限幅放大器設(shè)計之RF預(yù)算分析來源互聯(lián)網(wǎng)RF預(yù)算分析的目的是檢查

1、限幅放大器設(shè)計之rf 預(yù)算分析來源：互聯(lián)網(wǎng)rf 預(yù)算分析的目的是檢查限幅放大器內(nèi)不同測試點(diǎn)的寬帶頻率響應(yīng)和rf 功率電平，必須完成分析，才能針對最壞情況的工作溫度、增益斜率和寬rf 輸入功率范圍進(jìn)行校正。具有 40 db 限幅動態(tài)范圍的限幅放大器的基本布局是級聯(lián)的四個增益模塊放大器或lna。理想的設(shè)計僅使用一個或兩個專用放大器器件，以減少在不同頻率下的功率變化，最大程度地減少熱/斜率補(bǔ)償需求。圖1 顯示了溫度校正和斜率補(bǔ)償之前的首批初始限幅放大器框圖。圖 1. 初步設(shè)計框圖先來個小福利，推薦一種完成寬帶限幅放大器設(shè)計的技巧：1、管理限幅功率動態(tài)范圍，消除rf 過驅(qū)條件2、優(yōu)化溫度范圍內(nèi)的性能3

2、、最后，校正功率滾降，將小信號增益變平4、最后一個細(xì)微校正可能是必需的，即在頻率均衡功能被納入設(shè)計后，重新考慮溫度補(bǔ)償功率限制圖 1 所示初步設(shè)計的主要問題是，隨著rf 輸入功率增加，rf 過驅(qū)很可能在輸出增益級發(fā)生。 當(dāng)任何增益級的飽和輸出功率超過隊(duì)列中下一個放大器的絕對最大輸入時，將發(fā)生rf 過驅(qū)。此外，設(shè)計容易出現(xiàn)與vswr 相關(guān)的紋波，由于小型rf 封裝中的高無阻尼增益，還很可能出現(xiàn)振蕩。為了防止 rf 過驅(qū)、 消除 vswr 效應(yīng)并降低振蕩風(fēng)險，可在各增益級之間添加固定衰減器，以降低功率和增益。rf 蓋上還可能需要rf 吸收器以消除振蕩。需要足夠的衰減，將各增益級的最大輸入功率減小到

3、mmic 的額定輸入功率電平以下。必須包括足夠的衰減，以容納頂級輸入功率裕量，適應(yīng)溫度變化和器件間差異。圖2 顯示了限幅放大器鏈中需要rf 衰減器的位置。圖 2. rf 過驅(qū)校正框圖adi 的寬帶限幅放大器hmc7891 采用四個hmc462 增益級，以便讓工作范圍達(dá)到10 dbm 。絕對最大輸入功率為15 dbm 。各增益級能夠耐受18 dbm 的最大 rf 輸入。按照上一段中概述的設(shè)計步驟，已在兩個增益級之間添加衰減器，以確保最大放大器輸入功率電平不超過 17 dbm 。圖 3 顯示在設(shè)計中添加固定衰減器的情況下，每個增益級輸入端的最大功率電平。圖 3. 仿真 pout 和頻率的關(guān)系，rf

4、 過驅(qū)校正熱補(bǔ)償對設(shè)計進(jìn)行熱補(bǔ)償， 以便擴(kuò)大工作溫度范圍。限幅放大器應(yīng)用的通用熱范圍要求為-40c至+85c 。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)， 0.01 db/ /級的增益變化公式可用于估算四級放大器設(shè)計的增益變化。增益隨著溫度降低而增加，反之亦然。使用周邊環(huán)境增益作為基線，總增益預(yù)期在85c下降低 2.4 db ，在 40c下上升 2.6 db 。為對設(shè)計進(jìn)行熱補(bǔ)償，可插入市售的thermopad?溫度可變衰減器，以取代固定衰減器。圖 4 顯示了市售的寬帶thermopad衰減器的測試結(jié)果。根據(jù)thermopad測試數(shù)據(jù)和估算的增益變化，顯然需要使用兩個thermopad衰減器，對四級限幅放大器設(shè)計進(jìn)行熱補(bǔ)償。

5、圖 4. 溫度范圍內(nèi)的thermopad損耗決定在何處插入thermopad是一個重要決策。由于thermopad衰減器的損耗會增加，特別是在低溫條件下，因此避免在接近rf 鏈輸出端的位置添加元器件是一種好的做法，這是為了維持較高的限制輸出功率電平。thermopad的理想位置是在前三個放大器級之間，也就是圖5 中突出顯示的位置。圖 5. 熱補(bǔ)償框圖adi 的熱補(bǔ)償hmc7891 小信號性能的仿真結(jié)果如圖6 所示。在頻率均衡之前，增益變化減少至最高2.5 db 。這在 1.5 db 增益變化要求的范圍內(nèi)。圖 6. 溫度范圍內(nèi)的hmc7891 仿真小信號增益頻率均衡從而補(bǔ)償大多數(shù)寬帶放大器中的自

6、然增益滾降。有各種均衡器設(shè)計，包括無源gaas mmic 芯片。無源mmic 均衡器尺寸小巧，沒有直流和控制信號要求，因此非常適合限幅放大器設(shè)計。 需要的頻率均衡器數(shù)量取決于限幅放大器的未補(bǔ)償增益斜率，以及所選均衡器的響應(yīng)。 一條設(shè)計建議是輕微地過度補(bǔ)償頻率響應(yīng)，以抵消傳輸線路損耗和連接器損耗，以及在較高頻率下對增益影響更大的封裝寄生效應(yīng)。圖 7 顯示了定制adi gaas 頻率均衡器的測試結(jié)果。圖 7. 測量的頻率均衡器損耗adi 的 hmc7891 限幅放大器需要三個頻率均衡器，以校正經(jīng)過熱補(bǔ)償?shù)男⌒盘栱憫?yīng)。圖 8 顯示了 hmc7891 經(jīng)過熱補(bǔ)償和頻率均衡的仿真結(jié)果。決定在何處插入均衡

7、器對成功設(shè)計至關(guān)重要。 在添加任何均衡器之前，切記理想的限幅放大器應(yīng)在所有增益級之間均勻分布最大放大器壓縮，以避免過度飽和。換而言之，在最壞條件下，每個mmic 應(yīng)該同等壓縮。圖 8. 溫度范圍內(nèi)的hmc7891 仿真頻率均衡小信號增益在圖 5 所示的當(dāng)前設(shè)計階段， 可在器件輸入端添加與thermopad 衰減器串聯(lián)的均衡器，取代器件輸出端的固定衰減器。為什么這樣做？四個理由1、在限幅放大器輸入端添加均衡器會降低第一個增益級的功率。因此，級1 的壓縮減小。增益級壓縮減小相當(dāng)于限幅動態(tài)范圍減小。另外，由于均衡器的衰減斜率，限幅動態(tài)范圍在頻率范圍內(nèi)分散。頻率越低，動態(tài)范圍縮小越多。為了補(bǔ)償縮小的限

8、幅動態(tài)范圍，rf輸入功率必須升高。但是， 由于均衡器的斜率，輸入功率不均勻地升高又會增加放大器增益級過驅(qū)的風(fēng)險?？梢栽谄骷斎攵颂砑泳馄?，但這不是理想的位置。2、添加與thermopad串聯(lián)的均衡器，將減小后續(xù)放大器的壓縮。這會導(dǎo)致放大器壓縮在增益級之間分布不均勻，縮小整體限幅動態(tài)范圍。不建議將均衡器與thermopad衰減器串聯(lián)。3、使用一個或多個均衡器替代固定衰減器，只會改變輸出級放大器的壓縮水平。為了最大程度地減小這種變化，并且避免rf 過驅(qū)，均衡器損耗應(yīng)與從系統(tǒng)中刪除的固定衰減值大致相等。 此外，正如上文所述，在增益級之前添加均衡器，將會導(dǎo)致限幅動態(tài)范圍與頻率的分散。為了最大程度地減少這種效應(yīng)，請?zhí)鎿Q盡可能少的均衡器。4、均衡器可以添加到器件輸出端。輸出均衡會減小輸出功率，但不會產(chǎn)生限幅動態(tài)范圍分散。輸出均衡會產(chǎn)生略正輸出功率斜率，但這種斜率被高頻封裝和連接器損耗抵消。完成的四級限幅放大器布局如圖9