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文檔簡介
1、會計學1康華光康華光-電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ)(jch)(第六版第六版)模擬部模擬部分分ch07第一頁,共69頁。1 1 緒論緒論2 2 運算運算(yn sun)(yn sun)放大器放大器3 3 二極管及其基本電路二極管及其基本電路4 4 場效應三極管及其放大電路場效應三極管及其放大電路5 5 雙極結(jié)型三極管及其放大電路雙極結(jié)型三極管及其放大電路6 6 頻率響應頻率響應7 7 模擬集成電路模擬集成電路8 8 反饋放大電路反饋放大電路9 9 功率放大電路功率放大電路10 10 信號處理與信號產(chǎn)生電路信號處理與信號產(chǎn)生電路11 11 直流穩(wěn)壓電源直流穩(wěn)壓電源第1頁/共68頁第二頁,共69頁。第2
2、頁/共68頁第三頁,共69頁。第3頁/共68頁第四頁,共69頁。1. MOSFET鏡像電流鏡像電流(dinli)源源RVVVIIIGSSSDDREFD2O T1、T2的參數(shù)的參數(shù)(cnsh)全同全同 只要滿足只要滿足 VGS VTN 必有必有 VDS1 VGS- -VTN T1一定工作在飽和區(qū)一定工作在飽和區(qū)又因為又因為 VGS2 = VGS1 = VGST2漏極接負載構(gòu)成回路后,只要滿足漏極接負載構(gòu)成回路后,只要滿足VDS2 VGS- -VTN ,就一定工作在飽和,就一定工作在飽和區(qū),且有區(qū),且有第4頁/共68頁第五頁,共69頁。1. MOSFET鏡像電流鏡像電流(dinli)源源RVVVI
3、IIGSSSDDREFD2O 2TNGS1DREFVVKIIn 再根據(jù)再根據(jù)(gnj)(gnj)便可求出電流值便可求出電流值IO的電流值與的電流值與Rd無關(guān)無關(guān) Rd的值在一定范圍內(nèi)變化時(的值在一定范圍內(nèi)變化時(VDS2 VGS- -VTN),),IO的電流值將保持不變,的電流值將保持不變,反映出反映出IO的的恒流特性恒流特性。第5頁/共68頁第六頁,共69頁。1. MOSFET鏡像電流鏡像電流(dinli)源源當器件具有當器件具有(jyu)不同的寬長比時不同的寬長比時12D1D2REFO)/()/(LWLWIIII ( =0=0)動態(tài)電阻動態(tài)電阻( (交流電阻交流電阻) ) 2G12DS2
4、Do)(SVir vD2ds21 Ir 第6頁/共68頁第七頁,共69頁。2TNGSnD2)(VVKI 用用T3代替代替R,T1T3特性特性(txng)相同相同1. MOSFET鏡像電流鏡像電流(dinli)源源T1T3便可工作在飽和區(qū)便可工作在飽和區(qū)2TNGSnREFD3D1)(VVKIII 由于由于)(21SSDDGSGS3VVVV 所以所以只要滿足只要滿足TNSSDD2VVV 輸出電流為輸出電流為 第7頁/共68頁第八頁,共69頁。動態(tài)電阻動態(tài)電阻(dinz)更大,恒流特性更更大,恒流特性更好好2. 串級鏡像電流串級鏡像電流(dinli)源源ds2ds4mds4mds2ds4o)1(rr
5、grgrrr 需要注意,需要注意,T4漏極接負載構(gòu)成漏極接負載構(gòu)成回路后,需要滿足回路后,需要滿足TN4GS4DS4VVV 第8頁/共68頁第九頁,共69頁。3. 組合組合(zh)電流源電流源除寬長比外,除寬長比外,T0T3特性特性(txng)相同,相同, T4、T5特性特性(txng)相同相同REF122)/()/(ILWLWI REF133)/()/(ILWLWI RE/()/()/()/( )/()/()/()/(ILWLWLWLWILWLWILWLWI 需保證所有管子工作在飽和區(qū)需保證所有管子工作在飽和區(qū)第9頁/共68頁第十頁,共69頁。4. JFET電流電流
6、(dinli)源源JFET是耗盡型管,是耗盡型管,所以所以VGS=0時工作時工作(gngzu)在飽和區(qū)在飽和區(qū)耗盡型耗盡型MOS管也可采用類似的方式構(gòu)成電流源管也可采用類似的方式構(gòu)成電流源)1( DSDSSODv IIiDSSo1Ir 第10頁/共68頁第十一頁,共69頁。BE1BE2=VVREFI E1E2= IIC1C2= IIRVVBECC= RVCC Rc的值在一定范圍內(nèi)變化時,的值在一定范圍內(nèi)變化時,IC2的電流值將保持的電流值將保持(boch)不變,反不變,反映出映出IC2的恒流特性。的恒流特性。T1、T2的參數(shù)的參數(shù)(cnsh)全同全同 1. 鏡像電流源鏡像電流源第11頁/共68
7、頁第十二頁,共69頁。動態(tài)動態(tài)(dngti)(dngti)電阻電阻 2B12CE2Co)(Ivir 一般一般(ybn)ro在幾百千歐在幾百千歐以上以上ce r 1. 鏡像電流源鏡像電流源第12頁/共68頁第十三頁,共69頁。 IREF VCC VEE IC1 T1 T2 iC2=IC2 = IO= IREF R 2IB c2 c1 b1 b2 vCE IREF VCC VEE IC1 T1 T2 iC2 R 2IB 其他其他(qt)(qt)形式形式 1. 鏡像電流鏡像電流(dinli)源源第13頁/共68頁第十四頁,共69頁。e2BE2BE1RVV E2C2OIII e2BERV 由于由于很小
8、,很小,BEV 所以所以(suy)IC2也很小。也很小。 IREF VCC VEE IC1 T1 T2 IC2IO R 2IB + + - - VBE2 Re2 VBE1 rorce2(1 ) e2be2e2RrR (參考射極偏置共射放大電路的輸出電阻(參考射極偏置共射放大電路的輸出電阻 )oR 2. 微電流微電流(dinli)源源第14頁/共68頁第十五頁,共69頁。 R T1 IC15 IREF IB3 2IB T3 T2 IC25 IC3=IO VCC VEE 3. 高輸出阻抗高輸出阻抗(sh ch z kn)電電流源流源A1和和A3分別是分別是T1和和T3的相對的相對(xingdu)結(jié)
9、結(jié)面積面積 動態(tài)輸出電阻動態(tài)輸出電阻ro遠比微電流源的動態(tài)輸出電阻高遠比微電流源的動態(tài)輸出電阻高RVVVVIEEBE23BECCREF REFIIAAIIREF13C2O第15頁/共68頁第十六頁,共69頁。 T4 T5 T6 I5 I6 I2 I3 IREF R1 T1 T2 T3 R3 R2 VCC VEE T1、R1 和和T4支路產(chǎn)生基準支路產(chǎn)生基準(jzhn)電流電流IREF1EB4BE1EECCREFRVVVVI T1和和T2、T4和和T5構(gòu)成構(gòu)成(guchng)鏡像鏡像電流源電流源T1和和T3,T4和和T6構(gòu)成了微電流源構(gòu)成了微電流源4. 組合電流源組合電流源第16頁/共68頁第十
10、七頁,共69頁。第17頁/共68頁第十八頁,共69頁。1 電路電路(dinl)結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)差分放大器,又稱差動放大器,廣泛應用于集成電路中。它是由兩個(lin )對稱的共源放大器通過源極電阻RSS相耦合而組成的。 7.2.1 差分差分(ch fn)放大器概放大器概述述基本電路第18頁/共68頁第十九頁,共69頁。2 性能性能(xngnng)特點特點 差模信號差模信號(xnho)兩輸入端作用著數(shù)值相 等、極性相反的輸入信號電壓,即vi1=-vi2,則稱它們(t men)為一對差模輸入信號;表示為: vid= vi1-vi2; 輸出:vo1, vo2, vo=vo1- vo2若設(shè)差分放大器的兩輸入端分
11、別作用著數(shù)值相 等、極性相同的輸入信號電壓,即vi1=vi2,則稱它們?yōu)橐粚材]斎胄盘?;表示為:共模信號共模信號ic1ic2icvvvvo=vo1- vo2=0第19頁/共68頁第二十頁,共69頁。實際信號實際信號(xnho):實際加到差分放大器兩輸入端的信號實際加到差分放大器兩輸入端的信號(xnho)電壓往往為任電壓往往為任意信號意信號(xnho),它們既不是差模信號,它們既不是差模信號(xnho),又不是共模信號,又不是共模信號(xnho)vvvvvvvvvvi1i1i2i1i2i2i1i2i1i22222vvvvvvi1icidi2icid22vvvvvvici1i2idi1i2(),
12、2第20頁/共68頁第二十一頁,共69頁。差分放大器輸出信號(xnho)也可以分為共模信號(xnho)和差模信號(xnho)。vvvvvvo1ocodo2ocod/22vvvoco1o2() / 2odo1o2vvv)vv(AvvvvA21vA2/vvvvA21vA2/vvv2i1 ivd2o1ooidvdicvcodoco2idvdicvcodoco1反映抑制零漂能力反映抑制零漂能力(nngl)的指的指標標cdCMR=vvAAK第21頁/共68頁第二十二頁,共69頁。4. 零點零點(ln din)漂移漂移輸入信號為零時,輸出輸入信號為零時,輸出(shch)電壓不為零且緩慢變化的現(xiàn)象。電壓不為
13、零且緩慢變化的現(xiàn)象。產(chǎn)生零漂的主要原因:產(chǎn)生零漂的主要原因:溫漂指標:溫漂指標:(1 1)溫度變化引起,也稱)溫度變化引起,也稱溫漂溫漂(2 2)電源電壓波動)電源電壓波動溫度每升高溫度每升高1C,輸出漂移電壓按電壓增益折,輸出漂移電壓按電壓增益折算到輸入端的等效輸入漂移電壓值。算到輸入端的等效輸入漂移電壓值。第22頁/共68頁第二十三頁,共69頁。5. 三端器件三端器件(qjin)組成的差分式放大電路組成的差分式放大電路iidiiciic第23頁/共68頁第二十四頁,共69頁。1. MOSFET電路電路(dinl)組成組成T1、T2對稱對稱(duchn)源極共用電流源極共用電流源支路源支路第
14、24頁/共68頁第二十五頁,共69頁。靜態(tài)靜態(tài)(jngti)ODQD2QD1Q21=IIII GSQGS2QGS1Q=VVVDDV d1DQRI )(GSQV 2TNGSQnDQ)(VVKI 2. 靜態(tài)工作靜態(tài)工作(gngzu)原理原理s1d1DS2DS1VVVV 由由可求得可求得 VGSQ最后需要校驗是否工作在飽和區(qū)最后需要校驗是否工作在飽和區(qū)第25頁/共68頁第二十六頁,共69頁。vi1和和vi2大小相等,相位相反。大小相等,相位相反。vO1和和vO2大小相等,大小相等,相位相反。相位相反。 vO = vO1-vO2 0,信號,信號(xnho)被放大被放大3. 動態(tài)工作動態(tài)工作(gngzu
15、)原理原理動態(tài):動態(tài):僅輸入差模信號僅輸入差模信號第26頁/共68頁第二十七頁,共69頁。vi1和和vi2大小相等大小相等(xingdng),相位相同。,相位相同。vO1和和vO2大小相等大小相等(xingdng),相位相同。,相位相同。 vO = vO1-vO2= 0,雙端無信號輸出,雙端無信號輸出2. 工作工作(gngzu)原理原理動態(tài):動態(tài):僅輸入共模信號僅輸入共模信號實際上單端輸出時也有很強實際上單端輸出時也有很強的共模信號抑制能力的共模信號抑制能力第27頁/共68頁第二十八頁,共69頁。 溫 度 變 化 和 電 源 電 壓 波 動 , 都 將 使 兩 個 漏 極 電 流 產(chǎn) 生溫 度
16、 變 化 和 電 源 電 壓 波 動 , 都 將 使 兩 個 漏 極 電 流 產(chǎn) 生(chnshng)(chnshng)變化,且變化趨勢相同。變化,且變化趨勢相同。 其效果相當于在兩個其效果相當于在兩個(lin(lin )輸入端加入輸入端加入了共模信號了共模信號2. 工作原理工作原理抑制零點漂移原理抑制零點漂移原理第28頁/共68頁第二十九頁,共69頁。(1)差模情況)差模情況(qngkung) 雙入、雙出雙入、雙出4. 主要主要(zhyo)指標計算指標計算vi1和和vi2大小相等,相位相反大小相等,相位相反iD1的增加量等于的增加量等于iD2的減小量(或者的減小量(或者相反)相反)流過源極公
17、共支路的電流不變,即流過源極公共支路的電流不變,即公共源極公共源極s電位沒變化電位沒變化相當于相當于s節(jié)點交流量為零,即節(jié)點交流量為零,即vs=0,故得交流通路故得交流通路雙端輸出接負載雙端輸出接負載 vO1 vO2 Rd2 Rd1 +VDD vO d2 vi2 IO - -VSS vS T2 s2 VGS2 iD2 d1 T1 s1 1 iD1 g1 vi1 +vid/2 VGS1 g2 -vid/2 第29頁/共68頁第三十頁,共69頁。(1)差模情況)差模情況(qngkung) 雙入、雙出雙入、雙出3. 主要指標主要指標(zhbio)計算計算電路左右完全對稱,相當于左電路左右完全對稱,相
18、當于左右各帶二分之一的接地負載右各帶二分之一的接地負載電壓增益電壓增益 idodvvvAi2i1o2o1vvvv i1o1i1o122vvvv 等于單邊電壓增益等于單邊電壓增益第30頁/共68頁第三十一頁,共69頁。(1)差模情況)差模情況(qngkung) 雙入、雙出雙入、雙出3. 主要指標主要指標(zhbio)計算計算單邊小信號等效單邊小信號等效電路(電路( = 0))2|(Ld1mRRg i1o1dvvv A若若 0)2|(Ld1ds1mdRRrgA vDQds11Ir 其中其中DQnTNGSQnm2)(2IKVVKg 以雙倍的元器件換取以雙倍的元器件換取抑制零漂的能力抑制零漂的能力第3
19、1頁/共68頁第三十二頁,共69頁。(1)差模情況)差模情況(qngkung) 雙入、雙出雙入、雙出3. 主要指標主要指標(zhbio)計算計算輸出電阻輸出電阻d2d1oRRR 由兩個漏極之間看進去的等效電阻由兩個漏極之間看進去的等效電阻輸入電阻輸入電阻 由兩個柵極之間看進去的由兩個柵極之間看進去的等效電阻。兩個管子柵源極等效電阻。兩個管子柵源極之間是串聯(lián)結(jié)構(gòu),但由于柵之間是串聯(lián)結(jié)構(gòu),但由于柵極是絕緣的,所以輸入電阻極是絕緣的,所以輸入電阻趨于無窮。趨于無窮。第32頁/共68頁第三十三頁,共69頁。(1)差模情況)差模情況(qngkung) 雙入、單出雙入、單出3. 主要主要(zhyo)指標計
20、算指標計算 ido1d1vvvAi2i1o1vvv i1o12vv )|(21Ld1mRRg 輸出電阻輸出電阻d1oRR 漏極到地之間看進去的等效漏極到地之間看進去的等效電阻電阻d1ds1o| RrR 或或注意:單端輸出時,負載的接入將影響被接漏極的直流電位注意:單端輸出時,負載的接入將影響被接漏極的直流電位(vo2輸出時無負號輸出時無負號)第33頁/共68頁第三十四頁,共69頁。輸入等效輸入等效(dn(dn xio) xio)變變換換(1)差模情況)差模情況(qngkung) 單端輸入單端輸入3. 主要指標計算主要指標計算根據(jù)疊加原理,左側(cè)激勵源置根據(jù)疊加原理,左側(cè)激勵源置零后,等效于雙端輸
21、入零后,等效于雙端輸入而左側(cè)激勵源對兩輸入端來說相當而左側(cè)激勵源對兩輸入端來說相當于共模信號于共模信號vic,此處僅考慮差,此處僅考慮差模信號模信號,故差模情況等效于故差模情況等效于雙端輸入雙端輸入差模指標與雙端輸入時相同差模指標與雙端輸入時相同第34頁/共68頁第三十五頁,共69頁。3. 主要指標主要指標(zhbio)計算計算(2)共模)共模(n m)情況情況交流通路交流通路vi1和和vi2大小相等,相位相同大小相等,相位相同id1和和id2同時等量增加或等量減小同時等量增加或等量減小流過源極公共支路的變化電流是流過源極公共支路的變化電流是單邊的單邊的2倍,所以電流源內(nèi)阻需要倍,所以電流源內(nèi)
22、阻需要保留,公共源極保留,公共源極s電位將明顯變化,電位將明顯變化,這與差模輸入情況有本質(zhì)的區(qū)別這與差模輸入情況有本質(zhì)的區(qū)別第35頁/共68頁第三十六頁,共69頁。3. 主要主要(zhyo)指標計算指標計算(2)共模)共模(n m)情情況況交流通路交流通路可將源極公共支路等效到各自的可將源極公共支路等效到各自的源極源極 雙端輸出雙端輸出共模信號的輸入使兩管漏極電壓共模信號的輸入使兩管漏極電壓有相同的變化有相同的變化理想情況下有理想情況下有0o2o1oc vvv0icocc vvvA共模增益共模增益第36頁/共68頁第三十七頁,共69頁。icoc1c1vvv A抑制零漂能力抑制零漂能力(nngl
23、)增強增強icoc2vv )2(1omdmrgRg od2rR or c1vA 單 端 輸 出單 端 輸 出(shch)(shch)3. 主要指標計算主要指標計算(2)共模情況)共模情況共模時,兩邊單端輸出完全相同共模時,兩邊單端輸出完全相同其中其中d2d1dRRR ro 是電流源的輸出電阻(內(nèi)阻)是電流源的輸出電阻(內(nèi)阻)若若 0,則還要考慮,則還要考慮rds的影響(與的影響(與Rd并聯(lián))并聯(lián))第37頁/共68頁第三十八頁,共69頁。cdCMRvvAAK dB lg20cdCMRvvAAK 雙端輸出,理想雙端輸出,理想(lxing)(lxing)情況情況 CMRK 單 端 輸 出單 端 輸
24、出(shch)(shch) CMRKc1d1vvAAomrg 越越大大, CMRK抑制零漂能力抑制零漂能力 越強越強單端輸出時的總輸出電壓單端輸出時的總輸出電壓3. 主要指標計算主要指標計算(3)共模抑制比)共模抑制比icc1idd1o1vvvvvAA (Avd1和和Avc1均有負號均有負號)1(idCMRicidd1vvvvKA 第38頁/共68頁第三十九頁,共69頁。3. 主要指標主要指標(zhbio)計算計算(4)頻率響應)頻率響應(pn l xin yn) 差模增益的高頻響應與共射電路相同,低頻可放大直流信差模增益的高頻響應與共射電路相同,低頻可放大直流信號。號。 由于公共源極上電流源
25、的等效阻抗隨信號頻率升高而減小,所由于公共源極上電流源的等效阻抗隨信號頻率升高而減小,所以共模增益將隨頻率升高而增大,則共模抑制比隨之下降。以共模增益將隨頻率升高而增大,則共模抑制比隨之下降。四種工作方式歸納比較見表四種工作方式歸納比較見表7.2.1第39頁/共68頁第四十頁,共69頁。1. 電路電路(dinl)組成組成第40頁/共68頁第四十一頁,共69頁。2. 工作工作(gngzu)原理原理靜態(tài)靜態(tài)(jngti)OCC2C121=IIII CE2CE1=VV CCV)V7 . 0(c2CCC RIV c2CRIEVIIICB2B1 第41頁/共68頁第四十二頁,共69頁。差模情況差模情況(
26、qngkung) 雙入、雙出雙入、雙出beLcd)21|(=rRRA vbeLcd12)|(=rRRA v 雙入、單出雙入、單出 ic1 vo1 c2 Rc Rc c1 T1 T2 - - vi2 - -vid/2 + vi1+ vid/2 RL ic2 b1 b2 e - - + - - + 單端輸入單端輸入(shr)(shr)等效于雙等效于雙端輸入端輸入(shr)(shr)bedi2= rR 輸入電阻輸入電阻(與(與MOS管最明顯的差別)管最明顯的差別)2. 工作原理工作原理第42頁/共68頁第四十三頁,共69頁。2. 工作工作(gngzu)原理原理共模共模(n m)情況情況 雙出雙出oL
27、d12rRA v 單出單出 voc1 voc2 voc c2 Rc Rc c1 T1 T2 b1 b2 vi1vic vi2vic 2ro 2ro 0icocc vvvALcL| RRR )2)(1(21=obeicrrR 輸入電阻輸入電阻其它指標與其它指標與MOS管差分式放大電路類似管差分式放大電路類似第43頁/共68頁第四十四頁,共69頁。第44頁/共68頁第四十五頁,共69頁。1. 電路結(jié)構(gòu)電路結(jié)構(gòu)(jigu)和工作原理和工作原理引腳排列引腳排列(pili)頂視頂視圖圖第45頁/共68頁第四十六頁,共69頁。( 1 )( 1 ) 直 流 分 析直 流 分 析(fnx)(fnx)REFGS
28、5SSDDREFSG5SSDDoREF RVVVRVVVII 2TPGS5p5REF)(VVKI 已知已知VTN 和和Kp5 ,可求出,可求出IREF 根據(jù)各管子的寬長比根據(jù)各管子的寬長比 ,可求出其它,可求出其它(qt)支路電支路電流。流。2. 技術(shù)指標分析計算技術(shù)指標分析計算第46頁/共68頁第四十七頁,共69頁。(2)(2)小信號小信號(xnho)(xnho)分分析析2idgs1vv 2idgs2vv 設(shè)設(shè) gm1 = gm2 = gm )|(ds4ds2mido21rrgA vvv輸入級電壓輸入級電壓(diny)(diny)增增益益 2. 技術(shù)指標分析計算技術(shù)指標分析計算)|)( )|
29、(4o2o2d4d4o2oogs7o2rriirri vv則則)|()|)(2()2( ds4ds2idm4o2oid2mid1mrrgrrggvvv 第47頁/共68頁第四十八頁,共69頁。總電壓增益總電壓增益 Av = Av1Av2 Av2= vo/ v gs7 = - gm7(rds7 | rds8) 第二級電壓第二級電壓(diny)(diny)增增益益 將參數(shù)代入計算得將參數(shù)代入計算得 Av = 40884.8( 92.2 dB )(2)(2)小信號小信號(xnho)(xnho)分析分析2. 技術(shù)指標分析計算技術(shù)指標分析計算第48頁/共68頁第四十九頁,共69頁。原理原理(yunl)(
30、yunl)電電路路 第49頁/共68頁第五十頁,共69頁。簡化簡化(jinhu)(jinhu)電電路路第50頁/共68頁第五十一頁,共69頁。簡化簡化(jinhu)電路電路JFET差分差分(ch fn)式放式放大電路大電路BJT差分式差分式放大電路放大電路共集電極共集電極放大電路放大電路復合管復合管共集電極共集電極放大電路放大電路互補對稱互補對稱輸出級輸出級過流保護過流保護電路電路外接調(diào)外接調(diào)零電阻零電阻第51頁/共68頁第五十二頁,共69頁。簡化簡化(jinhu)電路電路很高的輸入電阻,很低的輸入偏置電流很高的輸入電阻,很低的輸入偏置電流(dinli),高速、寬帶和低,高速、寬帶和低噪聲噪聲
31、 第52頁/共68頁第五十三頁,共69頁。第53頁/共68頁第五十四頁,共69頁。輸入直流誤差輸入直流誤差(wch)特性(輸入失調(diào)特性)特性(輸入失調(diào)特性)1. 輸入輸入(shr)失調(diào)電壓失調(diào)電壓VIO 輸入電壓為零時,為了使輸出電壓為零,在輸入端加的補償輸入電壓為零時,為了使輸出電壓為零,在輸入端加的補償電壓。一般約為電壓。一般約為(110)mV。超低失調(diào)運放為(。超低失調(diào)運放為(120) V。高精度運放。高精度運放OP-117 VIO=4 V。MOSFET達達20mV。2. 輸入偏置電流輸入偏置電流IIB IBN IBP IBN IBP VCC VEE VO 集成運放兩個輸入端靜態(tài)電流的集
32、成運放兩個輸入端靜態(tài)電流的平均值平均值 IIB(IBNIBP)/2 BJT為為10nA1 A;MOSFET運放運放IIB在在pA數(shù)量級。數(shù)量級。第54頁/共68頁第五十五頁,共69頁。3. 輸入失調(diào)輸入失調(diào)(shtio)電流電流IIO 輸入電壓為零時流入放大器兩輸入端的靜態(tài)基極輸入電壓為零時流入放大器兩輸入端的靜態(tài)基極(j j)電流之電流之差,即差,即IIO|IBPIBN| 。 一般約為一般約為1 nA0.1A。 4. 溫度漂移溫度漂移(1)輸入失調(diào)電壓溫漂)輸入失調(diào)電壓溫漂 VIO / T(2)輸入失調(diào)電流溫漂)輸入失調(diào)電流溫漂 IIO / T輸入直流誤差特性(輸入失調(diào)特性)輸入直流誤差特性
33、(輸入失調(diào)特性)第55頁/共68頁第五十六頁,共69頁。差模特性差模特性1. 開環(huán)差模電壓增益開環(huán)差模電壓增益(zngy)Avo和帶寬和帶寬BW 20lgAvo/ /dB 106 dB 100 80 60 40 20 0 10 0 fH7 Hz 20 dB/ /十倍頻程十倍頻程 fT1.4 MHz f/ /Hz fH 10 102 103 104 105 106 fT 107 741型運放型運放Avo的頻率響應的頻率響應 開環(huán)差模電壓開環(huán)差模電壓(diny)增益增益Avo開環(huán)帶寬開環(huán)帶寬BW (fH)單位增益帶寬單位增益帶寬 BWG (fT)第56頁/共68頁第五十七頁,共69頁。2. 差模輸
34、入電阻差模輸入電阻rid和輸出電阻和輸出電阻ro BJT輸入級的運放輸入級的運放(yn fn)rid一般在幾百千歐到數(shù)兆歐一般在幾百千歐到數(shù)兆歐MOSFET為輸入級的運放為輸入級的運放(yn fn)rid1012超高輸入電阻運放超高輸入電阻運放(yn fn)rid1013、IIB0.040pA一般運放一般運放(yn fn)的的ro200,而超高速,而超高速AD9610的的ro0.05。3. 最大差模輸入最大差模輸入(shr)電壓電壓Vidmax差模特性差模特性第57頁/共68頁第五十八頁,共69頁。共模特性共模特性1. 共模共模(n m)抑制比抑制比KCMR和共模和共模(n m)輸入電阻輸入電
35、阻ric 一般一般(ybn)通用型運放通用型運放KCMR為(為(80120)dB,高精,高精度運放可達度運放可達140dB,ric100M。 2. 最大共模輸入電壓最大共模輸入電壓Vicmax 運放作為電壓跟隨器時,使輸出電壓產(chǎn)生運放作為電壓跟隨器時,使輸出電壓產(chǎn)生1%跟隨誤差的共跟隨誤差的共模輸入電壓幅值。高質(zhì)量的運放可達模輸入電壓幅值。高質(zhì)量的運放可達 13V。第58頁/共68頁第五十九頁,共69頁。大信號動態(tài)大信號動態(tài)(dngti)特性特性1. 轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)換(zhunhun)速率速率SR放大電路在閉環(huán)狀態(tài)下,輸入為大信號(例如階躍信號)時,輸出放大電路在閉環(huán)狀態(tài)下,輸入為大信號(例如階躍信號
36、)時,輸出電壓對時間的最大變化速率,即電壓對時間的最大變化速率,即 maxoRd)(dttSv Vimax Vimax t R1 R2 vi R3 vO 741 Vomax Vomax t 斜率決定斜率決定 轉(zhuǎn)換速率轉(zhuǎn)換速率 若信號為若信號為viVimsin2 ft ,則運放的,則運放的SR必須滿足必須滿足SR2fmaxVom第59頁/共68頁第六十頁,共69頁。2. 全功率全功率(gngl)帶寬帶寬BWP 運放輸出最大峰值運放輸出最大峰值(fn zh)電壓時允許的最高頻率,即電壓時允許的最高頻率,即SR和和BWP是大信號和高頻信號工作時的重要指標是大信號和高頻信號工作時的重要指標一般通用型運
37、放一般通用型運放SR在在1V/ s以下,以下,741的的SR=0.5V/ s高速運放要求高速運放要求SR30V/ s以上。以上。 目前超高速的運放如目前超高速的運放如AD9610的的SR 3500V/ s。omRmaxP2 VSfBW 大信號動態(tài)特性大信號動態(tài)特性第60頁/共68頁第六十一頁,共69頁。電源電源(dinyun)特性特性1. 電源電壓電源電壓(diny)抑制比抑制比KSVR 衡量電源電壓波動對輸出電壓的影響衡量電源電壓波動對輸出電壓的影響 2. 靜態(tài)功耗靜態(tài)功耗PV 1. 電源電壓范圍電源電壓范圍3. 最大輸出電流最大輸出電流IOmax 2. 最大耗散功耗最大耗散功耗PCO 極限參數(shù)極限參數(shù)第61頁/共68頁第六十二頁,共69頁。1. 集成運放集成運放(yn fn)的選用的選用 根據(jù)技術(shù)要求應首選通用型運放,當通用型運放難以根據(jù)技術(shù)要求應首選通用型運放,當通用型運放難以(nny)(nny)滿足要求時,才考慮專用型運放,這是因為通用型器件滿足要求時,才考慮專用型運放,這是因為通用型器件的各項參數(shù)比較均衡,做到技
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