MOS管驅(qū)動設(shè)計及不良分析

1、MOS管驅(qū)動設(shè)計及不良分析MO黨驅(qū)動設(shè)計一般認為 MOSFET電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS勺GS兩級之間有結(jié)電容存在，這個電容會讓驅(qū)動MO焚的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOSf開關(guān)速度越快越好，因為開關(guān)時間越短，開 關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOSS驅(qū)動電路的好壞直接決定了電源的效率。對于一個MOSt,如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那么MOSS開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOSS白G GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短，那么 MOST關(guān)斷的速度也就越快。由此我們可以知道，如果想在更短的時

2、間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給 MOST柵極更大的瞬間驅(qū)動電流。大家常用的PWM&片輸出直接驅(qū)動MO強者用三極管放大后再驅(qū)動 MOS勺方法，其實在 瞬間驅(qū)動電流這塊是有很大缺陷的。比較好的方法是使用專用的 MOSFE驅(qū)動芯片，這類的芯片一般有很大的瞬間輸出電流， 而且還兼容TTL電平輸入，MOSFET動芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。需要注意因為驅(qū)動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOST的結(jié)電容會組成一個 LC振蕩電路，如果直接把驅(qū)動芯片的輸出端接到 MOSS柵極的話，在PW械的上升下降沿會產(chǎn)生 很大的震蕩，導(dǎo)致 MOST急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振

3、蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。因為MOSS柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導(dǎo)致MOSS誤導(dǎo)通，所以建議在MOST G S之間并聯(lián)一個10K的電阻以降低輸入阻抗。如果擔心附近功率線路上的干擾耦合過來產(chǎn)生瞬間高壓擊穿MOST的話，可以在GS之間再并聯(lián)一個18V左右的TVS瞬態(tài)抑制二極管，TVS可以認為是一個反應(yīng)速度很快的穩(wěn) 壓管，其瞬間可以承受的功率高達幾百至上千瓦，可以用來吸收瞬間的干擾脈沖。MOS管驅(qū)動不良分析布線設(shè)計MOSS驅(qū)動線路的環(huán)路面積要盡可能小，否則可能會引入外來的電磁干擾，驅(qū)動芯片的旁路電容要盡量靠近驅(qū)動芯片的 VC3口 GN比I腳，否則走線的電感會很大程度上影響芯

4、片的瞬間輸出電流。常見驅(qū)動波形1、如果出現(xiàn)了這樣圓不溜秋的波形就等著核爆吧。有很大一部分時間管子都工作在線 性區(qū)，損耗極其巨大。一般這種情況是布線太長電感太大，柵極電阻都救不了你，只能重新畫板子。2、高頻振鈴嚴重的毀容方波。在上升下降沿震蕩嚴重，這種情況管子一般瞬間死掉，跟上一個情況差不多， 進線性區(qū)。原因也類似，主要是布線的問題。又胖又圓的肥豬波 上升下降沿極其緩慢，這是因為阻抗不匹配導(dǎo)致的。芯片驅(qū)動能力太差或者柵極電阻太 大。果斷換大電流的驅(qū)動芯片，柵極電阻往小調(diào)調(diào)就OK了。打腫臉充正弦的生于方波他們家的三角波。驅(qū)動電路阻抗超大發(fā)了。此乃管子必殺波 解決方法同上。3、大眾臉型，人見人愛的方波。高低電平分明，電平這時候可以叫電平了，因為它平。 邊沿陡峭，開關(guān)速度快，損耗很小，略有震蕩，可以接受，