循環(huán)伏安法細(xì)則

1、利用循環(huán)伏安確定反應(yīng)是否為可逆反應(yīng)1. 氧化峰電流與還原峰電流絕對值相等，即二者絕對值比值始終為 一，與掃描速率，換向電勢，擴(kuò)散系數(shù)無關(guān)。2. 氧化峰與還原峰電位差約為 59mV利用循環(huán)伏安確定反應(yīng)是否為可逆反應(yīng)1. 氧化峰電流與還原峰電流之比的絕對值等于12. 氧化峰與還原峰電位差約為（59/n）mV （25攝氏度時）一般這兩個條件即可判斷擴(kuò)散反應(yīng)或者是吸附反應(yīng)：改變掃描速率，看峰電流是與掃描速率還是它的二次方根成正比若是與掃描速率成線性，就是表面控制過程 與二次方根成線性，就是擴(kuò)散控制偶認(rèn)為，給6樓糾正下，是59/n,n為電子轉(zhuǎn)移量（亞鐵-鐵，n=1）溫度一般 是293K下確定，但是一般我

2、們實驗時候不是在這個溫度下，因此用 這個算是有誤差的，一般保證其值在100mv以下都算合理的誤差，隨 著掃描速度的變大，這個值.循環(huán)伏安測試的基本電位條件設(shè)定是根據(jù)你的研究電機(jī)與參比電極決定利用循環(huán)伏安確定反應(yīng)是否可逆1:氧化峰和還原峰的電流比是否相等，若相等則可逆。有時對同一體系，掃描速率不同也會在一定程度上影響其可逆性的一般而言，掃速越大其電化學(xué)反應(yīng)電流也就越大。2:氧化峰和還原峰 電位差等于59/nmV若大于，則是準(zhǔn)可逆體系這種確定onset potential的方法的依據(jù)是什么呢？我看有的文獻(xiàn)上 直接是作一條切線，但這樣誤差也很大，很主觀隨意。不知道Electrochimica Act

3、a 53 (2007) 811- 822 這篇文獻(xiàn)中的這種求onset potential的方法的依據(jù)是什么。Quote:Originally posted by crossin at 2009-4-28 17:29:The onset is defined as the potential at which 10% or 20%of the current value at the peak potential was reached.(Electrochimica Acta 53 (2007) 811- 822)不是“依據(jù)(accord) ”，而是“定義(define ) ”以前我們老師上

4、電極過程動力學(xué)的時候說準(zhǔn)確的onset potential其實是很難被確定的。只能估計大致的范圍。求法可以說有好幾種，據(jù)我所知就有兩種，一種是樓上說的切線法， 一種是我說的10%或20%法哪種方法不重要，重要的只在白己的樣品之間比。另外，我不知道你的樣品是什么，就我所熟知的電催化劑而言，其實評價它的好壞，起始電位固然重要，但更看重它的峰形以及質(zhì)量 單位電流密度。、切線法是有這個問題，所以用峰高的10%來定，人為因素要小一些啦。其實說來說去又變成了起始電位測不準(zhǔn)啦！ 所以起始電位只能拿來作一個輔助的參考指標(biāo)具體到發(fā)文章，具體樣品的表征還是要根據(jù)文獻(xiàn)中人家通用的標(biāo)準(zhǔn)是什么。你說對吧！ ？求助循環(huán)伏

5、安曲線已有7人參與問一下循環(huán)伏安曲線中，正電流對應(yīng)著是氧化峰還是還原峰， 沒轉(zhuǎn)過彎來。謝謝很多書上都把還原反應(yīng)電流規(guī)定為正， 一般不說正電流或負(fù)電流，而 說陽極電流或陰極電流。陽極反應(yīng)的電流是陽極電流， 對應(yīng)的峰為氧 化峰，陰極反應(yīng)的電流是陰極電流，對應(yīng)的峰為還原峰。電流的正負(fù)是人為規(guī)定的，習(xí)慣上還原峰電流規(guī)定為正，氧化峰電流 為負(fù)，但是也有相反的情況，不能按照電流的正負(fù)來區(qū)分氧化峰或還 原峰，從電位上可以判斷，通常氧化峰位于還原峰較正的位置上，也 就說，峰電位較正的峰是氧化峰，峰電位較負(fù)的峰是還原峰，這是極 化造成的結(jié)果。看掃描方向，由正向負(fù)方向掃出的峰就是還原峰， 由負(fù)往正方向掃就 是氧化

6、峰，也就是對應(yīng)的負(fù)掃和正掃我們用的是上海辰華的工作站， 也是顛倒的，一般我們把數(shù)據(jù)導(dǎo)出再 用ORIGIN7觀理數(shù)據(jù)，把圖形倒過來。習(xí)慣上，將流入電極表面的電流，定義為負(fù)，流出電極表面的電流定義為正，前者為陰極，還原，后者為氧化。儀器的cv圖，可以根據(jù)掃描電位的方向，向負(fù)電位方向掃，肯定是先出現(xiàn)的還原電流峰，所以哪個先出來，就是還原峰，不用拘泥于坐 標(biāo)軸。請問，怎么求循環(huán)伏安過程中的總電荷，是曲線下的面積嗎，謝謝660C是可以直接讀取過程中的總電量的，這個數(shù)值它會白動記錄下 來的，數(shù)據(jù)文件里就有。如果要白己求可以用軟件里白帶的求積分的 命令，實在不會還可以導(dǎo)出到 origin里求積分660C每個

7、數(shù)據(jù)都是這樣的Potential/V, Current/A, Charge/CSegment 1:0.050, 2.389e-5, 4.779e-7最后一個就是電量，是這個電位以前的積分而不是對應(yīng)這個電位下的 電量。跟你白己積出來的結(jié)果應(yīng)該是一樣的。借你的樓層說說循環(huán)伏安測試的原理：1. 若電極反應(yīng)為 6 e<->R反應(yīng)前溶液中只含有反應(yīng)粒子 。且。 R在溶液均可溶，控制掃描起始電勢從比體系標(biāo)準(zhǔn)平衡電勢 （4平）正 得多的起始電勢（4 i）處開始勢作正向電掃描，電流響應(yīng)曲線則如附圖所示。2. 當(dāng)電極電勢逐漸負(fù)移到（平）附近時，O開始在電極上還原，并有 法拉第電流通過。由于電勢越來越

8、負(fù)，電極表面反應(yīng)物O的濃度逐漸 下降，因此向電極表面的流量和電流就增加。 當(dāng)O的表面濃度下降到 近于零，電流也增加到最大值Ipc,然后電流逐漸下降。當(dāng)電勢達(dá)到（§ r）后，又改為反向掃描。3. 隨著電極電勢逐漸變正，電極附近可氧化的R粒子的濃度較大，在 電勢接近并通過(4平)時，表面上的電化學(xué)平衡應(yīng)當(dāng)向著越來越有利 于生成R的方向發(fā)展。于是R開始被氧化，并且電流增大到峰值氧化 電流Ipa ,隨后又由于R的顯著消耗而引起電流衰降。整個曲線稱為“循環(huán)伏安曲線”。循環(huán)伏安應(yīng)用還是很多的(1) 電極可逆性的判斷 循環(huán)伏安法中電壓的掃描過程包括陰極與陽極兩個方向，因此從所得的循環(huán)伏安法圖的氧化

9、波和還原波的峰高和 對稱性中可判斷電活性物質(zhì)在電極表面反應(yīng)的可逆程度。若反應(yīng)是可逆的，則曲線上下對稱，若反應(yīng)不可逆，則曲線上下不對稱。(2) 電極反應(yīng)機(jī)理的判斷循環(huán)伏安法還可研究電極吸附現(xiàn)象、電化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物、電化學(xué)一化學(xué)耦聯(lián)反應(yīng)等，對于有機(jī)物、金屬有機(jī)化合 物及生物物質(zhì)的氧化還原機(jī)理研究很有用。測試的時候，以等腰三角形的脈沖電壓加在工作電極上， 得到的電流 電壓曲線包括兩個分支，如果前半部分電位向陰極方向掃描， 電活性 物質(zhì)在電極上還原，產(chǎn)生還原波，那么后半部分電位向陽極方向掃描 時，還原產(chǎn)物又會重新在電極上氧化，產(chǎn)生氧化波。因此一次三角波 掃描，完成一個還原和氧化過程。循環(huán)，你好，循環(huán)伏安法

10、是一種測試方法，不是電鍍的一種手段。循環(huán)伏安一般是給電極施加恒定掃描速度的電壓持續(xù)的觀察電極表面電流和電位的關(guān)系，可以用來表征電極表面發(fā)生的反應(yīng)以及探討電極反應(yīng)的機(jī)理。而電鍍是給電極施加恒定的電流使得金屬離子在鍍件表面沉積，現(xiàn)在常見的電鍍錫、電鍍銅、電鍍鋅、電鍍鐐、電鍍銘和電鍍貴金屬等。你說的電鍍鉗就是貴金屬一種。所以說，兩者沒有必然的關(guān)系。一般是先進(jìn)行電鍍，然后進(jìn)行循環(huán)伏安表征。這可能是他們之間的一點聯(lián)系吧。這是電分析方面的，標(biāo)準(zhǔn)曲線還是通過紫外或者紅外等其他手段測量比較好，通過CV測量的話，得需要做一批不同濃度的 CV曲線，通過曲線特征峰的積分面積從而確定濃度與峰面積之間的關(guān)系，然后繪制出

11、標(biāo)準(zhǔn)曲線。這樣就可以用來測定未知物的濃度了！Quote:Originally posted by 紫魂 at 2010-03-16 09:09:51:大家好！我也是做循環(huán)伏安的。我最近再做一個制作電極的實驗，測一種生物分子，老師讓我做個樣品分析，我看文獻(xiàn)，它就說標(biāo)準(zhǔn)曲線和標(biāo)準(zhǔn)加入，我看不懂它到底是怎么測得，回收又是怎么算的，請高手不吝賜教！謝謝！物理吸附是通過范德華力之間作用的，不能通過CV曲線來測量?；瘜W(xué)吸附是分子之間的相互作用，是可以通過CV曲線測量的。一般的，如果峰值電流與濃度之間呈現(xiàn)線性關(guān)系，則可以認(rèn)為是化學(xué) 吸附。當(dāng)然通過特征峰分析也是可以的 希望能對你有幫助，你可以查看一些電化學(xué)測

12、量方面的書籍。Quote:Originally posted by 那個 at 2010-03-16 10:44:00:搭車問下能否設(shè)計循環(huán)伏安實驗，測量一種離子在電極表面的吸附狀況吸附可能會有物理吸附，化學(xué)吸附兩種循環(huán)伏安可以用于電沉積金屬的，實際是就是在CV過程中，金屬鹽或者酸發(fā)生還原被還原成單質(zhì)的。Quote:Originally posted by zlin at 2010-03-15 20:16:16:你好，循環(huán)伏安法是一種測試方法，不是電鍍的一種手段。循環(huán)伏安一般是給電極施加恒定掃描速度的電壓持續(xù)的觀察電極表面電流和電位的關(guān)系，可以用來表征電極表面發(fā)生的反應(yīng)以及探討電極反應(yīng)的機(jī)理。

13、而電鍍是給.循環(huán)伏安法，這里有篇很好的綜述介紹，我這里再把鏈接發(fā)下，這是前不久有站友問到這個問題我發(fā)上來的，鏈接是看第二樓的回復(fù)附件.我來回答你的問題脫落或發(fā)白是結(jié)合力不好的原因，降低掃速對于沉積當(dāng)然有利，這樣也能夠提高鍍層的結(jié)合力。最后，你說的那個線性掃描的測試選用的方法是對的Quote:Originally posted by tianll06 at 2010-04-11 21:47:46:我做的是循環(huán)伏安法鍍鐐鉆薄膜，襯底是導(dǎo)電玻璃，鍍液硫 酸鉆硫酸鐐硼酸還有糖精，為什么我的薄膜鍍出來以后不是 脫落就是發(fā)白呢，是不是掃描電位太高，這個方法鍍膜是不 是不能太急，掃描速度慢一點時間長一點比較

14、好.恒電位沉積和CV 沉積的結(jié)果是不一樣的恒電位是在恒定電位下進(jìn)行沉積， 這個電位可以是極化后的金屬沉積 電位，而CV中電位一直在變化，也就是說溶解和沉積過程一直進(jìn)行, 這可能是導(dǎo)致你試驗結(jié)果不同的原因Quote:Originally posted by tianll06 at 2010-04-12 08:40:38:謝謝你的回答，按照你說的是結(jié)合力的問題，像導(dǎo)電玻璃這 種表面平滑的襯底，是不是有些附著力差的薄膜根本就無法沉積呢，我永恒電位方法已經(jīng)做出來比較不錯的樣品了，嘗試了一下循環(huán)伏安法鍍膜，結(jié)果很多薄膜發(fā)白，.請問你這是要測量什么呢？一般對電極（輔助電極）是研究電極3倍以上的面積就可以了

15、Quote:Originally posted by roseyy at 2010-04-1210:27:58:請問大家，做循環(huán)伏安曲線使用的工作電極和輔助電極都是鉗電極，其中輔助電極要求面積較大一些，那工作電極的面積相對來說就要小一些，具體應(yīng)小到什么程度，如果面積較大（但仍小于輔助電極）會對循環(huán)伏安曲線由什.飽和甘汞電極電極電位為 0.242V,相對于SHE的話，是0.4V加上0.242V,即 0.642V vs SHEQuote:Originally posted by lzx9968 at 2010-04-14 20:41:21:請教個問題，如果使用甘汞電極做參比，測試中發(fā)生反應(yīng)的電位是0.4V，那么實際反應(yīng)電位應(yīng)該是多少呢，就是 0.4V還是要加上或者減去參比電位？我先問一個，單電子過程掃循環(huán)伏安， 氧化還原電位差不在59mv , 那么主要影響電極的界面因素有哪些？是什