電源及晶豐明源IC培訓教程

1、電源及晶豐明源IC培訓教程一、輸入電壓、功率因數(shù)。1、通常輸入電壓分為單電壓輸入及全電壓輸入。電壓是指 85-132V 與 176-265V。85-135V電源或燈具會銷往 美國、日本、臺灣、加拿大、朝鮮、巴拿馬、古巴、黎巴嫩、墨西哥 ;等地方。其它國家輸入電壓都是在 176-265V。2全電壓是指85-265V o2、 功率因數(shù)（PFC）"率因數(shù)分為 高功率因數(shù) 和 低功率因數(shù) 兩種。高功率因數(shù)指 PFC三0.9 低功率因數(shù)指PFC在0.5左右, 功率因素值越大，代表其電力利用率越高。2功率因數(shù)可通過功率計測出。二、晶豐明源IC解析。1、晶豐明源IC主要分為、隔離電源IC、非隔離電

2、源IC、非隔離線雄恒流IC、調(diào)非IC、低壓DC DC 。隔離電源IC又分為 高功率因數(shù) 和 低功率因數(shù) 兩種。晶豐BP33X些列為高功率因數(shù)隔離 IC , BP31X BP90X 些列為低功率因數(shù)隔離IC。芯片型號輸入電壓PF功率驅(qū)動電源特點BP9020A176-264VAC0.53W內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；僅10個外圍元件；原邊 反饋；低成本BP9021A100-264VAC0.53W內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；僅10個外圍元件；原邊 反饋；低成本BP9022A100-264VAC0.55W內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；僅10個外圍元件；原邊 反饋；低成本BP312210

3、0-264VAC0.55W內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；原邊反饋；低成本。BP3123100-264VAC0.55W內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；原邊反饋；過認證。BP3132A100-264VAC0.55W內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；原邊反饋；過認證。BP3133A100-264VAC0.55-7W內(nèi)置功率MOSFET原邊反饋；低成本BP3135100-264VAC0.55-7W內(nèi)置功率MOSFET原邊反饋；低成本BP3115100-264VAC0.57-9W內(nèi)置功率MOSFET原邊反饋；低成本BP3125100-264VAC0.58-12W內(nèi)置功率MOSFET原邊反饋；低成本

4、BP3116100-264VAC0.512-18W內(nèi)置功率MOSFET原邊反饋；低成本BP3126100-264VAC0.518-24W內(nèi)置功率MOSFET原邊反饋；低成本BP3135D100-264VAC0.58-12W內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；僅10個外圍元件；原邊 反饋；低成本BP3136D100-264VAC0.512-18W內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；僅10個外圍元件；原邊 反饋；低成本BP3137D100-264VAC0.5內(nèi)置功率MOSFET雙繞組變壓器；僅10個外圍元件；原邊 反饋；低成本BP3105100-264VAC0.524-50W原邊反饋、恒流一致性好、低

5、成本。BP3106100-264VAC0.524-50W原邊反饋、恒流一致性好、低成本。BP3315100-264VACM 0.95-7W原邊反饋APFC內(nèi)置高壓功率MOSFET溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；過認證BP3316D100-264VACM 0.98-12W原邊反饋APFC內(nèi)置高壓功率MOSFET溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；過認證BP3309100-264VACM 0.912-36W原邊反饋APFC啟動時間小于200mS過認證BP3319100-264VACM 0.912-60W原邊反饋APFC溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；過認證BP3319M100-264VACM 0.91

6、2-60W原邊反饋APFC溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；過認證p隔離電源IC也分為 高功率因數(shù) 和 低功率因數(shù)兩種晶豐BP23X些列為高功率因數(shù)非隔離IC , BP28XBP98X低功率因數(shù)IC.芯片型號輸入電壓PF功率驅(qū)動電源特點BP2831ABP9831A176-264VAC0.515WIM 110MA內(nèi)置功率MOSFET;溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍； 單繞組電感；自帶OVP保護；僅10個外圍元件；符合ERP 指令；成本可以和阻容相當BP2832ABP9832A176-264VAC0.520WIM 160MA內(nèi)置功率MOSFET;溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；單繞組電感；自帶OVP

7、保護；僅10個外圍元件BP2833ABP9833A176-264VAC0.525WIM 160MA內(nèi)置功率MOSFET;溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；單繞組電感；自帶OVP保護；僅10個外圍元件BP2833DBP9833D176-264VAC0.530WI 三230MA內(nèi)置高壓功率MOSFET ;單繞組電感；內(nèi)置 OVP保護。BP2836D176-264VAC0.545WI 三280MA內(nèi)置高壓功率MOSFET ;單繞組電感；內(nèi)置 OVP保護。BP2325ABP2327A100-264VACM 0.913WIM170MAAPFC技術(shù)；內(nèi)置高壓功率MOSFET ;溫度控制技術(shù)確保高 溫工作不閃

8、爍；單繞組電感；自帶 OVP保護；怛流精度極高；通過 EMI測 試BP2326A100-264VACM 0.915WI 三200MAAPFC技術(shù)；內(nèi)置高壓功率MOSFET ;溫度控制技術(shù)確保高 溫工作不閃爍；單繞組電感；自帶 OVP保護；怛流精度極高；通過 EMI測 試BP2328D176-264VACM 0.924WI 三300MAAPFC技術(shù)；內(nèi)置高壓功率MOSFET ;溫度控制技術(shù)確保高 溫工作不閃爍；單繞組電感；自帶 OVP保護；怛流精度極高；通過 EMI測 試。BP2329A100-264VACM 0.950WI 三500MAAPFC技術(shù)；溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍； 單繞組電感

9、；自帶 OVP保護；怛流精度極高；罪隔離線性恒流IC.芯片型號輸入電壓PF功率驅(qū)動電源特點BP5112200-240VAC0.76WI 三40MA內(nèi)置功率MOSFET ;溫度控制技術(shù)確保高溫工作不閃爍；無需EMI器件；光電一體引擎方便生廣；相比 CRD而言，有更好的效率和 更小的輸入功率波動到光IC芯片型號輸入電壓PF功率驅(qū)動電源特點BP321190132VAC0.96W 40V/150mA內(nèi)置功率MOSFET ;自帶OVP保護；外圍元器件少；單繞 組電感；BOM成本低；兼容絕大部分低壓調(diào)光器；PWM、Analog、可控硅調(diào)光；過認證BP321290132VAC0.910W 42V/240mA內(nèi)置功率MOSFET自帶OVP呆護；外圍元器件少；單繞組電 感；BOMK本低；兼容絕大部分低壓調(diào)光器；PWM Analog、可控硅調(diào)光；過認證BP321890132VAC0.937V/400mA自帶OVP呆護；夕卜圍元器件少；單繞組電感；BOMS本低；兼容絕大部分低壓調(diào)光器；PWM Analog、可控硅調(diào)光；過認證BP231890264VAC0.980V/240m