電子元器件符號及說明

1、常用電子元器件參考資料第一節(jié)部分電氣圖形符號一電阻器、電容器、電感器和變壓器圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明11ywv/電阻器一般符號電感器、線圈、繞組或扼 流圖。注：符號中半圓數不得少于3個/可變電阻器或可調 電阻器帶磁芯、鐵芯的電感器滑動觸點電位器帶磁芯連續(xù)可調的電感器±LT極性電容IaaaJ (yyry雙繞組變壓器 注：可增加繞組數目可變電容器或可調 電容器繞組間有屏蔽的雙繞組變 壓器注：可增加繞組數目/ /雙聯同調可變電容 器。注：可增加同調聯數IaaaJ m在一個繞組上有抽頭的變 壓器微調電容器二.半導體管圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明二極管的符號(1)(2) +

2、JFET結型場效應 管(1) N溝道(2) P溝道發(fā)光二極管比電二極管YPNP型晶體三極管穩(wěn)壓二極管NPN型晶體三極 管TI-變容二極管全波橋式幣流器三其它電氣圖形符號圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明1具有兩個電極 的金電晶體 注：電極數目 可增加由或 丄接機殼或底板11熔斷器丄+導線的連接指示燈及信號 燈導線的不連接揚聲器動合(常開)觸點開 關TT -蜂鳴器1動斷(常閉)觸點開 關±接大地手動開關第二節(jié)常用電子元器件型號命名法及主要技術參數一.電阻器和電位器1. 電阻器和電位器的型號命名方法表1電阻器型號命名方法第一部分：主稱第二部分：材料第三部分：特征分類第四部分：序號符號意

3、義符 號意義符 號意義電阻器電位器R電阻器T碳膜1普通普通W電位器H合成膜2普通普通S有機實芯3超高頻對主稱、材 料相同，僅性能 指標、尺寸大小 有差別，但基本 不影響互換使用 的產品，給予同 一序號：若性能 指標、尺寸大小N無機實芯4高阻J金屬膜5高溫Y氧化膜6C沉積膜7精密椿密I玻璃釉膜8高壓特殊函數P硼碳膜9特殊特殊U硅碳膜G高功率X線繞T可調明顯影響互換M壓敏W微調時，則在序號后G光敏D多圈而用大寫字母作R熱敏B溫度補償用為區(qū)別代號。C溫度測量用P旁熱式W穩(wěn)壓式Z正溫度系數示例：（1）粘密金屬膜電阻器R J 7 3（精密）（金屬膜）（電阻器）（2）多圈線繞電位器W X D 31第四部分

4、：序號第三部分：類別（多圈） 第二部分：材料（線繞） 第一部分： 主稱（電位器）2. 電阻器的主要技術指標(1) 額定功率電阻器在電路中長時間連續(xù)工作不損壞，或不顯苦改變其性能所允許消耗的最大功率稱 為電阻器的額定功率。電阻器的額定功率并不是電阻掛在電路中工作時一定耍消耗的功率， 而是電陽器在電路工作中所允許消耗的最大功率。不同類型的電阻具有不同系列的額定功 率，如表2所示。表2電阻器的功率等級名稱額定功率(W)實芯電阻器0.250.51250.51261015線繞電阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜電阻器25102550100(2) 標稱阻值阻值

5、是電阻的主要參數之一，不同類型的電阻，阻值范圍不同，不同粘:度的電阻其阻值 系列亦不同。根據國家標準，常用的標稱電阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也適 用丁電位器和電容器。表3標稱值系列標稱值系列電阻器(0)、電位器(0)、電容器標稱值(PF)E24±5%1.03.08.22.0439.1E12±10%1.02.78.2E6±20%1.0表中數值再乘以10&

6、quot;,英中n為格數或負格數。(3)允許誤差等級表4電阻的精度等級允許誤差()±0.001±0.002±0.005±0.01±0.02±0.05±0.1等級符號EXYHUWB允許誤差()±0.2±0.5±1±2±5±10±20等級符號CDFGJ (I)K (II)M (HI)3. 電阻器的標志內容及方法(1) 文字符號直標法：用阿拉伯數字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，額 定功率、允許誤差等級等。符號前面的數字表示整數阻值，后面的數字依次表示

7、第一位小數 阻值和第二位小數阻值，其文字符號所表示的單位如表5所示。如1R5表示1.5Q, 2K7表 示27kd表5文字符號RKMGT表示單位歐姆(Q)歐姆(103Q)兆歐姆(10伽千兆歐姆(109Q)兆兆歐姆(1012Q)例如:RJ71-0.125-5klII1允許誤差±10%標稱阻值（5 .lkQ）額定功率1/8W 型號由標號可知，它是精密金屬膜電阻器，額定功率為1/8W,標稱阻值為5.1kG,允許誤差 為 ±10%。（2）色標法： 色標法是將電阻器的類別及主要技術參數的數值用顏色（色環(huán)或色點） 標注在它的外表而上。色標電阻（色環(huán)電阻）器可分為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)三種標法。

8、其含義 如圖1和圖2所示。標稱值第一位有效數字 標稱值第二位有效數字 標稱值有效數字后0的個數 I允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值倍率允許偏差里0010°棕11101紅22102橙33103黃44104綠55105藍66106紫77107灰88108白99109-20% +50%金10-1±5%銀10-2± 10%無色±20%圖1 兩位有效數字阻值的色環(huán)表示法三色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱電阻值（允許誤差均為±20%）。例如，色環(huán)為棕黑紅，表 示 10x102=1.0W±20% 的電阻器。四色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱值（二位有效數字）及

9、粘:度。例如，色環(huán)為棕綠橙金表示 15xlO3 = 15kn±5% 的電阻器。五色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱值（三位有效數字）及椿度。例如，色環(huán)為紅紫綠黃棕表 示 275x104=2.75MQ±1%的電阻器。一般四色環(huán)和五色環(huán)電阻器表示允許誤差的色環(huán)的特點是該環(huán)離其它環(huán)的距離較遠。較 標準的表示應是表示允許誤差的色環(huán)的寬度是其它色環(huán)的(1.52)倍。有些色環(huán)電阻器由丁廠家生產不規(guī)范，無法用上面的特征判斷，這時只能借助萬用表判 斷。r標稱值第一位有效數字廠標稱值第二位有效數字L標稱值第三位有效數字r 標稱值有效數字后0的個數I允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允

10、許偏差里00010°棕111101± 1%紅222102±2%橙333103黃444104綠53105±0.5%藍666106±0.25紫777107±0.1%灰888108白999109金10-1銀10-2圖2三位有效數字阻值的色環(huán)表示法4. 電位器的主要技術指標(1) 額定功率電位器的兩個固泄端上允許耗散的瑕大功率為電位器的額圧功率。使用屮應注意額定功 率不等丁中心抽頭與固定端的功率。(2) 標稱阻值標在產品上的名義阻值，其系列與電阻的系列類'以。(3) 允許誤差等級實測阻值與標稱阻值誤差范I羽根據不同楷度等級可允許

11、77;20%、±10%、±5%、±2%、±1% 的誤差。粘密電位器的精度可達±0.1%。(4) 阻值變化規(guī)律指阻值隨滑動片觸點旋轉角度(或滑動行程)之間的變化關系，這種變化關系可以是任 何函數形式，常用的有直線式、對數式和反轉對數式(指數式)。在使用中，克線式電位器適合丁作分床器：反轉對數式(指數式)電位器適合丁作收音 機、錄音機、電唱機、電視機中的音量控制器。維修時若找不到同類品，可用氏線式代替， 但不宜用對數式代替。對數式電位器只適合于作音調控制等。5電位器的一般標志方法二. 電容器1. 電容器型號命名法表6電容器型號命名法第一部分:主稱第

12、二部分： 材料笫三部分： 待征.分類第四部分: 序號符號義符 號總義符 號總義瓷介云母玻璃電解其他電器C瓷介1圓片|:密封箔式非密封對主稱、材料相同.僅尺 寸.性能指標略冇不同. 但基木不影響互使用的產 甜給予同一序號：若尺 "性能指標的差別明顯8 形響互換使用時則在序 號后面用大耳字母作為區(qū) 別代號Y云付2行形非密封非密封I玻璃釉3迭片密対燒結粉固體密封O玻璃膜4獨石密封燒結粉周體密封Z紙介5穿心穿心J金屈化紙6支柱B聚翠乙烯7無極性L滌綸8高壓高壓高壓Q漆膜9持殊特殊S聚碳酸脂J金屬膜H復合介質W徽調DAN鋰G介金T飲E其他示例：(1) 鋁電解電容器1第四部分：序號第三部分：特征

13、分類（箔式） 第二部分：材料（鋁）1 第一部分：主稱（電容器）（2）圓片形瓷介電容器C C 1-11第四部分：序號第三部分：特征分類（圓片） 第二部分：材料（瓷介質） 第一部分：主稱（電容器）（3）紙介金屬膜電容器C Z J X1第四部分：序號 第三部分：特征分類（金屈膜） 第二部分：材料（紙介）第一部分：主稱（電容器）2. 電容器的主要技術指標（1）電容器的耐壓： 常用固定式電容的直流工作電壓系列為:6.3V, 10V, 16V, 25V,40V, 63V, 100V, 160V, 250V, 400V。（2）電容器容許誤差等級：常見的有七個等級如表7所示。 表7容許誤差±2%&#

14、177;5%±10%±20%+20%30%+50%-20%+100% 10%級別0.2InmIVVVI（3）標稱電容就:表8固定式電容器標稱容量系列和容許誤差系列代號E24E12E6容許誤差±5% (I)或(J)±10% (II)或(K)±20% (III )或5】)標稱容量 對應值10,11,12,13,15,16,1 &20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,6&75,82,9010,12,15,18,22,27,33,39.47,56,68.8210,15,22,23,47,68注：標

15、稱電容帚:為表中數值或表中數值再乘以10",其中n為iE整數或負移數，單位為pF。 3電容器的標志方法（1）肖.標法 容最單位：F （法拉）、pF （微法）、nF （納法）、pF （皮法或微微法）。1法拉=1（/微法=10“微微法，1微法=心納法=1（/微微法1納法=1（?微微法例如：41】7 表示4.7nF或4700pF, 0.22 表示0.22pF, 51 表示51pF。有時用大于1的兩位以上的數字表示單位為pF的電容，例如101表示100 pF；用小于 1的數字表示單位為pF的電容，例如0.1表示O.lpFo(2) 數碼表示法一般用三位數字來表示容量的大小，單位為pF。前兩位為

16、有效數字， 后一位表示位率。即乘以10"為第三位數字，若第三位數字9,則乘10。如223J代表22xl03pF =22000pF=0.22pF,允許誤差為±5%： 乂如479K代表47xlO“pF,允許誤差為±5%的電容。 這種表示方法最為常見。(3) 色碼表示法 這種表示法與電阻器的色環(huán)表示法類似，顏色涂丁電容器的一端或從 頂端向引線排列。色碼一般只有三種顏色，前兩環(huán)為有效數字，第三環(huán)為位率，單位為pF。 有時色環(huán)較寬，如紅紅橙，兩個紅色環(huán)涂成一個寬的，表示22000pFo三. 電感器1. 電感器的分類常用的電感器有固疋電感器、微調電感器、色碼電感器等。變壓器、

17、阻流圈、振蕩線圈、 偏轉線圈、天線線圈、中周、繼電器以及延遲線和磁頭等，都屈電感器種類。2. 電感器的主要技術指標(1) 電感量:在沒有非線性導磁物質存在的條件下，一個載流線圈的磁通量與線圈中的電流成1E比 其比例常數稱為H感系數，用L表示，簡稱為電感。即：式中：q>=磁通量1=電流強度(2) 固有電容：線圈各層、各匝之間、繞組與底板之間都存在著分布電容。統稱為電感 器的固有電容。(3) 品質因數：電感線圈的品質因數定義為：R式中：co-T作角頻率，L 線圈電感量，R-線圈的總損耗電阻(4) 額定電流：線圈中允許通過的最大電流。(5) 線圈的損耗電阻:線圈的直流損耗電阻。2.電感器電感量

18、的標志方法(1) 氏標法。單位H (亨利)、mH (亳亨)、pH (微亨)、(2) 數碼表示法。方法與電容器的表示方法相同。(3) 色碼表示法。這種表示法也與電阻器的色標法相似，色碼一般有四種顏色，前兩種 顏色為有效數字，第三種顏色為倍率，單位為pH,第四種顏色是誤差位。四. 半導體分立器件1. 半導體分立器件的命名方法（1）我國半導體分立器件的命名法表9國產半導體分立器件型號命名法第-部分第二部分笫部分第典部分第五部分用數字表小:徘用漢語拼咅字母農小器用漢ift拼音字母用數字用漢語拼件電極的數冃件的材料和極性表示器件的類型農示器件音表示規(guī)符意義符意義符意義符童義序號格的區(qū)別號兮匕l(fā);代號2二

19、極管AN型,錯材料P普通管D低頻大功率管BP型，銘材料V微波管< fa V3MHz.CN型.硅村料W穩(wěn)斥釬PolW)DP型，硅材料C參雖管A高頻人功率骨Z幣流管(fa >3MHz3三極管APNP型，銘材料L整流堆PC>1W)BNPN tb錯材料S隧道管T半導體閘流管CPNP型，硅材料N阻尼管（可控碰整流器）DNPN硅材料U光電器件Y體效應器件E化合物材料K開關管B雪刖管X低頻小功率管J階躍恢復管(fa <3MHz.CS場效用辭件PC<1W)BT半導休特殊器件G高頻小功率管FH復合管(fa 23MHzPINPIN空汽PC<1W)JG激光器件例:1）錯材料PNP

20、型低頻大功率三極管：3 A D 50 CI規(guī)格號序號低頻大功率PNP型、錯材料 三極管3）N型硅材料穩(wěn)床二極管：2）硅材料NPN型高頻小功率三極管:D G 201 B4）單結晶體管:規(guī)格號序號低頻大功率PNP熨、錯材料三極管259#序號穩(wěn)壓管N型、硅材料二極管（2）國際電子聯合會半導體器件命需法表10國際電子聯合會半導體器件型號命名法分 部 第分 部 一 一 第分 部 三 第義 意號 符義 意義 意義義 意0SAM三位數字半件序一件一 > 用器記同器同號 通體登型用記 導的號類使仔A B c D E -一器某數分標 同號按參行的 型件一進檔志BPBL1JCQD1昨RESF1跡T一個字母加

21、兩位數字專用半 導體器件 的登記序 號（同一 類型器件 使用同一 登記號）kJsGUH管 極 敏X符 極 増 倍REKYLZ管 k.納 齊示例（命名）:A F 239 SAF239型某一參數的S檔 普通用皆記序號高頻小功率三極管錯材料國際電子聯合會晶體管型號命名法的特點:1）這種命幺法被歐洲許多國家釆用。因此，凡型號以兩個字母開頭，并I.第一個字母 是A, B, C, D或R的聶體管，大都是歐洲制造的產晶，或是按歐洲某一廠家專利生產的產品2）第一個字母表示材料（A表示錯管，B表示硅管），但不表示極性（NPN型或PNP 型）。3）第二個字母表示器件的類別和主耍特點。如C表示低頻小功率管，D表示低

22、頻大功 率管，F表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。若記住了這些字母的意義，不査手 冊也可以判斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。4）第三部分表示直記順序號。三位數字者為通用品：一個字母加兩位數字者為專用品, 順序號和鄰的兩個型號的特性可能和差很人。例如，AC 184為PNP型，而AC 185則為NPN 型。5）第四部分字母表示同一型號的某一參數（如hpE或Nf）進行分檔。6）型號中的符號均不反映器件的極性（指NPN或PNP）O極性的確泄需査閱手冊或測 F1.叫（3）美國半導體器件型號命名法美國晶體管或苴它半導體器件的型號命名法較混亂。這世介紹的是美國晶體管標準烈號

23、 命名法，即美國電子T業(yè)協會（EIA）規(guī)定的晶體管分立器件世號的命名法。如表11所示。表11美國電子工業(yè)協會半導體器件型號命名法分 部 第分 部符符符義盤符義 盤符義 恿JAN町品 用 軍IA極 N件國業(yè)冊 器矣工注 該在子會記 已電協護多位數字1A B c D -同一 型號的 不同檔 別2管 極 三無S3PN件 I;nnz結例:2) 1N40011 N 4001EIA沓記序號EIA注冊標志二極管1）JAN2N2904JAN 2 N 2904I1 EIA皆記序號EIA注冊標志I三極管軍用品美國晶體管型號命乞法的特點：1）型號命塔法規(guī)定較早，乂未作過改進，型號內容很不完備。例如，對丁材料、極性、

24、 主要特性和類型，任型號屮不能反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能 是場效應管。因此，仍有一些廠家按Fl己規(guī)定的型號命名法命名。2）組成型號的第一部分是前綴，第五部分是后綴，中間的三部分為型號的基本部分。3）除去前綴以外，凡型號以IN、2N或3N開頭的晶體管分立器件，大都是美國制 造的，或按美國專利在其它國家制造的產品。4）第四部分數字只表示纟記序號，而不含其它意義。因此，序號相鄰的兩器件可能特 性相差很人。例如，2N3464為硅NPN,離頻大功率管，而2N3465為N溝道場效應管。5）不同廠家生產的性能基本一致的器件，都使用同一個直記號。同一型號中某些參數 的差異常用后綴字母

25、表示。因此，型號相同的器件可以通用。6）修記序號數犬的通常是近期產品。（4）LJ本半導體器件型號命名法LI本半導體分立器件（包括晶體管）或其它國家按II本專利生產的這類器件，都是按LI 本工業(yè)標準（JIS）規(guī)定的命名法（JIS-C-702）命名的。LI本半導體分立器件的型號，由五至七部分組成。通常只用到前五部分。前五部分符號及意義如表12所示。第六、七部分的符號及意義通常是各公司門行規(guī)定的。笫八部分的符 號表示特殊的用途及特性，其常用的符號有：M松下公司用來表示該器件符合II本防衛(wèi)廳海上|衛(wèi)隊參謀部有關標準進記的產品。N松下公司用來表示該器件符合LI本廣播協會（NHK）有關標準的直記產品。Z松

26、下公司用來表示專用通信用的可靠性島的器件。HH立公司用來表示專為通信用的可壽性高的器件。K-II立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。TH立公司用來表示收發(fā)報機用的推薦產品。G東芝公司用來表示專為通信用的設備制造的器件。S三洋公司用來表示專為通信設備制造的器件。第七部分的符號，常被用來作為器件某個參數的分檔標志。例如，三菱公司常用R, G, Y等字母；H立公司常用A, B, C, D等字母，作為直流放大系數1】fe的分檔標志。表12日本半導體器件型號命名法第一部分第二部分第三部分第卩U部分第五部分川數7表示類型 或有效電極數S表示日本電子工 業(yè)協會（EIAJ）的 注冊產品用字母衣

27、示器件 的極性及類空用數7衣示在L1 本電子工業(yè)協會 登記的順序號用？母衣示 對原來熨號 的改進產品符 號盤義符 號意義符 號意義符 號總義符 號意義0光電（即光敏） 二極管、晶體 管及其組合 管S表示已在H 本電子丄業(yè)協 會（EIAJ）注冊 登記的半導體 分立器件APNP世高頻管四位以上的數字從11開 始，表示在 日本電子工 業(yè)協會注冊 登記的順序 號，不同公 司性能相同 的器件可以 使用同一順 序號其數 字越大越是 近期產品:F E D C B A用字母 表示對原 來熨號的 改進產品BPNP犁低頻管CNPN型高頻管DNPN些低頻管1二極管FP控制極可控硅2三極管、具有 兩個以上PN 結的其

28、他晶 體管GN控制極可控硅HN壟極單結帖體管JP溝道場效應管KN溝道場效應管3 貝有四個有 效電極或具 有三個PN結 的品體管M雙向可控硅n1口冇11個冇效 電極或具有 n-1個PN結 的晶體管示例：1）2SC502A （日本收音機中常用的中頻放大管）2SC502型的改進產品II本電子丁業(yè)協會竊記順序號NPN型高頻三極管11本電子工業(yè)協會注冊產品三極管（兩個PN結）2） 2SA495 （日本夏普公司GF-9494收錄機用小功率管）2 S A 495I 日本電子工業(yè)協會登記順序號PNP高頻管 日木電子工業(yè)協會注冊產品三極管（兩個PN結）日本半導體器件型號命名法有如下特點：1）型號中的第一部分是數

29、字，表示器件的類烈和有效電極數。例如，用“1”表示二極 管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。2）第二部分均為字母S,表示H木電子工業(yè)協會注冊產品，而不表示材料和極性。3）第三部分表示極性和類熨。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場效應三 極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。4）第四部分只表示在H本工業(yè)協會（EIAJ）注冊登記的順序號，并不反映器件的性能, 順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為 200mW,而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，甥記順序號能反映產品時間的先 后。登記順序號

30、的數字越大，越是近期產品。5）第六、七兩部分的符號和意義各公司不完全相同。6）I I本有些半導體分立器件的外殼上標記的型號，常采用簡化標記的方法，即把2S省 略。例如，2SD764,簡化為D764, 2SC502A簡化為C502A。7）在低頻管（2SB和2SD型）中,也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻 率許為1 OOMHz,所以，它們也可當高頻管用。8）H本通常把Pcm>lW的管子，稱做大功率管。2. 常用半導體二極管的主要參數表13部分半導體二極管的參數類 型最大 整流 電流 /mA正向 電流 /iuA正向壓 降（在左 欄電流 值下）/V反向 擊穿 電斥 /V最高反 向

31、工作 電ffi/v?零偏 壓電 容/pF反向恢復 時間/ns檢波 二極管2AP9S16>2.5<1>4020<250<1502AP7251501002APU<25>10<10<250<102AP17S15nioS100鎬開關二極n2AK1勿503010<3<2002AK240202AK5>200<0.96040<2<1502AK1O>10<17050<2<1502AK13>250<0.760402AK147050硅開關二極管2CK7OA-E>10<0.

32、8A>30B>45C>60D>75E>90A>20B>30C>40D>50E>60<1.5<32CK71A-E>20<42CK72AE>30<1S52CK73A-E>50<12CK74AD>1002CK75AD>1502CK76AD>200類 型汽垠大 整流 電流 /mA正向 電流 /mA正向壓 降（在左 欄電流 值下）/V向穿爪 反擊電/V一垠高反 向工作 電壓/VF零偏 壓電 容/PF反向恢復時間/ns2CZ52BH20.1S125600同2AP嗆1 '極

33、管2CZ53B M60.3<15010002CZ54B M100.5<150- 10002CZ55B M2015010002CZ56B B653<0.825 10001N4001 40073011.150 100051N5391 5399501.51.450 1000101N54OO 540820031.250 1000103常用整流橋的主要參數表14幾種單相橋式整流器的參數型號不重復正向浪涌電流/A整流 電流/A正向電 壓降/V反向漏 電/pA反向工作電壓/V作 結溫化QL110.05<1.2<10常見的分檔為:25,50. 100> 200. 40050

34、0t 600, 700 800900 1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL7402<15QL86034常用穩(wěn)壓二極管的主要參數表15部分穩(wěn)壓二極管的主要參數79試條件工作電流為 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電 壓下環(huán)境溫度<50°C穩(wěn)定電 流下穩(wěn)定電流下環(huán)境汩度<10°C型號穩(wěn)定電壓 /V穩(wěn)定電i)S/niA垠大穩(wěn)定 電流/mA反向漏電 流動態(tài)電 WQ電壓溫度系 Sc/i oVc最人耗散 功率/W2CW512.53.571<5<60>-92CW52324555<2<70>-82CW534-5.841

35、<1<50642CW545.5 6.51038<303、50.252CW567-8.827<15<72CW578.59.826<0.5<20S82CW5910-11.820<30<92CW6011.5-12.5519<40S92CW1034-5.850165<1<20672CW11011.5-12.52076<0.5<20二 912CW11316-191052<0.5<40<112CW1A530240<2012CW6C153070<812CW7C6.06.51030<100.

36、050.25常用半導體三極管的主要參數(1) 3AX51(3AX31)m PNP型錯低頻小功率三極管表163AX51(3AX31)型半導體三極管的參數原型號3AX31測試條件新型號3AX51A3AX51B3AX51C3AX51D極 限 參 數P cM(niW)100100100100Ta=25°CIcm(hiA)100100100100TM°C)75757575BVcbo(V)>30>30>30>30Ic=luiABVceoCV)212212218>24Ic=lniAIcBo(pA)<12<12<12<12VCB = -

37、10VIceo(RA)S500S500£300S300Vce=6VIebo(S)<12<12<12<12Veb = -6VhfE40-15040-15030-10025-70VCE=-1V Ic = 50mA交流參數仏(kHz)>500>500>500>500Vcb=-6V IE=lmANKdB)<8Vcb=-2V IE=0.5inA f=lkHzhie(kQ)0.64.5Vcd=-6V 1匕一1mA f=lkHzMIO)<2.2<2.2<2.2<2.2Mms)<8

38、0<80<80<80l*c色標分檔(紅)2560；(綠)50100；(藍)90-150管腳E©c(2) 3AX81型PNP型鈕低頻小功率三極管表17 3AX81型PNP型錯低頻小功率三極管的參數熨號3AX81A3AX81B測試條件極限 參數PCM(mW)200200IcMmA)200200TpfC)7575BVg(V)2030Ic = 4niABVceo(V)-10-15Ic=4niAbvebo(v)-7-10IE=4mA直流 參數Sbo(PA)<30<15Vcb = -6VGoA)SI 000S700Vce=-6VIebo(MA)<30<1

39、5Veb = -6VVBE3(V)<0.6<0.6VCE=-1V Ic= 175mAVg(V)<0.65<0.65Vce=Vbe Vcb=0 Ic=200mA咕40-27040270Vce=1V Ic=175inA交流 參數fp(kHz)>6>8Vcb = 6V IE=10mAhra色標分檔(黃)4055 (綠)55-80 (藍)80120 (紫)120780 (灰)180270 (白)270700管腳(3) 3BX31型NPN型錯低頻小功率三極管表18 3BX31型NPN型錯低頻小功率三極管的參數型號3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C測試條件

40、極限 參數PcM(mW)125125125125Ta-25°CIoi(uiA)125125125125Wc)75757575BVceo(V)-15-20-30-40IcFmABVg(V)6-12-18-24Ic = 2mAbvebo(v)-6-10-10-10lE=lmA流數 亶參Icbo(MA)<25<20<12<6Vcb = 6V】CEO(卩A)<1000<800<600<400Vce=6VIebo(S)<25<20<12<6Veb=6VVBE3(V)<0.6<0.6<0.6<0.6V

41、CZ=6V Ic= 100mAVCES(V)<0.65<0.65<0.65<0.65Vc£=Vbe Vcb = 0 Ic= 125111A80-400407804018040-180VCE= IV Ic=100niA交流 參數fkHz)-Sfa>465Vcb=-6V IE=10mAh韭色標分檔(黃)40-55 (綠)55-80 (藍)80-120 (紫)120-180 (灰)180-270 (白)270700管腳eO3DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管表193DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管的參數原型號3DG6測試條件新

42、型號3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D極 限參數PoAmW)100100100100IcMmA)20202020BVcboCV 丄>30>40>30>40Ic=100pABVceo(V 丄>20A30A20A30Ic=100pAbvEB0(v )>4>4>4>4IE= 100pA直 流參 數IcBo(pA)<0.01<0.01<0.01<0.01VCB=10VIcro(S)<0.1S0.1S0.1<0.1Vce=10VIebo(SJ<0.01<0.01<0.01&l

43、t;0.01Veb=1.5VVbes(V)<1<1<1<1Ic=10mA IB=lmAVcesCV)<1<1<1<1Ic=10mA IB=linAhft>30>30>30>30Vce=10V Ic = 3mA交流參數fr(MHz)>150>150>300>300VCB =10V IE = 3mA f= 100MHz &, = 5QKp(dB)>7>7>7>7Vcb = -6V h = 3mA f=100MHzCob(pF)<4<4<4<4Vcb

44、=10V IE = 011止色標分檔(紅)30-60 (綠)50-110 (藍)90-160 (白)>150管腳BE盪(5) 3DG130(3DG12)型NPN型硅高頻小功率三極管表20 3DG130(3DG12)型NPN型硅高頻小功率三極管的參數糧 原條 試 測型 新極限參數700700007007003300003003V(Vv7B40 >-60 >-40 >-60 >-A OOM 1-Ic(V BVo3 >一45 >-30 >一45 >-(Vv7B4 Al4 Al4 Al4 AlrL流參數)/250. <-5 o <-5

45、o <-.5 <-VCBMA1 <-1<-1<-1< 一5 0 <-5 o <-5 o <-5 o <-V5 A-VEBEs( ,B1<一1<一1V 一1<0mA IB=60 <-6 <-60 <-6 0 s0111A 1 - IBo3 >一30 >一30 >-30 >-0111A 5 IVCE交流>數o511 Al5011 Al003 Al003 AlomAfmB) d Kp(6 >-6 >-6 >-6 >-VCB=17 a cobo1 <

46、;-o1<-o1<-o1 <-o =50 (rl腳管E(5) 9011-9018塑封硅三極管表2190119018塑封硅三極管的參數型號(3DG)9011(3CX) 9012(3DX) 9013(3DG) 9014(3CG) 9015(3DG) 9016(3DG) 9018極 限 參 數PcM(mW)200300300300300200200Icm(iuA)203003001001002520BVeo(V)20202025252530BVceoCV)18181820202020BVoCV)555444417流參數IcBO(pA)0.050.050.050.05IcEo(pA)0.10.5【EBO(卩A)0.010.50,50.050.050.050.05VCTS(V)0.35VBE3(V)111111hn30303030303030Z流笏數fKMHz)1008080500600C°b(pF)3.52.541.64Kp(dB)1011韭色標分檔(紅)30 60 (綠)50 110 (藍)90160 (白)>150管腳EBC6.常用場效應管主耍參數表22常用場效應三極管主要