材料現(xiàn)代分析方法_1(XPS)

1、第一第一章章 表面探針分析表面探針分析X射線光電子能譜（射線光電子能譜（XPS）俄歇電子能譜（俄歇電子能譜（AES）二次離子質(zhì)譜（二次離子質(zhì)譜（SIMS）1-1 X射線光電子能譜原理與應(yīng)用射線光電子能譜原理與應(yīng)用X射線光電子能譜射線光電子能譜（X-Ray Photoelectron Spectroscopy，XPS） 材料現(xiàn)代分析方法 利用利用X射線與樣品表面作用產(chǎn)生光電子，通過分析光電子能射線與樣品表面作用產(chǎn)生光電子，通過分析光電子能量分布得到光電子能譜，用來分析材料表面元素化學(xué)狀態(tài)的方法。量分布得到光電子能譜，用來分析材料表面元素化學(xué)狀態(tài)的方法。 XPS又稱化學(xué)分析用電子能譜（又稱化學(xué)分析

2、用電子能譜（Electron Spectroscopy for Chemical Anslysis，ESCA），強(qiáng)調(diào)），強(qiáng)調(diào)X射線電子能譜中既有光電子射線電子能譜中既有光電子峰，也有俄歇電子峰。峰，也有俄歇電子峰。XPS是研究材料表面組成和結(jié)構(gòu)的最常用的一種電子能譜。是研究材料表面組成和結(jié)構(gòu)的最常用的一種電子能譜。 1.光電子發(fā)射光電子發(fā)射當(dāng)當(dāng)X射線光子與樣品作用，被樣品原子的電子散射和射線光子與樣品作用，被樣品原子的電子散射和吸收。吸收。X射線易被內(nèi)層電子吸收。若入射射線易被內(nèi)層電子吸收。若入射X射線能量（射線能量（h h ）大于原子中電子的結(jié)合能及樣品的功函數(shù)時，電子可大于原子中電子的結(jié)合

3、能及樣品的功函數(shù)時，電子可以吸收光子的能量而逸出樣品，形成光電子（內(nèi)層電以吸收光子的能量而逸出樣品，形成光電子（內(nèi)層電子電離后較外層電子躍遷填補(bǔ)空穴，同時發(fā)射子電離后較外層電子躍遷填補(bǔ)空穴，同時發(fā)射X射線射線或俄歇電子）或俄歇電子）材料現(xiàn)代分析方法一、一、XPS基本原理基本原理材料現(xiàn)代分析方法光電子光電子L1L2K俄歇電子俄歇電子特征特征X射線射線入射入射X射線射線光電子的動能：光電子的動能：材料現(xiàn)代分析方法spbkEhE譜儀的功函數(shù)電子束縛能pbEsspkbEhE一般為常數(shù)可實(shí)驗測定pkEs所以所以由于每種元素的電子結(jié)構(gòu)是獨(dú)特的，測定由于每種元素的電子結(jié)構(gòu)是獨(dú)特的，測定Eb就可以判定元素就可

4、以判定元素的類型。的類型?？梢?，當(dāng)入射可見，當(dāng)入射X射線能量一定，測出功函數(shù)和電子射線能量一定，測出功函數(shù)和電子的動能，即可求出電子的結(jié)合能。的動能，即可求出電子的結(jié)合能。由于只有表面處的光電子才能從固體中逸出，因而由于只有表面處的光電子才能從固體中逸出，因而測得的電子結(jié)合能必然反應(yīng)了表面化學(xué)成份的情況。測得的電子結(jié)合能必然反應(yīng)了表面化學(xué)成份的情況。這正是光電子能譜儀的基本測試原理。這正是光電子能譜儀的基本測試原理。材料現(xiàn)代分析方法2. 逃逸深度（逃逸深度（m） 與俄歇電子相同，只有那些來自表面附近在逃逸深與俄歇電子相同，只有那些來自表面附近在逃逸深度以內(nèi)的光電子才沒有經(jīng)過散射而損失能量，才對

5、度以內(nèi)的光電子才沒有經(jīng)過散射而損失能量，才對確定確定Eb的譜峰有所貢獻(xiàn)。的譜峰有所貢獻(xiàn)。對于對于XPS 有用的光電子能量有用的光電子能量1001200eV m =0.52.0nm（金屬）（金屬） =410nm（高聚物）（高聚物）材料現(xiàn)代分析方法逃逸深度與逸出角有關(guān)逃逸深度與逸出角有關(guān) 為探測角，出射方向與面法線夾角為探測角，出射方向與面法線夾角 當(dāng)當(dāng) = 0 ，垂直表面射出的電子來自最大逸出深度，垂直表面射出的電子來自最大逸出深度 當(dāng)當(dāng) 90 ，近似平行于表面射出的電子純粹來自最外，近似平行于表面射出的電子純粹來自最外表面幾個原子層表面幾個原子層 改變探測角改變探測角可調(diào)整表面靈敏度可調(diào)整表面

6、靈敏度 材料現(xiàn)代分析方法cosm二、二、XPS儀儀X射線源射線源離子源離子源樣品臺樣品臺電子能量分析器電子能量分析器電子探測及倍增器電子探測及倍增器數(shù)據(jù)處理與顯示數(shù)據(jù)處理與顯示材料現(xiàn)代分析方法真空內(nèi)真空內(nèi)真空外真空外材料現(xiàn)代分析方法1、X射線源射線源要求要求足夠高的能量（使內(nèi)層電子電離）足夠高的能量（使內(nèi)層電子電離）足夠的強(qiáng)度（能產(chǎn)生足夠的光電子通量）足夠的強(qiáng)度（能產(chǎn)生足夠的光電子通量）盡量窄的線寬（單色盡量窄的線寬（單色X射線）射線）應(yīng)用應(yīng)用Mg、Al源，線寬小，穩(wěn)定性好源，線寬小，穩(wěn)定性好lMg的的K線，線，E=1253.6eV，線寬，線寬0.7eVlAl 的的K線，線，E=1486.6e

7、V，線寬，線寬0.85eV材料現(xiàn)代分析方法X射線的產(chǎn)生射線的產(chǎn)生高能電子轟擊陽極靶可產(chǎn)生高能電子轟擊陽極靶可產(chǎn)生X射線；射線；特征射線特征射線X射線不是連續(xù)波，射線不是連續(xù)波，能量具有單色性，只與靶材能量具有單色性，只與靶材有關(guān)；有關(guān)；X射線不是一根線，具有一系射線不是一根線，具有一系列線；列線；XPS需要單色的、一定能量需要單色的、一定能量的的X射線射線材料現(xiàn)代分析方法雙陽極雙陽極X射線管射線管由燈絲，陽極靶及窗口組成由燈絲，陽極靶及窗口組成材料現(xiàn)代分析方法一般采用雙陽極靶；常用一般采用雙陽極靶；常用Mg/Al雙陽極靶雙陽極靶加鋁窗或加鋁窗或Be窗，阻隔電子進(jìn)窗，阻隔電子進(jìn)入分析室，也阻隔入

8、分析室，也阻隔X射線射線輻射損傷樣品。輻射損傷樣品。燈絲不面對陽極靶，避免陽燈絲不面對陽極靶，避免陽極的污染。極的污染。X射線的單色化射線的單色化X射線均具有很寬的自然寬度，射線均具有很寬的自然寬度，能量分辨率受到限制；必須進(jìn)行能量分辨率受到限制；必須進(jìn)行單色化；單色化；材料現(xiàn)代分析方法X射線難以聚焦，單色化困難；射線難以聚焦，單色化困難；一般采用一般采用Rowland圓晶體進(jìn)行圓晶體進(jìn)行單色化（單色化（衍射方式衍射方式）。）。強(qiáng)度為原來的強(qiáng)度為原來的1%。單色化單色化XPS譜圖效果譜圖效果材料現(xiàn)代分析方法2、電子能量分析器、電子能量分析器為為XPS的核心的核心, 要求能精確測定能量要求能精確

9、測定能量磁偏轉(zhuǎn)式能量分析器磁偏轉(zhuǎn)式能量分析器（對環(huán)境磁場靈敏，目前不（對環(huán)境磁場靈敏，目前不采用）和采用）和靜電型能量分析器靜電型能量分析器靜電型能量分析器：靜電型能量分析器：筒鏡型分析器（同筒鏡型分析器（同AES）同心半球型分析器（又稱球形致偏分析器）同心半球型分析器（又稱球形致偏分析器）材料現(xiàn)代分析方法材料現(xiàn)代分析方法材料現(xiàn)代分析方法只有能量在選定的很窄范圍內(nèi)的電子可能循著一定的軌道只有能量在選定的很窄范圍內(nèi)的電子可能循著一定的軌道達(dá)到出口孔，改變電勢，可以掃描光電子的能量范圍。達(dá)到出口孔，改變電勢，可以掃描光電子的能量范圍。3. 電子探測及數(shù)據(jù)處理電子探測及數(shù)據(jù)處理光電子信號微弱；光電子

10、信號微弱；10-16 10 -14A光電倍增管，多通道板，位置靈敏檢測器三種；光電倍增管，多通道板，位置靈敏檢測器三種；光電倍增管：光電倍增管：原理是當(dāng)一個電子進(jìn)入到倍增管內(nèi)壁與表面材料發(fā)原理是當(dāng)一個電子進(jìn)入到倍增管內(nèi)壁與表面材料發(fā)生碰撞會產(chǎn)生多個二次電子，多次碰撞就可以達(dá)到生碰撞會產(chǎn)生多個二次電子，多次碰撞就可以達(dá)到放大的目的；放大的目的；采用高阻抗、高二次電子發(fā)射材料，增益：采用高阻抗、高二次電子發(fā)射材料，增益：10 9材料現(xiàn)代分析方法4.離子束濺射離子束濺射樣品表面的清潔；樣品表面的清潔；樣品表面層的離子刻蝕；樣品表面層的離子刻蝕；Ar離子離子，氧離子，銫離子，鎵離子等，氧離子，銫離子，

11、鎵離子等固定濺射和掃描濺射方式固定濺射和掃描濺射方式濺射的均勻性濺射的均勻性濺射過程的其他效應(yīng)濺射過程的其他效應(yīng)材料現(xiàn)代分析方法5.真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)電子的平均自由程；（電子的平均自由程；（105 torr，50m） 清潔表面（清潔表面（106 torr，1s，原子單層），原子單層） 場發(fā)射離子槍要求（場發(fā)射離子槍要求（ 10-8 torr ） XPS要求：要求：10-8 torr以上以上材料現(xiàn)代分析方法6. 成像成像XPS給出的是元素分布像給出的是元素分布像可給出元素化學(xué)成份像可給出元素化學(xué)成份像可進(jìn)行顯微分析可進(jìn)行顯微分析8微米分辨率微米分辨率材料現(xiàn)代分析方法三、三、XPS樣品制備樣品制備X

12、射線光電子能譜儀對待分析的樣品有特殊的要求，射線光電子能譜儀對待分析的樣品有特殊的要求，在通常情況下只能對固體樣品進(jìn)行分析。在通常情況下只能對固體樣品進(jìn)行分析。由于涉及到樣品在超高真空中的傳遞和分析，待分由于涉及到樣品在超高真空中的傳遞和分析，待分析的樣品一般都需要經(jīng)過一定的預(yù)處理。析的樣品一般都需要經(jīng)過一定的預(yù)處理。主要包括樣品的大小，粉體樣品的處理主要包括樣品的大小，粉體樣品的處理, 揮發(fā)性樣品揮發(fā)性樣品的處理，表面污染樣品及帶有微弱磁性的樣品的處的處理，表面污染樣品及帶有微弱磁性的樣品的處理。理。 材料現(xiàn)代分析方法在實(shí)驗過程中樣品通過傳遞桿，穿過超高真空隔離閥，在實(shí)驗過程中樣品通過傳遞桿

13、，穿過超高真空隔離閥，送進(jìn)樣品分析室。因此，樣品尺寸必須符合一定規(guī)范。送進(jìn)樣品分析室。因此，樣品尺寸必須符合一定規(guī)范。對于塊體樣品和薄膜樣品，其長寬最好小于對于塊體樣品和薄膜樣品，其長寬最好小于10mm, 高度小于高度小于5 mm。對于體積較大的樣品則必須通過適當(dāng)方法制備成合適對于體積較大的樣品則必須通過適當(dāng)方法制備成合適大小的樣品。但在制備過程中，必須考慮到處理過程大小的樣品。但在制備過程中，必須考慮到處理過程可能會對表面成分和狀態(tài)的影響?？赡軙Ρ砻娉煞趾蜖顟B(tài)的影響。1. 樣品的尺寸樣品的尺寸材料現(xiàn)代分析方法2. 粉體樣品粉體樣品粉體的兩種制樣方法：粉體的兩種制樣方法：l用雙面膠帶直接把粉

14、體固定在樣品臺上用雙面膠帶直接把粉體固定在樣品臺上l把粉體樣品壓成薄片，再固定于樣品臺上把粉體樣品壓成薄片，再固定于樣品臺上前者的優(yōu)點(diǎn)是制樣方便，樣品用量少，預(yù)抽高真空時前者的優(yōu)點(diǎn)是制樣方便，樣品用量少，預(yù)抽高真空時間短，缺點(diǎn)是可能會引進(jìn)膠帶的成分。在普通的實(shí)驗間短，缺點(diǎn)是可能會引進(jìn)膠帶的成分。在普通的實(shí)驗過程中，一般采用膠帶法制樣。過程中，一般采用膠帶法制樣。后者的優(yōu)點(diǎn)是可在真空中對樣品進(jìn)行處理，如原位和后者的優(yōu)點(diǎn)是可在真空中對樣品進(jìn)行處理，如原位和反應(yīng)等，其信號強(qiáng)度也要比膠帶法高得多。缺點(diǎn)是樣反應(yīng)等，其信號強(qiáng)度也要比膠帶法高得多。缺點(diǎn)是樣品用量太大，抽到超高真空的時間太長。品用量太大，抽到

15、超高真空的時間太長。材料現(xiàn)代分析方法3. 揮發(fā)性材料揮發(fā)性材料對于含有揮發(fā)性物質(zhì)的樣品，在樣品進(jìn)入真空系統(tǒng)前對于含有揮發(fā)性物質(zhì)的樣品，在樣品進(jìn)入真空系統(tǒng)前必須清除掉揮發(fā)性物質(zhì)。必須清除掉揮發(fā)性物質(zhì)。一般可以通過對樣品加熱或用溶劑清洗等方法。一般可以通過對樣品加熱或用溶劑清洗等方法。 在處理樣品時，應(yīng)該保證樣品中的成份不發(fā)生、化學(xué)在處理樣品時，應(yīng)該保證樣品中的成份不發(fā)生、化學(xué)變化。變化。材料現(xiàn)代分析方法4. 污染樣品污染樣品對于表面有油等有機(jī)物污染的樣品，在進(jìn)入真空系統(tǒng)對于表面有油等有機(jī)物污染的樣品，在進(jìn)入真空系統(tǒng)前必須用油溶性溶劑如環(huán)己烷，丙酮等清洗掉樣品表前必須用油溶性溶劑如環(huán)己烷，丙酮等清

16、洗掉樣品表面的油污。最后再用乙醇清洗掉有機(jī)溶劑，面的油污。最后再用乙醇清洗掉有機(jī)溶劑，對于無機(jī)污染物，可以采用表面打磨以及離子束濺射對于無機(jī)污染物，可以采用表面打磨以及離子束濺射的方法來清潔樣品。的方法來清潔樣品。為了保證樣品表面不被氧化，一般采用自然干燥。為了保證樣品表面不被氧化，一般采用自然干燥。 材料現(xiàn)代分析方法5.帶有磁性的材料帶有磁性的材料由于光電子帶有負(fù)電荷，在微弱的磁場作用下，也由于光電子帶有負(fù)電荷，在微弱的磁場作用下，也可以發(fā)生偏轉(zhuǎn)。當(dāng)樣品具有磁性時，由樣品表面出可以發(fā)生偏轉(zhuǎn)。當(dāng)樣品具有磁性時，由樣品表面出射的光電子就會在磁場的作用下偏離接收角，最后射的光電子就會在磁場的作用下

17、偏離接收角，最后不能到達(dá)分析器，因此，得不到正確的不能到達(dá)分析器，因此，得不到正確的XPS譜。譜。此外，當(dāng)樣品的磁性很強(qiáng)時，還有可能使分析器頭此外，當(dāng)樣品的磁性很強(qiáng)時，還有可能使分析器頭及樣品架磁化的危險，因此，及樣品架磁化的危險，因此，絕對禁止帶有磁性的絕對禁止帶有磁性的樣品進(jìn)入分析室樣品進(jìn)入分析室。對于具有弱磁性的樣品，可以通過退磁的方法去掉對于具有弱磁性的樣品，可以通過退磁的方法去掉樣品的微弱磁性，然后按正常樣品分析。樣品的微弱磁性，然后按正常樣品分析。 材料現(xiàn)代分析方法6. 樣品的荷電及消除樣品的荷電及消除 荷電的產(chǎn)生荷電的產(chǎn)生對于絕緣體樣品或?qū)щ娦圆畹臉悠?，?jīng)對于絕緣體樣品或?qū)щ娦圆?/p>

18、的樣品，經(jīng)X射線輻照后，射線輻照后，其表面會產(chǎn)生一定的電荷積累，主要是荷正電荷。其表面會產(chǎn)生一定的電荷積累，主要是荷正電荷。荷正電的主要原因是光電子出射后，在樣品表面積累荷正電的主要原因是光電子出射后，在樣品表面積累的正電荷不能得到電子的補(bǔ)充。的正電荷不能得到電子的補(bǔ)充。樣品表面荷電相當(dāng)于給從表面出射的自由的光電子增樣品表面荷電相當(dāng)于給從表面出射的自由的光電子增加了一定的額外電場加了一定的額外電場, 使得測得的結(jié)合能比正常的要高。使得測得的結(jié)合能比正常的要高。材料現(xiàn)代分析方法荷電的消除荷電的消除樣品荷電問題非常復(fù)雜，一般難以用某一種方法徹樣品荷電問題非常復(fù)雜，一般難以用某一種方法徹底消除。底消

19、除。表面蒸鍍導(dǎo)電物質(zhì)如金，碳等；蒸鍍厚度對結(jié)合能表面蒸鍍導(dǎo)電物質(zhì)如金，碳等；蒸鍍厚度對結(jié)合能的測定的影響；蒸鍍物質(zhì)與樣品的相互作用的影響；的測定的影響；蒸鍍物質(zhì)與樣品的相互作用的影響；利用低能電子中和槍，輻照大量的低能電子到樣品利用低能電子中和槍，輻照大量的低能電子到樣品表面，中和正電荷。如何控制電子流密度合適，不表面，中和正電荷。如何控制電子流密度合適，不產(chǎn)生過中和現(xiàn)象。產(chǎn)生過中和現(xiàn)象。材料現(xiàn)代分析方法荷電的校準(zhǔn)荷電的校準(zhǔn)在實(shí)際的在實(shí)際的XPS分析中，一般采用內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行校準(zhǔn)。分析中，一般采用內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行校準(zhǔn)。通常有金內(nèi)標(biāo)法和碳內(nèi)標(biāo)法；通常有金內(nèi)標(biāo)法和碳內(nèi)標(biāo)法；最常用的方法是用真空系統(tǒng)中最常見的

20、有機(jī)污染碳最常用的方法是用真空系統(tǒng)中最常見的有機(jī)污染碳的的C 1s的結(jié)合能為的結(jié)合能為284.6 eV，進(jìn)行校準(zhǔn)。，進(jìn)行校準(zhǔn)。也可以利用檢測材料中已知狀態(tài)元素的結(jié)合能進(jìn)行也可以利用檢測材料中已知狀態(tài)元素的結(jié)合能進(jìn)行校準(zhǔn)。校準(zhǔn)。材料現(xiàn)代分析方法7. 樣品的離子刻蝕樣品的離子刻蝕 在在X射線光電子能譜分析中，為了清潔被污染的固體表射線光電子能譜分析中，為了清潔被污染的固體表面，常常利用離子槍發(fā)出的離子束對樣品表面進(jìn)行濺面，常常利用離子槍發(fā)出的離子束對樣品表面進(jìn)行濺射剝離，清潔表面。射剝離，清潔表面。離子束更重要的應(yīng)用則是樣品表面組分的深度分析。離子束更重要的應(yīng)用則是樣品表面組分的深度分析。利用離子

21、束可定量地剝離一定厚度的表面層，然后再利用離子束可定量地剝離一定厚度的表面層，然后再用用XPS分析表面成分，這樣就可以獲得元素成分沿深分析表面成分，這樣就可以獲得元素成分沿深度方向的分布圖，即深度剖析。度方向的分布圖，即深度剖析。作為深度分析的離子槍，一般采用作為深度分析的離子槍，一般采用0.55 KeV的的Ar離子源。掃描離子束的束斑直徑一般在離子源。掃描離子束的束斑直徑一般在110mm范范圍，濺射速率范圍為圍，濺射速率范圍為0.1 50 nm/min。材料現(xiàn)代分析方法刻蝕過程中應(yīng)注意問題刻蝕過程中應(yīng)注意問題為提高深度分辯率，一般應(yīng)采用間斷濺射的方式。為提高深度分辯率，一般應(yīng)采用間斷濺射的方

22、式。為減少離子束的坑邊效應(yīng)，應(yīng)增加離子束的直徑。為減少離子束的坑邊效應(yīng)，應(yīng)增加離子束的直徑。為降低離子束的擇優(yōu)濺射效應(yīng)及基底效應(yīng)，應(yīng)提高濺射為降低離子束的擇優(yōu)濺射效應(yīng)及基底效應(yīng)，應(yīng)提高濺射速率和降低每次濺射的時間。速率和降低每次濺射的時間。在在XPS分析中，離子束的濺射還原作用可以改變元素的分析中，離子束的濺射還原作用可以改變元素的存在狀態(tài)，許多氧化物可以被還原成較低價態(tài)的氧化物，存在狀態(tài)，許多氧化物可以被還原成較低價態(tài)的氧化物，如如Ti, Mo, Ta等。在研究濺射過的樣品表面元素的化學(xué)等。在研究濺射過的樣品表面元素的化學(xué)價態(tài)時，應(yīng)注意這種濺射還原效應(yīng)的影響。價態(tài)時，應(yīng)注意這種濺射還原效應(yīng)的

23、影響。材料現(xiàn)代分析方法四、四、XPS定性分析定性分析定性分析依據(jù)定性分析依據(jù)XPS產(chǎn)生的光電子的結(jié)合能僅與元素種類以及所激產(chǎn)生的光電子的結(jié)合能僅與元素種類以及所激發(fā)的原子軌道有關(guān)。特定元素的特定軌道產(chǎn)生的光發(fā)的原子軌道有關(guān)。特定元素的特定軌道產(chǎn)生的光電子能量是固定的，依據(jù)其結(jié)合能可以標(biāo)定元素；電子能量是固定的，依據(jù)其結(jié)合能可以標(biāo)定元素；理論上可以分析除理論上可以分析除H，He以外的所有元素，并且以外的所有元素，并且是一次全分析。是一次全分析。材料現(xiàn)代分析方法定性分析方法定性分析方法最常用的分析方法，一般利用最常用的分析方法，一般利用XPS譜儀的寬掃描程序。譜儀的寬掃描程序。為了提高定性分析的靈

24、敏度，一般應(yīng)加大通能，提高為了提高定性分析的靈敏度，一般應(yīng)加大通能，提高信噪比信噪比 通常通常XPS譜圖的橫坐標(biāo)為結(jié)合能，縱坐標(biāo)為光電子的譜圖的橫坐標(biāo)為結(jié)合能，縱坐標(biāo)為光電子的計數(shù)率。計數(shù)率。在分析譜圖時，首先必須考慮消除荷電位移。在分析譜圖時，首先必須考慮消除荷電位移。對于金屬和半導(dǎo)體樣品幾乎不會荷電，因此不用校準(zhǔn)。對于金屬和半導(dǎo)體樣品幾乎不會荷電，因此不用校準(zhǔn)。對于絕緣樣品，則必須進(jìn)行校準(zhǔn)。因為，當(dāng)荷電較大對于絕緣樣品，則必須進(jìn)行校準(zhǔn)。因為，當(dāng)荷電較大時，會導(dǎo)致結(jié)合能位置有較大的偏移，導(dǎo)致錯誤判斷。時，會導(dǎo)致結(jié)合能位置有較大的偏移，導(dǎo)致錯誤判斷。 材料現(xiàn)代分析方法另外，還必須注意攜上峰，衛(wèi)

25、星峰，俄歇峰等這些另外，還必須注意攜上峰，衛(wèi)星峰，俄歇峰等這些伴峰對元素鑒定的影響。伴峰對元素鑒定的影響。一般來說，只要該元素存在，其所有的強(qiáng)峰都應(yīng)存一般來說，只要該元素存在，其所有的強(qiáng)峰都應(yīng)存在，否則應(yīng)考慮是否為其他元素的干擾峰。在，否則應(yīng)考慮是否為其他元素的干擾峰。一般激發(fā)出來的光電子依據(jù)激發(fā)軌道的名稱進(jìn)行標(biāo)一般激發(fā)出來的光電子依據(jù)激發(fā)軌道的名稱進(jìn)行標(biāo)記如記如C1s，Cu2p等。等。 材料現(xiàn)代分析方法典型典型XPS譜譜6005004003002001000Binding Energy eVCounts a.u.Al 2pAl 2sC 1sN 1sTi 2pO 1sTi(CN)x/ Al filmX軸軸電子電子束縛能或動能束縛能或動能Y軸軸光電光電子的強(qiáng)度子的強(qiáng)度N（E）/E材料現(xiàn)代分析方法XPS特征材料現(xiàn)代分析方法背底上疊加一系列譜峰，峰的束縛能是各元素的特背底上疊加一系列譜峰，峰的束縛能是各元素的特征，直接代表原子軌道能級征，直接代表原子軌道能級構(gòu)成