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文檔簡介
1、北 京 交 通 大 學(xué) 考 試 試 題課程名稱:?電磁場與電磁兼容? 2021年2021年度第二學(xué)期 A卷請考生注意:本試卷共有九道大題所在學(xué)院班級姓名學(xué)號題號一二三四五六七八九總分得分閱卷人一、 請寫出電磁兼容的三要素6分答:騷擾源、耦合途徑、敏感設(shè)備二、 可用于近似分析架設(shè)在地面上的天線特性的根本原理是什么?該原理的主要內(nèi)容以及實質(zhì)是什么?6分答:鏡像原理:架設(shè)在理想導(dǎo)電平面上的天線,在任一觀測點的場強為直射波與反射波的疊加??梢杂靡粋€鏡像天線作為反射波的等效源。鏡像天線的電流大小與實際天線相等,方向為使反射波與直射波在導(dǎo)電平面上滿足邊界條件,垂直天線的鏡像天線垂直,電流方向與實際天線相同
2、,大小相等,水平天線的鏡像天線水平,電流方向與實際天線方向相反,大小相等。實質(zhì):用集中鏡像電流代替分布感應(yīng)場電流。三、 圖示濾波器的安裝是否正確?如果不正確應(yīng)如何改良?8分答:不正確。濾波器沒有良好接地,通過細線接地,高頻效果很差。改良:去掉地線,去掉絕緣層,使濾波器的金屬外殼大面積地貼在金屬機箱的導(dǎo)電外表上。濾波器應(yīng)離入口處近些。四、 接地是解決電磁干擾問題的有效措施,但接地不良反而會增加干擾。請問為什么?可以采用什么措施解決由地環(huán)路所引入的干擾?8分答:1.地線存在阻抗,假設(shè)接地不良,可能會引起地線阻抗干擾;地線可能會與設(shè)備構(gòu)成環(huán)路,引起地環(huán)路干擾;此外多根地線之間或地線與設(shè)備之間還可能引
3、起線間耦合干擾。2減小地線阻抗,以減小干擾電壓;增加環(huán)路阻抗,以減小干擾電流,可通過隔離變壓器、光電耦合器、共模扼流圈、平衡電路等來實現(xiàn)。五、 供電電源為50Hz、220V的臺式計算機,要判定它的電磁兼容性能是否合格,典型的需要對該計算機進行哪幾項電磁兼容性能的測量?在抗擾度測試中,對被測計算機施加的干擾信號分別模擬實際應(yīng)用中的哪些干擾?10分答:1電磁騷擾發(fā)射測試和電磁抗擾度測試,其中電磁騷擾發(fā)射測試包括傳導(dǎo)騷擾測試和輻射騷擾測試;電磁抗擾度測試包括靜電抗擾度測試、浪涌抗擾度測試、電快速脈沖群抗擾度測試、射頻輻射場抗擾度測試,射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)抗擾度測試。2浪涌抗擾度測試模擬電源系統(tǒng)開關(guān)以及雷
4、擊的影響,感應(yīng)雷靜電抗擾度測試模擬人體靜電放電對設(shè)備的干擾電快速脈沖群抗擾度測試模擬感應(yīng)負載斷電產(chǎn)生的干擾噪聲射頻輻射場抗擾度測試模擬來自空間的電磁波產(chǎn)生的騷擾射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)抗擾度測試模擬低頻電磁波在電纜上感應(yīng)出共模電壓或電流,以傳導(dǎo)的方式對敏感設(shè)備造成的騷擾。六、 請畫出測量空間某一點的電場強度的測量系統(tǒng)框圖。天線在450MHz時的天線校正系數(shù)是12dB,測量接收機的讀數(shù)為37dBV, 電纜損耗為3.2dB,求該測試點的電場強度是多少?10分答: 七、 如果圖中兩導(dǎo)線間的分布電容為50pF,導(dǎo)線對地分布電容為150pF,導(dǎo)線1端接1MHz、10V的交流信號源。請推導(dǎo)騷擾電壓U1和負載上的感
5、應(yīng)電壓U2之間的關(guān)系,并求當(dāng)導(dǎo)線2端接的負載電阻R分別為1無限大和250時,導(dǎo)線2的感應(yīng)電壓為多少?16分解: 1時, 那么2R=50時 那么八、 信號源通過一根2m長的信號線向某一設(shè)備傳輸上升沿時間為4ns,大小為35mA的對稱方波信號,方波信號的占空比為50%,周期為40ns。信號源和該設(shè)備分別接地,兩根信號線之間的間距為10cm,整個系統(tǒng)放置于金屬地面上,如下圖。求該方波信號的1次諧波在距離該系統(tǒng)3m處輻射的最大騷擾場強。采用哪些方法和措施可以減小該方波信號的對外輻射?20分解:設(shè)一次諧波電流為, d=0.5,由于形成環(huán)路,那么為差模輻射 因此為遠場輻射,同時因此可看成磁小環(huán),那么抑制措
6、施:減小環(huán)路面積,減小環(huán)路電流,減小信號頻率或諧波分量,增加上升沿時間。九、 用厚的鎳板來屏蔽某一低阻抗騷擾源,鎳板距離被屏蔽的騷擾源1m,求該屏蔽體對騷擾源發(fā)射的100kHz和2GHz的電磁波的屏蔽效能。并請說明對低頻磁場進行屏蔽的特點。忽略多重反射16分解:由于為低阻抗騷擾源,故可知其近場主要為磁場干擾,故在近場不考慮電場的反射損耗。(1)f=100kHz時, 可知屏蔽場在其近場 b=在此不考慮對電場的反射損耗,故屏蔽效能SE=A+=75.21dB2f=2GHz 3<1m,可知屏蔽場在其遠場 b=SE=A+=6457.88dB對低頻磁場屏蔽的特點: 由于低頻,故其吸收損耗很小,由于為磁場,故其近
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