EMC設(shè)計浪涌靜電EFT防護

1、EMC設(shè)計-浪涌、靜電、EFT防護倪松華北京和利時2010.05.23目 錄1電路（系統(tǒng)）設(shè)計概述31.1電路設(shè)計31.1.1電路設(shè)計之1：功能設(shè)計31.1.2電路設(shè)計之2：性能設(shè)計31.1.3電路設(shè)計之3：可靠性設(shè)計31.1.3.1可靠性設(shè)計之1：降額設(shè)計31.1.3.2可靠性設(shè)計之2：熱設(shè)計31.1.3.3可靠性設(shè)計之3：信號完整性設(shè)計31.1.3.3.1信號完整性設(shè)計之1：信號傳輸線效應(yīng)31.1.3.3.2信號完整性設(shè)計之2：信號串?dāng)_31.1.3.3.3信號完整性設(shè)計之3：電源完整性31.1.3.4可靠性設(shè)計之4：EMC設(shè)計31.1.3.5可靠性設(shè)計之5：軟件可靠性31.1.3.6可靠性

2、設(shè)計之6：生產(chǎn)工藝可靠性32EMC設(shè)計-浪涌、靜電、EFT防護32.1EMC概念32.2EMC分類42.3EMC三要素42.4EMC對策52.5EMC測試設(shè)備參數(shù)62.5.1浪涌發(fā)生器62.5.2靜電放電發(fā)生器72.5.3EFT脈沖群發(fā)生器82.6EMC器件常識92.6.1ESD器件、TVS器件92.6.2壓敏電阻122.7EMC設(shè)計中的防護器件選擇142.7.1假設(shè)142.7.2浪涌防護142.7.3靜電防護152.7.4EFT防護172.7.5綜合防護182.8EMC防護電路PCB設(shè)計183參考文件191 電路（系統(tǒng)）設(shè)計概述以下分類主要介紹了電路（系統(tǒng)）設(shè)計過程中要面臨的幾大過程，較清晰

3、的反映了設(shè)計過程要遇到的幾個環(huán)節(jié)。1.1 電路設(shè)計1.1.1 電路設(shè)計之1：功能設(shè)計1.1.2 電路設(shè)計之2：性能設(shè)計1.1.3 電路設(shè)計之3：可靠性設(shè)計1.1.3.1 可靠性設(shè)計之1：降額設(shè)計1.1.3.2 可靠性設(shè)計之2：熱設(shè)計1.1.3.3 可靠性設(shè)計之3：信號完整性設(shè)計1.1.3.3.1 信號完整性設(shè)計之1：信號傳輸線效應(yīng)1.1.3.3.2 信號完整性設(shè)計之2：信號串?dāng)_1.1.3.3.3 信號完整性設(shè)計之3：電源完整性1.1.3.4 可靠性設(shè)計之4：EMC設(shè)計1.1.3.5 可靠性設(shè)計之5：軟件可靠性1.1.3.6 可靠性設(shè)計之6：生產(chǎn)工藝可靠性2 EMC設(shè)計-浪涌、靜電、EFT防護2

4、.1 EMC概念EMC（Electro Magnetic Compatibility）：設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。以下是與電磁兼容有關(guān)的常見術(shù)語：EMC：(Electromagnetic compatibility)電磁兼容性EMI： (Electromagnetic interference) 電磁干擾EMS：(Electromagnetic Susceptibility) 電磁敏感度RE：（Radiated emission）輻射騷擾CE：（Conducted emission）傳導(dǎo)騷擾CS：（Conducted Suscept

5、ibility）傳導(dǎo)騷擾抗擾度RS：（Radiated Susceptibility）射頻電磁場輻射抗擾度ESD： (Electrostatic discharge) 靜電放電EFT/B： (Electrical fast transient burst) 電快速瞬變脈沖群Surge ：浪涌2.2 EMC分類EMC可分為電磁干擾EMI、電磁敏感度EMS兩部分。EMI：電磁干擾，即處在一定環(huán)境中設(shè)備或系統(tǒng)，在正常運行時，不應(yīng)產(chǎn)生超過相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)所要求的電磁能量。EMS：電磁敏感度，即處在一定環(huán)境中的設(shè)備或系統(tǒng)，在正常運行時，設(shè)備或系統(tǒng)能承受相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定范圍內(nèi)的電磁能量干擾，或者說設(shè)備或系統(tǒng)對于一定范

6、圍內(nèi)的電磁能量不敏感，能按照設(shè)計的性能保持正常的運行。圖12.3 EMC三要素基本的EMC模型包括以下三個要素：1、干擾源；2、耦合途徑；3、敏感裝置；圖2在單板的范圍內(nèi)，我們可以找到如下幾個與輻射相關(guān)的項：干擾源：時鐘電路（包括晶振、時鐘驅(qū)動電路）；開關(guān)電源；高速總線（通常為低位地址總線如A0、A1、A2）；感性器件，如繼電器等；耦合路徑：傳播RF能量的各種媒質(zhì)，例如自由空間或互連電纜。按耦合路徑（傳播的方式），電磁干擾分成兩種類型：1、 傳導(dǎo)型干擾傳導(dǎo)型干擾是系統(tǒng)產(chǎn)生并返回到直流輸入線或信號線的噪聲，這個噪聲的頻率范圍為10KHz-30MHz，它既有共模方式，又有差模方式。LC網(wǎng)絡(luò)常常是抑

7、制傳導(dǎo)干擾的主要方式。2、 輻射型干擾輻射型干擾以電磁波的方式直接發(fā)射，線路中一個普通的例子是電源線扮演發(fā)射天線的作用，頻率覆蓋范圍30MHz-1GHz，這個范圍的EMI可通過金屬屏蔽的方式抑制。敏感裝置：PCB上的各種敏感器件，它們易于接收來自I/O線纜的輻射干擾并把這些有害能量傳播到其他敏感電路或器件上。單板中的敏感器件或者信號主要有：鎖相環(huán)；光模塊；模擬信號；復(fù)位信號；小弱信號；對于EMC的產(chǎn)生，這三個要素缺一不可。如果任一要素不存在，EMI也就不存在了。那么工程師所要做的事情就是找到最容易解決的那一項。2.4 EMC對策任何EMC問題的處理都是圍繞三要素進行的：1、降低干擾源；2、切斷

8、或削弱傳播途徑；2、提高設(shè)備的抗擾能力；通常來講，合理的PCB設(shè)計是消除多數(shù)RF干擾的最經(jīng)濟有效的途徑。有源器件是所有輻射的源頭。PCB設(shè)計所要做的是將電磁場能量限制在需要它們的地方?？梢岳脮r鐘擴頻技術(shù)或適當(dāng)?shù)臏p緩信號的上升沿來降低時鐘信號的干擾強度，也可以在器件選型方面以及減少天線效應(yīng)方面（如嚴(yán)格控制線頭長度、控制信號回路面積）來控制EMI的強度；通過必要的布局、布線以及采取屏蔽、接地措施來提高設(shè)備的抗擾能力；從產(chǎn)品EMC設(shè)計的對策、手段來分，通常采用的不外乎接地、屏蔽、濾波三種。在三要素的對策中切斷干擾的傳播途徑是最重要的一環(huán)。在單板上可采取以下措施來切斷耦合路徑或者減少耦合：對應(yīng)傳導(dǎo)耦

9、合：加濾波電容、濾波器、共模線圈、使用隔離變壓器等；對應(yīng)輻射耦合：相鄰層垂直走線、加屏蔽地線、磁性器件合理布局、3W規(guī)則、正確層分布、輻射能力強或者敏感信號布內(nèi)層、使用I/O雙絞線、輻射能力強的信號遠(yuǎn)離拉手條、板邊縫隙等。2.5 EMC測試設(shè)備參數(shù)2.5.1 浪涌發(fā)生器圖 8 浪涌組合波發(fā)生器電路原理圖（1.2/50us-8/20us）圖 9 浪涌組合波發(fā)生器產(chǎn)生的電壓波形（1.2/50us）圖 10 試驗配置示例，線地耦合，輸出阻抗10根據(jù)GB/T17626.5-2008 電磁兼容 試驗和測量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗中描述，浪涌組合波發(fā)生器的輸出阻抗有2、10、40等3種，我們一般使用2

10、的輸出阻抗方式。注：對于鐵路應(yīng)用來說，在TB/T 3073-2003鐵道信號電氣設(shè)備電磁兼容性試驗及其限值中規(guī)定，浪涌試驗推薦使用40輸出阻抗和0.5uF耦合電容，詳見TB/T 3073-2003中表4、表5。對于浪涌試驗的試驗等級、試驗過程、試驗結(jié)果的評估請詳見GB/T17626.5-2008。2.5.2 靜電放電發(fā)生器圖11 靜電放電發(fā)生器原理圖圖12 靜電放電發(fā)生器輸出電流的典型波形根據(jù)GB/T17626.2-2006電磁兼容試驗和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗中的描述，靜電放電發(fā)生器的輸出阻抗是330。輸出波形如圖9。靜電放電試驗主要分接觸放電、空氣放電，具體的試驗等級、試驗過程、試驗結(jié)果

11、的評估請詳見GB/T17626.2-2006。2.5.3 EFT脈沖群發(fā)生器圖13 脈沖群發(fā)生器電路原理圖圖14 快速瞬變脈沖群概略圖根據(jù)GB/T17626.4-2008 電磁兼容 試驗和測量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗中的描述，脈沖群發(fā)生器的有效輸出阻抗是50。其輸出波形如圖11。2.6 EMC器件常識2.6.1 ESD器件、TVS器件符號中文名稱解釋VRWM反向關(guān)斷電壓應(yīng)大于或等于被保護線路的操作電壓。VBR擊穿電壓ESD器件在此時阻抗驟然降低，處于雪崩擊穿狀態(tài)。VC箝位電壓脈沖電壓通過ESD器件后，所達(dá)到的最大電壓值。IRVRWM反向漏電流應(yīng)小于電路允許的最大漏電流。Ipp最大電流防

12、護器件能承受的最大電流。PPP峰值脈沖功率保護器件能吸收瞬時脈沖的能量，典型值取自300W 8/20s脈沖。CD結(jié)電容是保護器件的寄生電容，數(shù)據(jù)率或操作頻率越高的線路上使用的ESD保護器件的結(jié)電容要越低，否則將破壞數(shù)據(jù)信號。圖3 TVS特性曲線圖4 TVS特性及參數(shù)如果用圖示儀觀察TVS的特性，就可得到圖3中左圖所示的波形。如果單就這個曲線來看，TVS管和普通穩(wěn)壓管的擊穿特性沒有什么區(qū)別，為典型的PN結(jié)雪崩器件。但這條曲線只反映了TVS特性的一個部分，還必須補充右圖所示的特性曲線，才能反映TVS的全部特性。這是在雙蹤示波器上觀察到的TVS管承受大電流沖擊時的電流及電壓波形。圖中曲線1 是TVS

13、管中的電流波形，它表示流過TVS管的電流由1mA 突然上升到峰值，然后按指數(shù)規(guī)律下降，造成這種電流沖擊的原因可能是雷擊、過壓等。曲線2是TVS管兩端電壓的波形，它表示TVS中的電流突然上升時，TVS兩端電壓也隨之上升，但最大只上升到VC值，這個值比擊穿電壓VBR 略大，從而對后面的電路元件起到保護作用。1、VRWM 反向關(guān)斷電壓ESD保護器件的反向關(guān)斷電壓應(yīng)大于被保護線路工作電壓，如下圖所示。圖 5 ESD保護器件的反向關(guān)斷電壓2、VC箝位電壓VC箝位電壓指脈沖電壓通過ESD保護器件后，所被箝位的電壓。如12V的脈沖信號，經(jīng)過PESD5V0L2BT箝位后，電壓降為5V。圖 6 VC箝位電壓示意

14、圖3、PPP 峰值脈沖功率PPP峰值脈沖功率為ESD器件上瞬間通過的功率值，如300W8/20us，在此功率范圍內(nèi)，ESD保護器件能夠正常工作。圖 7 PPP峰值脈沖功率選用TVS 步驟如下：1確定待保護電路的直流電壓或持續(xù)工作電壓。2 TVS 的反向變位電壓即工作電壓（VRWM）-選擇TVS 的VRWM等于或大于上述步驟1 所規(guī)定的操作電壓。這就保證了在正常工作條件下TVS吸收的電流可忽略不計，如果步驟1 所規(guī)定的電壓高于TVS的VRWM ，TVS將吸收大量的漏電流而處于雪崩擊穿狀態(tài)，從而影響電路的工作。3最大峰值脈沖功率：確定電路的干擾脈沖情況，根據(jù)干擾脈沖的波形、脈沖持續(xù)時間，確定能夠有

15、效抑制該干擾的TVS 峰值脈沖功率。4所選TVS 的最大箝位電壓（VC）應(yīng)低于被保護電路所允許的最大承受電壓。5單極性還是雙極性常常會出現(xiàn)這樣的誤解即雙向TVS 用來抑制反向浪涌脈沖，其實并非如此。 雙向TVS 用于交流電或來自正負(fù)雙向脈沖的場合。 TVS有時也用于減少電容。如果電路只有正向電平信號，那麼單向TVS就足夠了。TVS 操作方式如下：正向浪涌時，TVS 處于反向雪崩擊穿狀態(tài)；反向浪涌時，TVS類似正向偏置二極管一樣導(dǎo)通并吸收浪涌能量。在低電容電路里情況就不是這樣了。應(yīng)選用雙向TVS 以保護電路中的低電容器件免受反向浪涌的損害。6如果知道比較準(zhǔn)確的浪涌電流IPP，那么可以利用VC來確

16、定其功率，如果無法確定功率的大概范圍，一般來說，選擇功率大一些比較好。2.6.2 壓敏電阻符號中文名稱解釋VRWM工作電壓應(yīng)大于或等于被保護線路的操作電壓。V1mA(V)DC1mA壓敏電壓（擊穿電壓）在此時阻抗驟然降低，處于雪崩擊穿狀態(tài)。VC箝位電壓脈沖電壓通過器件后，所達(dá)到的最大電壓值。IRVRWM反向漏電流應(yīng)小于電路允許的最大漏電流。Ip(A)通流容量通流容量也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（以規(guī)定的時間間隔和次數(shù)，施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的最大脈沖（峰值）電流值。PPP峰值脈沖功率保護器件能吸收瞬時脈沖的能量，典型值取自300W 8/20s脈沖。CD結(jié)電容是保護器件的寄生

17、電容，數(shù)據(jù)率或操作頻率越高的線路上使用的保護器件的結(jié)電容要越低，否則將破壞數(shù)據(jù)信號。壓敏電阻的響應(yīng)時間為ns級，比空氣放電管快，比TVS管稍慢一些，一般情況下用于電子電路的過電壓保護其響應(yīng)速度可以滿足要求。壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千pF的數(shù)量級范圍，很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護中，應(yīng)用在交流電路的保護中時，因為其結(jié)電容較大會增加漏電流，在設(shè)計防護電路時需要充分考慮。壓敏電阻的通流容量較大，但比氣體放電管小。1. 壓敏電壓的選取壓敏電壓（min(U1mA）、通流容量是電路設(shè)計時應(yīng)重點考慮的。在直流回路中，應(yīng)當(dāng)有：min(U1mA) (1.62)Udc，式中Udc為回路中的直流

18、額定工作電壓。在交流回路中，應(yīng)當(dāng)有：min(U1mA) (2.22.5)Uac，式中Uac為回路中的交流工作電壓的有效值。上述取值原則主要是為了保證壓敏電阻在電源電路中應(yīng)用時，有適當(dāng)?shù)陌踩６?。在信號回路中時，應(yīng)當(dāng)有：min(U1mA)(1.21.5)Umax，式中Umax為信號回路的峰值電壓。壓敏電阻的通流容量應(yīng)根據(jù)防雷電路的設(shè)計指標(biāo)來定。一般而言，壓敏電阻的通流容量要大于等于防雷電路設(shè)計的通流容量。一般地說，壓敏電阻器常常與被保護器件或裝置并聯(lián)使用，在正常情況下，壓敏電阻器兩端的直流或交流電壓應(yīng)低于標(biāo)稱電壓，即使在電源波動情況最壞時，也不應(yīng)高于額定值中選擇的最大連續(xù)工作電壓，該最大連續(xù)工作

19、電壓值所對應(yīng)的標(biāo)稱電壓值即為選用值。對于過壓保護方面的應(yīng)用，壓敏電壓值應(yīng)大于實際電路的電壓值，一般應(yīng)使用下式進行選擇：VmAavbc式中：a為電路電壓波動系數(shù)，一般取12；v為電路直流工作電壓（交流時為有效值）；b為壓敏電壓誤差，一般取085；c為元件的老化系數(shù)，一般取09；這樣計算得到的VmA實際數(shù)值是直流工作電壓的15倍，在交流狀態(tài)下還要考慮峰值，因此計算結(jié)果應(yīng)擴大1414倍。另外，選用時還必須注意：（1）必須保證在電壓波動最大時，連續(xù)工作電壓也不會超過最大允許值，否則將縮短壓敏電阻的使用壽命；（2）在電源線與大地間使用壓敏電阻時，有時由于接地不良而使線與地之間電壓上升，所以通常采用比線與

20、線間使用場合更高標(biāo)稱電壓的壓敏電阻器。2通流量的選取通常產(chǎn)品給出的通流量是按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)給定的波形、沖擊次數(shù)和間隙時間進行脈沖試驗時產(chǎn)品所能承受的最大電流值。而產(chǎn)品所能承受的沖擊數(shù)是波形、幅值和間隙時間的函數(shù)，當(dāng)電流波形幅值降低50時沖擊次數(shù)可增加一倍，所以在實際應(yīng)用中，壓敏電阻所吸收的浪涌電流應(yīng)小于產(chǎn)品的最大通流量。瞬態(tài)抑制器件的比較器件名稱氣體放電管壓敏電阻TVS管TVS晶閘管泄露電流無小小小續(xù)流有無無無箝位電壓點火電壓高中等低低通流容量大（103105A）大（102105A）?。?01102A）大（102105A）極間電容小大小小響應(yīng)時間慢（10-6s）中等（10-9s）快（10-12s）快

21、（10-12s）失效形式開路短路短路短路價格低低高中等老化現(xiàn)象有有無無產(chǎn)品范圍中等大電壓可選范圍大電壓可選范圍小使用場合§ 電源線和通信線的初級保護§ 多級保護組件中的第一級保護§ 電源和汽車電氣系統(tǒng)的保護§ 多級保護組件中的第一或第二級保護§ PCB級保護的有限應(yīng)用§ PCB級保護的廣泛應(yīng)用§ 次級保護的有限應(yīng)用§ 靜電放電等快速過電壓波的防護§ 多級保護中的最后以及保護§ 通信線路中的初次級保護2.7 EMC設(shè)計中的防護器件選擇設(shè)計一定要從需求考慮，需要防護多大的電壓、多大的電流？2.7.1

22、 假設(shè)由于對于EMC干擾的具體試驗方法已經(jīng)制定成相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)中產(chǎn)生具體干擾波形的設(shè)備就可以當(dāng)做實際的干擾發(fā)生源。所以我們在做EMC方面的防護時可以根據(jù)試驗設(shè)備的具體參數(shù)，來設(shè)計、選擇防護器件的參數(shù)指標(biāo)。2.7.2 浪涌防護由于浪涌的波形持續(xù)時間較長（us級別），攜帶的能量很大（甚至可以達(dá)到10、20KA），所以我們在做具體防護是必須使用防護器件，例如：氣體放電管、壓敏電阻、TVS管。浪涌防護也可以使用變壓器+壓敏電阻的方法。變壓器來防共模，壓敏電阻來防差模。在這里不贅述。已知：設(shè)備線線工作電壓Vwork1，設(shè)備線地工作電壓Vwork2、Vwork3設(shè)備線線最大承受電壓Vmax1，設(shè)備線地最大

23、承受電壓Vmax2、Vmax3.，線線浪涌電壓Vsurge1，線地浪涌電壓Vsurge2、Vsurge3，輸出電阻Zout。未知：防護器件U1工作電壓Vwm1，防護器件U1擊穿電壓Vbr1，防護器件鉗位電壓Vc1，防護器件最大電流Ipp1；防護器件U2工作電壓Vwm2，防護器件U2擊穿電壓Vbr2，防護器件鉗位電壓Vc2，防護器件最大電流Ipp2；防護器件U3工作電壓Vwm3，防護器件U1擊穿電壓Vbr3，防護器件鉗位電壓Vc3，防護器件最大電流Ipp3。求防護器件參數(shù)：Vwm1Vwork1；Vwm2Vwork2；Vwm3Vwork3；Vc1Vmax1；Vc2Vmax2；Vc3Vmax3；Ip

24、p1(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsurge =1KV、2KV、4KV，Z=2、40)Ipp2(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsurge =1KV、2KV、4KV，Z=2、40)Ipp3(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsurge =1KV、2KV、4KV，Z=2、40)Vbr1約= Vwork1*(1.21.4).；Vbr2約= Vwork2*(1.21.4).；Vbr3約= Vwork3*(1.21.4).；2.7.3 靜電防護靜電放電波形持續(xù)時間較短（ns級別），攜帶的能量小，所以我們在做具體防護可以使用TVS管、ESD器件。靜電防護也可以使用變壓器+ESD器件（TVS

25、器件）的方法。變壓器來防共模，ESD器件來防差模。在這里不贅述。已知：設(shè)備線線工作電壓Vwork1，設(shè)備線地工作電壓Vwork2、Vwork3設(shè)備線線最大承受電壓Vmax1，設(shè)備線地最大承受電壓Vmax2、Vmax3.，線線浪涌電壓Vsurge1，線地浪涌電壓Vsurge2、Vsurge3，輸出電阻Zout。未知：防護器件U1工作電壓Vwm1，防護器件U1擊穿電壓Vbr1，防護器件鉗位電壓Vc1，防護器件最大電流Ipp1；防護器件U2工作電壓Vwm2，防護器件U2擊穿電壓Vbr2，防護器件鉗位電壓Vc2，防護器件最大電流Ipp2；防護器件U3工作電壓Vwm3，防護器件U1擊穿電壓Vbr3，防護

26、器件鉗位電壓Vc3，防護器件最大電流Ipp3。求防護器件參數(shù)：Vwm1Vwork1；Vwm2Vwork2；Vwm3Vwork3；Vc1Vmax1；Vc2Vmax2；Vc3Vmax3；Ipp1(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsurge =2KV、4KV、6KV、8KV、15KV，Z=330)Ipp2(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsurge =2KV、4KV、6KV、8KV、15KV，Z=330)Ipp3(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsurge =2KV、4KV、6KV、8KV、15KV，Z=330)Vbr1約= Vwork1*(1.21.4).；Vbr2約= Vwork2*

27、(1.21.4).；Vbr3約= Vwork3*(1.21.4).；2.7.4 EFT防護EFT波形持續(xù)時間較短（ns級別），攜帶的能量小，所以我們在做具體防護可以使用TVS管、ESD器件。已知：設(shè)備線線工作電壓Vwork1，設(shè)備線地工作電壓Vwork2、Vwork3設(shè)備線線最大承受電壓Vmax1，設(shè)備線地最大承受電壓Vmax2、Vmax3.，線線浪涌電壓Vsurge1，線地浪涌電壓Vsurge2、Vsurge3，輸出電阻Zout。未知：防護器件U1工作電壓Vwm1，防護器件U1擊穿電壓Vbr1，防護器件鉗位電壓Vc1，防護器件最大電流Ipp1；防護器件U2工作電壓Vwm2，防護器件U2擊穿電

28、壓Vbr2，防護器件鉗位電壓Vc2，防護器件最大電流Ipp2；防護器件U3工作電壓Vwm3，防護器件U1擊穿電壓Vbr3，防護器件鉗位電壓Vc3，防護器件最大電流Ipp3。求防護器件參數(shù)：Vwm1Vwork1；Vwm2Vwork2；Vwm3Vwork3；Vc1Vmax1；Vc2Vmax2；Vc3Vmax3；Ipp1(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsurge =0.25KV、0.5KV、1KV、2KV、4KV，Z=50)Ipp2(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsurge =0.25KV、0.5KV、1KV、2KV、4KV，Z=50)Ipp3(Vsurge-Vc)/Zout；(Vsur

29、ge =0.25KV、0.5KV、1KV、2KV、4KV，Z=50)Vbr1約= Vwork1*(1.21.4).；Vbr2約= Vwork2*(1.21.4).；Vbr3約= Vwork3*(1.21.4).；2.7.5 綜合防護綜合防護時，最好在前級加上壓敏電阻、在后級增加TVS或ESD器件。當(dāng)進行綜合防護時，如果浪涌電壓的能量很大，可以考慮通過在線路上的兩種防護器件之間串接一個電阻來完成。2.8 EMC防護電路PCB設(shè)計快速ESD脈沖可能在電路板上相鄰(平行)導(dǎo)線間產(chǎn)生感應(yīng)電壓。如果上述情況發(fā)生，由于將不會得到保護，因此感應(yīng)電壓路徑將成為另一條讓浪涌到達(dá)IC的路徑。因此，被保護的輸入線不應(yīng)該被放置在其它單獨、未受保護的走線旁邊。推薦的ESD抑制器件PCB布局方案應(yīng)該是：應(yīng)盡可能的濾除所有的I/O口的干擾信號，靠近連接器/觸點PCB側(cè)。布線時，盡可能縮短高頻元器件之間的連線，設(shè)法減少它們的分布參數(shù)和相互間的電磁干擾；輸入輸出端用的導(dǎo)線應(yīng)盡量避免相鄰平行。最好加線間地線，以免發(fā)生反饋藕合。在使用TVS二極管保護ESD損害的同時，必須配合合理的PCB布局。 首先是要避免自感。對于ESD這樣巨變突發(fā)的脈沖，很可能會在回路中引起寄生自