壞的目的。一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，

2、由 于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池 供電場合，本來電池電壓就 3.7V ，你就用二極管降了 0.6V ， 使得電池使用時間大減。MOS 管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計。 現(xiàn)在的 MOS 管可以做到幾個毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是 6.5 毫歐， 通過的電流為 1A （這個電流已經(jīng)很大了） ，在他上面的壓降 只有 6.5 毫伏。由于 MOS 管越來越便宜，所以人們逐漸開始使 用 MOS 管 防電源反接了 。NMOS 管防止電源反接電路： 4' MOS 管為什么會被靜電擊穿 12mos 管一個 ESD 敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所

3、以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng) 而帶電 （少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（想想 U=Q/C） 將管子損壞 ） ，又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電 荷，容易引起靜電擊穿。 靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型， 即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短 路，或者使柵極和漏極間短路 ;二是功率型， 即金屬化薄膜鋁 條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。 JFET 管和 MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是 MOS 管的輸入電阻更高。 5' MOSFET 與 BJT 的基本特性比較 8 1）輸入電流和輸入電阻：2）輸出電壓：3）跨導(dǎo) -電流比：4）速度和噪聲：5）設(shè)計方案和

4、器件模型： . 6' MOS 管發(fā)熱原因分析 34最近參與到一款路由產(chǎn)品的硬件開發(fā)中，其中一項是客戶需要非標(biāo)準(zhǔn) POE供電，可輸出的POE供電電壓為12/24/30/48V 切換，最大輸出功率設(shè)計為24W,電路采用反激式電源方案（電源芯片MP3910,芯片廠商提供方案），在調(diào)試該部分電 路時出現(xiàn) MOS管（NMOS，SUD50N06 ）發(fā)熱嚴(yán)重，輸出電 壓非帶載時正常，帶載時（開始帶載 50%） ,MOS 管發(fā)熱嚴(yán) 重，輸出電壓被拉低7' MOSFET-集成電路中的最基本元器件以及限流開關(guān)的妙用 24傳統(tǒng)的保護(hù)方案是在 VBUS 線上串聯(lián)一個可恢復(fù)保險絲(PTC)。PTC的缺點

5、有：斷開時間慢、導(dǎo)通電阻大、過流點 不精確、環(huán)境溫度影響大?？苫謴?fù)保險絲(PTC )在經(jīng)歷過一次斷開保護(hù)或處于高溫環(huán)境下，如波峰焊后，其電阻可能 永久性的增加。與之相比，使用限流開關(guān)的方案就有許多優(yōu) 點，器件內(nèi)部集成的 MOS管是PMOS，具有比較低的導(dǎo)通 電阻，只有 80 毫歐姆左右，低的導(dǎo)通電阻有利于減小落在 器件本身的壓降，使 USB 端口輸出電壓能夠符合標(biāo)準(zhǔn)。 個人覺得 MOS 管作為集成電路中最基本的最重要的元器件， 深入理解其結(jié)構(gòu)個工作原理對學(xué)習(xí)模電和數(shù)電都有很大幫 助.https：/ 8' MOSFET 為什么會大缺貨？ 13今年以來， MOSFET 市場需求強(qiáng)勁， 一是