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1、電工學(xué)(電子技術(shù))習(xí)題答案第二部分第六版秦曾煌主編 篇一:電工學(xué)(電子技術(shù))習(xí)題答案第一部分_第六版_秦曾煌主編1 第14章 晶體管起放大作用的外部條件,發(fā)射結(jié)必須正向偏置,集電結(jié)反向偏置。 晶體管放大作用的實(shí)質(zhì)是利用晶體管工作在放大區(qū)的電流分配關(guān)系實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換。 2晶體管的電流分配關(guān)系 晶體管工作在放大區(qū)時(shí),其各極電流關(guān)系如下: ICIB IEIBIC(1)IB ICIB ICIB 3晶體管的特性曲線(xiàn)和三個(gè)工作區(qū)域 (1)晶體管的輸入特性曲線(xiàn): 晶體管的輸入特性曲線(xiàn)反映了當(dāng)UCE等于某個(gè)電壓時(shí),IB和UBE之間的關(guān)系。晶體管的輸入特性也存在一個(gè)死區(qū)電壓。當(dāng)發(fā)射結(jié)處于的正向偏壓大于死區(qū)電壓時(shí),
2、晶體管才會(huì)出現(xiàn)IB,且IB隨UBE線(xiàn)性變化。 (2)晶體管的輸出特性曲線(xiàn): IC隨UCE變化的關(guān)系曲線(xiàn)。 晶體管的輸出特性曲線(xiàn)反映當(dāng)IB為某個(gè)值時(shí),在不同的IB下, 輸出特性曲線(xiàn)是一組曲線(xiàn)。IB=0以下區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū),當(dāng)UCE比較小的區(qū)域?yàn)轱柡蛥^(qū)。輸出特性曲線(xiàn)近于水平部分為放大區(qū)。 (3)晶體管的三個(gè)區(qū)域: 晶體管的發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,晶體管工作在放大區(qū)。此時(shí),IC=Ib,IC與Ib成線(xiàn)性正比關(guān)系,對(duì)應(yīng)于曲線(xiàn)簇平行等距的部分。 晶體管發(fā)射結(jié)正偏壓小于開(kāi)啟電壓,或者反偏壓,集電結(jié)反偏壓,晶體管處于截止工作狀態(tài),對(duì)應(yīng)輸出特性曲線(xiàn)的截止區(qū)。此時(shí),IB=0,IC=ICEO。 晶體管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處
3、于正向偏置,即UCE很小時(shí),晶體管工作在飽和區(qū)。此時(shí),IC雖然很大,但I(xiàn)CIb。即晶體管處于失控狀態(tài),集電極電流IC不受輸入基極電流IB的控制。 143 典型例題 例141 二極管電路如例141圖所示,試判斷二極管是導(dǎo)通還是截止,并確定各電路的輸出電壓值。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V。 256 10V (a)(b) D1 (c)(d) 例14.1圖 1圖(a)電路中的二極管所加正偏壓為2V,大于U解:=0.7V,二極管處于導(dǎo)通狀態(tài),D 則輸出電壓U0=UAUD=2V0.7V=1.3V。 2圖(b)電路中的二極管所加反偏壓為-5V,小于UD,二極管處于截止?fàn)顟B(tài),電路中電 流為零,電阻R上的壓降
4、為零,則輸出電壓U0=-5V。 3圖(c)電路中的二極管D所加反偏壓為(-3V),二極管D2截止。二極管D1所加正2 偏壓為9V,大于UD,二極管D1處于導(dǎo)通狀態(tài)。二極管D1接在B點(diǎn)和“地”之間,則D1導(dǎo)通后將B點(diǎn)電位箝位在(-0.7V),則U0=UB=-0.7V。 4如果分別斷開(kāi)圖(d)電路中的二極管D和D,D處于正偏壓為15V,D處于正1122 偏壓為25V,都大于UD。但是,二極管D2所加正偏壓遠(yuǎn)大于D1所加正偏壓,D2優(yōu)先導(dǎo)通并將A點(diǎn)電位箝位在UA=-10V+0.7V=-9.3V, 實(shí)際上,二極管D1處于反偏壓,處于截止?fàn)顟B(tài)。則輸出電壓U0=UA=-9.3V。 例142 電路如例142
5、圖所示,已知Ui=5sin(t)(V),二極管導(dǎo)通電壓UD=07V,試畫(huà)出Ui與Uo的波形,并標(biāo)出幅值。 解:在Ui正半周,當(dāng)Ui大于37V時(shí),二極管D1處于正偏壓而導(dǎo)通,輸出電壓箝位在Uo=37V,此時(shí)的二極管D2截止。 當(dāng)Ui小于37V時(shí),二極管D1和D2均處于反偏壓而截止,輸出電壓Uo=Ui。 在Ui的負(fù)半周,當(dāng)Ui小于(-37V),二極管D2處于正偏壓而導(dǎo)通,輸出電壓 Uo=-37V,二極管D1截止。 257 當(dāng)Ui大于(-37V)時(shí),二極管D1和D2均處于反偏壓而截止,輸出電壓Uo=Ui。 t R t 例14.2圖 例14 3 電路如例143(a)圖所示,設(shè)穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U2=10
6、V,試畫(huà)出 0VUi30V范圍內(nèi)的傳輸特性曲線(xiàn)Uo=f(Ui)。 解:當(dāng)Ui10V時(shí),D2反向截止,所以Uo=-Ui;當(dāng)Ui10V時(shí),D2反向擊穿,所以 Uo=Ui1010=Ui20V。所以傳輸特性曲線(xiàn)Uo=f(Ui)如圖(b)所示。 Ui t - (a) (b) 例14.3 例144 晶體管工作在放大區(qū)時(shí),要求發(fā)射結(jié)上加正向電壓,集電結(jié)上加反向電壓。試就NPN型和PNP型兩種情況計(jì)論。 1U和U的電位哪個(gè)高?U是正還是負(fù)? CBCB 2U和U的電位哪個(gè)高?U是正還是負(fù)? BEBE 3U和U的電位哪個(gè)高?U是正還是負(fù)? CECE 解:先就NPN管來(lái)分析。 1UU, U為正。 CBCB 2UU,
7、U為正。 BEBE 3UU,U為正。 CECE 258 PNP管的各項(xiàng)結(jié)論同NPN管的各項(xiàng)結(jié)論相反。 例145 用直流電壓表測(cè)量某電路三只晶體管的三個(gè)電極對(duì)地的電壓分別如例 145圖所示。試指出每只晶體管的C、B、E極。 -2.3V-3V-0.7V5V5.7V-6V 例14.5圖 1為C級(jí),2為B極,3為E極。 解:T1管: 1為B極,2為E極,3為C極。 T2管: 1為E極,2為B極,3為C極。 T3管: 例146 在例146圖中,晶體管T1、T2、T3的三個(gè)電極上的電流分別為: 例14.6圖 1 I=0.01mA I2=2mA I3= 2.01mA 1 2 I=2mA I2= 0.02mA
8、 I3= 1.98mA 1 3 I= 3mA I2=3.03mA I3= 0.03mA 1 試指出每只晶體管的B、C、E極。 1為B級(jí),2為C極,3為E極。 解:T1管: 1為E極,2為B極,3為C極。 T2管: 1為C極,2為E極,3為B極。 T3管: 14.4 練習(xí)與思考 練習(xí)與思考14.1.1 電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電有什么區(qū)別,空穴電流是不是自由電 子遞補(bǔ)空穴所形成的? 259 答:電子導(dǎo)電是指在外電場(chǎng)的作用下,自由電子定向運(yùn)動(dòng)形成的電子電流??昭▽?dǎo)電是指在外電場(chǎng)作用下,被原子核束縛的價(jià)電子遞補(bǔ)空穴形成空穴電流。由此可見(jiàn),空穴電流不是自由電子遞補(bǔ)空穴所形成的。 練習(xí)與思考14.1.2 雜質(zhì)半
9、導(dǎo)體中的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子是怎樣產(chǎn)生的?為什么雜質(zhì)半導(dǎo)體中少數(shù)載流的子的濃度比本征載流子的濃度??? 答:雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是由摻雜產(chǎn)生的,少數(shù)載流子是由本征激發(fā)產(chǎn)生的。本征激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對(duì),其中有一種載流子和多數(shù)載流子相同,歸于多數(shù)載流子,所以少數(shù)載流子的濃度比本征載流子的濃度小。 練習(xí)與思考14.1.3N型半導(dǎo)體中的自由電子多于空穴,而P型半導(dǎo)體的空穴多于自由電子,是否N型半導(dǎo)體帶負(fù)電,而P型半導(dǎo)體帶正電? 答:整個(gè)晶體呈電中性不帶電,所以不能說(shuō)N型半導(dǎo)體帶負(fù)電和P型半導(dǎo)體帶正電。 篇二:電工學(xué)第七版電子技術(shù)下冊(cè) 秦曾煌主編 期末范圍題目及其 篇三:電工學(xué)(電子技術(shù))課后答案秦曾
10、煌 第14章 晶體管起放大作用的外部條件,發(fā)射結(jié)必須正向偏置,集電結(jié)反向偏置。 晶體管放大作用的實(shí)質(zhì)是利用晶體管工作在放大區(qū)的電流分配關(guān)系實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換。 2晶體管的電流分配關(guān)系 晶體管工作在放大區(qū)時(shí),其各極電流關(guān)系如下: ICIB IEIBIC(1)IB ICIB ICIB 3晶體管的特性曲線(xiàn)和三個(gè)工作區(qū)域 (1)晶體管的輸入特性曲線(xiàn): 晶體管的輸入特性曲線(xiàn)反映了當(dāng)UCE等于某個(gè)電壓時(shí),IB和UBE之間的關(guān)系。晶體管的輸入特性也存在一個(gè)死區(qū)電壓。當(dāng)發(fā)射結(jié)處于的正向偏壓大于死區(qū)電壓時(shí),晶體管才會(huì)出現(xiàn)IB,且IB隨UBE線(xiàn)性變化。 (2)晶體管的輸出特性曲線(xiàn): IC隨UCE變化的關(guān)系曲線(xiàn)。 晶體管
11、的輸出特性曲線(xiàn)反映當(dāng)IB為某個(gè)值時(shí),在不同的IB下, 輸出特性曲線(xiàn)是一組曲線(xiàn)。IB=0以下區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū),當(dāng)UCE比較小的區(qū)域?yàn)轱柡蛥^(qū)。輸出特性曲線(xiàn)近于水平部分為放大區(qū)。 (3)晶體管的三個(gè)區(qū)域: 晶體管的發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,晶體管工作在放大區(qū)。此時(shí),IC=Ib,IC與Ib成線(xiàn)性正比關(guān)系,對(duì)應(yīng)于曲線(xiàn)簇平行等距的部分。 晶體管發(fā)射結(jié)正偏壓小于開(kāi)啟電壓,或者反偏壓,集電結(jié)反偏壓,晶體管處于截止工作狀態(tài),對(duì)應(yīng)輸出特性曲線(xiàn)的截止區(qū)。此時(shí),IB=0,IC=ICEO。 晶體管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正向偏置,即UCE很小時(shí),晶體管工作在飽和區(qū)。此時(shí),IC雖然很大,但I(xiàn)CIb。即晶體管處于失控狀態(tài),集電極電流
12、IC不受輸入基極電流IB的控制。 143 典型例題 例141 二極管電路如例141圖所示,試判斷二極管是導(dǎo)通還是截止,并確定各電 路的輸出電壓值。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V。 256 10V (a)(b) D1 (c)(d) 例14.1圖 1圖(a)電路中的二極管所加正偏壓為2V,大于U=0.7V,二極管處于導(dǎo)通狀態(tài),解:D 則輸出電壓U0=UAUD=2V0.7V=1.3V。 2圖(b)電路中的二極管所加反偏壓為-5V,小于U,二極管處于截止?fàn)顟B(tài),電路中電D 流為零,電阻R上的壓降為零,則輸出電壓U0=-5V。 3圖(c)電路中的二極管D所加反偏壓為(-3V),二極管D2截止。二極管D1所
13、加正2 偏壓為9V,大于UD,二極管D1處于導(dǎo)通狀態(tài)。二極管D1接在B點(diǎn)和“地”之間,則D1導(dǎo)通后將B點(diǎn)電位箝位在(-0.7V),則U0=UB=-0.7V。 4如果分別斷開(kāi)圖(d)電路中的二極管D和D,D處于正偏壓為15V,D處于正1212 偏壓為25V,都大于UD。但是,二極管D2所加正偏壓遠(yuǎn)大于D1所加正偏壓,D2優(yōu)先導(dǎo) 通并將A點(diǎn)電位箝位在UA=-10V+0.7V=-9.3V, 實(shí)際上,二極管D1處于反偏壓,處于截止?fàn)顟B(tài)。則輸出電壓U0=UA=-9.3V。 例142 電路如例142圖所示,已知Ui=5sin(t)(V),二極管導(dǎo)通電壓UD=07V,試畫(huà)出Ui與Uo的波形,并標(biāo)出幅值。 解
14、:在Ui正半周,當(dāng)Ui大于37V時(shí),二極管D1處于正偏壓而導(dǎo)通,輸出電壓箝位在Uo=37V,此時(shí)的二極管D2截止。 當(dāng)Ui小于37V時(shí),二極管D1和D2均處于反偏壓而截止,輸出電壓Uo=Ui。 在Ui的負(fù)半周,當(dāng)Ui小于(-37V),二極管D2處于正偏壓而導(dǎo)通,輸出電壓 Uo=-37V,二極管D1截止。 257 當(dāng)Ui大于(-37V)時(shí),二極管D1和D2均處于反偏壓而截止,輸出電壓Uo=Ui。 t R t 例14.2圖 例14 3 電路如例143(a)圖所示,設(shè)穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓U2=10V,試畫(huà)出 0VUi30V范圍內(nèi)的傳輸特性曲線(xiàn)Uo=f(Ui)。 解:當(dāng)Ui10 V時(shí),D2反向截止,所以U
15、o=-Ui;當(dāng)Ui10V時(shí),D2反向擊穿,所以 Uo=Ui1010=Ui20V。所以傳輸特性曲線(xiàn)Uo=f(Ui)如圖(b)所示。 + Ui t - (a) (b) 例14.3 例144 晶體管工作在放大區(qū)時(shí),要求發(fā)射結(jié)上加正向電壓,集電結(jié)上加反向電壓。試就NPN型和PNP型兩種情況計(jì)論。 1U和U的電位哪個(gè)高?UCBCB是正還是負(fù)? 2U和U的電位哪個(gè)高?UBEBE是正還是負(fù)? 3U和U的電位哪個(gè)高?UCECE是正還是負(fù)? 解:先就NPN管來(lái)分析。 1UU, UCBCB為正。 2UU,UBEBE為正。 3UU,UCECE為正。 258 PNP管的各項(xiàng)結(jié)論同NPN管的各項(xiàng)結(jié)論相反。 例145 用
16、直流電壓表測(cè)量某電路三只晶體管的三個(gè)電極對(duì)地的電壓分別如例 145圖所示。試指出每只晶體管的C、B、E極。 -2.3V-3V-0.7V5V5.7V-6V 例14.5圖 1為C級(jí),2為B極,3為E極。 解:T1管: 1為B極,2為E極,3為C極。 T2管: 1為E極,2為B極,3為C極。 T3管: 例146 在例146圖中,晶體管T1、T2、T3的三個(gè)電極上的電流分別為: 例14.6圖 1 I=0.01mA I=2mA I= 2.01mA 1232 I=2mA I= 0.02mA I= 1.98mA 1233 I= 3mA I=3.03mA I= 0.03mA 123 試指出每只晶體管的B、C、E極。 1為B級(jí),2為C極,3為E極。 解:T1管: 1為E極,2為B極,3為C極。 T2管: 1為C極,2為E極,3為B極。 T3管: 14.4 練習(xí)與思考 259 答:電子導(dǎo)電是指在外電場(chǎng)的作用下,自由電子定向運(yùn)動(dòng)形成的電子電流??昭▽?dǎo) 電是指在外電場(chǎng)作用下,被原子核束縛的價(jià)電子遞補(bǔ)空穴形成空穴電流。由此可見(jiàn),空穴電流不是自由電子遞補(bǔ)空穴所形成的。 練習(xí)與思
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