超晶格材料光電性能及其相關力學問題研究進展(專業(yè)課)

1、超晶格材料光電性能及其相關力學問題研究進展（專業(yè)課）共 3 大題，總分 100 分，60 分及格（請于 30 分鐘內(nèi)完成） 窗體頂端一、單選題（共 7 小題，每題 5 分）1、閃晶礦有（ ）個獨立彈性常數(shù)。 A、2 B、3 C、4 D、5 2、超晶格材料以（ ）為設計基礎。 A、原子物理學 B、粒子物理學 C、量子力學 D、固體物理學 3、緊束縛方法是由（ ）首次提出的。 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D、Bloch 4、半導體超晶

2、格材料應用的關鍵技術(shù)出現(xiàn)在（ ）時間。 A、20世紀60年代 B、20世紀70年代 C、20世紀80年代 D、20世紀末 5、半導體超晶格材料的出現(xiàn)是30年來（ ）的兩大突破。 A、量子物理和材料科學 B、量子物理和材料物理 C、物理科學和材料科學 D、量子力學和材料科學 6、超晶格材料是（ ）種不同組元以幾個納米到幾十個納米的薄層交替生長并保持嚴格周期性的多層膜。 A、一 B、兩 C、三 D、四 7、（ ）%以上的電子器件都是以量子結(jié)構(gòu)材料為基

3、礎制造的。 A、80 B、85 C、90 D、95二、多選題（共 6 小題，每題 5 分）1、低維量子結(jié)構(gòu)材料都在（ ）上應用。 A、微型機器人 B、微衛(wèi)星 C、遠程無人監(jiān)控系統(tǒng) D、微陀螺儀 2、彈性力學中有（ ）方程。 A、物理方程 B、平衡方程 C、幾何方程 D、化學方程 3、電子產(chǎn)品的發(fā)展方向是（ ）。 A、體積小 B、重量輕 C、多功能 D、功耗低 E、高可靠度 4、半導體超晶格材料會產(chǎn)

4、生（ ）光電現(xiàn)象。 A、負電阻效應 B、量子約束效應 C、共振隧穿效應 D、聲子約束效應 5、通過減小器件尺寸來接近物理極限，微電子技術(shù)都收到（ ）限制和挑戰(zhàn)。 A、短溝道效應 B、光刻技術(shù) C、制造成本昂貴 D、量子隧穿效應 E、互連延遲 6、（ ）發(fā)現(xiàn)低維量子結(jié)構(gòu)材料可實現(xiàn)負電阻效應。 A、Esaki B、Tsu C、安德烈·海姆 D、康斯坦丁·諾沃肖洛夫三、判斷題（共 7 小題，每題 5 分）1、如果超晶格的重復單元是由

5、不同半導體材料的薄膜堆垛而成的叫組分超晶格。 對     錯 2、動載荷產(chǎn)生的大應變不會導致以量子結(jié)構(gòu)材料為核心材料的先進器件過載而失效。 對     錯 3、量子結(jié)構(gòu)材料研究屬于連續(xù)介質(zhì)力學和量子力學交叉學科的前沿性研究領域。 對     錯 4、超晶格材料是一種小于天然晶格尺寸的周期性超薄結(jié)構(gòu)材料。 對     錯 

6、;5、超晶格晶體材料是一種人工制造的大尺寸周期結(jié)構(gòu)晶體材料。 對     錯 6、材料是時代進步的標志。 對     錯 7、超晶格材料是首次出現(xiàn)人工設計并制造的周期性晶體。你現(xiàn)時的得分是 40！你的成績低于作業(yè)及格要求，請重做！錯誤情況：單選題-1.閃晶礦有（ ）個獨立彈性常數(shù)。正確答案：D.5 2.超晶格材料以（ ）為設計基礎。正確答案：C.量子力學 3.緊束縛方法是由（ ）首次提出的。正確答案：D.Bloch 5.半導體

7、超晶格材料的出現(xiàn)是30年來（ ）的兩大突破。正確答案：A.量子物理和材料科學 7.（ ）%以上的電子器件都是以量子結(jié)構(gòu)材料為基礎制造的。正確答案：C.90 多選題-1.低維量子結(jié)構(gòu)材料都在（ ）上應用。正確答案：A.微型機器人 B.微衛(wèi)星 C.遠程無人監(jiān)控系統(tǒng) D.微陀螺儀 3.電子產(chǎn)品的發(fā)展方向是（ ）。正確答案：A.體積小 B.重量輕 C.多功能 D.功耗低 E.高可靠度 4.半導體超晶格材料會產(chǎn)生（ ）光電現(xiàn)象。正確答案：A.負電阻效應 B.量子約束效應 C.

8、共振隧穿效應 D.聲子約束效應 5.通過減小器件尺寸來接近物理極限，微電子技術(shù)都收到（ ）限制和挑戰(zhàn)。正確答案：A.短溝道效應 B.光刻技術(shù) C.制造成本昂貴 D.量子隧穿效應 E.互連延遲 6.（ ）發(fā)現(xiàn)低維量子結(jié)構(gòu)材料可實現(xiàn)負電阻效應。正確答案：A.Esaki B.Tsu 判斷題-2.動載荷產(chǎn)生的大應變不會導致以量子結(jié)構(gòu)材料為核心材料的先進器件過載而失效。正確答案：錯4.超晶格材料是一種小于天然晶格尺寸的周期性超薄結(jié)構(gòu)材料。正確答案：錯一、單選題（共 7 小題，每題 5 分）1、（ ）具有“小尺度效應

9、”和“大尺寸量子效應”并存的現(xiàn)象。 A、量子結(jié)構(gòu)材料 B、連續(xù)介質(zhì)力學 C、量子力學 D、微觀動力學 2、半導體超晶格材料的出現(xiàn)是30年來（ ）的兩大突破。 A、量子物理和材料科學 B、量子物理和材料物理 C、物理科學和材料科學 D、量子力學和材料科學 3、（ ）的研制成功提供了介于宏觀連續(xù)介質(zhì)和微觀物質(zhì)粒子之間的典型介觀體系。 A、低維量子結(jié)構(gòu)材料 B、中維量子結(jié)構(gòu)材料 C、高維量子結(jié)構(gòu)材料 D、負微分電阻 4、緊束縛方法是由（ ）首次提出的。

10、 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D、Bloch 5、應變超晶格大部分致力于量子結(jié)構(gòu)材料（ ）的研究 A、宏觀動力學行為 B、微觀變形機理 C、量子化電子結(jié)構(gòu)及其光電性質(zhì) D、微小型器件制造及其光電性質(zhì) 6、半導體超晶格材料應用的關鍵技術(shù)出現(xiàn)在（ ）時間。 A、20世紀60年代 B、20世紀70年代 C、20世紀80年代 D、20世紀末 7、20世紀末是處于（ ）時代。 A、鐵器時代 B、復合材料時代 C

11、、智能材料時代 D、青銅時代二、多選題（共 6 小題，每題 5 分）1、通過減小器件尺寸來接近物理極限，微電子技術(shù)都收到（ ）限制和挑戰(zhàn)。 A、短溝道效應 B、光刻技術(shù) C、制造成本昂貴 D、量子隧穿效應 E、互連延遲 2、半導體超晶格材料應用的關鍵技術(shù)包括（ ）。 A、MBE B、MOCVD C、CBE D、ALE 3、彈性力學中有（ ）方程。 A、物理方程 B、平衡方程 C、幾何方程 D、化學方程 4、電子產(chǎn)品的發(fā)展方向是

12、（ ）。 A、體積小 B、重量輕 C、多功能 D、功耗低 E、高可靠度 5、超晶格材料分為（ ）。 A、組分超晶格 B、摻雜超晶格 C、多維超晶格 D、應變超晶格 6、半導體超晶格材料會產(chǎn)生（ ）光電現(xiàn)象。 A、負電阻效應 B、量子約束效應 C、共振隧穿效應 D、聲子約束效應三、判斷題（共 7 小題，每題 5 分）1、動載荷產(chǎn)生的大應變不會導致以量子結(jié)構(gòu)材料為核心材料的先進器件過載而失效。 對   

13、0; 錯 2、材料是時代進步的標志。 對     錯 3、超晶格材料是首次出現(xiàn)人工設計并制造的周期性晶體。 對     錯 4、如果超晶格的重復單元是由不同半導體材料的薄膜堆垛而成的叫組分超晶格。 對     錯 5、超晶格材料是一種小于天然晶格尺寸的周期性超薄結(jié)構(gòu)材料。 對     錯 6、量子結(jié)

14、構(gòu)材料研究屬于連續(xù)介質(zhì)力學和量子力學交叉學科的前沿性研究領域。 對     錯 7、超晶格晶體材料是一種人工制造的大尺寸周期結(jié)構(gòu)晶體材料。 對     錯你現(xiàn)時的得分是 40！你的成績低于作業(yè)及格要求，請重做！錯誤情況：單選題-1.（ ）具有“小尺度效應”和“大尺寸量子效應”并存的現(xiàn)象。正確答案：A.量子結(jié)構(gòu)材料 2.半導體超晶格材料的出現(xiàn)是30年來（ ）的兩大突破。正確答案：A.量子物理和材料科學 3.（ ）的研制成功提供了介于宏觀連續(xù)介質(zhì)和微

15、觀物質(zhì)粒子之間的典型介觀體系。正確答案：A.低維量子結(jié)構(gòu)材料 4.緊束縛方法是由（ ）首次提出的。正確答案：D.Bloch 5.應變超晶格大部分致力于量子結(jié)構(gòu)材料（ ）的研究正確答案：D.微小型器件制造及其光電性質(zhì) 多選題-1.通過減小器件尺寸來接近物理極限，微電子技術(shù)都收到（ ）限制和挑戰(zhàn)。正確答案：A.短溝道效應 B.光刻技術(shù) C.制造成本昂貴 D.量子隧穿效應 E.互連延遲 2.半導體超晶格材料應用的關鍵技術(shù)包括（ ）。正確答案：A.MBE B.MOCVD C.CBE D.ALE

16、 4.電子產(chǎn)品的發(fā)展方向是（ ）。正確答案：A.體積小 B.重量輕 C.多功能 D.功耗低 E.高可靠度 5.超晶格材料分為（ ）。正確答案：A.組分超晶格 B.摻雜超晶格 C.多維超晶格 D.應變超晶格 6.半導體超晶格材料會產(chǎn)生（ ）光電現(xiàn)象。正確答案：A.負電阻效應 B.量子約束效應 C.共振隧穿效應 D.聲子約束效應 判斷題-1.動載荷產(chǎn)生的大應變不會導致以量子結(jié)構(gòu)材料為核心材料的先進器件過載而失效。正確答案：錯5.超晶格材料是一種小于天然晶格尺寸

17、的周期性超薄結(jié)構(gòu)材料。正確答案：錯一、單選題（共 7 小題，每題 5 分）1、閃晶礦有（ ）個獨立彈性常數(shù)。 A、2 B、3 C、4 D、5 2、（ ）方法成功的描述了絕緣體的能帶結(jié)構(gòu)。 A、贗勢法 B、真實勢場 C、Tight-binding D、K.P微擾方法 3、（ ）%以上的電子器件都是以量子結(jié)構(gòu)材料為基礎制造的。 A、80 B、85 C、90 D、95 4、贗勢方法在（ ）是研究半導體材料的電學和光學性質(zhì)的主要理論基礎。 A、

18、50-60年代 B、60-70年代 C、70-80年代 D、80-90年代 5、超晶格的發(fā)現(xiàn)是（ ）量級的大周期性介質(zhì)薄層尺寸內(nèi)仍出現(xiàn)量子化的電子運動規(guī)律。 A、0.1nm B、1nm C、10nm D、100nm 6、（ ）方法考慮了自旋軌道的相互作用。 A、贗勢法 B、真實勢場 C、Tight-binding D、K.P微擾方法 7、緊束縛方法是由（ ）首次提出的。 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D

19、、Bloch二、多選題（共 6 小題，每題 5 分）1、超晶格材料分為（ ）。 A、組分超晶格 B、摻雜超晶格 C、多維超晶格 D、應變超晶格 2、半導體超晶格材料會產(chǎn)生（ ）光電現(xiàn)象。 A、負電阻效應 B、量子約束效應 C、共振隧穿效應 D、聲子約束效應 3、（ ）極大地促進了半導體超晶格材料的研究和發(fā)展。 A、微電子器件的集成度越來越高 B、微電子器件尺寸越來越小 C、微電子器件功能越來越全 D、高新技術(shù)的發(fā)展 4、半導體超晶格材料應用的關鍵技術(shù)包括（ ）。 A、MBE B、MOCVD C、CBE D、ALE 5、（ ）發(fā)現(xiàn)低維量子結(jié)構(gòu)材料可實現(xiàn)負電阻效應。 A、Esaki B、Tsu C、安德烈·海姆 D、康斯坦丁·