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文檔簡介
1、高電壓技術(shù)電介質(zhì)(dielectric):-在電場中能產(chǎn)生極化的物質(zhì),指一般條件下導(dǎo)電性能極差、在電力系統(tǒng)用作絕緣的材料。-極化是指物質(zhì)中電荷分離形成偶極子的過程電介質(zhì)的極化、電導(dǎo)和損耗1極化:在外加電場的作用下,電介質(zhì)中的正、負(fù)電荷沿電場方向作有限位移或轉(zhuǎn)向,形成偶極矩子2.電介質(zhì)的極化種類Electronic polarization電子位移極化特點(diǎn):存在于一切電介質(zhì),極化所需時(shí)間短,不隨頻率變化;極化具有彈性, 不損耗能量。Ionic polarization.離子位移極化特點(diǎn):存在于離子結(jié)構(gòu)電介質(zhì)中,極化所需時(shí)間也很短;極化具有彈性,有極 微量能量損耗;隨溫度升高而增大。Orienta
2、tion polarization 轉(zhuǎn)向極化(偶極子極化)出現(xiàn)外電場后偶極子沿電場方向轉(zhuǎn)動(dòng),作較有規(guī)則的排列,因而顯出極性,這 種極化稱為偶極子極化或轉(zhuǎn)向極化。特點(diǎn):存在于極性電介質(zhì)中,極化所需時(shí)間較長,與電源頻率有很大關(guān)系;極 化消耗能量,溫度過高或過低,都會(huì)減小.空間電荷極化(夾層極化Interface polarization)特點(diǎn):存在于復(fù)合介質(zhì)、不均勻介質(zhì)中;極化過程很緩慢,只在直流和低頻交流下表現(xiàn)出來;極化伴隨著能量損耗極化沖突產(chǎn),土場臺(tái)帆需時(shí)M能域姻郅產(chǎn)生順閃|舊了位移極化任何也介質(zhì)花束純心運(yùn)如- 碗里偏移高了位移極化離了式端構(gòu)也 介廟幾乎沒仃離子的制儡 穆轉(zhuǎn)向極化極怕:電介聽1
3、1什工3*I國極于的定向 tt列火層極化*信 介Ml的交 界由I一 一敢,卜小rW白巾|也荷的林 動(dòng)2.電介質(zhì)電導(dǎo)與金屬電導(dǎo)的區(qū)別帶電質(zhì)點(diǎn):電介質(zhì)中為ionic conduction(固有及雜質(zhì)離子);金屬中為electronic conduction數(shù)量級(jí):電介質(zhì)的丫小,泄漏電流小;金屬的電導(dǎo)電流很大電導(dǎo)電流影響因素:電介質(zhì)中由離子數(shù)目決定,對所含雜質(zhì)、溫度很敏感;金屬中主要由外加電壓決定,雜質(zhì)、溫度不是主要因素3電介質(zhì)的電阻率具有負(fù)的溫度系數(shù);金屬的電阻率具有正的溫度系數(shù)。4電介質(zhì)的損耗(dielectricloss):任何電介質(zhì)在電場作用下都有能量損耗,包括由電導(dǎo)引起的損耗和由某些極化過
4、程引起的損耗。電介質(zhì)的能量損耗簡稱介質(zhì)損耗。5介質(zhì)損耗角6為功率因數(shù)角 小的余角,其正切tg 6又可稱為介質(zhì)損耗 因數(shù),常見百分?jǐn)?shù)(%)來表示。tg 6的增大,意味著介質(zhì)絕緣性能變差,實(shí)踐中常經(jīng)過測量tg 6來判斷設(shè)備 絕緣的好壞。一切電介質(zhì)的電氣強(qiáng)度都是有限的,超過某種限度,電介質(zhì)就會(huì)喪失其原有 的絕緣性能,甚至演變成導(dǎo)體。6在電場的作用下,電介質(zhì)中出現(xiàn)的電氣現(xiàn)象:1在弱電場下,主要有極化、電 導(dǎo)、介質(zhì)損耗等2.在強(qiáng)電場下,主要有放電、閃絡(luò)、擊穿等氣體放電的物理過程1.電離一原子在外界因素作用下,使其一個(gè)或幾個(gè)電子脫離原子核的束縛而形 成自由電子和正離子的過程2電離能 一電離過程所需要的能量
5、稱為電離能,也可用電離電位反映。3氣體中帶電粒子的產(chǎn)生與消失帶電粒子的產(chǎn)生(電離過程)1 .碰撞電離:氣體介質(zhì)中粒子相撞,撞擊粒子傳給被撞粒子能量,使其電離條件: 撞擊粒子的總能量被撞粒子的電離能一定的相互作用的時(shí)間和條件,經(jīng)過復(fù)雜的電磁力的相互作用達(dá)到 兩粒子間能量轉(zhuǎn)換2 .光電離:在光照射下,將光子能量傳給粒子,游離出自由電子。由光電離而 產(chǎn)生的自由電子稱為光電子 必要條件:光子的能量大于氣體粒子的電離能。3 .熱電離 是熱狀態(tài)下碰撞電離和光電離的綜合T T-分子動(dòng)能T-碰撞電離T Tf熱輻射光子的能量、數(shù)量Tf光電離溫度超過10000K時(shí)(如電弧放電)熱電離較強(qiáng),在溫度達(dá)到0K左右,幾乎
6、全部空氣分子都已經(jīng)處于熱電離狀態(tài)。4 .電極表面電離:氣體中的電子也可從金屬電極表面游離出來。游離需要能量,稱金屬的逸出功,小于氣體分子的電離能表明金屬表面電離比氣體空間電離更易發(fā)生隨著外加能量形式的不同,陰極的表面電離可在下列情況下發(fā)生:正離子撞擊陰極表面 光電子發(fā)射:高能輻射線照射電極表面 熱電子發(fā)射:金屬電極加熱強(qiáng)場發(fā)射:電極表面附近存在強(qiáng)電場5 .負(fù)離子的形成:中性分子或原子與電子相結(jié)合,形成負(fù)離子(附著) 附著過程中放出能量(親合能E)電負(fù)性氣體E大,易形成負(fù)離子一強(qiáng)電負(fù) 性氣體,如SF6負(fù)離子的形成使自由電子數(shù)減少,對氣體放電的發(fā)展起抑制作用帶電粒子的消失(去電離、消電離)1中和
7、在電場作用下作定向運(yùn)動(dòng),消失于電極而形成外電路中的電流(遷移率)2 .擴(kuò)散一因擴(kuò)散而逸出氣體放電空間(熱運(yùn)動(dòng))3 .復(fù)合一帶有異號(hào)電荷的粒子相遇,發(fā)生電荷的傳遞、中和而還原為中性粒 子的過程(多為負(fù)離子與正離子復(fù)合,而碰撞電離多為電子碰撞粒子產(chǎn)生)2.2氣體放電過程及電子崩的形成1電子崩的形成:外界電離因子在陰極附近產(chǎn)生了一個(gè)初始電子,如果空間電 場強(qiáng)度足夠大,該電子在向陽極運(yùn)動(dòng)時(shí)就會(huì)引起碰撞電離,產(chǎn)生一個(gè)新的電子, 初始電子和新電子繼續(xù)向陽極運(yùn)動(dòng),又會(huì)引起新的碰撞電離,產(chǎn)生更多電子。依此,電子將按照幾何級(jí)數(shù)不斷增多,類似雪崩似地發(fā)展,這種急劇增大的空 問電子流被稱為電子崩。結(jié)論:由于碰撞電離
8、引起電子崩過程,導(dǎo)致氣隙中電子數(shù)迅速增加。2非自持放電:必須依靠外界電離因素的作用提供自由電子作為電子崩的初始電子,一旦外界電離因素停止發(fā)生作用,則放電中止3自持放電:撤除外界電離因素后,能僅由電場的作用而維持的放電4均勻電場自持放電條件為:5氣體放電的流注理論P(yáng)d>>26.66kPacm( 200mmHgcm)時(shí),一些無法用湯遜理論解釋的現(xiàn)象:(1) .放電外形:在大氣壓下放電不再是輝光放電,而是火花通道(2) .放電時(shí)間:放電時(shí)間短于正離子在通道中到達(dá)陰極的行程時(shí)間(3) .陰極材料的影響:陰極材料對放電電壓影響不大流注的特點(diǎn)一電離強(qiáng)度很大傳播速度很快導(dǎo)電性能良好形成流注后,放
9、電就能夠由本身產(chǎn)生的空間光電離自行維持,即轉(zhuǎn)為自持放電, 形成流注的條件(即自持放電條件)流注理論和湯遜理論比較:1 .湯遜理論適用于低氣壓、短氣隙的情況(pd<26.66kPa - cm)2 .流注理論適用于高氣壓、長氣隙的情況(pd>>26.66kPa - cm)3 .湯遜理論認(rèn)為電子崩和陰極上的二次發(fā)射過程是氣體自持放電的決定性因素;流注理論認(rèn)為電子碰撞電離及空間光電離是維持自持放電的主要因素,并強(qiáng)調(diào)了空間電荷畸變電場的作用。§ 2.3 4電暈放電和不均勻電場中氣隙的擊穿1常見電場的結(jié)構(gòu):均勻場:板一板稍不均勻場:球一球同軸圓筒極不均勻場:棒-棒 對稱場(棒-
10、板不對稱場)稍不均勻電場中氣隙的放電特性與均勻電場相似,一旦出現(xiàn)自持放電,便會(huì)導(dǎo)致整個(gè)間隙的擊穿,極不均勻電場中,首先在強(qiáng)場區(qū)發(fā)生電暈放電,自持放電條件即是電暈起始 條件,氣隙擊穿電壓大于電暈起始電壓。2電暈的形成:極不均勻電場中,在外加電壓下,小曲率半徑電極附近的電場 強(qiáng)度首先達(dá)到起始場強(qiáng) E0,在此局部區(qū)域先出現(xiàn)碰撞電離和電子崩,甚至出現(xiàn) 流注,這種僅僅發(fā)生在強(qiáng)場區(qū)的局部放電稱為電暈放電,在外觀上表現(xiàn)為環(huán)繞電極表面出現(xiàn)藍(lán)紫色暈光。3電暈的危害及作用:(1)有光、聲、熱效應(yīng)造成能量損耗;電暈損耗在超高壓輸電線路設(shè)計(jì)中必 須考慮(2)產(chǎn)生的高頻脈沖電流含有許多高次諧波,造成無線電干擾;(3)使空氣
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