薄膜的形成與生長(zhǎng)

1、第三章薄膜的形成與生長(zhǎng)薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的差異與薄膜形成過程的許多因素密切薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的差異與薄膜形成過程的許多因素密切相關(guān)。相關(guān)。本章主要以真空蒸發(fā)鍍膜為例進(jìn)行討論本章主要以真空蒸發(fā)鍍膜為例進(jìn)行討論薄膜的制備方法有許多種類，其形成機(jī)理各不相同，但薄膜的制備方法有許多種類，其形成機(jī)理各不相同，但在許多方面，還是具有共同特點(diǎn)。在許多方面，還是具有共同特點(diǎn)。薄膜的形成過程薄膜的形成過程一般分為：一般分為：凝結(jié)過程、核形成與生長(zhǎng)過程、島形成與結(jié)合生長(zhǎng)過程凝結(jié)過程、核形成與生長(zhǎng)過程、島形成與結(jié)合生長(zhǎng)過程 3.1凝結(jié)過程凝結(jié)過程 3.2 核形成與生長(zhǎng)核形成與生長(zhǎng)生長(zhǎng)過程生長(zhǎng)過程 3.3 薄膜的形成薄膜

2、的形成過程與過程與生長(zhǎng)模式生長(zhǎng)模式3.1凝結(jié)過程凝結(jié)過程凝結(jié)過程是從蒸發(fā)源中被蒸發(fā)的氣相原子、離子或分子入射到基是從蒸發(fā)源中被蒸發(fā)的氣相原子、離子或分子入射到基體表面之后，從氣相到吸附相，再到凝結(jié)相的一個(gè)相變過程體表面之后，從氣相到吸附相，再到凝結(jié)相的一個(gè)相變過程.一、一、 吸附過程吸附過程二、二、 表面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)表面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)三、三、 凝結(jié)過程凝結(jié)過程一個(gè)氣相原子入射到基體表面上，能否被吸附，是非常一個(gè)氣相原子入射到基體表面上，能否被吸附，是非常復(fù)雜的問題復(fù)雜的問題原子或分子間結(jié)合的化學(xué)鍵在固體的表面中斷。原子或分子原子或分子間結(jié)合的化學(xué)鍵在固體的表面中斷。原子或分子在固體表面形成的這種中斷鍵稱

3、為不飽和鍵或懸掛鍵在固體表面形成的這種中斷鍵稱為不飽和鍵或懸掛鍵固體表面上的原子或分子受到的力是不平衡的，這使得固體固體表面上的原子或分子受到的力是不平衡的，這使得固體表面具有表面自由能表面具有表面自由能固體表面與體內(nèi)在晶體結(jié)構(gòu)上的主要差異是什么？固體表面與體內(nèi)在晶體結(jié)構(gòu)上的主要差異是什么？一、一、 吸附過程吸附過程一個(gè)氣相原子入射到基體表面上，能否被吸附，是非常復(fù)雜的問一個(gè)氣相原子入射到基體表面上，能否被吸附，是非常復(fù)雜的問題題原子或分子間結(jié)合的化學(xué)鍵在固體的表面中斷。原子或分子原子或分子間結(jié)合的化學(xué)鍵在固體的表面中斷。原子或分子在固體表面形成的這種中斷鍵稱為在固體表面形成的這種中斷鍵稱為不

4、飽和鍵不飽和鍵或或懸掛鍵懸掛鍵.固體表面上的原子或分子受到的力是不平衡的，這使得固體固體表面上的原子或分子受到的力是不平衡的，這使得固體表面具有表面具有表面自由能表面自由能固體表面與體內(nèi)在晶體結(jié)構(gòu)上的主要差異是什么？固體表面與體內(nèi)在晶體結(jié)構(gòu)上的主要差異是什么？真空蒸發(fā)鍍膜中，入射到基體表面的氣相原子將被懸掛鍵吸真空蒸發(fā)鍍膜中，入射到基體表面的氣相原子將被懸掛鍵吸引住，發(fā)生吸附作用。根據(jù)吸附原子與表面相互作用力性質(zhì)引住，發(fā)生吸附作用。根據(jù)吸附原子與表面相互作用力性質(zhì)的不同，發(fā)生的不同，發(fā)生物理吸附物理吸附或或化學(xué)吸附化學(xué)吸附思考：發(fā)生吸附后，表面自由能增大還是思考：發(fā)生吸附后，表面自由能增大還是

5、減小減??？薄膜的形成與生長(zhǎng)思考：物理吸附與化學(xué)吸附有哪些區(qū)別？思考：物理吸附與化學(xué)吸附有哪些區(qū)別？薄膜的形成與生長(zhǎng)當(dāng)入射到基體表面的氣相原子當(dāng)入射到基體表面的氣相原子動(dòng)能較小動(dòng)能較小時(shí)，處時(shí)，處于于物理吸附物理吸附狀態(tài)，其吸附能用狀態(tài)，其吸附能用Qp表示。表示。當(dāng)入射到基體表面的氣相原子當(dāng)入射到基體表面的氣相原子動(dòng)能較大但小動(dòng)能較大但小于或等于于或等于Ea時(shí)，可產(chǎn)生時(shí)，可產(chǎn)生化學(xué)吸附?；瘜W(xué)吸附。達(dá)到完全化學(xué)吸附，氣相原子所具有的動(dòng)能必須達(dá)達(dá)到完全化學(xué)吸附，氣相原子所具有的動(dòng)能必須達(dá)到到Ed的數(shù)量，的數(shù)量，Ed與與Ea的差值的差值Qc稱為化學(xué)吸附熱稱為化學(xué)吸附熱只有動(dòng)能較大的氣相原子才能和基體表

6、面產(chǎn)生化學(xué)吸附；但只有動(dòng)能較大的氣相原子才能和基體表面產(chǎn)生化學(xué)吸附；但是當(dāng)這種氣相原子具有的是當(dāng)這種氣相原子具有的動(dòng)能大于動(dòng)能大于Ed時(shí)，它將不被基體表面時(shí)，它將不被基體表面吸附，通過再蒸發(fā)或解吸轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀唷Ｎ?，通過再蒸發(fā)或解吸轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀?。從蒸發(fā)源入射到基體表面的氣相原子到達(dá)基片表面之后可能從蒸發(fā)源入射到基體表面的氣相原子到達(dá)基片表面之后可能發(fā)生如下三種現(xiàn)象：發(fā)生如下三種現(xiàn)象：(1) 與基體表面原子進(jìn)行能量交換與基體表面原子進(jìn)行能量交換被吸附被吸附薄膜的形成與生長(zhǎng)(2) 吸附后氣相原子仍有較大的解吸能，在基體表面作吸附后氣相原子仍有較大的解吸能，在基體表面作短暫停短暫停留后再解吸蒸發(fā)留后再解

7、吸蒸發(fā)(再蒸發(fā)或二次蒸發(fā)再蒸發(fā)或二次蒸發(fā)) (3) 與基體表面不進(jìn)行能量交換，入射到基體表面上與基體表面不進(jìn)行能量交換，入射到基體表面上立即反射立即反射回去?；厝?。用真空蒸發(fā)法制備薄膜時(shí)，入射到基體表面上的氣相原用真空蒸發(fā)法制備薄膜時(shí)，入射到基體表面上的氣相原子中的絕大多數(shù)都與基體表面原子進(jìn)行能量交換形成子中的絕大多數(shù)都與基體表面原子進(jìn)行能量交換形成吸附吸附吸附的氣相原子在基體表面上的吸附的氣相原子在基體表面上的平均停留時(shí)間平均停留時(shí)間與吸附能之間與吸附能之間的關(guān)系為的關(guān)系為)(exp0kTEda0 ：?jiǎn)螌釉拥恼駝?dòng)周期，數(shù)值大約是：?jiǎn)螌釉拥恼駝?dòng)周期，數(shù)值大約是10-1410-12秒秒Ed：

8、吸附能：吸附能k ：玻耳茲曼常數(shù)：玻耳茲曼常數(shù)T ：絕對(duì)溫度：絕對(duì)溫度薄膜的形成與生長(zhǎng) 吸附能越大在吸附原子在表面停留時(shí)間越長(zhǎng)吸附能越大在吸附原子在表面停留時(shí)間越長(zhǎng)薄膜的形成與生長(zhǎng)在表面擴(kuò)散過程中，單個(gè)吸附原子間相互碰撞形成原子對(duì)之在表面擴(kuò)散過程中，單個(gè)吸附原子間相互碰撞形成原子對(duì)之后才能產(chǎn)生凝結(jié)后才能產(chǎn)生凝結(jié)二、二、 表面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)表面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)表面擴(kuò)散能表面擴(kuò)散能ED比吸附能比吸附能Ed小得多，大小是吸附能的小得多，大小是吸附能的1/61/2吸附原子的表面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是形成凝結(jié)的必要條件吸附原子的表面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是形成凝結(jié)的必要條件)/exp(0kTEDD薄膜的形成與生長(zhǎng) ：表面原子沿表面水平方向振動(dòng)

9、的周期，數(shù)值大約：表面原子沿表面水平方向振動(dòng)的周期，數(shù)值大約 是是10-1310-12秒秒ED：表面擴(kuò)散能：表面擴(kuò)散能k ：玻耳茲曼常數(shù)：玻耳茲曼常數(shù)T ：絕對(duì)溫度：絕對(duì)溫度0平均表面擴(kuò)散時(shí)間平均表面擴(kuò)散時(shí)間：吸附原子在一個(gè)吸附位置上的停留時(shí)間：吸附原子在一個(gè)吸附位置上的停留時(shí)間平均表面擴(kuò)散距離：平均表面擴(kuò)散距離：吸附原子在表面停留時(shí)間經(jīng)過擴(kuò)散吸附原子在表面停留時(shí)間經(jīng)過擴(kuò)散 運(yùn)動(dòng)所移動(dòng)的距離運(yùn)動(dòng)所移動(dòng)的距離21)(aDxD：是表面擴(kuò)散系數(shù)：是表面擴(kuò)散系數(shù) ：氣相原子在基體表面上的平均停留時(shí)間：氣相原子在基體表面上的平均停留時(shí)間a薄膜的形成與生長(zhǎng)DaD/20表面擴(kuò)散能表面擴(kuò)散能ED越大，擴(kuò)散越困

10、難，平均擴(kuò)散距離越短。吸越大，擴(kuò)散越困難，平均擴(kuò)散距離越短。吸附能附能Ed越大，吸附原子在表面上停留時(shí)間越長(zhǎng)，則平均擴(kuò)越大，吸附原子在表面上停留時(shí)間越長(zhǎng)，則平均擴(kuò)散距離也越長(zhǎng)散距離也越長(zhǎng)用用a0表示相鄰吸附位置的間隔表示相鄰吸附位置的間隔/)exp(0kTEEaxDd薄膜的形成與生長(zhǎng)從此公式能得出哪些結(jié)論？從此公式能得出哪些結(jié)論？單位基體表面吸附的原子數(shù)單位基體表面吸附的原子數(shù))/exp(01kTEdJJna凝結(jié)過程是指吸附原子在基體表面上形成原子對(duì)及其以后凝結(jié)過程是指吸附原子在基體表面上形成原子對(duì)及其以后過程過程三、三、 凝結(jié)過程凝結(jié)過程J ：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)沉積在單位基體表面上的原子數(shù)：?jiǎn)挝粫r(shí)間

11、內(nèi)沉積在單位基體表面上的原子數(shù) ：氣相原子在基體表面上的平均停留時(shí)間：氣相原子在基體表面上的平均停留時(shí)間 a薄膜的形成與生長(zhǎng)吸附原子在基體表面停留時(shí)間內(nèi)所遷移的次數(shù)為：吸附原子在基體表面停留時(shí)間內(nèi)所遷移的次數(shù)為：吸附原子在表面上的擴(kuò)散遷移頻度為：吸附原子在表面上的擴(kuò)散遷移頻度為：)/exp(110kTEfDDD/)exp(kTEEfNDdaD薄膜的形成與生長(zhǎng)n0：?jiǎn)挝换w表面上的吸附位置數(shù)：?jiǎn)挝换w表面上的吸附位置數(shù)一個(gè)吸附原子的捕獲面積為：一個(gè)吸附原子的捕獲面積為：0/ nNSD/)exp(0101011kTEEnnnnfnNnSnSDdaDD所有吸附原子的總捕獲面積為：所有吸附原子的總捕獲

12、面積為：薄膜的形成與生長(zhǎng)如果總捕獲面積如果總捕獲面積小于小于1，即小于單位面積，在每個(gè)吸附原子，即小于單位面積，在每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)只有一個(gè)原子，所以，不能形成原子對(duì)，也就的捕獲面積內(nèi)只有一個(gè)原子，所以，不能形成原子對(duì)，也就不會(huì)發(fā)生凝結(jié)不會(huì)發(fā)生凝結(jié)如果總捕獲面積如果總捕獲面積大于大于1小于小于2，則發(fā)生，則發(fā)生部分凝結(jié)部分凝結(jié)。在這種情況。在這種情況下，平均的說，吸附原子在其捕獲范圍內(nèi)有一個(gè)或兩個(gè)吸附下，平均的說，吸附原子在其捕獲范圍內(nèi)有一個(gè)或兩個(gè)吸附原子。在這些面積內(nèi)會(huì)形成原子對(duì)或三原子團(tuán)。其中一部分原子。在這些面積內(nèi)會(huì)形成原子對(duì)或三原子團(tuán)。其中一部分吸附原子在渡過停留時(shí)間后又可能重新

13、蒸發(fā)掉吸附原子在渡過停留時(shí)間后又可能重新蒸發(fā)掉討論：討論： 1、1 2、2 SSS如果如果總捕獲面積總捕獲面積大于大于2，平均地說，在每個(gè)吸附原子捕獲面，平均地說，在每個(gè)吸附原子捕獲面積內(nèi)，至少有兩個(gè)吸附原子。因此所有的吸附原子都可結(jié)合積內(nèi)，至少有兩個(gè)吸附原子。因此所有的吸附原子都可結(jié)合為原子對(duì)或更大的原子團(tuán)，從而達(dá)到為原子對(duì)或更大的原子團(tuán)，從而達(dá)到完全凝結(jié)完全凝結(jié)，由吸附相轉(zhuǎn)，由吸附相轉(zhuǎn)變?yōu)槟巯嘧優(yōu)槟巯嗄Y(jié)系數(shù)凝結(jié)系數(shù)：當(dāng)蒸發(fā)的氣相原子入射到基體表面上，除了被彈：當(dāng)蒸發(fā)的氣相原子入射到基體表面上，除了被彈性反射和吸附后再蒸發(fā)的原子之外，性反射和吸附后再蒸發(fā)的原子之外，完全被基體表面所凝結(jié)

14、完全被基體表面所凝結(jié)的氣相原子數(shù)的氣相原子數(shù)與入射到基體表面上與入射到基體表面上總氣相原子數(shù)之比總氣相原子數(shù)之比稱為凝稱為凝結(jié)系數(shù)，并用結(jié)系數(shù)，并用c 表示表示在凝結(jié)過程中通常使用的物理參數(shù)有：在凝結(jié)過程中通常使用的物理參數(shù)有：凝結(jié)系數(shù)、粘附系數(shù)、熱適應(yīng)系數(shù)凝結(jié)系數(shù)、粘附系數(shù)、熱適應(yīng)系數(shù)薄膜的形成與生長(zhǎng)粘附系數(shù)粘附系數(shù)：當(dāng)基體表面上已經(jīng)存在著凝結(jié)原子時(shí)，：當(dāng)基體表面上已經(jīng)存在著凝結(jié)原子時(shí)，再凝結(jié)的再凝結(jié)的氣相原子數(shù)氣相原子數(shù)與入射到基體表面上總氣相原子數(shù)之比稱為粘附與入射到基體表面上總氣相原子數(shù)之比稱為粘附系數(shù)，并用系數(shù)，并用s熱適應(yīng)系數(shù)熱適應(yīng)系數(shù)：表征入射氣相原子：表征入射氣相原子(或分子或

15、分子)與基體表面碰撞時(shí)與基體表面碰撞時(shí)相互交換能量程度相互交換能量程度的物理量稱為熱適應(yīng)系數(shù)，并用的物理量稱為熱適應(yīng)系數(shù)，并用表示表示薄膜的形成與生長(zhǎng)siiTTTTTi ：入射氣相原子的溫度：入射氣相原子的溫度T ：再蒸發(fā)原子的溫度：再蒸發(fā)原子的溫度Ts ：基體的溫度：基體的溫度討論討論 = 1、 1、 = 0時(shí)的幾種情況時(shí)的幾種情況 = 1表示完全適應(yīng)表示完全適應(yīng)，吸附原子在表面停留期間，和基板，吸附原子在表面停留期間，和基板能量交換充分達(dá)到熱平衡能量交換充分達(dá)到熱平衡 T Ts 1表示不完全適應(yīng)，表示不完全適應(yīng)，此時(shí)，此時(shí)， Ts T Ti= 0表示完全不適應(yīng)表示完全不適應(yīng)，入射氣相原子與

16、基體完全沒有熱交，入射氣相原子與基體完全沒有熱交換，氣相原子全反射回來?yè)Q，氣相原子全反射回來薄膜的形成與生長(zhǎng)siiTTTT薄膜的形成與生長(zhǎng)薄膜的形成與生長(zhǎng)一、薄膜的形成與生長(zhǎng)模式一、薄膜的形成與生長(zhǎng)模式3.2核形成與生長(zhǎng)二、核形成與生長(zhǎng)的物理過程三、核形成理論三、核形成理論大多數(shù)薄膜的形成與成長(zhǎng)都屬于第一種形式一、薄膜的形成與生長(zhǎng)一、薄膜的形成與生長(zhǎng)有三種模式有三種模式：島狀形式島狀形式(Vomler-Weber形式形式)(2) 單層成長(zhǎng)形式單層成長(zhǎng)形式(Frank-Vander Merwe形式形式)(3) 層島結(jié)合形式層島結(jié)合形式(Stranski-Krastanov形式形式)薄膜的形成過程

17、是指形成穩(wěn)定核之后的過程。薄膜成長(zhǎng)模式薄膜的形成過程是指形成穩(wěn)定核之后的過程。薄膜成長(zhǎng)模式是指薄膜形成的宏觀模式是指薄膜形成的宏觀模式島狀生長(zhǎng)模式島狀生長(zhǎng)模式： 當(dāng)最小的穩(wěn)定核在基片上形成就會(huì)出現(xiàn)島狀生長(zhǎng)當(dāng)最小的穩(wěn)定核在基片上形成就會(huì)出現(xiàn)島狀生長(zhǎng) ，它在，它在三維尺度生長(zhǎng)三維尺度生長(zhǎng) ，最終形成多個(gè)島。，最終形成多個(gè)島。當(dāng)沉積物中的原子或分當(dāng)沉積物中的原子或分子彼此間的結(jié)合較之與基片的結(jié)合強(qiáng)很多子彼此間的結(jié)合較之與基片的結(jié)合強(qiáng)很多時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)這時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)這種生長(zhǎng)模式。在絕緣體、鹵化物晶體、石墨、云母基片上種生長(zhǎng)模式。在絕緣體、鹵化物晶體、石墨、云母基片上沉積金屬時(shí)，大多數(shù)顯示出這一生長(zhǎng)模式。

18、沉積金屬時(shí)，大多數(shù)顯示出這一生長(zhǎng)模式。 對(duì)于很多薄膜與襯底的組合來說，只要沉積溫度足夠高對(duì)于很多薄膜與襯底的組合來說，只要沉積溫度足夠高，沉積原子具有一定的擴(kuò)散能力，薄膜的生長(zhǎng)就采取島狀，沉積原子具有一定的擴(kuò)散能力，薄膜的生長(zhǎng)就采取島狀生長(zhǎng)模式。被沉積的物質(zhì)與襯底的浸潤(rùn)性差，被沉積物質(zhì)生長(zhǎng)模式。被沉積的物質(zhì)與襯底的浸潤(rùn)性差，被沉積物質(zhì)更傾向于自己相互鍵合起來形成三維的島更傾向于自己相互鍵合起來形成三維的島層狀生長(zhǎng)模式：層狀生長(zhǎng)模式： 當(dāng)被沉積物質(zhì)與襯底之間的浸潤(rùn)性很好時(shí)，被沉積的當(dāng)被沉積物質(zhì)與襯底之間的浸潤(rùn)性很好時(shí)，被沉積的原子更傾向于與襯底原子鍵合，薄膜從形核階段開始即采原子更傾向于與襯底原

19、子鍵合，薄膜從形核階段開始即采取二維擴(kuò)展的模式，薄膜與襯底表面鋪開。薄膜在隨后的取二維擴(kuò)展的模式，薄膜與襯底表面鋪開。薄膜在隨后的沉積過程中，一直維持這種層狀的生長(zhǎng)模式沉積過程中，一直維持這種層狀的生長(zhǎng)模式 在單層生長(zhǎng)模式中，最小的穩(wěn)定核的擴(kuò)展以壓倒所有其在單層生長(zhǎng)模式中，最小的穩(wěn)定核的擴(kuò)展以壓倒所有其他方式出現(xiàn)在二維空間，導(dǎo)致平面片層的形成。在這一生他方式出現(xiàn)在二維空間，導(dǎo)致平面片層的形成。在這一生長(zhǎng)模式中，長(zhǎng)模式中，原子或分子之間的結(jié)合要弱于原子或分子與基原子或分子之間的結(jié)合要弱于原子或分子與基片的結(jié)合。片的結(jié)合。第一個(gè)完整的單層會(huì)被結(jié)合稍松弛一些的第二第一個(gè)完整的單層會(huì)被結(jié)合稍松弛一些的

20、第二層所覆蓋。只要結(jié)合能的減少是連續(xù)的，直至接近體材料層所覆蓋。只要結(jié)合能的減少是連續(xù)的，直至接近體材料的結(jié)合能值，單層生長(zhǎng)模型便可自持。這一生長(zhǎng)模式的最的結(jié)合能值，單層生長(zhǎng)模型便可自持。這一生長(zhǎng)模式的最重要的例子是半導(dǎo)體膜的單晶外延生長(zhǎng)。重要的例子是半導(dǎo)體膜的單晶外延生長(zhǎng)。層島模式層島模式 最開始的一兩個(gè)原子層的層狀生長(zhǎng)之后，生長(zhǎng)模式從層狀模式最開始的一兩個(gè)原子層的層狀生長(zhǎng)之后，生長(zhǎng)模式從層狀模式轉(zhuǎn)化為島狀模式，這種轉(zhuǎn)變機(jī)制比較復(fù)雜轉(zhuǎn)化為島狀模式，這種轉(zhuǎn)變機(jī)制比較復(fù)雜 層島模式是上述兩種模式的中間復(fù)合。在這種模式中，在形成一層島模式是上述兩種模式的中間復(fù)合。在這種模式中，在形成一層或更多層以

21、后，隨后的層狀生長(zhǎng)變得不利，而島開始形成。二維生層或更多層以后，隨后的層狀生長(zhǎng)變得不利，而島開始形成。二維生長(zhǎng)到三維生長(zhǎng)的轉(zhuǎn)變，人們還未認(rèn)識(shí)清楚其緣由，但任何干擾層狀生長(zhǎng)到三維生長(zhǎng)的轉(zhuǎn)變，人們還未認(rèn)識(shí)清楚其緣由，但任何干擾層狀生長(zhǎng)結(jié)合能特性韻單調(diào)減小因素都可能是出現(xiàn)層島生長(zhǎng)模式的原因。例長(zhǎng)結(jié)合能特性韻單調(diào)減小因素都可能是出現(xiàn)層島生長(zhǎng)模式的原因。例如，由于膜與基片的點(diǎn)陣失配，應(yīng)變能在生長(zhǎng)膜中累積起來，、當(dāng)應(yīng)如，由于膜與基片的點(diǎn)陣失配，應(yīng)變能在生長(zhǎng)膜中累積起來，、當(dāng)應(yīng)變能被釋放時(shí)，在沉積物與中間層形成界面處的高能可能激發(fā)島的形變能被釋放時(shí)，在沉積物與中間層形成界面處的高能可能激發(fā)島的形成。成。薄膜

22、的形成與生長(zhǎng)二、核形成與生長(zhǎng)的物理過程核的形成與生長(zhǎng)有四步：(1) 從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的氣相原子入射到基體表面上，其中有從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的氣相原子入射到基體表面上，其中有一部分因能量較大而彈性反射回去，另一部分在一部分因能量較大而彈性反射回去，另一部分在吸附吸附在在基體表面上。在吸附的氣相原子中有一小部分因能量稍基體表面上。在吸附的氣相原子中有一小部分因能量稍大而再蒸發(fā)出去大而再蒸發(fā)出去(2) 吸附原子在基體表面上擴(kuò)散遷移，互相碰撞結(jié)合吸附原子在基體表面上擴(kuò)散遷移，互相碰撞結(jié)合成原子成原子對(duì)或小原子團(tuán)對(duì)或小原子團(tuán)并凝結(jié)在基體表面上并凝結(jié)在基體表面上(3) 這種原子團(tuán)和其他吸附原子碰撞相結(jié)合，或者釋放

23、一個(gè)這種原子團(tuán)和其他吸附原子碰撞相結(jié)合，或者釋放一個(gè)單原子。這個(gè)過程反復(fù)進(jìn)行，一旦原子團(tuán)中的原子數(shù)超單原子。這個(gè)過程反復(fù)進(jìn)行，一旦原子團(tuán)中的原子數(shù)超過某一個(gè)臨界值，原子團(tuán)進(jìn)一步與其他吸附原子碰撞結(jié)過某一個(gè)臨界值，原子團(tuán)進(jìn)一步與其他吸附原子碰撞結(jié)合，只向著長(zhǎng)大方向發(fā)展形成合，只向著長(zhǎng)大方向發(fā)展形成穩(wěn)定的原子團(tuán)（穩(wěn)定核）穩(wěn)定的原子團(tuán)（穩(wěn)定核）(4) 穩(wěn)定核再捕獲其他原子，或者與入射氣相原子相結(jié)合使穩(wěn)定核再捕獲其他原子，或者與入射氣相原子相結(jié)合使它進(jìn)一步長(zhǎng)大成為它進(jìn)一步長(zhǎng)大成為小島小島三、核形成理論三、核形成理論(1) 熱力學(xué)界面能理論熱力學(xué)界面能理論(毛細(xì)管現(xiàn)象理論毛細(xì)管現(xiàn)象理論)(2) 原子聚集

24、理論原子聚集理論(統(tǒng)計(jì)理論統(tǒng)計(jì)理論)（1）熱力學(xué)界面能理論）熱力學(xué)界面能理論： 基本思想是將一般氣體在固體表面上凝結(jié)成微液滴的核形成理論（基本思想是將一般氣體在固體表面上凝結(jié)成微液滴的核形成理論（類似于毛細(xì)管濕潤(rùn)）應(yīng)用到薄膜形成過程中的核形成研究。類似于毛細(xì)管濕潤(rùn)）應(yīng)用到薄膜形成過程中的核形成研究。熱力學(xué)界面能理論是建立在熱力學(xué)上概念的，起源于熱力學(xué)界面能理論是建立在熱力學(xué)上概念的，起源于Langmiur-Frenkel的凝結(jié)論，利用宏觀物理量如蒸氣壓、界面能和潤(rùn)濕角等討論核的形的凝結(jié)論，利用宏觀物理量如蒸氣壓、界面能和潤(rùn)濕角等討論核的形成問題成問題這個(gè)模型的優(yōu)點(diǎn)是比較直觀，一些物理量容易測(cè)量

25、，理論計(jì)算和實(shí)這個(gè)模型的優(yōu)點(diǎn)是比較直觀，一些物理量容易測(cè)量，理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果能直接比較。由于采用宏觀物理量，所以對(duì)原子數(shù)量較多驗(yàn)結(jié)果能直接比較。由于采用宏觀物理量，所以對(duì)原子數(shù)量較多的粒子是適用的，而對(duì)原子團(tuán)所含有的原子數(shù)量少的情況，一些的粒子是適用的，而對(duì)原子團(tuán)所含有的原子數(shù)量少的情況，一些宏觀參量的含義是不明確的宏觀參量的含義是不明確的熱力學(xué)的基本概念熱力學(xué)的基本概念熱力學(xué)理論認(rèn)為，熱力學(xué)理論認(rèn)為，所有的相轉(zhuǎn)變都使物質(zhì)的體系自由能下所有的相轉(zhuǎn)變都使物質(zhì)的體系自由能下降。降。體系中體系自由能下降，新相和舊相間界面自由能上體系中體系自由能下降，新相和舊相間界面自由能上升。體系的總自由能變化由

26、兩者之和決定升。體系的總自由能變化由兩者之和決定薄膜的形成與生長(zhǎng)臨界晶核尺寸臨界晶核尺寸只有當(dāng)核中的原子數(shù)超過臨界原子數(shù)時(shí)才能形成穩(wěn)定核只有當(dāng)核中的原子數(shù)超過臨界原子數(shù)時(shí)才能形成穩(wěn)定核所以所以,當(dāng)原子團(tuán)半經(jīng)小于當(dāng)原子團(tuán)半經(jīng)小于r*時(shí)時(shí),原子團(tuán)是不原子團(tuán)是不穩(wěn)定的穩(wěn)定的,可能長(zhǎng)大可能長(zhǎng)大,也可能縮小也可能縮小;當(dāng)原子團(tuán)當(dāng)原子團(tuán)半經(jīng)大于半經(jīng)大于r*時(shí)時(shí),原子團(tuán)已轉(zhuǎn)變?yōu)榫Ш嗽訄F(tuán)已轉(zhuǎn)變?yōu)榫Ш?可以可以穩(wěn)定地生長(zhǎng)穩(wěn)定地生長(zhǎng).薄膜的形成與生長(zhǎng)（2）原子聚集理論）原子聚集理論當(dāng)臨界核是由少數(shù)原子當(dāng)臨界核是由少數(shù)原子(如如210幾個(gè)原子幾個(gè)原子)組成時(shí)，建立在熱組成時(shí)，建立在熱力學(xué)基礎(chǔ)之上的宏觀核形成理論是

27、不適用的力學(xué)基礎(chǔ)之上的宏觀核形成理論是不適用的原子聚集理論研究核形成時(shí)，將核看作一個(gè)大分子聚集體，原子聚集理論研究核形成時(shí)，將核看作一個(gè)大分子聚集體，用聚集體原子間的結(jié)合能或聚集體與基體表面間的結(jié)合能代用聚集體原子間的結(jié)合能或聚集體與基體表面間的結(jié)合能代替熱力學(xué)自由能替熱力學(xué)自由能原子聚集理論的基本思路是考慮原子到達(dá)基片以后，在基片原子聚集理論的基本思路是考慮原子到達(dá)基片以后，在基片上徙動(dòng)；相互碰撞而結(jié)合為上徙動(dòng)；相互碰撞而結(jié)合為2原子、原子、3原子原子nn原子的原子原子的原子團(tuán)，從給出各個(gè)原子數(shù)的原子團(tuán)的方程組出發(fā)討論核的形成團(tuán)，從給出各個(gè)原子數(shù)的原子團(tuán)的方程組出發(fā)討論核的形成過程過程薄膜的

28、形成與生長(zhǎng)薄膜的形成與生長(zhǎng) 兩種理論所依據(jù)的基本概念是相同的（兩種理論所依據(jù)的基本概念是相同的（兩者的基礎(chǔ)都是經(jīng)兩者的基礎(chǔ)都是經(jīng)典熱力學(xué)理論典熱力學(xué)理論），不同之處兩者使用的能量不同，所用的），不同之處兩者使用的能量不同，所用的模型不同模型不同熱力學(xué)界面能理論適合于大尺寸臨界核，原子聚集理論熱力學(xué)界面能理論適合于大尺寸臨界核，原子聚集理論 比比較適宜于小尺寸臨界核較適宜于小尺寸臨界核熱力學(xué)界面能理論熱力學(xué)界面能理論(毛細(xì)管現(xiàn)象理論毛細(xì)管現(xiàn)象理論): :原子團(tuán)的表面自由能連續(xù)變?cè)訄F(tuán)的表面自由能連續(xù)變化化, ,所以原子團(tuán)的尺度也是連續(xù)變化的所以原子團(tuán)的尺度也是連續(xù)變化的, ,適用于大原子團(tuán)成核適

29、用于大原子團(tuán)成核. . 原子聚集理論原子聚集理論(統(tǒng)計(jì)理論統(tǒng)計(jì)理論): :原子團(tuán)的結(jié)合能以化學(xué)鍵為單位原子團(tuán)的結(jié)合能以化學(xué)鍵為單位, ,所以是所以是不連續(xù)的不連續(xù)的, ,因此原子團(tuán)的尺度變化也是不連續(xù)的因此原子團(tuán)的尺度變化也是不連續(xù)的, ,適用于小原子團(tuán)適用于小原子團(tuán)成核成核. .薄膜的形成與生長(zhǎng)第三節(jié)薄膜形成過程與生長(zhǎng)模式圖圖 透射電子顯微鏡追蹤記錄透射電子顯微鏡追蹤記錄Ag在在NaCl晶體表面成核過程的系列照片和電子衍射圖晶體表面成核過程的系列照片和電子衍射圖第三節(jié)薄膜形成過程與生長(zhǎng)模式第三節(jié)薄膜形成過程與生長(zhǎng)模式薄膜生長(zhǎng)過程概述薄膜生長(zhǎng)過程概述n在在Ag原子到達(dá)襯底表面的最初階段，原子到

30、達(dá)襯底表面的最初階段，Ag在襯底上先是形成了一些均勻、在襯底上先是形成了一些均勻、細(xì)小而且可以運(yùn)動(dòng)的原子團(tuán)細(xì)小而且可以運(yùn)動(dòng)的原子團(tuán)“島島”。這些像液珠一樣的小島不斷地接受。這些像液珠一樣的小島不斷地接受新的沉積原子，并與其他的小島合并而逐漸長(zhǎng)大，而島的數(shù)目則很快地達(dá)新的沉積原子，并與其他的小島合并而逐漸長(zhǎng)大，而島的數(shù)目則很快地達(dá)到飽和。在小島合并過程進(jìn)行的同時(shí)，空出來的襯底表面上又會(huì)形成新的到飽和。在小島合并過程進(jìn)行的同時(shí)，空出來的襯底表面上又會(huì)形成新的小島。這一小島形成與合并的過程不斷進(jìn)行，直到孤立的小島之間相互連小島。這一小島形成與合并的過程不斷進(jìn)行，直到孤立的小島之間相互連接成片，最后只

31、留下一些孤立的孔洞和溝道，后者不斷被后沉積來的原子接成片，最后只留下一些孤立的孔洞和溝道，后者不斷被后沉積來的原子所填充。在空洞被填充的同時(shí)，形成了結(jié)構(gòu)上連續(xù)的薄膜。小島合并的過所填充。在空洞被填充的同時(shí)，形成了結(jié)構(gòu)上連續(xù)的薄膜。小島合并的過程一般要進(jìn)行到薄膜厚度達(dá)到數(shù)十納米的時(shí)候才結(jié)束。程一般要進(jìn)行到薄膜厚度達(dá)到數(shù)十納米的時(shí)候才結(jié)束。在穩(wěn)定核形成以后，島狀薄膜的形成過程在穩(wěn)定核形成以后，島狀薄膜的形成過程1. 1. 島狀階段島狀階段2. 聯(lián)并階段聯(lián)并階段3. 溝道階段溝道階段4. 連續(xù)膜階段連續(xù)膜階段1. 1. 島狀階段島狀階段在核進(jìn)一步長(zhǎng)大變成小島過程中，在核進(jìn)一步長(zhǎng)大變成小島過程中，平行

32、于基平行于基體體表面方向的生表面方向的生長(zhǎng)速度大于垂直方向的生長(zhǎng)速度長(zhǎng)速度大于垂直方向的生長(zhǎng)速度。這是因?yàn)楹说拈L(zhǎng)大主要是。這是因?yàn)楹说拈L(zhǎng)大主要是由于基體表面吸附原子的擴(kuò)散遷移碰撞結(jié)合，而不是入射由于基體表面吸附原子的擴(kuò)散遷移碰撞結(jié)合，而不是入射蒸發(fā)氣相原子碰撞結(jié)合決定的。這些不斷捕獲吸附原子生蒸發(fā)氣相原子碰撞結(jié)合決定的。這些不斷捕獲吸附原子生長(zhǎng)的核，逐漸從球帽形、圓形變成多面體小島。長(zhǎng)的核，逐漸從球帽形、圓形變成多面體小島。薄膜的形成與生長(zhǎng)理論分析證明：當(dāng)核與吸附原子間的結(jié)合能大于吸附原子與理論分析證明：當(dāng)核與吸附原子間的結(jié)合能大于吸附原子與基體的吸附能時(shí)，就可形成三維的小島基體的吸附能時(shí)，就

33、可形成三維的小島。島狀薄膜的形成過程可分為四個(gè)階段島狀薄膜的形成過程可分為四個(gè)階段薄膜的形成與生長(zhǎng)2. 聯(lián)并階段聯(lián)并階段隨著島不斷長(zhǎng)大，島間距離逐漸縮小，最后相鄰小島可互相聯(lián)隨著島不斷長(zhǎng)大，島間距離逐漸縮小，最后相鄰小島可互相聯(lián)結(jié)合并為一個(gè)大島結(jié)合并為一個(gè)大島，這就是島的聯(lián)并。，這就是島的聯(lián)并。小島聯(lián)并長(zhǎng)大后，基體表面上占據(jù)面積減小，表面能降低，基小島聯(lián)并長(zhǎng)大后，基體表面上占據(jù)面積減小，表面能降低，基體表面上空出的地方可再次成核體表面上空出的地方可再次成核。3. 溝道階段溝道階段島聯(lián)并之后，新島進(jìn)一步生長(zhǎng)，進(jìn)一步聯(lián)并。當(dāng)島的分布達(dá)島聯(lián)并之后，新島進(jìn)一步生長(zhǎng)，進(jìn)一步聯(lián)并。當(dāng)島的分布達(dá)到臨界狀態(tài)時(shí)

34、，互相聚結(jié)形成一個(gè)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)中不到臨界狀態(tài)時(shí)，互相聚結(jié)形成一個(gè)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)中不規(guī)則的分布著規(guī)則的分布著5 520 nm20 nm的溝渠。隨著沉積的繼續(xù)進(jìn)行，在溝的溝渠。隨著沉積的繼續(xù)進(jìn)行，在溝渠中會(huì)發(fā)生二次或三次成核。當(dāng)核長(zhǎng)大到與溝渠邊緣接觸時(shí)渠中會(huì)發(fā)生二次或三次成核。當(dāng)核長(zhǎng)大到與溝渠邊緣接觸時(shí)就聯(lián)并到網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的薄膜上就聯(lián)并到網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的薄膜上。與此同時(shí)，在某些地方，溝渠被聯(lián)。與此同時(shí)，在某些地方，溝渠被聯(lián)并成橋形，并以類似液體的形式很快地被填充。其結(jié)果是大多并成橋形，并以類似液體的形式很快地被填充。其結(jié)果是大多數(shù)溝渠很快地被消除，薄膜由溝渠狀變成有小洞的連續(xù)狀結(jié)構(gòu)數(shù)溝渠很快地被消

35、除，薄膜由溝渠狀變成有小洞的連續(xù)狀結(jié)構(gòu)。在在這些小孔洞處再這些小孔洞處再發(fā)生二次或三次成核。發(fā)生二次或三次成核。有些有些核核直接與直接與薄膜薄膜聯(lián)并聯(lián)并在一起，有些在一起，有些核核長(zhǎng)大后形成二次小島，這些小島再聯(lián)并到長(zhǎng)大后形成二次小島，這些小島再聯(lián)并到薄膜上。薄膜上。因?yàn)楹嘶驆u的聯(lián)并都有類似液體的特點(diǎn)。這種特性能使溝渠和孔因?yàn)楹嘶驆u的聯(lián)并都有類似液體的特點(diǎn)。這種特性能使溝渠和孔洞很快消失。最后消除高表面曲率區(qū)域，使薄膜的總自由能達(dá)洞很快消失。最后消除高表面曲率區(qū)域，使薄膜的總自由能達(dá)到最小。到最小。4. 連續(xù)膜階段連續(xù)膜階段在溝渠和孔洞消除之后，再入射到基體表面上的氣相原子便在溝渠和孔洞消除之

36、后，再入射到基體表面上的氣相原子便直接吸附在薄膜上，通過吸附作用而形成不同結(jié)構(gòu)的薄膜直接吸附在薄膜上，通過吸附作用而形成不同結(jié)構(gòu)的薄膜。有些薄膜在島的聯(lián)并階段，小島的取向就發(fā)生顯著變化。在有些薄膜在島的聯(lián)并階段，小島的取向就發(fā)生顯著變化。在形成多晶薄膜時(shí)，除了在小島聯(lián)并時(shí)必須有相互一定的取形成多晶薄膜時(shí)，除了在小島聯(lián)并時(shí)必須有相互一定的取向之外，在聯(lián)并時(shí)還出現(xiàn)一些再結(jié)晶現(xiàn)象。以致薄膜中的向之外，在聯(lián)并時(shí)還出現(xiàn)一些再結(jié)晶現(xiàn)象。以致薄膜中的晶粒大于初始核之間的距離。即使基體處在室溫條件下，晶粒大于初始核之間的距離。即使基體處在室溫條件下，也有相當(dāng)?shù)脑俳Y(jié)晶發(fā)生。每個(gè)晶粒大約包括有也有相當(dāng)?shù)脑俳Y(jié)晶發(fā)生

37、。每個(gè)晶粒大約包括有100個(gè)或更個(gè)或更多的初始核區(qū)域。由此看出，薄膜中晶粒尺寸的大小取決多的初始核區(qū)域。由此看出，薄膜中晶粒尺寸的大小取決于核或島聯(lián)并時(shí)的再結(jié)晶過程，而不取決于初始核的密度于核或島聯(lián)并時(shí)的再結(jié)晶過程，而不取決于初始核的密度。1. 沉積粒子的產(chǎn)生過程沉積粒子的產(chǎn)生過程第四節(jié)濺射鍍膜的形成過程補(bǔ)充用濺射法制備薄膜時(shí)，薄膜的形成特征與真空蒸發(fā)法制備薄用濺射法制備薄膜時(shí)，薄膜的形成特征與真空蒸發(fā)法制備薄膜時(shí)有很大不同膜時(shí)有很大不同思考：不同的原因在哪？思考：不同的原因在哪？(1) 產(chǎn)生粒子的能量產(chǎn)生粒子的能量(2) 粒子是否按余弦定律分布粒子是否按余弦定律分布(3) 產(chǎn)生粒子的情況產(chǎn)生

38、粒子的情況(4) 組分是否容易偏離組分是否容易偏離第四節(jié)濺射薄膜的形成過程1. 沉積粒子的產(chǎn)生過程沉積粒子的產(chǎn)生過程真空蒸發(fā)是一種熱過程，通過這種過程產(chǎn)生的沉積粒子具有較真空蒸發(fā)是一種熱過程，通過這種過程產(chǎn)生的沉積粒子具有較低的能量，其能量約為低的能量，其能量約為0.10.2eV。濺射是以動(dòng)量傳遞的離子轟擊為基礎(chǔ)的動(dòng)力學(xué)過程，從靶材中濺射是以動(dòng)量傳遞的離子轟擊為基礎(chǔ)的動(dòng)力學(xué)過程，從靶材中濺射出來的粒子具有較高的能量，比蒸發(fā)粒子的能量高濺射出來的粒子具有較高的能量，比蒸發(fā)粒子的能量高12個(gè)個(gè)數(shù)量級(jí)數(shù)量級(jí)。對(duì)于點(diǎn)狀或小面積蒸發(fā)源，蒸發(fā)氣相原子飛向基體表面時(shí)是按余對(duì)于點(diǎn)狀或小面積蒸發(fā)源，蒸發(fā)氣相原子

39、飛向基體表面時(shí)是按余弦定律定向分布的弦定律定向分布的。對(duì)于陰極濺射，在入射的對(duì)于陰極濺射，在入射的Ar離子能量較大，靶由多晶材料組成離子能量較大，靶由多晶材料組成時(shí)，可將靶看作點(diǎn)狀源，濺射出來的粒子飛行基體表面時(shí)才按余時(shí)，可將靶看作點(diǎn)狀源，濺射出來的粒子飛行基體表面時(shí)才按余弦定律分布的。對(duì)于單晶靶材，將出現(xiàn)擇優(yōu)濺射現(xiàn)象弦定律分布的。對(duì)于單晶靶材，將出現(xiàn)擇優(yōu)濺射現(xiàn)象。從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的氣相粒子幾乎都是不帶電的中性粒子，或從蒸發(fā)源蒸發(fā)出的氣相粒子幾乎都是不帶電的中性粒子，或者很少的帶電粒子者很少的帶電粒子(由熱電子發(fā)射造成由熱電子發(fā)射造成)。濺射出的粒子除了從靶材中濺射出中性原子或原子團(tuán)之外，濺射出

40、的粒子除了從靶材中濺射出中性原子或原子團(tuán)之外，還可濺射出靶材的正離子、負(fù)離子、二次電子和光子等多種還可濺射出靶材的正離子、負(fù)離子、二次電子和光子等多種粒子粒子。在蒸發(fā)合金材料時(shí)，由于合金中各組分的蒸氣壓不同會(huì)產(chǎn)生在蒸發(fā)合金材料時(shí)，由于合金中各組分的蒸氣壓不同會(huì)產(chǎn)生分餾現(xiàn)象。蒸氣壓高的組分蒸發(fā)快，造成膜層成分同蒸發(fā)材分餾現(xiàn)象。蒸氣壓高的組分蒸發(fā)快，造成膜層成分同蒸發(fā)材料組分的偏離料組分的偏離。在濺射合金材料時(shí)，盡管各組分的濺射速率有所不同在濺射合金材料時(shí)，盡管各組分的濺射速率有所不同(各種金各種金屬濺射速率的差異遠(yuǎn)小于它們蒸氣壓的不同屬濺射速率的差異遠(yuǎn)小于它們蒸氣壓的不同)，在濺射初期形，在濺射

41、初期形成的合金膜成分與靶材組分稍有差別。隨著濺射的進(jìn)行，最成的合金膜成分與靶材組分稍有差別。隨著濺射的進(jìn)行，最終將得到與靶材組分一致的濺射薄膜終將得到與靶材組分一致的濺射薄膜。真空蒸發(fā)時(shí)其真空度較高，一般在真空蒸發(fā)時(shí)其真空度較高，一般在10-210-4Pa，氣體分子，氣體分子平均自由程比蒸發(fā)源到基體之間的距離大。它們基本上保平均自由程比蒸發(fā)源到基體之間的距離大。它們基本上保持離開蒸發(fā)源時(shí)所具有的能量、能量分布和持離開蒸發(fā)源時(shí)所具有的能量、能量分布和直線飛行直線飛行軌跡軌跡在陰極濺射時(shí)，由于充入工作氣體在陰極濺射時(shí)，由于充入工作氣體Ar氣，真空度較低，在氣，真空度較低，在10010-2Pa左右，

42、左右，氣體分子平均自由程小氣體分子平均自由程小于靶與基體之間于靶與基體之間的距離。濺射原子從靶面飛向基體時(shí)，本身之間互相碰的距離。濺射原子從靶面飛向基體時(shí)，本身之間互相碰撞、和撞、和Ar原子及其他殘余氣體分子原子及其他殘余氣體分子碰撞碰撞，不但使濺射粒子不但使濺射粒子的初始能量減小，而且改變了濺射粒子脫離靶面的方向的初始能量減小，而且改變了濺射粒子脫離靶面的方向。2. 沉積粒子的遷移過程沉積粒子的遷移過程3. 成膜過程成膜過程成膜過程中，蒸發(fā)法和濺射法的主要區(qū)別：成膜過程中，蒸發(fā)法和濺射法的主要區(qū)別：對(duì)于真空蒸發(fā)法其入射到基體上的氣相原子對(duì)基體表面沒有對(duì)于真空蒸發(fā)法其入射到基體上的氣相原子對(duì)基體表面沒有影響，成核條件不發(fā)生變化。在蒸發(fā)過程中，基體和薄膜表影響，成核條件不發(fā)生變化。在蒸發(fā)過程中，基體和薄膜表面受殘余氣體分子的轟擊次數(shù)較少。雜質(zhì)氣體摻入到薄膜的面受殘余氣體分子的轟擊次數(shù)較少。雜質(zhì)氣體摻入到薄膜的可能性較小。另外，蒸發(fā)的氣相原子與殘余氣體很少發(fā)生化可能性較小。另外，蒸發(fā)的氣相原子與殘