EHS指南015半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)

1、IFCInternationalFinancegrpoe 畑 nifKrid GJOifi半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南.、尸、刖言環(huán)境、健康與安全指南（簡(jiǎn)稱EHS指南）是技術(shù)參考文件，其中包括優(yōu)質(zhì)國際工業(yè) 實(shí)踐（GIIP）所采用的一般及具體行業(yè)的范例。1。如果世界銀行集團(tuán)的一個(gè)或多個(gè)成員參與項(xiàng) 目，則應(yīng)根據(jù)這些成員各自政策和標(biāo)準(zhǔn)的要求執(zhí)行本EHS指南。本EHS指南是針對(duì)具體 行業(yè)，應(yīng)與通用EHS指南共同使用，后者提供的指南針對(duì)所有行業(yè)都可能存在的EHS問題。如果遇到復(fù)雜的項(xiàng)目，可能需要使用針對(duì)多個(gè)行業(yè)的指南。在以下網(wǎng)站可以找到針對(duì)

2、各行業(yè)的 指南：/ifcext/sustainability.nsf/Content/EnvironmentalGuidelines。EHS指南所規(guī)定的指標(biāo)和措施是通常認(rèn)為在新設(shè)施中采用成本合理的現(xiàn)有技術(shù)就能實(shí) 現(xiàn)的指標(biāo)和措施。在對(duì)現(xiàn)有設(shè)施應(yīng)用EHS指南時(shí)，可能需要制定具體針對(duì)該場(chǎng)所的指標(biāo)， 并需規(guī)定適當(dāng)?shù)倪_(dá)標(biāo)時(shí)間表。在應(yīng)用EHS指南時(shí)，應(yīng)根據(jù)每個(gè)項(xiàng)目確定的危險(xiǎn)和風(fēng)險(xiǎn)靈活處理，其依據(jù)應(yīng)當(dāng)是環(huán) 境評(píng)估的結(jié)果，并應(yīng)考慮到該場(chǎng)所的具體變量（例如東道國具體情況、環(huán)境的吸收能力）以 及項(xiàng)目的其他因素。具體技術(shù)建議是否適用應(yīng)根據(jù)有資格和經(jīng)驗(yàn)的人員提出的專業(yè)意見來決如果東道

3、國的規(guī)則不同于EHS指南所規(guī)定的指標(biāo)和措施，我們要求項(xiàng)目要達(dá)到兩者中 要求較高的指標(biāo)和措施。如果根據(jù)項(xiàng)目的具體情況認(rèn)為適于采用與本EHS指南所含規(guī)定相比要求較低的指標(biāo)和措施，則在針對(duì)該場(chǎng)所進(jìn)行的環(huán)境評(píng)估中需要對(duì)提出的替代方案作出詳盡 的論證。該論證應(yīng)表明修改后的指標(biāo)能夠保護(hù)人類健康和環(huán)境。適用性半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè) EHS指南包括了與半導(dǎo)體及其他電子產(chǎn)品生產(chǎn)方案及生 產(chǎn)設(shè)備相關(guān)的信息，但不包括原材料提取、通用部件組裝、在塑料結(jié)構(gòu)中組裝內(nèi)部零件所需的 顯示器的生產(chǎn)以及標(biāo)準(zhǔn)連接器的生產(chǎn)等相關(guān)信息。 附件A是對(duì)本行業(yè)工業(yè)活動(dòng)的總體介紹。本 文由以下幾個(gè)部分組成：1定義是：熟練而有經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)人員

4、在全球相似情況下進(jìn)行同類活動(dòng)時(shí)，按常理可預(yù)期其采用的專業(yè)技能、努力程度、謹(jǐn)慎 程度和預(yù)見性。熟練而有經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)人員在評(píng)估項(xiàng)目可采用的污染防控技術(shù)時(shí)可能遇到的情況包括（但不限于）：不同程度的環(huán)境退化、不同程度的環(huán)境吸收能力、不同程度的財(cái)務(wù)和技術(shù)可行性。1具體行業(yè)的影響與管理2指標(biāo)與監(jiān)測(cè)3參考文獻(xiàn)和其他資料來源 附錄A行業(yè)活動(dòng)的通用描述1具體行業(yè)的影響與管理本章概述半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)在操作階段的EHS問題，并提出如何對(duì)其進(jìn)行管理的建議。關(guān)于如何管理大多數(shù)大型工業(yè)活動(dòng)建造階段和報(bào)廢階段各種常見EHS問題的建議請(qǐng)參閱通用EHS指南。1.1環(huán)境半導(dǎo)體及其他電子產(chǎn)品生產(chǎn)項(xiàng)目涉及到的環(huán)境問題主要包括

5、以下幾方面: z 危險(xiǎn)物質(zhì)的使用與廢物管理z 廢氣排放z 廢水z 能源使用z 一般工藝改造危險(xiǎn)物質(zhì)及廢棄物幾乎所有的半導(dǎo)體及其他電子產(chǎn)品的生產(chǎn)過程都會(huì)產(chǎn)生有害的或有潛在危害的廢棄物，如廢去離子水（含無機(jī)酸）、廢溶劑和顯色劑（如異鏈烷烴）、廢清洗劑、廢水處理產(chǎn)生的污泥、 廢環(huán)氧材料（印刷電路板（PCB）和半導(dǎo)體生產(chǎn)）、廢氰化物溶液（電鍍），以及焊接劑和金屬 殘?jiān)ㄓ∷㈦娐钒褰M件（PCBA）。除了通用EHS指南所提到的危險(xiǎn)物質(zhì)管理的相關(guān)措施，具體的污染預(yù)防技術(shù)包括工藝 改造及采用替代品：按照歐盟（2003a和2003b）的規(guī)定，應(yīng)當(dāng)限制使用或者逐步停止使用鉛、汞、鎘、鉻（ Cr VI ）、多溴聯(lián)苯

6、和聚溴化二苯醚。 已逐步停止使用氯氟碳化合物和三氯乙烯。歐盟指令76/769/EEC（ C0M/2005/0618 final-COD 2005/0244 ）的修正案反映出對(duì)全氟辛烷硫酸基化合物的使用限制也正在考慮中。限制全氟辛烷硫酸基化合物使用及排放的自發(fā)性措施已被世界半導(dǎo)體理事 會(huì)（WSC）和國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)（SEMI）采納。z 工藝改造或設(shè)備改進(jìn)包括：附加信息請(qǐng)參見附件A。 工藝生產(chǎn)中的合成有機(jī)污染物減少了待處理電鍍槽的容量以及對(duì)新化學(xué)物質(zhì)的需求， 采用活性炭過濾再生電鍍槽的方法予以來清除； 采取自動(dòng)氣柜系統(tǒng)控制氣缸中氣體的無組織排放，尤其在化學(xué)反應(yīng)期間； 使用錫合金和其他無鉛焊

7、接劑來替代鉛焊接劑；z 取代或去除原材料：如用酸性硫酸銅、亞硫酸金和化學(xué)鎳取代在PCB工業(yè)的鍍金中使用的氰化物電鍍?nèi)軇?；用三價(jià)鉻電鍍?nèi)芤捍媪鶅r(jià)鉻電鍍?nèi)芤?（雖然現(xiàn)在三價(jià)鉻電 鍍液在其他行業(yè)已經(jīng)不用了，但仍用于 PCB生產(chǎn)）；z 有害物質(zhì)和廢棄物分離、分類、準(zhǔn)備和再利用：例如：分離廢水污泥中的金屬污染物 有利于廢料回收；保留電鍍化學(xué)品可以分離其中的不相容物質(zhì)，例如：從酸中分離氰 化物，從易燃物中分離氧化劑；z 金屬回收再利用，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體和 PCBA領(lǐng)域，例如：采用電解法回收銅和其 他貴金屬，采用電解-化學(xué)沉淀法從電鍍板上分解回收銅和錫，從砷化鎵工藝廢料 中回收砷和鎵（通過加熱分離砷化鎵固

8、體廢料和從砷化鎵的拋光廢料中回收砷和 鎵）；z 通過淘汰在半導(dǎo)體生產(chǎn)中不必要的使用含全氟辛烷磺化物（PFOS）的物質(zhì)，從而減少PFOS的排放，例如，用替代品取代某些蝕刻合劑。對(duì)沒有替代品的而必須使用PFOS 的工藝，如半導(dǎo)體生產(chǎn)中的短波技術(shù)，應(yīng)當(dāng)進(jìn)行廢棄物受控處理一一尤其是在涉及焚 化時(shí)。 PFOS屬于有毒且具有持久及生物積聚屬性的化學(xué)物質(zhì)，因此應(yīng)當(dāng)考慮將它列入斯德哥爾摩公約的持久性有機(jī)污染物（POP）列表中。如前所述，世界半導(dǎo)體理事會(huì)和國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)已經(jīng)制定了一份全球志愿協(xié)議，該協(xié)議要求取消必要應(yīng)用之外的所有PFOS應(yīng)用，并要求焚化所有含 PFOS的非廢水排放。登陸http:/ww

9、/pre_stat.cfm ? ID=294可找到 該協(xié)議。 美國國家環(huán)境保護(hù)局確認(rèn)了大約30種半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的有害空氣污染物，不過據(jù)估計(jì)，所有排放的氣體中超過90%的氣體為鹽酸、氫氟酸、丙二醇醚，以及它們產(chǎn)生的醋酸鹽、甲醇和二甲苯。通用EHS指南對(duì)危險(xiǎn)物質(zhì)管理進(jìn)行了論述。具體管理措施包括：z 工藝助劑的存放區(qū)域應(yīng)當(dāng)定期檢查，以確定是否有泄漏現(xiàn)象；z 地下管道應(yīng)當(dāng)設(shè)為雙層結(jié)構(gòu)，以防內(nèi)層管道泄漏；z 輸送危險(xiǎn)物質(zhì)的管道應(yīng)當(dāng)采用兼容材料構(gòu)造， 并充分支撐，清晰標(biāo)記，安裝優(yōu)質(zhì)連接。 管道還應(yīng)當(dāng)每隔30米設(shè)有低點(diǎn)排液口、高點(diǎn)通風(fēng)口以及隔離閥；z 應(yīng)當(dāng)使用廢液防濺工

10、作盤。通用EHS指南對(duì)固體危險(xiǎn)廢棄物的管理進(jìn)行了論述。該部分包括：凡是含有危險(xiǎn)物質(zhì) （如廢去離子水、廢溶劑、廢清洗劑、廢水處理產(chǎn)生的污泥、廢環(huán)氧樹脂材料和廢氰化物清洗 劑等）的廢棄物都應(yīng)當(dāng)明確標(biāo)記，分類存放在特定的抗腐蝕存放區(qū)域。由于工業(yè)廢料和副產(chǎn)品 易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)且毒性大，因此安全存放非常重要。該問題在下一部分介紹職業(yè)健康與安全時(shí) 亦有所論述。廢氣排放半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)產(chǎn)生的主要空氣污染物，包括擴(kuò)散、清洗、濕法蝕刻工藝產(chǎn) 生的溫室氣體，有毒的、活性的以及腐蝕性物質(zhì)如酸性氣體、摻合劑、清洗氣體和揮發(fā)性有2機(jī)化合物（VOC）。下面是三種有毒和危險(xiǎn)氣體減排系統(tǒng)：z 末端凈化系統(tǒng)（POU）；

11、這類系統(tǒng)相對(duì)較小，專用于某種工藝，可以消除高達(dá) 99.99% 的廢氣。比如，一個(gè)POU洗滌器器可以將砷化氫體積分?jǐn)?shù)降低至 50X10-9。POU有 六種基本技術(shù)方案，可應(yīng)用于減少包括全氟碳化合物（PFC）在內(nèi)的氣體和顆粒污染物，如下所述：半導(dǎo)體生產(chǎn)中的濕法除塵，不過其除污范圍很小。濕法除塵也被用來處理燃燒和氧化處理中的酸氣和副產(chǎn)品；半導(dǎo)體生產(chǎn)中的熱化學(xué)反應(yīng)床；燃燒爐或電熱爐中的燃燒和氧化反應(yīng)，通常與濕法除塵相結(jié)合（半導(dǎo)體和 PCBA生產(chǎn)）；半導(dǎo)體生產(chǎn)中的等離子反應(yīng)儀；不過其除污范圍很小，并且需要額外的下游除塵裝置；PCBA工業(yè)的冷吸附器；PCBA工業(yè)用于清除廢液中的固體物質(zhì)和冷凝蒸汽的疏水器、

12、過濾器、旋流器和沉淀器；z廂式廢氣處理系統(tǒng)；該系統(tǒng)相對(duì)較大，設(shè)置在半導(dǎo)體代工廠外，可以處理多種污染源的高流速的廢氣。z緊急排放清洗器；該系統(tǒng)適用于處理突發(fā)的大量有毒氣體的排放，通常用來為氣缸儲(chǔ)存區(qū)通風(fēng)排氣。緊急排放清洗器主要用于防止意外的氣體排放。然而，大多數(shù)有毒氣體可以在仔細(xì)檢測(cè)氣體濃度并確保不對(duì)健康和環(huán)境造成影響之后，通過專門的通風(fēng)柜排放到大氣中。全氟化碳類化合物和其他溫室氣體全氟化碳類化合物（PFC）,包括CF4、C2F6和C3F8,三氟化氮（NF3）、HFC-23 （CHF3） 和六氟化硫（SF6），用于半導(dǎo)體生產(chǎn)，以及用作化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)、等離子蝕刻、薄 膜晶體管液晶顯示器

13、（TFT-LCD）生產(chǎn)過程中使用的清洗氣。與PFC相關(guān)的主要環(huán)境問題在于 潛在排放物具有較高的全球變暖效應(yīng)（GWP）,這與它們很長(zhǎng)的大氣壽命 2005年5月，世界半導(dǎo)體理事會(huì)成員國一致同意，至2010年，在基線值的基礎(chǔ)上至少減少 10%的PFC排放（歐洲、美國和日本相關(guān)協(xié)會(huì)1995年的基線值；韓國協(xié)會(huì)1997年的基線值；中國臺(tái)灣地區(qū) 1998年的基線值）。 通過各種排放控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn) PCF減排的其他相關(guān)信息，由政府間氣候變化專門委員會(huì)（2000年）提供。有關(guān)。PFC排放減控技術(shù)包括以下方面：2z工藝優(yōu)化，尤其是化學(xué)氣相沉積清洗工藝；z 化學(xué)品替代，例如，用C-C4F8或NF3代替C2F6作為

14、改性化學(xué)氣相沉積室的替代儲(chǔ)柜 清洗氣體，以盡量減少大氣污染物；z降低排放水平，主要方式是采用燃燒、催化分解或等離子去除系統(tǒng)（后者只適用于蝕刻器具，用量為少于或等于200 mm）分解反應(yīng)物分子，將之轉(zhuǎn)化為非 PFC副產(chǎn)品。 熱裂解技術(shù)可用于處理代工廠（末端凈化系統(tǒng)應(yīng)用）或全廠（管末應(yīng)用）內(nèi)的儲(chǔ)柜清 洗氣和蝕刻工藝氣；z回收再利用廢氣中的PFC,不過這是一項(xiàng)對(duì)技術(shù)和經(jīng)濟(jì)條件都很有挑戰(zhàn)的工藝；z溫室氣體管理的其他信息在通用 EHS指南中有所討論。酸性氣體酸性氣體（主要包括鹽酸和氫氟酸）的潛在排放與下述半導(dǎo)體及PCBA生產(chǎn)的工藝相關(guān)：5IFC半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南Inteirn

15、atfMMlFinanceCorpora 畑 nz 半導(dǎo)體生產(chǎn)中的清洗、蝕刻和抗剝離作業(yè)；z 蝕刻，該過程會(huì)產(chǎn)生氯化氫蒸氣；z PCB生產(chǎn)中的清洗、表面預(yù)處理、氯化亞銅蝕刻以及電鍍作業(yè)。硫酸氣溶膠排放物也來自晶圓的處理中所用帶酸蝕混合物。最常用的酸蝕混合物成分有硫酸和過氧化氫。酸性氣體排放物可通過安裝水平（錯(cuò)流）或垂直（逆流）濕式除塵器減少。防污染措施還 包括以下方面：z 在電鍍液表面使用抗霧劑和潤(rùn)濕劑（即表面活化劑）；z 通過加熱和蒸餾，重新處理晶圓制作過程中用過的硫酸，提純酸液；經(jīng)提純的酸液將 被回收并送回濕法設(shè)備中；z 安裝電鍍蓋板和金屬篩網(wǎng)除霧器。揮發(fā)性有機(jī)化合物揮發(fā)性有機(jī)化合物（VO

16、C）主要用于半導(dǎo)體和PCBA制造工業(yè)。在抗干燥、顯影和抗蝕作 業(yè)中，大多數(shù)清洗和光刻工藝都可能釋放出揮發(fā)性有機(jī)化合物。通常情況下，揮發(fā)性有機(jī)化合 物排放物可被活性炭系統(tǒng)吸附回收和/或通過熱氧化劑處理。用于控制揮發(fā)性有機(jī)化合物排放的 污染控制技術(shù)或附加控制設(shè)備包括：z 可再生熱氧化器，通常在排氣流的流速超過 3 000 scfm時(shí)使用；z 在把VOC流輸送到去除或回收設(shè)備之前，采用帶有可再生熱氧化器的沸石轉(zhuǎn)輪減少 廢系統(tǒng)濃縮低濃度的VOC氣流；z 應(yīng)用蒸汽脫附技術(shù)回收 VOC氣體的碳吸附固定床（再利用或再循環(huán)）；z 應(yīng)用熱氮解吸技術(shù)回收VOC氣體的碳吸附流動(dòng)床（再利用或再循環(huán)）；z 配備熱氧化器

17、（普通或可再生式），應(yīng)用熱氮解吸、再行技術(shù)回收VOC氣體的聚合物 吸附流動(dòng)床。氮氧化物像其他工業(yè)一樣，半導(dǎo)體生產(chǎn)的氮氧化物排放包括燃燒工藝產(chǎn)生的副產(chǎn)品。這些副產(chǎn)品產(chǎn) 生于加熱鍋爐、應(yīng)急備用發(fā)電機(jī)和降低VOC排放的熱氧化器。相關(guān)的污染排放防控技術(shù)在 通 用EHS指南中均有所體現(xiàn)。粉塵PCB生產(chǎn)中的鉆銃作業(yè)會(huì)產(chǎn)生大量粉塵，而半導(dǎo)體和PCBA工業(yè)不會(huì)產(chǎn)生大量粉塵。半導(dǎo) 體生產(chǎn)及磁設(shè)備和被動(dòng)元器件生產(chǎn)中的激光切割、修邊、化學(xué)機(jī)械拋光和背面磨削作業(yè)會(huì)產(chǎn)生 少量粉塵。推薦的粉塵控制措施包括：z 水沉降系統(tǒng)；z 利用袋濾器或靜電除塵器減少粉塵。能源消耗由于半導(dǎo)體生產(chǎn)涉及很多熱加工工藝，且晶圓處理高度機(jī)械化，

18、半導(dǎo)體生產(chǎn)需要耗用大量 能源，因此需要優(yōu)化能源消耗。應(yīng)使用能把改良生產(chǎn)效率和能源利用效率結(jié)合在一起的專門設(shè) 備，例如：z 控制濕度和溫度的空氣處理設(shè)備，該設(shè)備能夠節(jié)省 25%的能源；z 高效冷凝器；z 從使用熱交換器的水冷凝器中回收熱能，可以為現(xiàn)代工業(yè)設(shè)施節(jié)省40%的能源。先進(jìn)的減排技術(shù)還提供了減排效率更高、能耗更低的新設(shè)備。廢水工業(yè)廢水廢水污染物包括有機(jī)和無機(jī)物污染物，如金屬、酸類、堿類、氰化物和懸浮物。為了既減 少用水量又降低潛在的污染物排放，工業(yè)廢水應(yīng)回收、處理，并再利用。工業(yè)廢水中可能含有各種有機(jī)化合物，主要包括：半導(dǎo)體和PCBA生產(chǎn)中的清洗、抗蝕劑干燥、顯影、抗剝離等一系列作業(yè)產(chǎn)生的

19、含吡咯基、胺基、氟 /醚基、異丙醇、四甲基氫氧化銨 等的無氯溶劑；金屬化工藝和化學(xué)機(jī)械研磨（CMP ）工藝產(chǎn)生的金屬物質(zhì)；蝕刻、清洗、金屬 噴鍍作業(yè)產(chǎn)生的廢清洗溶液中的酸類和堿類；金屬噴鍍工藝產(chǎn)生的氰化物；光刻、金屬噴鍍、 背面磨削和切割作業(yè)產(chǎn)生的殘膜和金屬顆粒中含有的懸浮固體物質(zhì)。工業(yè)廢水處理由于半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品的生產(chǎn)作業(yè)需要用大量原材料、化學(xué)品和各種工藝，廢水處理就需要針對(duì)特定的生產(chǎn)工藝和污染物進(jìn)行不同的單元作業(yè)。工業(yè)廢水的處理技術(shù)包括：（1）利用溶劑回收、氣提、化學(xué)氧化、吸附等相分離技術(shù)，對(duì)含有高濃度不可生物降解化合物的廢 水進(jìn)行源頭分離和預(yù)處理等；（2）利用化學(xué)沉降、混凝和絮凝、電

20、化學(xué)回收、離子交換等方法， 減少重金屬物質(zhì)的排放；（3）對(duì)氰化物進(jìn)行化學(xué)氧化；（4）對(duì)指定危險(xiǎn)廢棄物填埋中的殘?jiān)M(jìn) 行脫水和其他處理。其他工程控制手段包括：（1）利用膜過濾或其他物理/化學(xué)處理技術(shù)，進(jìn)一 步去除金屬物質(zhì)；（2）利用活性炭和化學(xué)高級(jí)氧化，去除難降解有機(jī)物和有機(jī)鹵化物；（3）利用反滲透、離子交換、活性炭等技術(shù)，降低排放物的毒性；（4 ）收集并處理從廢水處理系統(tǒng)的各單元操作中分離的揮發(fā)性有機(jī)物。通用EHS指南介紹了工業(yè)廢水的管理和處理方法的案例。使用這些廢水處理技術(shù)，設(shè) 備必須符合該工業(yè)部門文件第2部分相關(guān)表格中對(duì)廢水排放的指導(dǎo)值。其他廢水排放和水資源消耗通用EHS指南中有未污染工業(yè)

21、廢水、未污染雨水和生活污水的管理指南。污染水流的 處理應(yīng)納入工業(yè)廢水處理系統(tǒng)中。通用EHS指南中有減少水資源消耗，尤其是水資源匱乏 地區(qū)減少水資源消耗的推薦意見。印刷電路板（PCB ）生產(chǎn)附件A所述的PCB生產(chǎn)工藝具有幾種污染防治措施。具有環(huán)境效益的工藝改造包括：z 電路板生產(chǎn)：使用表面貼裝技術(shù)（SMT），而不是鍍通孔技術(shù)，來注模成型基板或添 加電鍍層；z 清洗和表面預(yù)處理：使用非螯合清洗劑，延長(zhǎng)電路板使用壽命、提高清洗效率，采用逆流清洗，回收/再利用清洗劑；z圖樣印刷和掩模：用水性抗蝕劑、絲網(wǎng)印刷取代光刻、噴墨印花和使用干膜光致抗蝕齊h回收再利用干膜光致抗蝕劑剝除液，分離污水流，回收金屬物質(zhì)

22、；z電鍍和化學(xué)鍍：推廣機(jī)械電路板和無氰電鍍槽的生產(chǎn)，延長(zhǎng)電路板壽命，回收再利用清洗劑，提高清洗效率，利用逆流清洗，分離污水流，回收金屬物質(zhì)。z 蝕刻：使用不同的電鍍方法、非螯合腐蝕劑和無鉻腐蝕劑、線路和全板電鍍、加色和 減色法，回收/再利用腐蝕劑；z 對(duì)分離出的含金屬水流，通過再生電解提取技術(shù)和離子交換技術(shù)進(jìn)行金屬回收后，排污量幾乎為零。將重金屬回收成金屬板料，這樣可消除95%的污泥。未經(jīng)處理的含金 屬的污泥必須進(jìn)行安全填埋。1.2職業(yè)健康與安全半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品生產(chǎn)項(xiàng)目中包含的職業(yè)健康與安全問題主要有以下幾個(gè)方面：z 接觸在進(jìn)行機(jī)械操作時(shí)通過基板釋放的物質(zhì)；z 接觸危險(xiǎn)化學(xué)助劑，包括金屬粉

23、末；z 接觸物理危險(xiǎn)物和能源危險(xiǎn)物（如動(dòng)力、電力、氣動(dòng)和水力能源）；z 接觸電離和非電離輻射和激光；基板硅基半導(dǎo)體基板（二氧化硅）是無毒的，但在其生產(chǎn)和使用過程中產(chǎn)生的粉塵對(duì)人體卻可 能是危險(xiǎn)的。其中砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基板對(duì)健康的影響更大。接觸砷化鎵（GaAs） 和磷化銦（InP）的最普遍的方式是顆粒物吸入。因?yàn)樯楹豌煹亩拘院艽螅榛壓土谆煹?職業(yè)接觸限值都很低。磷化銦易燃，易與水蒸汽和酸反應(yīng)生成三氫化磷一一一種有毒的易燃?xì)?體。砷化鎵在研磨、切割或拋光時(shí)均可能產(chǎn)生危險(xiǎn)。采用工程和管理的手段來對(duì)這些危險(xiǎn)物質(zhì)進(jìn)行防控，從而保護(hù)工人的安全。通常采用的預(yù) 防措施包括：z 通過普

24、通研磨和濕研磨進(jìn)行局部提取。該操作需要在濕潤(rùn)環(huán)境下進(jìn)行，操作產(chǎn)生的余 渣要仔細(xì)清洗。應(yīng)避免對(duì)砷化鎵進(jìn)行干研磨；z 在涉及到基板的所有工藝中，包括切割、研磨、拋光和蝕刻，應(yīng)用萃取和通風(fēng)技術(shù)；z 工人的工作服應(yīng)當(dāng)定期清洗，以防止污染；另外，要改善衛(wèi)生設(shè)施；z 要防止過熱操作，并小心避免接觸強(qiáng)酸性還原劑，因?yàn)槠淇僧a(chǎn)生高毒性的砷化氫或磷 化氫氣體；z 砷化氫或磷化氫原料應(yīng)當(dāng)存放在減壓容器中。8半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南IFCInternational Finance grpoe 畑 n ifKrid GJOifi工藝劑類危險(xiǎn)品半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝可能會(huì)用到大量有潛在危險(xiǎn)的

25、化學(xué)品。樣品包括：丙酮、氨、氫氧化銨、砷化氫、三氟化硼、二氧化碳氯化物、三氟化氯、乙硼烷、二氯甲硅烷、乙硅烷、氟、砷 化傢、鍺烷、鹽酸、氫氟酸、氫、磷化銦、甲烷、硝酸、氧化氮、氟化氮、氧化亞氮、臭氧、氯氧化磷、磷化氫、磷酸、硅 烷、硫酸、四氟甲烷、三氯硅烷、砷酸三甲酯和三甲基銦。被動(dòng)元器件和磁體裝置的生產(chǎn)還可能會(huì)產(chǎn)生金屬粉末。應(yīng)當(dāng)按照通用 EHS指南制定針對(duì)特定材料的化學(xué) 防護(hù)計(jì)劃，并嚴(yán)格執(zhí)行。應(yīng)當(dāng)保護(hù)工人不接觸到各種工藝助劑，這些工藝助劑包括但不限于： 酸、堿、溶劑、金屬粉末、金屬污泥、有毒氣體、低溫氣體和自燃?xì)怏w等。另外，具體的推薦 保護(hù)措施包括：z以較安全的替代品代替半導(dǎo)體生產(chǎn)中的危險(xiǎn)材

26、料，如次乙基乙二醇醚；z 如果半導(dǎo)體生產(chǎn)中用到硅烷（SiH或其他有潛在危險(xiǎn)的氣體（如氟化氫，氫氣等） 需要在規(guī)章或工業(yè)安全隔離區(qū)內(nèi)安裝帶有氣體探測(cè)儀和警報(bào)器的警報(bào)系統(tǒng)；z 在半導(dǎo)體和PCB裝配行業(yè)，如果替代品不適用，應(yīng)使用隔離式自動(dòng)生產(chǎn)系統(tǒng)來防止 工人接觸危險(xiǎn)化學(xué)品；z 使用工程控制，如粉塵和汽提系統(tǒng)和通風(fēng)系統(tǒng)，來消除半導(dǎo)體和PCB裝配行業(yè)的氣體化合物。物理危險(xiǎn)和能源危險(xiǎn)半導(dǎo)體和其他電子生產(chǎn)的潛在物理危險(xiǎn)包括：搬運(yùn)重物，如大型的晶圓承載器（尤其是用 于300 mm大晶圓的承載器）和包裝好的成品；以及在自動(dòng)化設(shè)備附近工作。通用EHS指南 中有針對(duì)工作場(chǎng)所中物理危險(xiǎn)和能源危險(xiǎn)（包括動(dòng)力、電力、氣動(dòng)

27、力和水力）的防護(hù)和管理措 施的相關(guān)建議。電離和非電離輻射和激光產(chǎn)品生產(chǎn)工藝可能包括像X光、Y射線、a和范子這樣的電離輻射源，而所有這些輻射波 都具有波長(zhǎng)短和能量高的特點(diǎn)。非電離輻射的潛在類型包括射頻輻射（用于等離子體生產(chǎn)設(shè) 備）、紫外線輻射、紅外線輻射和可見光。非電離輻射可由一些高能加熱器、測(cè)試設(shè)備和高能 天線產(chǎn)生。激光按其對(duì)眼睛和皮膚的傷害能力可以分為激光直接照射或通過某種物體反射?？梢员徊糠治?，引起溫度升高，導(dǎo)致暴露的材料變質(zhì)。在源設(shè)備上安裝罩類屏蔽裝置和連鎖設(shè)施來保護(hù)工人不接觸輻射光源，并培訓(xùn)工人重視和維護(hù)這些設(shè)施。通用EHS指南中有關(guān)于接觸輻射的其他內(nèi)容。應(yīng)采用工程控制手段，如帶 聯(lián)

28、鎖裝置防護(hù)罩、保護(hù)過濾裝置和系統(tǒng)連鎖來防止激光對(duì)使用者的損害。1.3社區(qū)健康與安全半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品生產(chǎn)裝置的操作、 建設(shè)和退役過程對(duì)社區(qū)健康與安全造成的影響與10半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南IFCInternatioiul Finance 5rpo中畑n iTk<M Gunt a*o<4i大多數(shù)工業(yè)裝置相同，通用EHS指南中有相關(guān)介紹。2指標(biāo)與監(jiān)測(cè)2.1環(huán)境廢氣排放和污水排放指南表1和表2介紹了該行業(yè)的污水排放和廢氣排放指南。 該行業(yè)的污水排放和廢氣排放指導(dǎo) 值是各國的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)在公認(rèn)的法規(guī)框架內(nèi)所體現(xiàn)的國際行業(yè)慣例。通過上文介紹的污染防控技術(shù)，我們可以知道，經(jīng)

29、過合理設(shè)計(jì)和操作裝置在正常的操作條件下是可以滿足這些指南的要求 的。在不經(jīng)稀釋的情況下，裝置或設(shè)備運(yùn)作的至少 95%的時(shí)間內(nèi)，應(yīng)當(dāng)計(jì)算為年度運(yùn)作時(shí)間的 一部分，并且達(dá)到規(guī)定的水平。在環(huán)境評(píng)估中，所產(chǎn)生的水平偏差應(yīng)當(dāng)按照當(dāng)?shù)靥囟ǖ捻?xiàng)目環(huán) 境進(jìn)行調(diào)整。廢液處理指南適用于已處理廢液直接排放到常規(guī)用途的地表水中。特定場(chǎng)地的排放水平可以按照公共經(jīng)營(yíng)的污水回收和處理系統(tǒng)的可行性及特定條件設(shè)定；或者，如果廢液直接排放到 地表水中，排放水平可依據(jù)通用 EHS指南中規(guī)定的受水區(qū)的用途分類設(shè)定。廢氣排放指南適用于處理廢氣排放物。與產(chǎn)生等于或低于50MWth輸入熱容的熱源的發(fā)熱 活動(dòng)及發(fā)電活動(dòng)相關(guān)的燃燒源排放指南在

30、通用 EHS指南中有所體現(xiàn)，而更大量的能源排 放則在EHS熱能動(dòng)力指南中進(jìn)行介紹。通用EHS指南還包含基于廢物排放總負(fù)荷的環(huán)境措 施指南。表1廢液排放水平污染物單位指導(dǎo)值pH6 9COD mg/L160BOD 5 mg/L50懸浮固體物質(zhì)總量mg/L50油脂mg/L10總含磷量mg/L2氟化物mg/L5氨 mg/L10氰化物總量mg/L1自由氰化物mg/L0.1AOX （可吸附的有機(jī)鹵素化合物）mg/L0.5砷 mg/L0.1六價(jià)鉻mg/L0.111IFC半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南IntftrnatfonalFinancegrpoe 畑 n鉻總量mg/L0.5鎘 mg/L0

31、.1銅 mg/L0.5鉛 mg/L0.1汞 mg/L0.01鎳 mg/L0.5錫 mg/L2銀 mg/L0.1硒 mg/L1鋅 mg/L2升溫幅度°CV 3 aa處于科學(xué)建造的污染混合區(qū)的邊緣，該污染混合區(qū)在建立時(shí)充分考慮了周圍水資源的質(zhì)量、受水區(qū)用途、潛在受體 和同化能力。表2廢氣排放水平c污染物單位指導(dǎo)值揮發(fā)性有機(jī)化合物a （標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下）mg/Nnn3 20有機(jī)危險(xiǎn)廢氣污染物b （體積分?jǐn)?shù)）10-6 20無機(jī)危險(xiǎn)廢氣污染物b（體積分?jǐn)?shù)）-610 6 0.42氯化氫（標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下）mg/m310氟化氫（標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下）mg/m35磷化氫（標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下）mg/m30.5三價(jià)砷化氫化合物（標(biāo)準(zhǔn)

32、狀態(tài)下）mg/m30.5氨（標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下）mg/m330丙酮（標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下）mg/m3150注：a適用于表面清洗工藝。b特定行業(yè)的危險(xiǎn)廢氣污染物（HAP ）包括：銻化合物、砷化合物、砷化氫、四氯化碳、兒茶酚、氯、鉻化合物、丙烯酸乙酯、乙基苯、乙二醇、鹽酸、氫氟酸、鉛化合物、甲醇，甲基異丁基甲酮、二氯甲烷、鎳化合物、乙基 苯、二甲苯、四氯乙烯、磷化氫、磷酸、甲苯、1,1,1三氯乙烷（已取消）。目前的工業(yè)慣例是不使用二甲苯、亞甲基、氯化物、四氯化碳、鉻化合物、全氯乙烯、1,1,1三氯乙烷或三氯乙烯。c 3%的氧氣。能源利用和廢物產(chǎn)生表3描述了該行業(yè)中的廢物產(chǎn)生、能源和水資源的消耗指標(biāo)案例。行業(yè)基準(zhǔn)值僅

33、供對(duì)比, 個(gè)體項(xiàng)目應(yīng)當(dāng)致力于這些領(lǐng)域的不斷提高。表3能源和水資源的消耗以及廢物產(chǎn)生單位產(chǎn)品需投入的原材料單位行業(yè)基準(zhǔn)12半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南IFCInternatioiul Finance CoqwrtiQn水半導(dǎo)體濕法設(shè)備超純水（UPW ）晶圓通過l/300 mm42UPW消耗晶圓l/200 mm4 0008 000凈給水l/cm2810半導(dǎo)體代工廠UPW l/cm24 6半導(dǎo)體代工廠生產(chǎn)工具的總能源消耗每晶圓0.3(kW - h)/cm 0.4半導(dǎo)體代工廠的總支持系統(tǒng)每晶圓0.5 0.6單位產(chǎn)品輸岀的廢物單位行業(yè)基準(zhǔn)廢物a危險(xiǎn)液體廢物回收再利用% 80固體廢物回收

34、再利用 %85備注：a半導(dǎo)體生產(chǎn)商應(yīng)當(dāng)致力于生產(chǎn)“零廢物”裝置信息來源：國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖（2005年）。環(huán)境監(jiān)測(cè)該行業(yè)的環(huán)境監(jiān)測(cè)項(xiàng)目的執(zhí)行應(yīng)當(dāng)面向在正常操作和異常條件下可能對(duì)環(huán)境產(chǎn)生重大潛 在影響的所有生產(chǎn)活動(dòng)。環(huán)境監(jiān)測(cè)活動(dòng)應(yīng)當(dāng)以適用于特定項(xiàng)目的廢氣、廢水和資源利用的直接 或間接指標(biāo)為基礎(chǔ)。環(huán)境監(jiān)測(cè)的頻率應(yīng)當(dāng)足以為監(jiān)測(cè)參數(shù)提供具有代表性的數(shù)據(jù)。環(huán)境監(jiān)測(cè)應(yīng)由受過系統(tǒng)訓(xùn)練的人員使用經(jīng)正確校準(zhǔn)的、維護(hù)良好的設(shè)備按照檢測(cè)和記錄程序進(jìn)行。監(jiān)測(cè)得出的數(shù)據(jù)應(yīng)經(jīng)定 期分析和檢查，并與操作標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)比，以便采取合適的矯正行動(dòng)。通用EHS指南中介紹了對(duì)廢氣廢水監(jiān)測(cè)的抽樣和分析方法。2.2職業(yè)健康與安全指南職業(yè)健康

35、與安全指南職業(yè)健康與安全性能應(yīng)按國際公認(rèn)的暴露風(fēng)險(xiǎn)指南進(jìn)行評(píng)估，包括美國政府工業(yè)衛(wèi)生學(xué)家會(huì)議（ACGIH ） 可登陸 /TLV/ 禾廿 /store/獲取相關(guān)信息。發(fā)布的閾限值（TLV?）職業(yè)暴露風(fēng)險(xiǎn)指南和生物接觸限值（BEI?）、美國 職業(yè)安全健康研究所（NIOSH ） 可登陸 /niosh/npg/ 獲取相關(guān)信息。 可登陸 /pls/oshaweb/owadisp.show_document? p_table=STANDARDS&p_id

36、=9992 獲取相關(guān)信息。發(fā)布的危險(xiǎn)化學(xué)品的袖珍指南、美國職業(yè)安全健康局（OSHA） 3發(fā)布的允許暴露極限（PEL）、歐盟成員國可登陸 /good_practice/risks/ds/oel/獲取相關(guān)信息。發(fā)布的指示性職業(yè)接觸限值以及其他類似資源。事故率和死亡率各種項(xiàng)目均應(yīng)盡全力保證項(xiàng)目工人（不管是直接雇傭或是間接雇傭的工人）的生產(chǎn)事故為 零，尤其是那些會(huì)導(dǎo)致誤工、不同等級(jí)殘疾、甚至死亡的事故。設(shè)備生產(chǎn)率可以參考相關(guān)機(jī)構(gòu)13半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南IFCInternational Finance grpoe 畑 n ifKr

37、id GJOifi（如美國勞工部勞動(dòng)統(tǒng)計(jì)局和英國健康與安全執(zhí)行局）1發(fā)布的信息，按照發(fā)達(dá)國家的設(shè)備性能14半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南設(shè)定基準(zhǔn)。職業(yè)健康與安全監(jiān)測(cè)應(yīng)當(dāng)對(duì)工作環(huán)境進(jìn)行監(jiān)測(cè)，以發(fā)現(xiàn)特定項(xiàng)目的職業(yè)危險(xiǎn)物。作為職業(yè)健康與安全監(jiān)測(cè)項(xiàng)目 的一部分，監(jiān)測(cè)操作應(yīng)當(dāng)委派專業(yè)人員 可以登陸 /iif/ 禾口 .uk/statistics/index.htm 獲取相關(guān)信息。 專業(yè)人員包括持有執(zhí)照的工業(yè)衛(wèi)生人員、注冊(cè)職業(yè)衛(wèi)生人員、持有執(zhí)照的安全專家，或其他同等資歷人員。制定并執(zhí)行。管理者還應(yīng)記錄事故、疾病和危險(xiǎn)事件。

38、 通用EHS指南中介紹了職業(yè)健康與安全監(jiān)測(cè)項(xiàng)目的其他指南信息。3參考文獻(xiàn)和其他資料來源1 Australian National Pollutant Inventory. Emission Estimation Technique Manual for the Electronics and Computer Industry. Queensland， Australia， 1999.2 Eastern Research Group. Preferred and Alternative Methods for Estimating Air Emissions from Semiconducto

39、rs Manufacturing. Prepared for US EPA ，Point Sources Committee. Morrisville ， North Carolina， 1999.3 European Commission. Reference Document on Best Available Techniques for Surface Treatment of Metals and Plastics. Sevilla，Spain， 2005.4 European Union. 2003a. Directive 2002/95/EC on Restriction of

40、the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment. Brussels ，Belgium，5 European Union. 2003b. Directive 2002/96/EC on: Waste Electrical and Electronic Equipment(WEEE). Brussels, Belgium ,6 Geng, Hwaiyu. Semiconductor Manufacturing Handbook. McGraw-Hill. New York : New Yo

41、rk , 2005.7 German Federal Government. First General Administrative Regulation Pertaining the Federal ImmissionControl Act (Technical Instructions on Air Quality Control). BerTA,uGermany, 2002.8 German Federal Ministry for the Environment , Nature Conservation and Nuclear Safety. Promulgation of the

42、 New Version of the Ordinance on Requirements for the Discharge of Waste Water into Waters. (Waste Water Ordinance-AbwV ) Berlin , Germany, 17 June 2004.9 Harper, CA Passive Electronic Component Handbook. McGraw-Hill. New York : New York , 1997.10 Helsinki Commission ( Helcom ) . Reduction of Discha

43、rges and Emissions from the Metal Surface Treatment. Recommendation 23/7. Helsinki : Finland , 2002.11 Intel. Environmental , Health and Safety Report. (accessed on March 2006).Intergovernmental Panel on Climate Change (IPCC) . Good Practice and Uncertainty Management in National Greenhouse Gas Inve

44、ntories. http:/www.ipcc-nggip.iges.or.jp/public/gp/english/ (accessed on June 2006).15IFC半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南InteirnatfMMlFinanceCorpora 畑 n12 International Technology Roadmap for Semiconductors. Environmental， Safety and Health. ( accessed on March 200.13 Ireland Environmental Protection Agency.

45、 Integrated Pollution Control Licensing. Batneec Guidance Note for the Manufacture of Integrated Circuits and Printed Circuit Boards. Ardcavan : Ireland , 1996.14 McLyman , Colonel Wm. T. High Reliability Magnetic Devices : Design and Fabrication. CRC Edition. London : United Kingdom , 2002.15 New Y

46、ork State Department of Environmental Conservation , Pollution Prevention Unit. Environmental Compliance and Pollution Prevention Guide for the Electronics and Computer Industry. New York : New York, 1999.16 Semiconductor Equipment and Materials International ( SEMI). Guideline F5-90. Guide for Gase

47、ous Exhaust Emissions. /wps/portal/_pagr/118/_pa.118/190 (accessed on March 2006).17 Semiconductor Industry Association. Occupational Health System 2000 Annual Survey of Work Injuries and Illnesses. San Jose California , 2000.18 US Environmental Protection Agency (EPA) . Electron

48、ic and Computer Industry , Sector Notebook Project. Washington , DC , 1995.19 US EPA. Reduction of Arsenic Wastes in the Semiconductor Industry. EPA/600/R-02/089. Washington , DC, 1998.20 US EPA. Proposed Air Toxics Rule for Semiconductor Manufacturing. Fact Sheet. Washington , DC, 2001.21 US EPA. 4

49、0 CFR Part 63 National Emission Standards for Hazardous Air Pollutants for Semiconductor Manufacturing. Washington , DC, 2002.22 US EPA. Design of the Environment. Printed Wiring Board. Section A , Clean Air Act Requirements. Washington , DC, 2006. /oppt/dfe/pubs/index.htm#pwb (acce

50、ssed on March 2006).23 US EPA. 40 CFR Part 413. Electroplating Point Source Category. Washington , DC ,24 US EPA. 40 CFR Part 433. Metal Finishing Point Source Category. Washington , DC ,25 US EPA. 40 CFR Part 469. Electrical and Electronic Components Point Source Category. Washington , DC,26 World

51、Semiconductor Council (WCS). Position Paper Regarding PFC Emissions Reduction Goal , Fiuggi : Italy, April 26 , 1999.27 World Semiconductor Council (WSC) . Joint Statement on the Ninth Meeting. Kyoto : Japan, May 19 , 2005.28 WSC and SEMI. Agreement for PFOS. Voluntary Semiconductor Industry Commitm

52、ent. 2006./pre_stat.cfm ? ID=294 (accessed on April 2007).附件A :行業(yè)活動(dòng)的通用描述電子行業(yè)包括半導(dǎo)體、印刷電路板(PCB)、印制線路板(PWA)、顯示器、被動(dòng)元器件和 磁性設(shè)備的生產(chǎn)。半導(dǎo)體生產(chǎn)半導(dǎo)體生產(chǎn)需要使用硅、碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）、金屬、化學(xué)物質(zhì)、水和能源。 材料純度要求極高，因此在清潔室，尤其是在光刻工藝中設(shè)置特殊氣體系統(tǒng)、自動(dòng)化學(xué)品處理 系統(tǒng)和干燥壓縮空氣（CDA）系統(tǒng)非常重要。因?yàn)榘雽?dǎo)體生產(chǎn)需要大量超純水，設(shè)置超純水 （UPW ）系統(tǒng)也非常必要。這些超純水主

53、要用于濕洗工藝，也有一部分用于酸蝕刻、溶解和工 具清洗作業(yè)。很多新建工廠通過回收清洗步驟的部分廢水來減少水消耗。該項(xiàng)作業(yè)不會(huì)產(chǎn)生水 污染。由于集成電路變小，震動(dòng)控制和設(shè)備初始設(shè)計(jì)顯得更重要了。生產(chǎn)工藝包括對(duì)固體晶體材料進(jìn)行數(shù)百次操作，固體晶體材料主要指硅，現(xiàn)在更多廠商使 用碳化硅。砷化鎵廣泛應(yīng)用于軍事和商業(yè)上，包括激光、發(fā)光二極管（LED ）和通信工具（如砷化鎵芯片在手機(jī)中用作微波振蕩器）。半導(dǎo)體生產(chǎn)包括有兩道基本工序：制造半導(dǎo)體晶圓和裝配、包裝以及測(cè)試（APT），從而把晶圓組裝成集成線路。圖A1總結(jié)了半導(dǎo)體生產(chǎn)的主要步驟，重點(diǎn)標(biāo)出了添加化學(xué)品和其他流體的工序以及三廢 的生成點(diǎn)。半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)

54、需要具有多分子層晶體結(jié)構(gòu)的硅（硅晶圓），這種材料可以通過可控技術(shù)， 如化學(xué)氣相沉積（CVD）或分子束外延（MBE ）技術(shù)來獲得。經(jīng)過900C到1 200C的高溫處 理，硅晶圓表面就會(huì)形成一層薄薄的二氧化硅薄膜，它可以起到絕緣和保護(hù)作用。然后，要在 晶圓再覆上薄薄的一層活性或非活性的光致抗蝕劑作感光材料，使晶圓暴露于穿過玻璃罩或模板的紫外光或X光，該玻璃罩或模板乃是之前與電路模板一起制成的?；钚缘墓庵驴刮g劑在暴露區(qū)會(huì)溶解，可用化學(xué)反應(yīng)試劑清除，并露出在二氧化硅上掩模形 成的光刻圖形。隨后，二氧化硅通過濕蝕刻法或干蝕刻法進(jìn)行清除：前者使用酸、堿或燒堿溶 液；后者也稱為等離子蝕刻法，使用活性電離氣體

55、，產(chǎn)品的分辨率較高，廢物較少。最后，通 過溶解或等離子剝離法去除多余的光致抗蝕劑。重復(fù)上述步驟25至30次，晶圓各硅層就會(huì)形成不同的彼此絕緣的各區(qū)域。整個(gè)工藝稱作光刻法或微蝕刻法。在金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)中，可以用氮化硅等離子蝕刻這種干法工藝來替代熱腐 蝕磷酸（H3PO4）的濕法工藝，減少廢物生成，為工人提供更安全的環(huán)境，同時(shí)縮短工序。16IFC半導(dǎo)體和其他電子產(chǎn)品制造業(yè)環(huán)境、健康與安全指南InteirnatfMMlFinanceCorpora 畑 nHIFCInternatioiul Finance血 E Gump化學(xué)制劑活性離子化氣體 酸/堿（燒堿）廢氣三氯氧磷砷化氫酸溶劑絕緣材料 銅（Cu）在同一工藝的不同階段可以進(jìn)行的中間步驟圖A1半導(dǎo)體生產(chǎn)圖解資料來源：摘自澳大利亞國家污染物目錄（1999）要改變晶圓的硅片區(qū)域的傳導(dǎo)性，可以通過擴(kuò)散或離子注入產(chǎn)生摻雜物。擴(kuò)散物可以是氣 態(tài)或是非氣態(tài)的，需要在高溫環(huán)境中進(jìn)行。離子注入是用高速離子轟擊硅片暴露區(qū)。晶圓上不 同區(qū)域和硅層的接合可通過金屬噴鍍實(shí)現(xiàn)：在嵌入式工藝中安置非傳導(dǎo)性的材料，然后用鋁合 金材料進(jìn)行真空填充或通過電鍍技術(shù)或電化學(xué)淀積（ECD）填充銅材料。多余的銅通過化學(xué)機(jī) 械拋光（CMP）或平坦化工藝去除。其他金屬噴鍍技術(shù)，尤其是銅噴鍍技術(shù)，包括物理氣相沉 積（PVD