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文檔簡介
1、以下先描述本設(shè)計軟件需要用到的幾個基本設(shè)置,在了解這些基本設(shè)置后,最后從總體上總結(jié)下模型設(shè)計步驟。(一) 軟件需要用到的幾個基本設(shè)置(1)wafer的意義及其設(shè)置Wafer是設(shè)計模型的工作區(qū)域。一個文件只能有一個wafer。Wafer可以理解為背景空間。Wafer有三維構(gòu)成,x軸和z軸可以在平面上看到,如上圖所示。Y軸垂直于屏幕。長度:沿著屏幕的水平方向(z軸)寬度:沿著平面的垂直方向(x軸)Wafer的包層是一個塊狀區(qū)域。長度沿著z軸(屏幕水平方向),寬度沿著x軸(屏幕垂直方向),高度是沿著y正半軸(垂直屏幕向外)。Wafer的襯底層是一個塊狀區(qū)域。長度沿著z軸(屏幕水平方向),寬度沿著x軸
2、(屏幕垂直方向),高度是沿著y負(fù)半軸(垂直屏幕向里)。(2) profile、material的意義和基本設(shè)置。Wafer設(shè)置中長度和寬度單位都是微米。X軸方向向上,z軸方向向右。XYZ三周方向滿足右手螺旋定則。Y軸負(fù)半軸空間對應(yīng)wafer中的襯底區(qū)域。Y軸正半軸空間對應(yīng)wafer中的包層區(qū)域。層狀波導(dǎo)輪廓的設(shè)置:Width:x方向上的波導(dǎo)輪廓尺寸Thickness:y方向上的波導(dǎo)輪廓尺寸波導(dǎo)輪廓截面默認(rèn)為xy面。波導(dǎo)輪廓截面所在xy平面上,截面在某方向上具有漸變特性。這里的水平和垂直就是對應(yīng)z方向和x方向。Start和end中的水平和垂直坐標(biāo),對應(yīng)的是線性波導(dǎo)結(jié)構(gòu)在zx平面內(nèi)截面的中分線兩端
3、點的坐標(biāo)。Width指zx截面內(nèi)與中分線垂直方向上的結(jié)構(gòu)的尺度。Depth指結(jié)構(gòu)沿著y軸最靠內(nèi)的截面所在的y軸坐標(biāo)。對于linear waveguide 而言。從y=depth開始到wafer空間y的正半軸最大值,一直都分布著這種linear waveguide。這里指厚度(即y方向上)的尺寸漸變。這里的start和end下面的水平和垂直坐標(biāo)分別對應(yīng)波導(dǎo)在xz截面內(nèi)中分線兩端點的坐標(biāo)。Width下面的start和end分別指兩端點所在端的寬度。Channel thickeness下面的start和end。指波導(dǎo)在y方向上兩端的厚度,如設(shè)置厚度相同,則在y方向上沒有尺度漸變。如設(shè)置厚度不同,則y
4、方向上有尺度漸變。這里是設(shè)置平面波光源需要設(shè)置的重要參數(shù):波源類型:是連續(xù)波還是高斯調(diào)制連續(xù)波輸入場橫截面光強分布的類型:通常選擇高斯或者矩形的入射平面波的方向:正方向還是負(fù)方向偏振方向等設(shè)置觀察面。觀察面可以是位于xy、xz或yz平面上的中任一平面。添加觀察面后,要設(shè)置觀察面的中心坐標(biāo),面上兩維方向上各自的尺度。還要選擇需要觀測的物理量。比如Ex等設(shè)置邊界條件通常選擇APML邊界。使用默認(rèn)參數(shù)。以下描述設(shè)計模型的一個基本思路:(1) 新建文件,點擊initial properties對話框中的profiles and materials。先將要使用到的profile和material定義好。(2) 設(shè)置wafer參數(shù) (返回initial properties對話框設(shè)置)(3) 添加模型結(jié)構(gòu)(draw-linear waveguide或linear taper waveguide等)(4) 設(shè)置光源(draw-input plane)(5) 設(shè)置觀察面(draw-observation XY plane等)(6) 點擊simulation下面的3D 32bit simulation parameter。在彈出的對話框中設(shè)置空間和時間步長(空間步長設(shè)定好后,時間步長由軟件自動給出)、模擬運行步數(shù)(也可由軟件自動給出)。選擇需要保存和將來要查看的電場磁場分量。
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