晶體硅太陽能電池基本原理ppt課件

1、A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C 沈 富 生 2021年2月初稿于上海光伏展會 2021年3月6日完稿于深圳A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.CPN結(jié)的構(gòu)成結(jié)的構(gòu)成太陽能電池的等效電路太陽能電池的

2、等效電路光電轉(zhuǎn)換原理光電轉(zhuǎn)換原理愛因斯坦劃時代的光電實際主要參考文獻主要參考文獻半導體資料半導體資料A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C愛因斯坦劃時代的光電實際愛因斯坦劃時代的光電實際 20世紀最偉大的兩個物理實際：相對論世紀最偉大的兩個物理實際：相對論&量子力學量子力學 相對論狹義相對論和廣義相對論相對論狹義相對論和廣義相對論 一人的創(chuàng)作一人的創(chuàng)作 量子力學量子力學 多人的集體創(chuàng)作以玻爾

3、為首的哥本哈根學派，如玻恩、多人的集體創(chuàng)作以玻爾為首的哥本哈根學派，如玻恩、泡利、海森堡、狄拉克等成員泡利、海森堡、狄拉克等成員A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C愛因斯坦劃時代的光電實際愛因斯坦劃時代的光電實際 狹義相對論狹義相對論1905年發(fā)表年發(fā)表 光速不變，四維時空，否認經(jīng)典力學的絕對時空觀光速不變，四維時空，否認經(jīng)典力學的絕對時空觀 。 E-MC2 物體跑得越快，那么時間變得越慢，長度變

4、得越物體跑得越快，那么時間變得越慢，長度變得越短，分量變得越重。短，分量變得越重。 廣義相對論廣義相對論1916年發(fā)表年發(fā)表 引力場，宇宙黑洞，宇宙的有限無界引力場，宇宙黑洞，宇宙的有限無界 A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C愛因斯坦于愛因斯坦于1905年發(fā)表光量子論，提出光子假說年發(fā)表光量子論，提出光子假說愛因斯坦公式：愛因斯坦公式：Dn=(kT/q)n Dh=(kT/q)h愛因斯坦由于解釋光

5、電效應方面的實際愛因斯坦由于解釋光電效應方面的實際而不是由于發(fā)表相對論獲得諾貝爾物理獎而不是由于發(fā)表相對論獲得諾貝爾物理獎1921年年 愛因斯坦劃時代的光電實際愛因斯坦劃時代的光電實際A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C 諾貝爾委員會的錯誤決議？諾貝爾委員會的錯誤決議？ 諾貝爾委員會的正確決議！諾貝爾委員會的正確決議！愛因斯坦劃時代的光電實際愛因斯坦劃時代的光電實際A Leading Techno

6、logy Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料 固體資料按其導電性能可分為三類：絕緣體、固體資料按其導電性能可分為三類：絕緣體、 半導體及導體。半導體及導體。 絕緣體：玻璃、橡膠、塑料、石英等絕緣體：玻璃、橡膠、塑料、石英等 半導體：鍺、硅、砷化鎵、硫化鎘等半導體：鍺、硅、砷化鎵、硫化鎘等 導體：金、銀、銅、鋁、鉛、錫等導體：金、銀、銅、鋁、鉛、錫等 半導體的電阻率：半導體的電阻率：10-4 10-7 歐姆歐姆

7、米米A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料1、熱敏、熱敏 2、光敏、光敏3、雜質(zhì)、雜質(zhì) 4、其它特性、其它特性 溫差電效應，霍爾效應，溫差電效應，霍爾效應， 發(fā)光效應，光伏效應，激光性能等發(fā)光效應，光伏效應，激光性能等 A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉

8、創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料Eg 半導體的能級半導體的能級/能帶能帶導帶導帶禁帶禁帶滿帶滿帶固體固體原子原子Si1.1eV A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料滿帶允帶滿帶允帶 ：被電子占滿的能帶：被電子占滿的能帶 不導電不導電導帶允帶導帶允帶 ：被電子部分占領的能帶：被電子部分占領的能帶

9、 導電導電禁帶：沒有被電子占領的能帶禁帶：沒有被電子占領的能帶價帶：處于滿帶頂?shù)哪軒r帶：處于滿帶頂?shù)哪軒 Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料a): 絕緣體絕緣體 (b):半導體半導體 (c):導體導體A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限

10、公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料半導體除了導電中的電子導電，還有價帶上空穴的導電半導體除了導電中的電子導電，還有價帶上空穴的導電A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料硅晶體的特點是原子之間靠共有電子對銜接在一同。硅原子的4個價電子和它相鄰的4個原子組成4對共有電子對。這種共有電子對就稱為“共價鍵。 Si+4+4

11、+4+4共價鍵共價鍵共用電共用電子對子對A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料半導體的摻雜半導體的摻雜一、本征半導體一、本征半導體 電子和空穴載流子電子和空穴載流子 Si在在300K：1.5x1010/cm3二、摻雜半導體：少量的摻雜可極大地添加載流子濃度二、摻雜半導體：少量的摻雜可極大地添加載流子濃度 常溫時，常溫時，Si：10-6 105 1、N型半導體型半導體 2、

12、P型半導體型半導體A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料1、N型半導體型半導體在在Si資料中摻入第資料中摻入第V族元素族元素P，As等等多數(shù)載流子電子多數(shù)載流子電子少數(shù)載流子空穴少數(shù)載流子空穴在Si資料中摻入第III族元素B, Al等多數(shù)載流子空隙少數(shù)載流子電子2、P型半導體型半導體多余多余電子電子空空鍵鍵接受接受電子電子空空穴穴A Leading Technology

13、Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C半半 導導 體體 材材 料料pnpqnq1)(1pniqnnnq1ppq1電阻率與雜質(zhì)濃度有如下關系：本征半導體：P型半導體：N型半導體：A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C 分散運動分散運動 因濃度差，載

14、流子沿濃度梯度由高濃度向低濃度方因濃度差，載流子沿濃度梯度由高濃度向低濃度方向的運動。向的運動。 漂移運動漂移運動 受電場力的驅(qū)使，載流子沿由高電勢向低電勢方向受電場力的驅(qū)使，載流子沿由高電勢向低電勢方向的運動的運動PN結(jié)的構(gòu)成結(jié)的構(gòu)成A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.CnpnpnpPN結(jié)的構(gòu)成結(jié)的構(gòu)成N區(qū)：高濃度電子向低濃度區(qū)：高濃度電子向低濃度P區(qū)分散區(qū)分散P區(qū)：高濃度空穴向低濃度區(qū)：高濃度空

15、穴向低濃度N區(qū)分散區(qū)分散N區(qū)：電子是多子，空穴是少子。區(qū)：電子是多子，空穴是少子。P區(qū)：空穴是多子，電子是少子。區(qū)：空穴是多子，電子是少子。N區(qū)：電子帶負電挪動后留下正電荷區(qū)：電子帶負電挪動后留下正電荷P區(qū)：空穴帶正電挪動后留下負電荷區(qū)：空穴帶正電挪動后留下負電荷以上為多數(shù)載流子由高濃度向低濃度區(qū)的分散運動的過程以上為多數(shù)載流子由高濃度向低濃度區(qū)的分散運動的過程npnpnp電場方向由電場方向由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)區(qū)A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太

16、陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.CPN結(jié)的構(gòu)成結(jié)的構(gòu)成 npnpN區(qū)：多子即電子被由區(qū)：多子即電子被由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)的電場阻撓無法向區(qū)的電場阻撓無法向P區(qū)做分散運動，區(qū)做分散運動， 少子即空穴在由少子即空穴在由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)的電場驅(qū)動下向區(qū)的電場驅(qū)動下向P區(qū)做漂移運動。區(qū)做漂移運動。電場方向由電場方向由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)區(qū)電場方向由電場方向由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)區(qū)P區(qū)：多子即空穴被由區(qū)：多子即空穴被由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)的電場阻撓無法向區(qū)的電場阻撓無法向N區(qū)做分散運動，區(qū)做分散運動， 少子即電子在由少子即電子在由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)的電場驅(qū)動下向區(qū)的電場驅(qū)動下向N區(qū)做漂移運

17、動。區(qū)做漂移運動。以上為少數(shù)載流子由電場力驅(qū)動做漂移運動的過程以上為少數(shù)載流子由電場力驅(qū)動做漂移運動的過程A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.CPN結(jié)的構(gòu)成結(jié)的構(gòu)成 空間電荷區(qū)即內(nèi)建電場勢壘區(qū)、阻撓層：妨礙多數(shù)載流子做分散運動空間電荷區(qū)即內(nèi)建電場勢壘區(qū)、阻撓層：妨礙多數(shù)載流子做分散運動 驅(qū)動少數(shù)載流子做漂移運動驅(qū)動少數(shù)載流子做漂移運動分散運動和漂挪動最終到達平衡，即分散電流分散運動和漂挪動最終到達平

18、衡，即分散電流=漂移電流，此時建立了空間電荷區(qū)。漂移電流，此時建立了空間電荷區(qū)。 A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C 平衡載流子平衡載流子)exp(0KTEEnniFi)exp(0KTEEnpFii 處于熱平衡形狀的半導體，在一定溫度下，載流子濃度是一定的，這種處于熱平衡形狀下的載流子濃度，稱為平衡載流子濃度。 n0 p0= ni2PN結(jié)的構(gòu)成結(jié)的構(gòu)成A Leading Technology S

19、uperior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程 太陽能電池發(fā)電要求：太陽能電池發(fā)電要求： 1、必需有光的照射，可以是太陽光、單色光或模、必需有光的照射，可以是太陽光、單色光或模擬光。擬光。 2、光子注入到半導體后激發(fā)出電子、空穴對，此、光子注入到半導體后激發(fā)出電子、空穴對，此對電子空穴對電子空穴 必需有足夠長的壽命，確保在分別前不會復合必需有足夠長的壽命，確保在分別前不會復合消逝；消逝； 3、必需有一個靜電場，使電子、空穴分別

20、；、必需有一個靜電場，使電子、空穴分別； 4、必需有電極分別搜集電子和空穴輸出到電池體、必需有電極分別搜集電子和空穴輸出到電池體外構(gòu)成電流。外構(gòu)成電流。A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能

21、電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C 非平衡載流子光照產(chǎn)生非平衡載流子非平衡載流子光照產(chǎn)生非平衡載流子 光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程非平衡載流子平均生存的時間稱為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子平均生存的時間稱為非平衡載流子的壽命。 由于相對于非平衡多數(shù)載流子，非平衡少數(shù)載流子的影響處由于相對于非平衡多數(shù)載流子，非平衡少數(shù)載流子的影響處于主導位置，因此非平衡載流子的壽命常稱為少數(shù)載流子于主導位置，因此非平衡載流子的壽命常稱為少數(shù)載流子壽命，簡稱少子壽命被用來衡量資料的質(zhì)量。壽命，簡稱少子壽命被用來衡量資料的質(zhì)量。 A Leading Technology Superior Qualit

22、y 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C 非平衡載流子光照產(chǎn)生非平衡載流子非平衡載流子光照產(chǎn)生非平衡載流子 光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程 處于非平衡形狀的半導體，其載流子濃度也不再是處于非平衡形狀的半導體，其載流子濃度也不再是n0和和p0，可以比他們多出一部分，多出這部分載流子稱為非平衡載流子，可以比他們多出一部分，多出這部分載流子稱為非平衡載流子，用用n和和p 表示。表示。A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然

23、品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程teptp0)()(teptp0)()(即此時就是資料的少子壽命 當當 時時A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)

24、超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程 PN結(jié)加正向偏壓結(jié)加正向偏壓 即即P區(qū)接電源正極，區(qū)接電源正極， N區(qū)接電源負極區(qū)接電源負極 空間電荷區(qū)的寬度減小，勢壘高度從空間電荷區(qū)的寬度減小，勢壘高度從 qVD下降為下降為qVD-VA Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換

25、過程 PN結(jié)加反向偏壓結(jié)加反向偏壓 即即P區(qū)接電源負極，區(qū)接電源負極， N區(qū)接電源正極區(qū)接電源正極 空間電荷區(qū)的寬度減小，勢壘高度從空間電荷區(qū)的寬度減小，勢壘高度從 qVD增大為增大為qVD+VA Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程P-N結(jié)的I-V特性 Shockley 方程： Id =I0exp(qV/kT)-1特點：單導游電性DPiPAninNLnqDNLnqDAI220

26、A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C 光電轉(zhuǎn)換的三個物理過程光電轉(zhuǎn)換的三個物理過程 1、吸收光能激發(fā)出非平衡電子一空穴對、吸收光能激發(fā)出非平衡電子一空穴對 2、非平衡電子和空穴從產(chǎn)生處向非均勻勢場區(qū)、非平衡電子和空穴從產(chǎn)生處向非均勻勢場區(qū)運動運動 3、非平衡電子和空穴在非均勻勢場作用下向相、非平衡電子和空穴在非均勻勢場作用下向相反方向運動反方向運動 而分別而分別 光生電流的方向相當于普通二極管的反

27、向電流光生電流的方向相當于普通二極管的反向電流的方向。的方向。 光照使光照使PN結(jié)勢壘降低等效于結(jié)勢壘降低等效于PN結(jié)外加正向偏結(jié)外加正向偏壓，構(gòu)成正向注入電流。這個電流的方向與光生壓，構(gòu)成正向注入電流。這個電流的方向與光生電流剛好相反，是太陽電池中的不利要素。電流剛好相反，是太陽電池中的不利要素。光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C光電轉(zhuǎn)換過程光電轉(zhuǎn)換過程VIILVIIL

28、A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C太陽電池的等效電路太陽電池的等效電路重要參數(shù)重要參數(shù) 1、短路電流、短路電流Isc，2、開路電壓、開路電壓Voc，3、填充因子、填充因子FF，4、轉(zhuǎn)換效率、轉(zhuǎn)換效率5、串聯(lián)電阻、串聯(lián)電阻RS6、并聯(lián)電阻、并聯(lián)電阻RSH輸出功率：功率輸出功率：功率=Isc*Voc*FF 最大任務電流最大任務電流Im，最大任務電壓最大任務電壓Vm，A Leading Technol

29、ogy Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C理想理想PN結(jié)特性：結(jié)特性：太陽電池的等效電路太陽電池的等效電路10eIIIIIKTqvLDL10IIIlLnqkTVIIscLI ISCRS = 0RSH = RLOADA Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理

30、www.C太陽電池的等效電路太陽電池的等效電路1、短路電流ISC：當當V=0,即短路情況下即短路情況下: 最大光生電流最大光生電流IIscLI IIscLI 10eIIIIIKTqvLDLI = ISCR = 0A Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C太陽電池的等效電路太陽電池的等效電路2、開路電壓VOC：IIscLI 10IIlVLnocqKTDPiPAninNLnqDNLnqDAI220當I=0,

31、即開路情況下: 最高輸出暗電流 10IIIlLnqkTVI = 0R = +_V = VOCA Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C太陽電池的等效電路太陽電池的等效電路3、填充因子FF：是輸出特性曲線“方形程度的量度最正確任務點，負載匹配。最大輸出功率點所對應的面積在ISC和VOC所組成的面積中的百分比。IIscLI scocmscocmpmpIVPIVVIFFA Leading Technology Superior Quality 科技領先科技領先 品質(zhì)超然品質(zhì)超然深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司深圳市捷佳偉創(chuàng)微電子設備有限公司 晶體硅太陽能電池基本原理晶體硅太陽能電池基本原理 www.C4、轉(zhuǎn)換效率、轉(zhuǎn)換效率 ： 表示為有多少光能轉(zhuǎn)換為電能。表示為有多少光能轉(zhuǎn)換為電能。太陽電池的等效電路太陽電池的等效電路IIscLI inmpmpinPVIPPmaxscocmscocmpmpIVPIVVIFFinscocPIFFV 填充因子正好是I-V