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;.1碳納;.2碳納米晶體管成品圖(優(yōu)點);.3 制造的困難 1.內(nèi)持續(xù)導(dǎo)電的“金屬纖維”，其不像其他半導(dǎo)體可以關(guān)掉電流。 2.碳納米管不是以整齊、平行線的方式生長，若嘗試在晶片上將其排列就會得到“一碗面”;.4制作過程 背柵的生長CNT的生長制造源漏VMR CNT轉(zhuǎn)移金屬引線;.5Pmos_only logicVDD=3V,Vbias=-5V;.6 CNT的生長是在865攝氏度條件下，使用CVD制造。特別要提它生長的襯底是quartz（二氧化硅），為的是確保CNT能沿著一個方向直線式的生長。 生長結(jié)束后，在上面生長150nm的金，然后再附著一層熱釋放帶。;.71.襯底選擇硅和110nm的二氧化硅。2.光刻工藝打出需要的的形狀。3.填充Ti（粘合劑）和Pt（導(dǎo)電材料）。4.氬離子清洗以平整表面。5.24nm的AL2O3。;.8 1.加熱到125攝氏度使熱釋放帶脫落.2.濕法刻蝕去除Au。3.用氧和氫的等離子體刻蝕去除多余渣滓。;.9 源漏用的是Pd和Pt，通過激光剝離工藝制造VMR的Au引線。用電腦控制電壓，將金屬碳納米管泵滿電，直至氣化。;.10謝謝謝謝再見再見
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