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文檔簡介
1、電磁場與電磁波復(fù)習(xí)第一部分知識點(diǎn)歸納第一章矢量分析1三種常用的坐標(biāo)系(1)直角坐標(biāo)系dSx二dydz微分線兀:dR 二 axdx ay dy az dz 面積元:dSy 二dxdz ,d = dxdydz|dSz =dxdy(2 )柱坐標(biāo)系'dlr = drdSr = dl qdl z = rd ®dz長度元: dl申=rd ® , 面積元 < dS = dlrdlz = drdz體積元:di = rdrd®dzdlz=dz、dSz = dlqdlz = rdrdz(3 )球坐標(biāo)系dlr =drdSr = dlqdl = r2 sinTdTd
2、4;長度元:* dlg = rd日 ,面積元:* dSg = dl r dl半=r si n Tdrd ®,體積元:dl = rsind®,dS = dlrdl日=rdrd 日d 二 r2 sindrd M2、三種坐標(biāo)系的坐標(biāo)變量之間的關(guān)系(1 )直角坐標(biāo)系與柱坐標(biāo)系的關(guān)系Ircos 護(hù) r=W2+y2y =rsin=arctan丄z = zz =z %(2 )直角坐標(biāo)系與球坐標(biāo)系的關(guān)系'2 , 2,2x = r si n Geos®<y =rsin日sinB =z = r cos日r = . x y - zz=arccosJx2+y2+z2巾y二
3、arcta nzr = . r2 z2z(3)柱坐標(biāo)系與球坐標(biāo)系的關(guān)系r =rsin 日、r2 z2二 ,arccos3、梯度(1 )直角坐標(biāo)系中:grad='二 axz = r cos -T刖 T出+ ay +az x :y:z(2)柱坐標(biāo)系中:TZgradar aaz 一_rr - z-2 -(3)球坐標(biāo)系中: 1 " > grad=ar aa .:cr燈r點(diǎn)日 r sin日群4散度(1 )直角坐標(biāo)系中:divA 二 x .zx;y(2) 柱坐標(biāo)系中: 1 :div A(rAr)r a(3) 球坐標(biāo)系中:divA = ;(r2AJ1(s in g1 A-'亠
4、rsin日旳砂rsinT汐$A d S - Ad二div Ad ,意義為:任意矢量場XXT5、高斯散度定理:.zA : :Az 汐 &TA的散度在場中任意體積內(nèi)的體積分等于矢量場 A在限定該體積的閉合面上的通量。6,旋度(1)直角坐標(biāo)系中:Tax;xAxTaya-yTaz:zAz(2)柱坐標(biāo)系中:TTTarracpazVx A1=8rdrArrA(pAz(3)球坐攻標(biāo)系中:Ay 1'、A = 2 1 .r sin。Tar:rAfra,胡rA.T r sin 6 a(pr sinAcp兩個(gè)重要性質(zhì):矢量場旋度的散度恒為零,'上 A=0標(biāo)量場梯度的旋度恒為零,7、斯托克斯公
5、式:/記打 A d S-4 -第二章 靜電場和恒定電場1、靜電場是由空間靜止電荷產(chǎn)生的一種發(fā)散場。描述靜電場的基本變量是電場強(qiáng)度E、電12位移矢量D和電位:。電場強(qiáng)度與電位的關(guān)系為:E。8.854 10 F/m2、電場分布有點(diǎn)電荷分布、體電荷分布、面電荷分布和線電荷分布。其電場強(qiáng)度和電位的 計(jì)算公式如下:(1)點(diǎn)電荷分布T qk Rkt 1 NE 二34 : =0 k 4 Rk(2)體電荷分布P(r')(U)dv'申5F" q八(右),告c4: ip k 4Rk4: z- 0 kJ RkE匚4二;0(r )dv4二;°(3)面電荷分布:(r')(/-
6、r')dS14 二;°s(r')dS' C(4)線電荷分布Pl(r')(-r)dl3T Tr r沁)d| c3、介質(zhì)中和真空中靜電場的基本方程分別為RdS-q,(積分形式)_表示皀T介質(zhì)中的高斯定理(q為s面內(nèi)的總源電荷和S面內(nèi)的總極化電荷之和)I D =代r)(微分形式)f T T口 /、CE d 1 =0,(積分形式)表示意義,安培環(huán)路定理,說明靜電場是一種發(fā)散場,也是保守場。 燈漢E=0(微分形式)冷EdS=:Z qi.(積分形式)S;0 i 三、 pE ='(微分形式,二為體電荷密度) I奄表示意義真空中的高斯定理在線性、各向同性介質(zhì)中
7、,本構(gòu)方程為:TT T TTD - 0 EP - ; E - 0 r E4、電介質(zhì)的極化(1) 極化介質(zhì)體積內(nèi)的極化體電荷密度為:二-' 卩(P極化強(qiáng)度矢量)。(2) 介質(zhì)表面的極化面電荷密度為:pS = P n(n為表面的單位法向量矢 量)5、在均勻介質(zhì)中,電位滿足的微分方程為泊松方程和拉普拉斯方程,即2_(有源區(qū)域 ,$進(jìn)=0(無源區(qū)域)Z6、介質(zhì)分界面上的邊界條件(1 )分界面上 Dn的邊界條件D1n - D2nT T Tn (Di - D2)=(:S為分界面上的自由電荷面密度),當(dāng)分界面上沒有 自由電荷時(shí),則有:rtT T T TTD1n =D2n即n D1 = n Q2,它給
8、出了 D的法向分量在 介質(zhì)分界面兩側(cè)的關(guān)系:nT D1D1n客17名2| hD2n分界面上D的邊界條件n(I)如果介質(zhì)分界面上無自由電荷,則分界面兩側(cè)D的法向分量連續(xù);-7 -# -(II)如果介質(zhì)分界面上分布電荷密度"s, D的法向分量從介質(zhì)1跨過分界面進(jìn)入介質(zhì)-# -時(shí)將有一增量,這個(gè)增量等于分界面上的面電荷密度亠。. 1. 2用電位表示:-V 一,2 - - =S和M cncn(2)分界面上Et的邊界條件(切向分量)T T T T , T Tn E = n E或 E1t =: E2t,電場強(qiáng)度的切向分量在不同的分界面上總是連續(xù)的。由于電場的切向分量在分界面上總連續(xù),法向分量有限
9、,故在分界面上的電位函數(shù)連續(xù),即一2。j:J1 :nhJ:=0)電力線折射定律:tan 円 _ “tanr2;27、靜電場能量(1)靜電荷系統(tǒng)的總能量_ 1-2=丄22n1,巳/-1< 1tJf1l E2 L k兇©E2t分界面上Et的邊界條件體電荷:面電荷:線電荷:We.I :T:Jdl。-# -1(2)導(dǎo)體系統(tǒng)的總能量為:We =丄qk 在任何情況下,總靜電能可由2 k一點(diǎn)的能量密度為:一 D e = 1 ;E2J /m32 2(3 )能量密度靜電能是以電場的形式存在于空間,而不是以電荷或電位的形式存在于空間中的。場中任意v;E2d來計(jì)算。8、恒定電場存在于導(dǎo)電媒質(zhì)中由外加
10、電源維持。描述恒定電場特性的基本變量為電場強(qiáng)度TfffE和電流密度J,且J E。二為媒質(zhì)的電導(dǎo)率。(1)恒定電場的基本方程電流連續(xù)性方程:積分形式:Jd S - _ q微分形式:I J二-二或I .j'.= =0 I.ct&恒定電流場中的電荷分布和電流分布是恒定的。場中任一點(diǎn)和任一閉合面內(nèi)都不能有電荷的增減,即 出=0和0。因此,電流連續(xù)性方程變?yōu)椋?dS = 0和I J = 0,再加上actscE'd丨0和' E=o,這變分別是恒定電場基本方程的積分形式和微分形式。(2) 恒定電場的邊界條件、TTTT T、TTT(1)J1n = J2n 或 n (Ji-J2)
11、=0,(2)Eit = E 2t 或 n (E1 E2t - 0T T應(yīng)用歐姆定律可得:rE1n -;2E2n和土二且。°2此外,恒定電場的焦耳損耗功率密度為p -;E2,儲能密度為e第四章1、磁場的特性由磁感應(yīng)強(qiáng)度B和磁場強(qiáng)度(真空磁導(dǎo)率:卩0 =4兀 xIOH /m,)恒定磁場H來描述,真空中磁感應(yīng)強(qiáng)度的計(jì)算公式為:(1)線電流:>0 Id laRB =R2主 Idl'(rlr')4二丨3t rr -r(2)面電流:T T乍_ Jo Js (r -r )4二"3 dST Tr r(3)體電流:. T T0 J aRB - 廠 d .4 二 R2T
12、T T-oJ (r -r 幾d .4 7: '-9 -# -2、恒定磁場的基本方程(1)真空中恒定磁場的基本方程為:A、磁通連續(xù)性方程:丿積分形式:,d S = 0, b、真空中安培環(huán)路定理:.微分形式:I B =0積分形式:忖心尸=巴1微分形式:I B = Jo J(2) 磁介質(zhì)中恒定磁場的基本方程為:A、磁通連續(xù)性方程仍然滿足:積分形式:qB,dS=oB、磁介質(zhì)中安培環(huán)路定理:.微分形式:' B = 0 積分形式:叩H d丨=1 微分形式:' H二J-# -C、磁性媒質(zhì)的本構(gòu)方程:B rH-M ,其中M為磁化強(qiáng)度矢量)。卩。恒定磁場是一種漩渦場,因此一般不能用一個(gè)標(biāo)
13、量函數(shù)的梯度來描述。3、磁介質(zhì)的磁化 磁介質(zhì)在磁場中被磁化, 其結(jié)果是磁介質(zhì)內(nèi)部出現(xiàn)凈磁矩或宏觀磁化電流。程度用磁化強(qiáng)度M表示。磁介質(zhì)的磁化八M ;J ms = M n(其中,n為表面的單位法向量矢 量)T矢量A為矢量磁位。在庫侖規(guī)范條件(' A=0 )下,場與源的關(guān)系方程為:i2A-jj(有源區(qū))12a' = 0(無源區(qū)) 對于分布型的矢量磁位計(jì)算公式:Id I (2)面電流:A="R(1 )磁介質(zhì)中的束縛體電流密度為:Jm(2)磁介質(zhì)表面上的束縛面電流密度為:4、恒定磁場的矢量磁位為:BA,T(1)線電流:a= J4兀5、恒定磁場的邊界條件(1 )分界面上Bn的邊
14、界條件 在兩種磁介質(zhì)的分界面上,取一個(gè)跨過分界面 兩側(cè)的小扁狀閉合柱面(高h(yuǎn) >0為無窮小量),如右圖所示,應(yīng)用磁通連續(xù)性方程可得:T T T TT T,B S =呂 n dS - B2 n dS = 0于是有:n (B2-B1)=0或 B1n 二 B2n(2)分界面上Ht (切向分量)的邊界條件:(H.'-H;) =Js',如果分界面上無源表面電流(即 Js =° ),貝V 衣(Ht_Ht) =0 即 H1t或H1Sing磁力線折射定律:色口 1ta n 日2#2用矢量磁位表示的邊界條件為:A)tJsdSR(3)體電流:a=上Jd_ 4兀上R-j- CA2)t
15、 = J S26、電感的計(jì)算(1 )外自感:l 0 二違.dl0 d l ',( 2)互感:0 I 4兀地 R(3)內(nèi)自感:單位長度的圓截面導(dǎo)線的內(nèi)自感為:M 12 = M 21自感為l =匕)。8 二7、磁場的能量和能量密度(1)磁場的總能量磁介質(zhì)中,載流回路系統(tǒng)的總磁場能量為:1Wm f Mjlk2 j±k±(3)磁場能量密度A、任意磁介質(zhì)中:'|h B,此時(shí)磁場總能量可以由 WmJ0n1 n2d l1 d l24- h 化 Rl的一段圓截面導(dǎo)線的內(nèi)iB H計(jì)算出;-11 -在各向同性,線性磁介質(zhì)中:皿=丄,孑=丄卩,此時(shí)磁場總能量可以由 m 2 2Wm
16、1、法拉第電磁感應(yīng)定律(1)感應(yīng)電動(dòng)勢為:第五早時(shí)變電磁場d:dT ;>、:B 、E d ld STB微分形式: E=BIct它說明時(shí)變的磁場將激勵(lì)電場,而且這種感應(yīng)電場是一種旋渦場,即感應(yīng)電場不再是保T守場,感應(yīng)電場 E在時(shí)變磁場中的閉合曲線上的線積分等于閉合曲線圍成的面上磁通 的負(fù)變化率。2、麥克斯韋位移電流假說按照麥克斯韋提出的位移電流假說,(2)法拉第電磁感應(yīng)定律積分形式:密度,稱為位移電流密度,即TJd電位移矢量對時(shí)間的變化率可視為一種廣義的電流T:D。位移電流一樣可以激勵(lì)磁場,從而可以得出:t時(shí)變場中的安培環(huán)路定律積分形式:jH d=o(J微分形式:J AD ) dSa-12
17、 -'D (1)H d I = sJ -) dSB iEdI s胃 dST T(3) aB mo(4) °SDdS = q3、麥克斯韋方程組J空;:t(1) 微分形式、B ( 2 )積分形式I E二t(3) B=0(4) 、D(3) 非限定形式的麥克斯韋方程組在線性和各向同性的介質(zhì)中,有媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系:D = ;E = ;0訃E, B =H = "0叫H , J c = ; 丁 E,由此可得非限定形式的麥克斯韋方程組:r'Tl T T cE(1)Nhh =J十名ct(3) V 縣H =0(4) ;E(4) 麥克斯韋方程組的實(shí)質(zhì)A、第一方程:時(shí)變電磁場中的安培
18、環(huán)路定律。物理意義:磁場是由電流和時(shí)變的電場 激勵(lì)的。B、第二方程:法拉第電磁感應(yīng)定律。物理意義:說明了時(shí)變的磁場激勵(lì)電場的這一事 實(shí)。C、第三方程:時(shí)變電場的磁通連續(xù)性方程。物理意義:說明了磁場是一個(gè)旋渦場。D、第四方程:高斯定律。物理意義:時(shí)變電磁場中的發(fā)散電場分量是由電荷激勵(lì)的。 思考題:麥克斯韋方程中為什么沒有寫進(jìn)電流連續(xù)性方程?答:因?yàn)樗梢杂晌⒎中问降姆匠探M中 、式兩式導(dǎo)出。把式兩邊同時(shí)取散度得 (I H) (Z 巴一、'、J 巴=03由于矢量的旋度的散度恒等于零,故得&,再把式代入上式,即得I .J.工 =0,這便是電流連續(xù)性方程。&4、分界面上的邊界條件
19、(1)法向分量的邊界條件T T TT T Ta、D的邊界條件n (D!-。?)',若分界面上S =0,則n (D!-D2)=0b、B,的邊界條件T T Tn (Br _ B2) = 0-13 -(2) 切向分量的邊界條件E 的邊界條件TTTTTTTTb、H的邊界條件 n (Hi-H2)=Js,若分界面上 Js =0,貝y n (Hi-H2)=0(3)理想導(dǎo)體(廠-:)表面的邊界條件r' TTTTT(1) nxH =JsU Ht =JsT TT(2) n匯 E=0 二 Et =0,(3) n B =0w Bn =0;?STTPS n E= EnT式中n是導(dǎo)體表面法線方向的單位矢量
20、。上述邊界條件說明:在理想導(dǎo)體與空氣的分界面上,如果導(dǎo) 體表面上分布有電荷,則在導(dǎo)體表面上有電場的法向分量,則由上式中的式?jīng)Q定,導(dǎo)體表面上電場的切向分量總為零;導(dǎo)體表面上磁場的法向分量總為零,如果導(dǎo)體表面上分布有電流,則在導(dǎo)體表面 上有磁場的切向分量,則由上式中的 決定。5、波動(dòng)方程T TTf2 HT r E無源區(qū)域內(nèi),E、h'的波動(dòng)方程分別為:、2H 2 0、2 E2 0;dict此兩式為三維空間中的矢量齊次波動(dòng)方程。由此可以看出:時(shí)變電磁場在無源空間中是以波動(dòng)的方式 在運(yùn)動(dòng),故稱時(shí)變電磁場為電磁波,且電磁波的傳播速度為6、坡印廷定理和坡印廷矢量數(shù)學(xué)表達(dá)式:1 2 1 2 2-SE
21、H dS (JH 2E)dEd1i由于W4E2d為體積內(nèi)的總電場儲能, WmH2d為體積內(nèi)的總磁場儲能,P二.二E2d 為體積內(nèi)的總焦耳損耗功率。于是上式可以改寫成:T-SE H dS(W. Wm) P,式中的s為限定體積的閉合面。S4物理意義:對空間中任意閉合面 S限定的體積,S '矢量流入該體積邊界面的流量等于該體積內(nèi)電 磁能量的增加率和焦耳損耗功率,它給岀了電磁波在空間中的能量守恒和能量轉(zhuǎn)換關(guān)系。-14 -坡印廷矢量(能流矢量)H表示沿能量流動(dòng)方向單位面積上傳過的功率。7、動(dòng)態(tài)矢量磁位 A和動(dòng)態(tài)標(biāo)量為門與電磁場的關(guān)系為:TA與門的非齊次波動(dòng)方程)為BA,EA-:t2達(dá)朗貝爾方程(
22、或稱第六章正弦平面電磁波歐拉公式:e" = cosx + j sin x1、正弦電磁場(1) 正弦電場、磁場強(qiáng)度的復(fù)數(shù)表示方法(以電場強(qiáng)度為例) 在直角坐標(biāo)系中,正弦電磁場的電場分量可以寫成:E(x, y,z,t)二 ax Exm(x, y,z) cos t (x, y,z)】ay Eym(x, y, z) cost :y(x, y,z)l az Ezm(x, y, z)cost z(x, y,z)】運(yùn)用歐拉公式將其表示成復(fù)數(shù)矢量形式:Ex 二 ExmCOSt >x(x,y,z)l-ReExmej( u LRe(Exmej t)Ey =EymCOSty(x,y,z)ReEyme
23、j( t7 =Re(Eymej ')Ez 二 EzmCOS t ;(x,y,z)l = ReEzmej( t z)LRe(Ezmej t)j xj yj ;z一其中,E xm二Exme , E ym二Eyme, Ezm二Ezme分別稱為各分量振幅的相量,它的模和相位角都是空間坐標(biāo)的函數(shù),因此TT iE(x,y,乙t)二 Re(ax Exm ay*Eym az Ezm)ej t =Re(Eej l(2)-15 -(2)-# -其中, ax Exm - ay Eym - az Ezm,稱為電場強(qiáng)度復(fù)矢量,它含有各分量的振幅和初相兩大要 素。電場強(qiáng)度復(fù)矢量是一個(gè)為簡化正弦場計(jì)算的表示符號,一
24、般不能用三維空間中一個(gè)矢量來表示, 也不能寫成指數(shù)形式。例題1將下列場矢量的瞬時(shí)值改寫為復(fù)數(shù);將場得復(fù)矢量寫為瞬時(shí)值a二 x.: x(1) H = ax H 0k() si n( )si n(kz-t)飛乙日。cos( ) cos(kz -,t)兀 aa(2) Exm =2jE°sincos(kxco1)Jkzsin 71解:(1)因?yàn)閏os(kz ft)是偶函數(shù),則 cos(kz -dt) = cos( t -kz)而 sin(kz 7t)二nncos(kz 7t -y = cos( t -kz ?)THm二 ax Hok(a)si n( XgTi 2兀 aTaz H 0 cos(
25、?* T *=ax H xm az H zm(2)-# -. a與(kzsinM)因?yàn)?Exm =2jEoSincos(kxco)ed sin " =2E°sin)cos(kxcos)e2(2)-16 -故 Ex =2E°sin Ticos(kxcos j) cos( .t kzsin)2(2)麥克斯韋方程組的復(fù)數(shù)形式'、H j DT _ T' E- B ,此方程組沒有時(shí)間因子,注意:式中的場量仍代表復(fù)矢量,標(biāo)量仍代表復(fù)數(shù)。'、B =0'、D =;-對于正弦電磁場的求解,我們可根據(jù)給岀的源寫岀其復(fù)矢量和復(fù)數(shù),然后利用麥克斯韋方程組的
26、復(fù)數(shù) 形式求出場得復(fù)矢量,再由電磁場的復(fù)矢量寫出電磁場的正弦表達(dá)式。例題2在真空中,已知正弦電磁波的電場分量為E(z, t) =ayi03sin伽t _0z),求波的磁場分量H(z,t)解:先將波的電場分量寫出復(fù)矢量,即Ey =j103ej(M»),將其代入矢量的麥克斯韋方程組:、El_j0H可得:hI_ 1 、El仝主,將Ey =-j103ej( 2)代入上式可得_ jK_j0 薦H"103ej(七一z),將上式展開取實(shí)部得:H(z,t)=-ax103s in( .t - :z)-'J0- 'J0(3) 正弦場中的坡印廷定理SSdS 二(Pm Pe PJd
27、j2(Wm 平均- We平均)dS其中Wm平均=1卩H 2為磁場能量密度的平均值, We平均=丄名E2為電場能量密度的平均值。這里場m 4e 4量E: H '分別為正弦電場和磁場的幅值。正弦電磁場的坡印廷定理說明:流進(jìn)閉合面S內(nèi)的有功功率供閉合面包圍的區(qū)域內(nèi)媒質(zhì)的各種功率損 耗;而流進(jìn)(或流岀)的無功功率代表著電磁波與該區(qū)域功率交換的尺度。(4) 亥姆霍茲方程(正弦電磁場波動(dòng)方程的復(fù)數(shù)形式)2 “ 2 >E. k E廣0,式中k2二'丄”;稱為正弦電磁波的波數(shù)。I 2 H k2 H =02、理想介質(zhì)中的均勻平面波(1) 均勻平面波的波動(dòng)方程及其解平面波是指波陣面為平面的電磁波。均勻平面波是指波的電場 E和磁場H
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