超晶格材料光電性能及其相關(guān)力學(xué)問(wèn)題研究進(jìn)展(專業(yè)課)

1、超晶格材料光電性能及其相關(guān)力學(xué)問(wèn)題研究進(jìn)展（專業(yè)課）共 3 大題，總分 100 分，60 分及格（請(qǐng)于 30 分鐘內(nèi)完成） 窗體頂端一、單選題（共 7 小題，每題 5 分）1、閃晶礦有（ ）個(gè)獨(dú)立彈性常數(shù)。 A、2 B、3 C、4 D、5 2、超晶格材料以（ ）為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。 A、原子物理學(xué) B、粒子物理學(xué) C、量子力學(xué) D、固體物理學(xué) 3、緊束縛方法是由（ ）首次提出的。 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D、Bloch 4、半導(dǎo)體超晶

2、格材料應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)出現(xiàn)在（ ）時(shí)間。 A、20世紀(jì)60年代 B、20世紀(jì)70年代 C、20世紀(jì)80年代 D、20世紀(jì)末 5、半導(dǎo)體超晶格材料的出現(xiàn)是30年來(lái)（ ）的兩大突破。 A、量子物理和材料科學(xué) B、量子物理和材料物理 C、物理科學(xué)和材料科學(xué) D、量子力學(xué)和材料科學(xué) 6、超晶格材料是（ ）種不同組元以幾個(gè)納米到幾十個(gè)納米的薄層交替生長(zhǎng)并保持嚴(yán)格周期性的多層膜。 A、一 B、兩 C、三 D、四 7、（ ）%以上的電子器件都是以量子結(jié)構(gòu)材料為基

3、礎(chǔ)制造的。 A、80 B、85 C、90 D、95二、多選題（共 6 小題，每題 5 分）1、低維量子結(jié)構(gòu)材料都在（ ）上應(yīng)用。 A、微型機(jī)器人 B、微衛(wèi)星 C、遠(yuǎn)程無(wú)人監(jiān)控系統(tǒng) D、微陀螺儀 2、彈性力學(xué)中有（ ）方程。 A、物理方程 B、平衡方程 C、幾何方程 D、化學(xué)方程 3、電子產(chǎn)品的發(fā)展方向是（ ）。 A、體積小 B、重量輕 C、多功能 D、功耗低 E、高可靠度 4、半導(dǎo)體超晶格材料會(huì)產(chǎn)

4、生（ ）光電現(xiàn)象。 A、負(fù)電阻效應(yīng) B、量子約束效應(yīng) C、共振隧穿效應(yīng) D、聲子約束效應(yīng) 5、通過(guò)減小器件尺寸來(lái)接近物理極限，微電子技術(shù)都收到（ ）限制和挑戰(zhàn)。 A、短溝道效應(yīng) B、光刻技術(shù) C、制造成本昂貴 D、量子隧穿效應(yīng) E、互連延遲 6、（ ）發(fā)現(xiàn)低維量子結(jié)構(gòu)材料可實(shí)現(xiàn)負(fù)電阻效應(yīng)。 A、Esaki B、Tsu C、安德烈·海姆 D、康斯坦丁·諾沃肖洛夫三、判斷題（共 7 小題，每題 5 分）1、如果超晶格的重復(fù)單元是由

5、不同半導(dǎo)體材料的薄膜堆垛而成的叫組分超晶格。 對(duì)     錯(cuò) 2、動(dòng)載荷產(chǎn)生的大應(yīng)變不會(huì)導(dǎo)致以量子結(jié)構(gòu)材料為核心材料的先進(jìn)器件過(guò)載而失效。 對(duì)     錯(cuò) 3、量子結(jié)構(gòu)材料研究屬于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)和量子力學(xué)交叉學(xué)科的前沿性研究領(lǐng)域。 對(duì)     錯(cuò) 4、超晶格材料是一種小于天然晶格尺寸的周期性超薄結(jié)構(gòu)材料。 對(duì)     錯(cuò) 

6、;5、超晶格晶體材料是一種人工制造的大尺寸周期結(jié)構(gòu)晶體材料。 對(duì)     錯(cuò) 6、材料是時(shí)代進(jìn)步的標(biāo)志。 對(duì)     錯(cuò) 7、超晶格材料是首次出現(xiàn)人工設(shè)計(jì)并制造的周期性晶體。你現(xiàn)時(shí)的得分是 40！你的成績(jī)低于作業(yè)及格要求，請(qǐng)重做！錯(cuò)誤情況：?jiǎn)芜x題-1.閃晶礦有（ ）個(gè)獨(dú)立彈性常數(shù)。正確答案：D.5 2.超晶格材料以（ ）為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。正確答案：C.量子力學(xué) 3.緊束縛方法是由（ ）首次提出的。正確答案：D.Bloch 5.半導(dǎo)體

7、超晶格材料的出現(xiàn)是30年來(lái)（ ）的兩大突破。正確答案：A.量子物理和材料科學(xué) 7.（ ）%以上的電子器件都是以量子結(jié)構(gòu)材料為基礎(chǔ)制造的。正確答案：C.90 多選題-1.低維量子結(jié)構(gòu)材料都在（ ）上應(yīng)用。正確答案：A.微型機(jī)器人 B.微衛(wèi)星 C.遠(yuǎn)程無(wú)人監(jiān)控系統(tǒng) D.微陀螺儀 3.電子產(chǎn)品的發(fā)展方向是（ ）。正確答案：A.體積小 B.重量輕 C.多功能 D.功耗低 E.高可靠度 4.半導(dǎo)體超晶格材料會(huì)產(chǎn)生（ ）光電現(xiàn)象。正確答案：A.負(fù)電阻效應(yīng) B.量子約束效應(yīng) C.

8、共振隧穿效應(yīng) D.聲子約束效應(yīng) 5.通過(guò)減小器件尺寸來(lái)接近物理極限，微電子技術(shù)都收到（ ）限制和挑戰(zhàn)。正確答案：A.短溝道效應(yīng) B.光刻技術(shù) C.制造成本昂貴 D.量子隧穿效應(yīng) E.互連延遲 6.（ ）發(fā)現(xiàn)低維量子結(jié)構(gòu)材料可實(shí)現(xiàn)負(fù)電阻效應(yīng)。正確答案：A.Esaki B.Tsu 判斷題-2.動(dòng)載荷產(chǎn)生的大應(yīng)變不會(huì)導(dǎo)致以量子結(jié)構(gòu)材料為核心材料的先進(jìn)器件過(guò)載而失效。正確答案：錯(cuò)4.超晶格材料是一種小于天然晶格尺寸的周期性超薄結(jié)構(gòu)材料。正確答案：錯(cuò)一、單選題（共 7 小題，每題 5 分）1、（ ）具有“小尺度效應(yīng)

9、”和“大尺寸量子效應(yīng)”并存的現(xiàn)象。 A、量子結(jié)構(gòu)材料 B、連續(xù)介質(zhì)力學(xué) C、量子力學(xué) D、微觀動(dòng)力學(xué) 2、半導(dǎo)體超晶格材料的出現(xiàn)是30年來(lái)（ ）的兩大突破。 A、量子物理和材料科學(xué) B、量子物理和材料物理 C、物理科學(xué)和材料科學(xué) D、量子力學(xué)和材料科學(xué) 3、（ ）的研制成功提供了介于宏觀連續(xù)介質(zhì)和微觀物質(zhì)粒子之間的典型介觀體系。 A、低維量子結(jié)構(gòu)材料 B、中維量子結(jié)構(gòu)材料 C、高維量子結(jié)構(gòu)材料 D、負(fù)微分電阻 4、緊束縛方法是由（ ）首次提出的。

10、 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D、Bloch 5、應(yīng)變超晶格大部分致力于量子結(jié)構(gòu)材料（ ）的研究 A、宏觀動(dòng)力學(xué)行為 B、微觀變形機(jī)理 C、量子化電子結(jié)構(gòu)及其光電性質(zhì) D、微小型器件制造及其光電性質(zhì) 6、半導(dǎo)體超晶格材料應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)出現(xiàn)在（ ）時(shí)間。 A、20世紀(jì)60年代 B、20世紀(jì)70年代 C、20世紀(jì)80年代 D、20世紀(jì)末 7、20世紀(jì)末是處于（ ）時(shí)代。 A、鐵器時(shí)代 B、復(fù)合材料時(shí)代 C

11、、智能材料時(shí)代 D、青銅時(shí)代二、多選題（共 6 小題，每題 5 分）1、通過(guò)減小器件尺寸來(lái)接近物理極限，微電子技術(shù)都收到（ ）限制和挑戰(zhàn)。 A、短溝道效應(yīng) B、光刻技術(shù) C、制造成本昂貴 D、量子隧穿效應(yīng) E、互連延遲 2、半導(dǎo)體超晶格材料應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)包括（ ）。 A、MBE B、MOCVD C、CBE D、ALE 3、彈性力學(xué)中有（ ）方程。 A、物理方程 B、平衡方程 C、幾何方程 D、化學(xué)方程 4、電子產(chǎn)品的發(fā)展方向是

12、（ ）。 A、體積小 B、重量輕 C、多功能 D、功耗低 E、高可靠度 5、超晶格材料分為（ ）。 A、組分超晶格 B、摻雜超晶格 C、多維超晶格 D、應(yīng)變超晶格 6、半導(dǎo)體超晶格材料會(huì)產(chǎn)生（ ）光電現(xiàn)象。 A、負(fù)電阻效應(yīng) B、量子約束效應(yīng) C、共振隧穿效應(yīng) D、聲子約束效應(yīng)三、判斷題（共 7 小題，每題 5 分）1、動(dòng)載荷產(chǎn)生的大應(yīng)變不會(huì)導(dǎo)致以量子結(jié)構(gòu)材料為核心材料的先進(jìn)器件過(guò)載而失效。 對(duì)   

13、0; 錯(cuò) 2、材料是時(shí)代進(jìn)步的標(biāo)志。 對(duì)     錯(cuò) 3、超晶格材料是首次出現(xiàn)人工設(shè)計(jì)并制造的周期性晶體。 對(duì)     錯(cuò) 4、如果超晶格的重復(fù)單元是由不同半導(dǎo)體材料的薄膜堆垛而成的叫組分超晶格。 對(duì)     錯(cuò) 5、超晶格材料是一種小于天然晶格尺寸的周期性超薄結(jié)構(gòu)材料。 對(duì)     錯(cuò) 6、量子結(jié)

14、構(gòu)材料研究屬于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)和量子力學(xué)交叉學(xué)科的前沿性研究領(lǐng)域。 對(duì)     錯(cuò) 7、超晶格晶體材料是一種人工制造的大尺寸周期結(jié)構(gòu)晶體材料。 對(duì)     錯(cuò)你現(xiàn)時(shí)的得分是 40！你的成績(jī)低于作業(yè)及格要求，請(qǐng)重做！錯(cuò)誤情況：?jiǎn)芜x題-1.（ ）具有“小尺度效應(yīng)”和“大尺寸量子效應(yīng)”并存的現(xiàn)象。正確答案：A.量子結(jié)構(gòu)材料 2.半導(dǎo)體超晶格材料的出現(xiàn)是30年來(lái)（ ）的兩大突破。正確答案：A.量子物理和材料科學(xué) 3.（ ）的研制成功提供了介于宏觀連續(xù)介質(zhì)和微

15、觀物質(zhì)粒子之間的典型介觀體系。正確答案：A.低維量子結(jié)構(gòu)材料 4.緊束縛方法是由（ ）首次提出的。正確答案：D.Bloch 5.應(yīng)變超晶格大部分致力于量子結(jié)構(gòu)材料（ ）的研究正確答案：D.微小型器件制造及其光電性質(zhì) 多選題-1.通過(guò)減小器件尺寸來(lái)接近物理極限，微電子技術(shù)都收到（ ）限制和挑戰(zhàn)。正確答案：A.短溝道效應(yīng) B.光刻技術(shù) C.制造成本昂貴 D.量子隧穿效應(yīng) E.互連延遲 2.半導(dǎo)體超晶格材料應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)包括（ ）。正確答案：A.MBE B.MOCVD C.CBE D.ALE

16、 4.電子產(chǎn)品的發(fā)展方向是（ ）。正確答案：A.體積小 B.重量輕 C.多功能 D.功耗低 E.高可靠度 5.超晶格材料分為（ ）。正確答案：A.組分超晶格 B.摻雜超晶格 C.多維超晶格 D.應(yīng)變超晶格 6.半導(dǎo)體超晶格材料會(huì)產(chǎn)生（ ）光電現(xiàn)象。正確答案：A.負(fù)電阻效應(yīng) B.量子約束效應(yīng) C.共振隧穿效應(yīng) D.聲子約束效應(yīng) 判斷題-1.動(dòng)載荷產(chǎn)生的大應(yīng)變不會(huì)導(dǎo)致以量子結(jié)構(gòu)材料為核心材料的先進(jìn)器件過(guò)載而失效。正確答案：錯(cuò)5.超晶格材料是一種小于天然晶格尺寸

17、的周期性超薄結(jié)構(gòu)材料。正確答案：錯(cuò)一、單選題（共 7 小題，每題 5 分）1、閃晶礦有（ ）個(gè)獨(dú)立彈性常數(shù)。 A、2 B、3 C、4 D、5 2、（ ）方法成功的描述了絕緣體的能帶結(jié)構(gòu)。 A、贗勢(shì)法 B、真實(shí)勢(shì)場(chǎng) C、Tight-binding D、K.P微擾方法 3、（ ）%以上的電子器件都是以量子結(jié)構(gòu)材料為基礎(chǔ)制造的。 A、80 B、85 C、90 D、95 4、贗勢(shì)方法在（ ）是研究半導(dǎo)體材料的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)的主要理論基礎(chǔ)。 A、

18、50-60年代 B、60-70年代 C、70-80年代 D、80-90年代 5、超晶格的發(fā)現(xiàn)是（ ）量級(jí)的大周期性介質(zhì)薄層尺寸內(nèi)仍出現(xiàn)量子化的電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律。 A、0.1nm B、1nm C、10nm D、100nm 6、（ ）方法考慮了自旋軌道的相互作用。 A、贗勢(shì)法 B、真實(shí)勢(shì)場(chǎng) C、Tight-binding D、K.P微擾方法 7、緊束縛方法是由（ ）首次提出的。 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D

19、、Bloch二、多選題（共 6 小題，每題 5 分）1、超晶格材料分為（ ）。 A、組分超晶格 B、摻雜超晶格 C、多維超晶格 D、應(yīng)變超晶格 2、半導(dǎo)體超晶格材料會(huì)產(chǎn)生（ ）光電現(xiàn)象。 A、負(fù)電阻效應(yīng) B、量子約束效應(yīng) C、共振隧穿效應(yīng) D、聲子約束效應(yīng) 3、（ ）極大地促進(jìn)了半導(dǎo)體超晶格材料的研究和發(fā)展。 A、微電子器件的集成度越來(lái)越高 B、微電子器件尺寸越來(lái)越小 C、微電子器件功能越來(lái)越全 D、高新技術(shù)的發(fā)展 4、半導(dǎo)體超晶格材料應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)包括（ ）。 A、MBE B、MOCVD C、CBE D、ALE 5、（ ）發(fā)現(xiàn)低維量子結(jié)構(gòu)材料可實(shí)現(xiàn)負(fù)電阻效應(yīng)。 A、Esaki B、Tsu C、安德烈·海姆 D、康斯坦丁·