mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)課件

1、mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET&IGBT概述mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET結(jié)構(gòu)圖在MOSFET中是多子移動(dòng)，單極性器件開(kāi)關(guān)時(shí)間短mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET等效圖mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)IGBT結(jié)構(gòu)圖mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)IGBT等效電路寄生晶閘管引起鎖定效應(yīng)可能引起誤導(dǎo)通mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)NPT型IGBT特點(diǎn)mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET&IGBT輸出特性MOSFET 輸出特性輸出特性IGBT 輸出特性輸出特性mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)IGBT和MO

2、SFET在硬開(kāi)關(guān)的時(shí)候典型特性mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通過(guò)程的說(shuō)明mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET與IGBT的發(fā)展方向mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET幾個(gè)用法 單向?qū)╩osfet以及mosfet驅(qū)動(dòng) 雙向?qū)∕OSFET幾個(gè)用法mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET幾個(gè)用法 電容隔離式使用mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET幾個(gè)用法 變壓器隔離式使用mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MOSFET幾個(gè)用法DC-DC式光耦隔離使用mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)MGD 2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)IR2110基本應(yīng)用mosfet

3、以及mosfet驅(qū)動(dòng)IR2110自舉原理說(shuō)明mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)IR2110說(shuō)明IR2110優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：價(jià)格便宜，一片IR2110可以驅(qū)動(dòng)兩路開(kāi)關(guān)。耐壓比較高，可以達(dá)到500伏。電路形式簡(jiǎn)單，應(yīng)用元件較少，電路板面積較小。mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)IR2110說(shuō)明IR2110驅(qū)動(dòng)電路的缺點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路的缺點(diǎn)是： 浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓由自舉電容實(shí)現(xiàn)，要求電路的輸出要有足夠?yàn)榱汶娢坏臅r(shí)間，以給自舉電容充電。 IR2110要求Vs端不能為負(fù)電壓，因此該電路不能用于輸出可能為負(fù)電壓的場(chǎng)合。1. 如果要求輸出有較長(zhǎng)時(shí)間為高，可能要采用電荷泵電路，維持VB和VS間自舉電容長(zhǎng)時(shí)間保持15V壓差，使得

4、開(kāi)關(guān)管M1在該時(shí)間段內(nèi)導(dǎo)通。mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)IR2110說(shuō)明采用采用IR2110的浮動(dòng)通道來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓的浮動(dòng)通道來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓MOS浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路的適用條件浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路的適用條件：輸出電壓沒(méi)有負(fù)電壓。驅(qū)動(dòng)電壓波形中零電位出現(xiàn)不能相隔太久。零電位維持時(shí)間要滿足自舉電容充電的時(shí)間。mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)IR2110的典型使用方法mosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)光耦驅(qū)動(dòng)的典型結(jié)構(gòu)OUTPUTVs2MLVLconVCC=+15VDLVs1VHconOCLhcpl3140NCAnodeCathodNCVEEVoVCCNCDHCLRHMHOCHhcpl3140NCAnodeCathodNCVEEVoVCCNCVCC=+15VCHRLmosfet以及mosfet驅(qū)動(dòng)光耦的使用方法V