場(chǎng)效應(yīng)管識(shí)別與檢測(cè)

1、1常常 用用 電電 子子 元元 器器 件件 - -場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect TransistorField Effect Transistor縮寫(xiě)縮寫(xiě)(FET)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管. .由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電, ,也稱(chēng)為也稱(chēng)為單極型晶體管單極型晶體管. .它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件. .特點(diǎn)特點(diǎn): :具有輸入電阻高（具有輸入電阻高（10000000010000000010000000001000000000）、）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍

2、大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn), ,現(xiàn)已成現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者. .34結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩種場(chǎng)效應(yīng)管有兩種:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名；結(jié)而得名； 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其他電極完全絕則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。緣而得名。一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類(lèi)一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類(lèi)5一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類(lèi)一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類(lèi)n按溝道半導(dǎo)體材料的不同，

3、結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。n絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的不同之處在于它們的導(dǎo)電方式不同。n若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，q絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。q結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型。6N溝道溝道P溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道（耗盡型）（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型結(jié)型MOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類(lèi)7N基底基底 ：N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體PP兩邊是兩邊是P區(qū)區(qū)G(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極一、結(jié)構(gòu)一、結(jié)構(gòu)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管:導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道二、場(chǎng)效應(yīng)管的原理二、場(chǎng)效應(yīng)管的原理

4、8NPPG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS9PNNG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS10絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管:一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)PNNGSDP型基底型基底兩個(gè)兩個(gè)N區(qū)區(qū)SiO2絕緣層絕緣層導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道金屬鋁金屬鋁GSDN溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型11N 溝道耗盡型溝道耗盡型PNNGSD預(yù)埋了導(dǎo)預(yù)埋了導(dǎo)電溝道電溝道 GSD12NPPGSDGSDP 溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型13P 溝道耗盡型溝道耗盡型NPPGSDGSD預(yù)埋了導(dǎo)電溝道預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 14三、場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)三、場(chǎng)效應(yīng)管

5、的識(shí)別與檢測(cè)1場(chǎng)效應(yīng)管外形的識(shí)別場(chǎng)效應(yīng)管外形的識(shí)別塑料封裝場(chǎng)效應(yīng)管15金屬封裝場(chǎng)效應(yīng)管162場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)172場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)n在有些大功率MOSFET管中的G-S極間或D-S極間增加了保護(hù)二極管，以保護(hù)管子不致于被靜電擊穿，這種管子的電路圖符號(hào)如圖所示。183. 場(chǎng)效應(yīng)管引腳的識(shí)別場(chǎng)效應(yīng)管引腳的識(shí)別n場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)引腳，分別是柵極(又稱(chēng)控制極)、源極、漏極3個(gè)端子。n場(chǎng)效應(yīng)管可看作一只普通晶體三極管，柵極G對(duì)應(yīng)基極b，漏極D對(duì)應(yīng)集電極C，源極S對(duì)應(yīng)發(fā)射極E。nN溝道對(duì)應(yīng)NPN型晶體管，P溝道對(duì)應(yīng)PNP晶體管。193. 場(chǎng)效應(yīng)管引腳的識(shí)別場(chǎng)效應(yīng)管引腳的識(shí)別直接目測(cè)

6、識(shí)別GDSSSDG散熱片散熱片201.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的判斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的判斷2. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管好壞的判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管好壞的判斷 先用先用MF10型萬(wàn)用表型萬(wàn)用表R*100K擋（內(nèi)置有擋（內(nèi)置有15V電池），電池），把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（G），正表筆（紅）接源極），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微）。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再該用萬(wàn)用表偏轉(zhuǎn)。再該用萬(wàn)用表R*1擋，將負(fù)表筆接漏極（擋，將負(fù)表筆接漏極（D），），正表筆接源極（正表筆接源極（S），萬(wàn)用表指示值若為幾歐姆，則說(shuō)），萬(wàn)用表指示值若為幾歐姆，則說(shuō)明場(chǎng)

7、效應(yīng)管是好的。明場(chǎng)效應(yīng)管是好的。4. 場(chǎng)效應(yīng)管引腳的檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管引腳的檢測(cè)21四、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)四、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 開(kāi)啟電壓VGS(th) (或VT) 開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值, 場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。 夾斷電壓VGS(off) (或VP) 夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS(off) 時(shí),漏極電流為零。 飽和漏極電流IDSS 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管, 當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流22 輸入電阻RGS 場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值， 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管, RGS約是1091015。 低頻跨導(dǎo)g

8、m 低頻跨導(dǎo)反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。(相當(dāng)于普通晶體管的hEF )，單位是mS(毫西門(mén)子)。 最大漏極功耗PDM 最大漏極功耗可由PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的PCM相當(dāng)。23 極限漏極電流極限漏極電流IDq是漏極能夠輸出的最大電流，相當(dāng)于普通三極管的ICM ， 其值與溫度有關(guān)，通常手冊(cè)上標(biāo)注的是溫度為25時(shí)的值。一般指的是連續(xù)工作電流，若為瞬時(shí)工作電流，則標(biāo)注為IDM ，這個(gè)值通常大于ID 。 最大漏源電壓最大漏源電壓UDSSq 是場(chǎng)效應(yīng)管漏源極之間可以承受的最大電壓(相當(dāng)于普通晶體管的最大反向工作電壓UCEO )，有時(shí)也用UDS表示。24五、使用場(chǎng)效應(yīng)管的注意事項(xiàng)

9、五、使用場(chǎng)效應(yīng)管的注意事項(xiàng)1在設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題在設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)注意的問(wèn)題q管子的實(shí)際工作條件，不能超過(guò)其最大漏極功耗PDM 、極限漏極電流ID 、最大漏源電壓UDSS等參數(shù)的極限值。q要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是P N結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。2 場(chǎng)效應(yīng)管的運(yùn)輸與儲(chǔ)存場(chǎng)效應(yīng)管的運(yùn)輸與儲(chǔ)存q由于輸入阻抗極高，在運(yùn)輸、貯藏中必須將引腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿，同時(shí)注意防潮。253使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意q為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線(xiàn)路本身都必須有良好接地；q在焊接管腳時(shí)，先焊源極；q在連入電路之前，管子的全部引線(xiàn)保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才可把短接線(xiàn)去掉；q從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地(如采用接地環(huán)等)；q如果能采用靜電電烙鐵來(lái)焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且可以確保安全；q不能帶電插拔。264