電子技術(shù)復(fù)習(xí)題及參考答案

1、中南大學(xué)網(wǎng)絡(luò)教育課程考試復(fù)習(xí)題及參考答案電子技術(shù)一、填空題：1.在本征半導(dǎo)體中摻入微量三價(jià)元素形成 型半導(dǎo)體，摻入微量五價(jià)元素形成 型半導(dǎo)體。2.晶體管工作在截止區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié) 向偏置，集電結(jié) 向偏置。3.硅穩(wěn)壓管的工作為 _ 區(qū)。4.為了避免50Hz電網(wǎng)電壓的干擾進(jìn)入放大器，應(yīng)選用 濾波電路。5.已知輸入信號(hào)的頻率為10kHz12kHz，為了防止干擾信號(hào)的混入，應(yīng)選用 濾波電路。6.為了獲得輸入電壓中的低頻信號(hào)，應(yīng)選用 濾波電路。7.為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，應(yīng)引入 負(fù)反饋。8.為了穩(wěn)定放大倍數(shù)，應(yīng)引入 負(fù)反饋。9.為了使放大電路的輸出電阻增大應(yīng)引入 負(fù)反饋；深度負(fù)反饋的條件是 。10.為了減小放大

2、電路的輸入電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋。11.為了減小放大電路的輸出電阻，應(yīng)引入 負(fù)反饋。12.當(dāng)集成運(yùn)放組成運(yùn)算電路時(shí)中，運(yùn)放一般工作在 狀態(tài)。13.在運(yùn)放組成的電壓比較器中，運(yùn)放一般工作在 或 狀態(tài)。14.在圖1所示電路中，調(diào)整管為 ，采樣電路由 組成，基準(zhǔn)電壓電路由 組成，比較放大電路由 組成。圖115.在整流電路的輸入電壓相等的情況下，半波與橋式兩種整流電路中，輸出電壓平均值最低的是 整流電路。16.直流電源由 、 、 和 四部分組成。17.串聯(lián)型穩(wěn)壓電路由 、 、 和 四部分組成。18.欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成三角波電壓，應(yīng)選用 運(yùn)算電路。19.NPN型共集電極放大電路中的輸出電壓頂部被削平時(shí)，電

3、路產(chǎn)生的是 失真；乙類功放電路的主要缺點(diǎn)是輸出有 失真。20. 比例運(yùn)算電路的比例系數(shù)大于1，而 比例運(yùn)算電路的比例系數(shù)小于零。21.正弦波自激振蕩的幅值平衡條件為 ，相位平衡條件為 。22.存儲(chǔ)器按功能不同可分為 存儲(chǔ)器和 存儲(chǔ)器；23.RAM按存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)特點(diǎn)又可分為 和 。24.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)主要包含三個(gè)部分，分別是 、 、 。25.某存儲(chǔ)器容量為8K×8位，則它的地址代碼應(yīng)取 位。26.將Intel2114(1K*4位)RAM擴(kuò)展成為8K*4位的存儲(chǔ)器，需要Intel2114芯片數(shù)是 ，需要增加的地址線是 條。27.RAM的擴(kuò)展可分為 、 擴(kuò)展兩種。28.按照邏輯功能，觸

4、發(fā)器可以分為 、 、 、T和T觸發(fā)器。29.若將JK觸發(fā)器轉(zhuǎn)換成T觸發(fā)器，則令 。30.JK觸發(fā)器的特性方程為 ；D觸發(fā)器的特性方程為 。31.觸發(fā)器按動(dòng)作特點(diǎn)可分為 型、 型、 型和 型。32.TTL門電路輸出高電平為 V，閾值電壓為 V。33.CMOS門電路輸出高電平為 V，閾值電壓為 V。34.某n位D/A轉(zhuǎn)換器的分辨率為 。35.ADC和DAC最重要的兩個(gè)性能指標(biāo)是： 和 。36.4位DAC的最大輸出電壓為5V，當(dāng)輸入數(shù)據(jù)為0101時(shí)，它的輸出電壓為 V。37.對(duì)8位D/A轉(zhuǎn)換器，若，當(dāng)輸入數(shù)字量為10000000時(shí)，輸出電壓為 V。38.四選一數(shù)據(jù)選擇器的數(shù)據(jù)線有 根，地址線有 根。

5、39.若有n個(gè)邏輯變量，則可以得出 種不同取值的組合。40.若3位二進(jìn)制減法計(jì)數(shù)器正常工作時(shí)，由000狀態(tài)開始計(jì)，則經(jīng)過15個(gè)輸入計(jì)數(shù)脈沖后，其狀態(tài)變?yōu)?。41.GAL是 可編程，EPROM是 可編程。42.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的主要用途是 。43.已知，其反函數(shù)為 。44.3-8譯碼器的輸入線有 根，輸出線有 根。45.如圖2所示，A=0時(shí)，Y= ；A=1，B=0時(shí)，Y= ；46.如圖3所示為TTL的TSL門電路，EN=0時(shí)，Y為 ，EN=1時(shí)，Y= 。 圖3 47.，Y的最簡與或式為 ；48.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器有 個(gè)穩(wěn)定狀態(tài).，多諧振蕩器有 個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。二、單項(xiàng)選擇題：1.N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入

6、以下哪種物質(zhì)形成的。 A.電子 B.空穴 C.三價(jià)硼元素 D.五價(jià)磷元素 2.晶體管工作于放大狀態(tài)時(shí)，下列哪種說話正確。 A.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏 B.發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏C.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏 D.發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏3.測(cè)得工作在放大狀態(tài)的三極管三個(gè)電極電位U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V，則可以斷定該管為 A.PNP型Ge管 B.PNP型Si管 C.NPN型Ge管 D.NPN型Si管4.工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12A增大到22A時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為 A. 83 B. 91 C. 1005.UGS0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有 A

7、.結(jié)型管 B.增強(qiáng)型MOS管 C.耗盡型MOS管6.直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是 A.電阻阻值有誤差 B.晶體管參數(shù)的分散性C.晶體管參數(shù)受溫度影響 D.電源電壓不穩(wěn)定7.集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差分放大電路是因?yàn)榭梢?A.減小溫漂 B.增大放大倍數(shù) C.提高輸入電阻8.的最簡與或式為 A. B.C. D. 9.與 相等的表達(dá)式為 A. B.C. D. 10.一個(gè)TTL同或門（輸入端為A、B）當(dāng)作反相器使用，則A、B端應(yīng) A或B中有一個(gè)接1 A或B中有一個(gè)接0 A和B并聯(lián)使用11.直流穩(wěn)壓電源中整流電路的目的是 A.將交流變?yōu)橹绷?B.將高頻變?yōu)榈皖lC.將交、直流混合量中的交流成分濾掉12

8、.集成放大電路采用直接耦合方式的原因是 A.便于設(shè)計(jì) B.放大交流信號(hào) C.不易制作大容量電容13.對(duì)于放大電路，所謂開環(huán)是指 A.無信號(hào)源 B.無反饋通路 C.無電源 D.無負(fù)載14.對(duì)于放大電路，所謂閉環(huán)是指 A.考慮信號(hào)源內(nèi)阻 B.存在反饋通路 C.接入電源 D.接入負(fù)載15.功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時(shí)，輸出基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大 A.交流功率 B直流功率 C平均功率16.的反函數(shù)為 A. B.C. D. 17.圖4電路中能夠?qū)崿F(xiàn)的電路為 圖418.邏輯符號(hào)如圖5所示，當(dāng)輸入 A=0 ，輸入B 為方波時(shí)，則輸出F 應(yīng)為 A.“1” B.“0” C.方

9、波圖519.邏輯圖和輸入A，B的波形如圖6所示，分析在t1時(shí)刻輸出F為 A.“1” B.“0” C.任意圖6三、判斷題：1.在P型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的五價(jià)元素，可將其改型為N型半導(dǎo)體。 2.阻容耦合多級(jí)放大電路各級(jí)的Q點(diǎn)相互影響。 3.直接耦合多級(jí)放大電路各級(jí)的Q點(diǎn)相互影響。 4.只要是共射放大電路，輸出電壓的頂部失真都是截止失真。 5.連續(xù)異或2009個(gè)“1”的結(jié)果仍然是“1”； 6.只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用； 7.互補(bǔ)輸出級(jí)應(yīng)采用共集或共漏接法。 8.在功率放大電路中，輸出功率愈大，功放管的功耗愈大。 9.EPROM是與陣列可編程。 10.時(shí)序邏輯電路的輸出只與當(dāng)

10、時(shí)的輸入狀態(tài)有關(guān)。 11.電路中各電量的直流成份是直流電源提供的。 12.現(xiàn)測(cè)得兩個(gè)共射放大電路空載時(shí)的電壓放大倍數(shù)均為100，將它們連成兩級(jí)放大電路，其電壓放大倍數(shù)等于 10000。 13.凡是振蕩電路中的集成運(yùn)放均工作在線性區(qū)。 14.GAL是與陣列可編程。 15.時(shí)序邏輯電路的輸出只與當(dāng)時(shí)的輸入狀態(tài)有關(guān)。 16.由于放大的對(duì)象是變化量，所以當(dāng)輸入信號(hào)為直流信號(hào)時(shí)，任何放大電路的輸出都毫無變化。 17.若放大電路的放大倍數(shù)為正，則引入的反饋一定是正反饋。 18.組合邏輯電路的輸出只與當(dāng)時(shí)的輸入狀態(tài)有關(guān)。 四、簡答題：1.判斷圖7所示電路的反饋極性與反饋組態(tài)。圖72（1）為使電路產(chǎn)生正弦波振

11、蕩，標(biāo)出圖8所示集成運(yùn)放的“”和“”；并說明電路是哪種正弦波振蕩電路；（2）若R1斷路，則電路將產(chǎn)生什么現(xiàn)象？ 圖 圖83.求解圖9所示電路RW的下限值及振蕩頻率的調(diào)節(jié)范圍。圖94.試分析圖10示各電路是否能夠放大正弦交流信號(hào),簡述理由(設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路）圖105.測(cè)得放大電路中兩只晶體管的直流電位如圖11示。在圓圈中畫出管子,并分別說明它們是硅管還是鍺管。 圖116.知電路如圖12，T1和T2管的飽和管壓降UCES3V，VCC15V，RL8。最大輸出功率POM，并指出D1和D2管的作用。圖127.電路如圖13，變壓器副邊電壓有效值為2U2。畫出u2、uO的波形，求出UO（

12、AV）。圖138.分別判斷圖14所示各電路是否滿足正弦波振蕩的相位條件，不能的進(jìn)行改進(jìn)。圖149.指出圖15所示電路的名稱，畫出電壓傳輸特性。圖1510.用卡諾圖化簡邏輯函數(shù)11.寫出圖16所示TTL電路輸出邏輯表達(dá)式。圖1612.寫出圖17所示的CMOS電路輸出信號(hào)的邏輯表達(dá)式。圖1713.圖18 CMOS門電路中，寫出Q 的表達(dá)式，并畫出對(duì)應(yīng)A、B、C的Q波形。 圖1814.分析圖19電路，寫出輸出Z的邏輯函數(shù)式。74LS151為8選1數(shù)據(jù)選擇器。圖1915.試分析圖20的計(jì)數(shù)器在M=1和M=0時(shí)各為幾進(jìn)制。圖2016.已知JK觸發(fā)器輸入端J、K和CP的電壓波形如圖21所示畫出Q端對(duì)應(yīng)的電

13、壓波形（Q的初態(tài)為0）。圖21五、綜合題：1.已知圖22所示電路中晶體管的b 100，rbe=1k。（1）現(xiàn)已測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ6V，估算Rb約為多少千歐；（2）若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻RL為多少千歐？（3）若用萬用表測(cè)量UCE=11V，問輸出波形將產(chǎn)生什么失真？圖222.電路如圖23所示，晶體管的b80，rbe=1k。 （1）求出Q點(diǎn)； （2）分別求出RL和RL3k時(shí)電路的和ri； （3）求出ro。圖233.在圖24所示電路中，已知uI14V，uI21V?；卮鹣铝袉栴}：（1）當(dāng)開關(guān)S閉合時(shí)，分別求解A、B、C、D和uO的電位；（2）設(shè)t0時(shí)S打開，問經(jīng)過多長時(shí)

14、間uO0？圖244.試求圖25所示各電路輸出電壓與輸入電壓的運(yùn)算關(guān)系式。 圖25 5.電路如圖27所示。（1）分別說明A1和A2各構(gòu)成哪種基本電路；（2）求出uO1與uO的關(guān)系曲線uO1f（uO）；（3）求出uO與uO1的運(yùn)算關(guān)系式uOf（uO1）；（4）定性畫出uO1與uO的波形；（5）說明若要提高振蕩頻率，則可以改變哪些電路參數(shù)，如何改變。圖276.集成4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器74161的連接圖如圖25所示，試分析電路的功能。要求：（1）列出狀態(tài)轉(zhuǎn)換表； （2）檢驗(yàn)自啟動(dòng)能力； （3）試畫出圖28在CP脈沖作用下Q1,Q2,Y對(duì)應(yīng)的電壓波形。(設(shè)觸發(fā)器的初態(tài)為0,畫6個(gè)完整的CP脈沖的波形)

15、圖27 圖287.由四位并行進(jìn)位全加器74LS283構(gòu)成圖29所示：（1）當(dāng)A=0,X3X2X1X0=0011,Y3Y2Y1Y0=0100求Z3Z2Z1Z0=?,W=?（2）當(dāng)A=1,X3X2X1X0=1001,Y3Y2Y1Y0=0101求Z3Z2Z1Z0=?,W=?（3）指出電路的功能；（4）試用74LS161設(shè)計(jì)一計(jì)數(shù)器完成圖30所示計(jì)數(shù)循環(huán)。 圖29 圖308.由同步十進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器74LS160構(gòu)成一數(shù)字系統(tǒng)如圖31所示，假設(shè)計(jì)數(shù)器的初態(tài)為0，測(cè)得組合邏輯電路的真值表如下所示：圖31（1）畫出74LS160的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖；（2）畫出整個(gè)數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序圖；（3）如果用同步四位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)

16、器74LS161代替74LS160，試畫出其電路圖（要求采用置數(shù)法）；（4）試用一片二進(jìn)制譯碼器74LS138輔助與非門實(shí)現(xiàn)該組合邏輯電路功能。9.用555定時(shí)器和同步四位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器74LS161構(gòu)成的邏輯電路如圖32所示。（1）指出555組成什么功能的電路；（2）指出161組成什么功能的電路，畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖；（3）用74LS290的R01、R02端設(shè)計(jì)一個(gè)六進(jìn)制電路。圖3210.電路如圖33所示，其中RA=RB=10k,C=0.1f，試問：（1）在Uk為高電平期間，由555定時(shí)器構(gòu)成的是什么電路，其輸出U0的頻率f0=?（2）分析由JK觸發(fā)器FF1、FF2、FF3構(gòu)成的計(jì)數(shù)器電路，要求

17、：寫出驅(qū)動(dòng)方程和狀態(tài)方程，畫出完整的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖；（3）設(shè)Q3、Q2、Q1的初態(tài)為000，Uk所加正脈沖的寬度為Tw=6/f0，脈沖過后Q3、Q2、Q1將保持在哪個(gè)狀態(tài)？ 圖3311.圖34電路中，CB555為555定時(shí)器，74LS194為四位雙向移位寄存器，74LS160為十進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器（1）CB555構(gòu)成什么功能電路？（2）當(dāng)74LS194的狀態(tài)為0001，畫出74LS160的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖，說明它是幾進(jìn)制計(jì)數(shù)器;（3）已知74LS194工作在循環(huán)右移狀態(tài)，當(dāng)它的狀態(tài)為0001，畫出74LS194的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖.圖3412.試分析如圖35所示的組合邏輯電路（1）寫出輸出邏輯表達(dá)式；（2）化為最簡

18、與或式；（3）列出真值表；（4）說明邏輯功能。圖35第20頁共20頁參考答案一、填空題：1.P； N 2.反； 反3.反向擊穿 4.帶阻 5.帶通 6.低通7.靜態(tài) 8.動(dòng)態(tài) 9.電流； 10.串聯(lián)11.電壓 12.負(fù)反饋13.開環(huán)； 正反饋 （兩空答案可互換） 14.T1； R1、R2、R3； R和DZ； T2組成的放大電路 15.半波 16.變壓；整流；濾波；穩(wěn)壓 （四空答案可互換）17.取樣電路；基準(zhǔn)穩(wěn)壓；比較放大；調(diào)整管（四空答案可互換）18.積分 19.截止； 交越 20.同相； 反相 21.；22.只讀； 隨機(jī)存取 （兩空答案可互換） 23.靜態(tài)； 動(dòng)態(tài) （兩空答案可互換）24.地

19、址譯碼； 存儲(chǔ)矩陣； 輸出控制（三空答案可互換）25.13 26.8； 3 27.字；位（兩空答案可互換） 28. RS；JK； D （三空答案可互換）29.J=K=T 30. 31.基本型； 電平型； 主從型； 邊沿型（四空答案可互換）32.1.4V； 3.4V 33. 34. 35.精度；速度（兩空答案可互換）36.1.67V 37.-1.25V38.4；2 39.40.001 41.與；或42.延時(shí)和整形 43. 44.3；8 45.0；146.高阻； 47.481； 0二、單項(xiàng)選擇題：1.C 2.A 3.D 4.C 5.C 6.C 7.A 8.A 9.C 10. 11.A 12.C 1

20、3.B 14.B 15.A 16.C 17. 18.C 19.A三、判斷題：1. × 2. × 3. 4. × 5. 6. × 7. 8. × 9. 10. × 11. 12. × 13. × 14. 15. × 16. × 17. × 18. 四、簡答題：1電流串聯(lián)負(fù)反饋2（1）下（+）上（-）； RC正弦波振蕩 （2）不能起振 3（1）根據(jù)起振條件： k。故RW的下限值為2k。 （2）振蕩頻率的最大值和最小值分別為： 4.（a）不能；因?yàn)檩斎胄盘?hào)被VBB短路。 （b）能。5. Ge管（2分） Si管 6POM=9W D1和D2管的作用：消除交越失真 ）7. 8. 左圖：不滿足； 將其中1個(gè)同名端交換 右圖：滿足 ；9. 名稱：滯回比較器 電壓傳輸特性如圖： 10.填對(duì)卡諾圖 111213. 表達(dá)式 波形： 1415M=1：為6進(jìn)制 M=0：為8進(jìn)制 16. 五、綜合題：1.（1）求Rb： （2）求RL： （3）輸出波形將產(chǎn)生截止失真 2（1）求Q點(diǎn)： （2）求輸入電阻和電壓放大倍數(shù)：RL時(shí)：RL3k時(shí)：（3）求輸