反相器設計前仿與后仿流程

1、目錄前端電路設計與仿真 2第一節(jié)雙反相器的前端設計流程 21、畫雙反相器的 visio 原理圖 22、編寫.sp文件2第二節(jié)后端電路設計 4一、開啟 linux 系統(tǒng) 52、然后桌面右鍵重新打開Terminal 8雙反相器的后端設計流程 9一、schematic 電路圖繪制 9二、版圖設計 32畫版圖一些技巧： 48三、后端驗證和提取 49第三節(jié)后端仿真 58其它知識 61前端電路設計與仿真第一節(jié)雙反相器的前端設計流程1、畫雙反相器的visio原理圖VDDVDdout圖1.1其中雙反相器的輸入為in輸出為out, fa為內部節(jié)點。電源電壓Vdd=1.8V,MOS 管用的是TSMC的1.8V典型

2、MOS管（在Hspice里面的名稱為pch和nch,在 Cadence里面的名稱為pmos2v和nmos2v）。2、編寫.sp文件新建dualinv.txt文件然后將后綴名改為dualinv.sp文件 具體實例.sp文件內容如下：dnakinv - iiL-# +-女薦國I dMlD持式® ItQ?事助MULFiUh JB犁的其隨-U Lb ' F : vrrnFdn I J J pu-hgjnuptataXrl llll- L' I I,-subcki dualLnu Im out md qridHQ J in WH udd prh l-1tQn0 -口向手Pn-？

3、,bp-Mnfd-*,3T5HI fri :ln ynt gnri rich 1-11 Iki«O-1 -UHhp 1.VN<ap 13 PD-I .Rlr IM PK-I.HIr nnl-H. nfrH! nrs-H.rt2 QUK. fa 1 udd pLh I - 1d tn “NJ 仙，3的FD-a.M-M PS-2.iit-iK nnd-«.3K m>5-«>37£m out ft E qnd nth 1-帕Bn，睚X科-1.PB“-忖 FUH木片-酹nrd-1 ,MWW 時斫中法第融. LT.TH以下是加觸后信號ITTT -

4、 bdin « pMl-se(B 1： B 1«s Ghs tn寫 >m3 4ns f 3 vdd » 1 .*«n gnrl riv tl duK 下是 Mji(閡百句aoptlQn p”t ,trjn .Ans.-M金£U尸。CrM AUgpDMr Inq pNlJ Fr««餐二-Hfjsui'r tr-Mi qrlsr TRIOvein)UftL-l.flAlhsrise-1 TRRnuCtlUHL-I.*rjr-1 iwsurt tr M Qf 11* THICWd的UhL-fl.fll-lns* TA

5、ROUftL-i.*IKkisfall-1-nd.lib 'F:Program Filessynopsysrf018.l' TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置和選擇的具體工藝角*這里選擇TT工藝角*劃紅線部分的數據請參考excel文件尺寸對應6參數，MOS管的W不同對應的6個尺寸是不同的，但是這六個尺寸不隨著L的變化而變化。劃紫色線條處的端口名稱和順序一定要一致MOS場效應晶體管描述語句：（與后端提取pex輸出的網表格式相同）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS=

6、val > <PD= val >* PS= val > <NRD= val > <NRS= val >2.1、 在wind owXP開始一程序這里打開 Hspice程序HStICf Z-2O3T. 33Hicrosoft. OEfiCEAvaawaveE l_ZD0t. DoJEFLCE NI L-ZUUT. 03F SPJCE 斑7b 2CO7.l應KE Z-ZOCT. D3leriCW Z-2ODT.IJ3拈p?i 1-3007,032.2、 彈出以下畫面然后進行仿真1、打開.sp文件2、按下仿真按鈕3、查看波形查看波形按鈕按下后彈出以下對話

7、框匚O>Ja !££能£：工.re trjn* TRIG u(ini)* JARC u(aut).nttr«n+ Title u(in>* I ARC UfOLit)如果要查看內部節(jié)點的波形，雙擊 Top處如果有多 個子電路 請單擊此 處的Top 查看如果要查看測量語句的輸出結果請查看.MTO文件（用記事本打開）augpoiwr p(xl) FronUns to»feunsUAl.-n.v TO*»n riip-iUftL-n. TO-flu5 rise-1QFflllUM-n.9 Tfr-an5 Fall-1VftL-O

8、.V TD-Ons fall=1至此前端仿真教程結束第二節(jié)后端電路設計前序（打開Cadence軟件）開啟 linux 之后linux 系統(tǒng)雙擊桌面虛擬機的圖標選擇 Power on this virtual machine在桌面右鍵選擇Open Terminal輸入 xhost local ：命令 按回車之后輸入 su xue 命令 按回車，這樣就進入了 xue 用戶1、輸入命令加載calibre 軟件的license ，按回車，等到出現(xiàn)以下畫面再關閉 Terminal 窗口2、然后桌面右鍵重新打開Terminal進入學用戶，開啟 Cadence軟件，如下圖然后出現(xiàn) cadence 軟件的界面

9、關閉這個help窗口，剩下下面這個窗口，這樣 cadence軟件就開啟了如果在操作過程中關閉了 cadence,只需要執(zhí)行步驟2即可，步驟1加載calibre 的license只在linux重啟或者剛開啟的時候運行一次就可以了。雙反相器的后端設計流程一、schematic電路圖繪制1、注息在Cadence中畫schematic電路圖時，每一個節(jié)點都需要命名，不然在參數提取之后沒有命名的那些節(jié)點會被系統(tǒng)自動命名，導致用HSPICE查看內部節(jié)點波形時難以迅速找到自己需要的節(jié)點。2 、打開 Cadence 軟件新建庫和單元 Cell View用命令icfb&打開Cadence軟件后彈出以下C

10、IW窗口選擇 Flie-New-Libirary 之后彈出以下窗口這里我們新建一個名為 ttest 的庫。 （注意：在新建library 的時候要 attach to anexisting techfile ）點擊 OK 以后彈出以下窗口在 technology library 這里選擇我們的 TSMC 庫 tsmc18rf然后點擊 OK在CIW窗口的tools菜單中選擇第二個library manager之后彈出以下窗口我們可以看到左邊Library 里面有我們之間建立的 ttest 庫， 用鼠標左鍵選擇ttest，發(fā)現(xiàn)它的 Cell 和 View 都是空的。然后在該窗口的 View 新建一

11、個單元 Cell View彈出以下窗口在窗口的 Cell name 中輸入我們需要取dualinv。點擊OK后自動彈出畫schematic的窗口3 、畫 schematic 電路圖點擊上面的這個作圖版面，在鍵盤上按快捷鍵 i 會出現(xiàn)添加器件的窗口點擊 Browse 后彈出以下窗口 這里選中TSMC的庫tsmc18rf,在Cell中選中pmos2v, view中選中symbol然后鼠標移到外面的畫圖板上，就會出現(xiàn)一個PMOS 管，左鍵點擊就可以放上去了， 按 ESC 回到正常的光標狀態(tài)。同理，選中TSMC庫中的nmos2v,就可以添加NMOS管。（按快捷鍵M ,然后再點擊一下（選中）器件即可以移

12、動器件）接下來修改MOS管的尺寸，我們看到上述MOS管的默認尺寸都是L=180n W=2u我們這里將PMOS 管修改為W=720n NMOS 管修改為 W=220n（注意：TSMC 0.18um庫nmos2v和pmos2v最小的 W 只能設置到220nm,而不能設置到180nm）鼠標左鍵選中一個器件（如 M0） ，然后按快捷鍵 Q（ property） ，出現(xiàn)以下調整MOS 管屬性窗口在 w（M） 的文本框中修改前面的 2u 修改成我們需要的 720n 然后點擊 OK 即可同理修改 NMOS 管的 W=220n 。之后開始連線按快捷鍵 W （wire ） 即可然后添加 PIN 腳（即與外部信號

13、相連的端口，從圖1.1 可以看出這個雙反相器電路涉及到的 PIN 腳有 in out vdd gnd）注意： 由于目前的工藝是P 阱襯底， 所以全部 NMOS 管的襯底即 B 端要接 gnd ，而PMOS管的襯底可以接自己的S端或者vdd, 一般只接VDD不接S 知識補充： MOS 管的襯底 B 端接 S 才能不引起襯偏， 襯偏了會造成閾值電壓增大按快捷鍵 P 就可以添加PIN 腳在 pin name 中輸入名稱 Direction 中選中 pin 腳的方向（其中in 的 direction 是 inputout 的 direction 是 output gnd 和 vdd 的 directi

14、on 是 inputoutput）然后按回車，光標上就會出現(xiàn)一個pin 的光影，點擊鼠標左鍵即可擺放擺放 pin 腳之后，將PIN 腳與電路相連，同樣用快捷鍵W 來連線由于圖1.1中還有一個內部節(jié)點fa,這里我們就需要給內部節(jié)點命名。按快捷鍵 L,出現(xiàn)命名窗口在names這里輸入fa,然后按回車然后鼠標上出現(xiàn)fa 光影，將 fa 移到內部需要命名的線上點擊左鍵即可。然后保存電路通用，也可以用快捷鍵L來連接兩個單元：這樣就不用連線，卻能保證兩個單元連接到一起。在畫圖板左邊工具欄里面選中第一個check and save4 、將電路圖創(chuàng)建成為一個symbol ，用于仿真電路選擇Design Cre

15、ate Cellview- From Cellview 彈出以下窗口點擊 OK 彈出以下窗口這里主要是Top Pins和Botton Pins這里需要修改，修改成如下圖點擊 OK 彈出以下電路點擊save按鈕保存這樣我們就會看到在library manager里面就多出了一個該電路的symbol5、用spectre仿真器仿真電路（這里仿真一下電路主要是驗證一下自己電路有沒有畫錯，如果電路邏輯功能正確，那么基本上可以保證自己剛才畫的電路是正確的）新建一個名為 dualtest 的 Cell View 單元（在 Library Manager下）點擊 OK按快捷鍵 i 添加我們之前給雙反相器電路創(chuàng)

16、建的 symbol然后出現(xiàn)下圖 接下來就要給各個端口加激勵信號和電源了按I添加器件，在analoglib中首先選擇直流電壓 Vdc,另外還要選擇vpwl作為線性分段信號源。按 Q 修改 vdc 的屬性在DC voltage這里將電壓值設置為1.8v（注意，只要填入1.8即可，不要帶入單位）vpwl 的屬性（這里我們設置一個3 段線性信號，即 6 個點 ），如下圖此外我們還要添加一個gnd器件作為基準地信號（在analoglib中選擇）添加完器件之后如下圖（注意：電路的gnd 與標準地 gnd 之間要添加一個0V 的直流電壓）接下來連線以及給輸出端添加一個PIN ，如下圖然后按check and

17、 sav嘛存選擇 tools 中的 Analog environment彈出以下窗口，彈出以下選擇右邊工具框中的第二個 窗口這里設置仿真的停止時間（該時間根據自己具體需要填寫），然后點OK接下來設置需要看波形的那些端口outputs To Be Plotted Select On Schematic然后在要看波形的線條上單擊鼠標左鍵點一下即可點完之后該線條會變顏色以及閃爍，之前的 Analog environment 窗口的 outputs中也會出現(xiàn)相應的名稱然后點擊右邊工具欄中得倒數第三個Netlist and Run電路正確的話就會有波形點擊該圖標是分離重疊的波形 其他快捷鍵E 看 sym

18、ol 里面的電路Ctrl+E 退出看內部電路F 讓原理圖居中P PIN 管腳快捷鍵W 連線L 命名連線C 復制Q 器件屬性M 移動U 撤銷其他相關設置：設置回退次數CIW 窗口 -options-user preference多個器件屬性一起修改，用shift選中以后然后選all selected以先是only current)二、版圖設計打開 dualinv 的 schematic 電路圖，然后Tools-Design Synthesis-Layout XL之后彈出以下對話框點擊 OK 后彈出點擊 OK 就會自動彈出畫 layout 的版面此時鍵盤上按E 鍵，出現(xiàn)設置窗口這里修改分辨率， 將

19、 X Snap Spacing 和 Y Snap Spacing 修改為0.005，方便之后的畫圖。點擊OK在畫 layout 版面的菜單中選擇Design-Gen From source然后彈出以下窗口點擊 OK 即可，版面上就生成與原schematic 電路圖相對于尺寸的MOS 管，如下圖注：可以不gen from source而直接在畫版圖的版面按快捷鍵I添加layout器件，再修改尺寸，這樣也可以通過LVS（ 經過測試即使版圖中 MOS 的編號和schematic中的不同，但是最終輸出子電路中MOS管編號跟schematic是相同的）選擇那四個綠色的方框和紫色的線，按delete刪除，

20、刪除后就剩下四個 MOS管。按 shift+F 將 MOS 管轉換為可視的 layout 結構， 并用 M 快捷鍵來移動MOS 管，此時整個版面上就剩下四個 MOS管了，（ Ctrl+F可以還原為Schematic結構） 如下圖工具欄左邊的放大鏡可以放大和縮小，或者使用 快捷鍵Z（放大），shift+z縮?。ò戳?Z 鍵要選某一個區(qū)域才能放大，不是直接放大與縮小 ）接下來開始畫圖：1 、 畫 PMOS 管和 NMOS 管相連的柵極（用 LSW 窗口中得 POLY1來畫 ）選中POLY1 drw然后點版圖，然后按R（畫方框），Q屬性可以看到是dg按 S 鍵，鼠標移到矩形框的邊，就能修改矩形框。修

21、改之后讓矩形框與PMOS 管 NMOS 管的柵極對齊。（一定要對齊，不然DRC報錯 ）放大可以看到他們是否對齊，這樣的是對齊的這樣就是沒對齊。畫好 POLY1 以后如下圖2、畫金屬走線由于該電路簡單，只需要一層金屬即可，所以只需要LSW 中的 metal1在LSW中選中METAL1 drw ,然后點版圖，然后按P（走線），然后按F3（設置線寬為 0.5） ， Q 屬性可以看到是dg畫完后如下圖（注意金屬要整個覆蓋住MOS 管的 D 端 ，接觸面積大才能保證電流）3 、畫 POLY1 和 metal1 之間的連接不同材料之間相連要打孔。 比如 Metal1 和 poly1 相連， 就選 M1_P

22、OLY1 ， Metal1和 Metal2 相連就選 M2_M1 ， NMOS 的襯底接觸和體相連用 M1_SUB ， PMOS管的襯底接觸和體相連用 M1_NWELLLSW中選中poly1-drw,按P,按F3,設置為0.5寬度，畫一段poly然后在這段poly 上打孔， 按字母 O 鍵，彈出以下窗口在Contact Type這里選擇 M1_POLY1,Rows這里輸入2,然后回車（鼠標右鍵可以旋轉器件）將這個通孔放于之前的poly1 上然后 metal1 與這個通孔相連即實現(xiàn)了金屬 1 層與 poly1 之間的連接接下來輸入信號in 這里也要這樣畫，畫好之后的整體圖如下4、畫襯底接觸這里要

23、分別畫 PMOS 管的襯底接觸和 NMOS 管的襯底接觸。按快捷鍵字母 O，在Contact Type這里選擇 M1_SUB,這個是NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O,在Contact Type這里選擇M1_NWELL ,這個是PMOS管的襯 底接觸。5、給PMOS管打阱 因為現(xiàn)在是P 阱工藝，整個畫圖的版面就是一個P 型襯底，而NMOS 管是做在P型襯底上面的，所以畫NMOS管的時不需要畫阱，而畫PMOS管時要畫nwell（即它的襯底 ）， nwell 要包圍住 PMOS 管和它的襯底接觸。 在 LSW 中選中 NWELL-drw ，按 R ，畫矩形框，如下圖6 、畫管腳 PIN在 LSW

24、 中選中 metal1 pin接著點擊空白處，然后按快捷鍵 L 彈出以下窗口在 Label 這里輸入名稱（注意這個名稱要與schematic圖中節(jié)點的名稱要相同），Height這里設置字體的高度，F(xiàn)ont這里設置字體的樣式，然后按回車，將PIN 腳擺放到正確位置7、補全其它連線因為上圖并不完整，還有很多連線沒有連。 在熟悉版圖畫法之后這一步是放在前面做的，因為我們熟悉畫法后就知道哪里是VDD 、 gnd 、輸入和輸出 畫完這個 7 步驟以后點左邊工具欄的 SAVE 保存， 然后就可以進行后面的 DRC 、 LVS 和 PEX 了。補充知識 - 多層金屬連線：（以下講解兩層金屬metal1 和

25、metal2 的布線 ）由于金屬走線經常會交叉， 所以單層金屬是不夠的， 這就涉及到多層金屬的布線。metal2 drw 是金屬層 2metall和metal2之間用通孔M2_M1畫版圖一些技巧：1、所有的 MOS 管最好同方向（豎方向），不要有有橫有豎。 最好是 PMOS 管放一起 （比如一起放上面）， NMOS 管放一起（一起放下面）， 不一定是按照 schematic電路圖上的 MOS 管順序來擺放。2、走線不要穿過MOS 管，要繞過去。3、 單排襯底接觸最長不要超過100um， 比較敏感的管子要多加些接觸（兩排或多排）， 襯底接觸少了電阻會大。一般情況我們采用單排襯底（即 rows 或

26、 columns=1）4、橫線用金屬2，豎線用金屬1，金屬越寬電阻越小。 我們一般取0.5u 寬度 。寄生電容與發(fā)生寄生電容的兩導體面積成正比，因此線寬就0.5u 夠了 （能承受1mA） ，不需要再大。（TED）5、版圖的PMOS 管和 NMOS 管 源極和漏極是不區(qū)分的，上下的 poly1 都是柵極。6、 襯底接觸一般在下面畫一排接觸即可 ，對于數?；旌想娐纺硞€MOS 管是特別敏感的那用襯底全包圍。7、 走線盡可能短，盡量畫的緊湊，減少延時。8、 盡量不用POLY 來走線 ， 如果兩個柵極之間具體太長， 中間用金屬走線。 poly的長度最多是3-5um。9、同一層Metal之間的距離要大于最

27、小值 0.23um, 一般是設置成大于0.5um。比如兩條 metal1 走線之間的距離要大于 0.5um 。10、PMO管的襯底全部接VDD NMO管的襯底全部接地各種器件之間的距離：1、PMOS管和NMOS管之間的距離一般控制在1um以上，太近DRC報錯2、兩個不同電壓nwell之間的距離要大于1.4u,因此一開始要預留5um3、 Nwell 和 NMOS 管之間的距離推薦是大于1u4、Nwell和襯底接觸以及PMOS管的距離0.5u左右5、襯底接觸和mos管距離一般設置為0.5u電容和電阻器件不選擇analoglib里面的cap和res（這兩個是理想電容電阻），電 容一般選擇tsmc里面

28、的mimcap,電阻則要看電阻率等具體要求。（TED&黃）快捷鍵K尺寸距離（shift + k撤銷尺寸）S修整M移動選上后右鍵可旋轉Z放大（ctrl+z放大兩倍，shift +z縮小兩倍）Shift選擇多個器件Shift+F顯示NMOS和PMOS器件的版圖O 打孔（pmos管襯底屬性選擇 M1_NWELL nmos管選擇M1_SUB 金屬和poly打孔屬性選擇M1_POLY1）三、后端驗證和提取后端仿真首先要DRC,然后LVS,然后PEX提取寄生參數。最后用Hspice仿 真器仿真提取參數后的網表。這里主要用到的是calibre工具1、 DRC（上面工具欄中 calibre一選才i R

29、un DRC彈出下面窗口Runset DRC 時需要填入的一些設置，方便于下次RUN ，可直接取消掉DRC主要設置rules的位置和DCR Run的路徑其余的都默認Rules這里選擇TSMC庫文件中calibre文件下的calibre.drc（這里的DRC Run Directory 是自己創(chuàng)建的一個文件夾， su xuecd /home/xue mkdir drc） 這里dcr 改為 verify/dcr然后點擊Run DRC 彈出以下窗口（運行完成之后的彈出的窗口）點開看，如果是area coverage那就是覆蓋率的問題，這種錯誤不用理會。比如 上圖中得這8個錯誤是沒關系的2、Run L

30、VS同樣Runset File點取消 設置 rules 和 input 的 netlist【新】lvs改為verify/lvs -Calibre Interactive - rimLVS v2011,2 54J6l 口 1*IFile Transcript SetupHeiP1r LVS Rules FileRulesInputsl/homeienlwg/lcDesIgti/CMIIm/GalllirB.Ivs. View LoadOutputsLVS Run DirectoryRun Control/t)onwfgengliang/ic Desigrrlvs.TranscriptRun LV

31、SStart R2E國 Layer DerivationsInputs Netlist 這里選擇 Export from schematic viewer點擊 run LVS 后彈出以下窗口如果是綠色笑臉則表示LVS通過，表示版圖和schematic原理圖是匹配的，說明我們的版圖沒有畫錯。 如果是紅色臉蛋， 表示有錯誤， 那要點開看具體的錯誤說明，再排除錯誤。3、 Run PEX同樣 Runset File 點取消Rules設置新/home/gengliang/ic/verify/pexInputs-netlist 設置 Export from schematic view 選上Outputs

32、 extraction type選擇R+C（即提取寄生電阻和電容），format這里選擇 hspice（用于Hspice仿真器仿真）（如果后仿是用spectre仿真器仿真，那么format這里選擇CALIBREVIEW ）NEWOutputs reports這里 選上 generate PEX report和 View report after PEX finishesNEW然后run PEX之后在/home/xue/pex文件夾下面生成三個我們需要用到的文件list （里面是電路的網表）list.pex （里面是各個節(jié)點的寄生參數） list.DUALINV.pxi （里面是一些調用子電路的

33、命令）注：在XP系統(tǒng)下用寫字板打開可查看這三個文件的內容MOS場效應晶體管描述語句：（pex輸出的網表格式）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= val ><PS= val > <NRD= val > <NRS= val >第三節(jié)后端仿真1、用Hspice仿真器進行后仿真將上述三個文件復制到XP系統(tǒng)下面，然后新建一個dualinv.sp文件（即新建文本 文檔，后綴改成.sp）,這樣同一目錄下就有四個文件，如下將l

34、ist文件中的電路復制到dualinv.sp文件中（即藍色框內這部分）ii* Filt ： dbalinv.p«tbn.*ilisiT Crealedl: Med Amr IT 09:14zia. 2D11* Pr?gjMjcIC"t Vcriion -v20M.l_2G.15-.intlliEY diliiJ上f:人：口曰4.力更lliit，: h SiilKlCT 必a 11IW IM GNO IM OUI hk OUTWTb rp$VPD卜 GNDGND卜NEN/冊 N TA HM。d % T，« IM YIW 修喻，H VDR 口 b pch L=l.iB

35、e-07 ri=7 7e-ft7 卜11ts/、.4乎6一弓 FANlK曬KRI>-4-T MR-0.叫N_<KJT_MH2_d N_FA_MNLEjN_Vft&_irHO_b pch L£l.de 供3 由31dMe-13 4弓F5-Z.4e-Dfi NRD-4, W666T*M1 N_JA_liMUK_GICB_l«l_s h_GNDJMl_b nth L=l-fc-07 N=2.2e-O71.4LW4Gl* AS*l.M4e-13 FgLMMHNg*四加T WR5M.0W17MM3，N.WJTjn.d N.F九«（乎Bi-GM&J

36、tMi.b ikH L=L,M-館 £2,艇-M 1 y*4e-li AS-lrM4ie-13 PD-lB6fJ-06 FS-l.*Be-06 MM-4.OSI917 NR5-4.W917 ."iKUd 電. du - IE , pex, MR 111 /1&11*匚國¥. 1a; jbMd，注意：list 文件里面那兩行 include "list.pex "和include "list.DUALINV.pxi"千萬不要忘記復制過來。第一行一定要加一個“ * ”符號。然后在dualinv.sp中加激勵信號以及一些測

37、試語句即可以仿真，如下.llh 'Fx%fr*-aa Pll*niiM|Njrfii*fvi*.11 IIkalbt I-二七工 EDS 1 fi 1 * * * i tqlf 1-9-1 Q - - -u- - 3贏更H,444M/HIH to p<h MT、* 口 上.用 »T*3 MH-Q.AA6M.?出“卻承 Htft L«1.l»-H 3才“0"HI » Wi LT*我宇-次-W-H»-4. luHJ*.w.* “”-rJITiE WiKJEWB 怦 I"*"*"n 上明 |P4

38、Bd T «v*l linu* 1 Efi 韻ili酬恒 i.t 1m 4r” 看匈 m kmy mm i.itL>r> ffiij 2E1 MJt 昨* * r,g * F工下蜃茶|>試徑句.m * 工"|N3Ll-tTM . Ik! ，-M蕤I Wn BRmW 汕中用、附 t“n *-i nr* IBIG «<皿 ML-I.f rD-*fi rlsB-1-IMO 岫"端: ML"/ grl”【*，n tr*n tHU* IldC Ufl iML-t-t TD-fc fall-1* DM1U H*或卜 HL-4.

39、71; 1D-«m 中-111r（這是dualinv.sp文件）注意：Hspice不區(qū)分字母大小寫接下來用Hspice仿真器仿真這個dualinv.sp文件，然后看輸出波形，看功耗延時 參數，這些就已經是后端仿真的參數了。Attention1.1 初始值要根據實際條件修改。.include "lcfl_ pex,netllst.LCFF.pxi '*初 始 值*尚*.1g v(N S MI21 d)=0*/#冰#JJ j試平臺*"*中*.subckt bench <lkl dl q vddl vddh gndV1 i-1 Irl 47 If。FT(r

40、1r11 mn ri fc+F1.2如下圖：.subckt leff后邊是leff的端口，并不一定與前仿時自己編寫的端口順序一致，所 以需要重新根據下文測試代碼的順序做相應的改變，否則會出錯。切記！ ！ ！U ±V1Vr k I 1,-ib ' E :ryrK'psysrfClE.-J IT.subdit not! in eut vdd 工ndJHIW out Ln vctd vdd pch 1=10On v=90Cr AD=4. 32?-13 AS=4. 22e-L3 PD=2. 76t-C6FS-Z 76e_0fl rird=O. 3 nr士-仇 3JIH1 cu

41、t in grid gnd ncti 1=10On r=22CtL AD=1. 5S4e_13 AS=1. 984el3 fD=l. BSe-O6PS=L. Eae-06 nrd=_. 4=0909 htm=1例9, .ends.inUiidu y lff*_pcK. net list-,subckt leff CLE D Q VDDL VEDH CND工年D rte CLK CLE|* Q q 卡 GND GliT# VDDEVDDH* TOOLVDDLKHZ Y 3LK£ W d N CLK WH m D GM： NIU N ®D 昕匕 nchL-l. 8e-C7 啊2

42、.2e- 07+ iD=l. CjS4e-L3 蛉=2 U35&-13 PD=1. 0Ee-Q6 PS=e. 9£S67e-0& NED=4.09«17 PFS2、不同工藝角（corners）的仿真CMOS電路在生產在存在工藝偏差，一般在四個工藝角（SS、FF、FS、SF）下對電路進行仿真。具體操作如下：EFit$云亦怵白sr每. Illi -1-lYPrvgrjiii I ilrp'hjjs rf H1H _ 11.latliuje "dtaJliiKi pek .n«U.ist. p»k"此” -iLfi

43、IN （加 g。aur Ml»UI« UHUK tHDCHD IHIMMMMrt H_|H_Nin9_g H_UDi0'_NNfi_5 鼎_110）口 HNI h M> 融 Ml »T.30 17* UAL應13 冏£力/找”1唐 PO-Lw-te P1i-2-ie-6b NAA".64團/IW M_HUl_Pt13_a M_Ffi_rt«2,_g B_UDD_I«KF_& MnUDft_rtMO_b pch L-i.M-lX U二/-M*一HF r 耳禮 宿 育弋二力工1。Kg 7二必 & f

44、l*? 嬴 疝 HR ALMMfiT 刪以九仙聞7t*H M FA HN1 ri M IM Hm q N END HI4I 3 N £ND HhH b mzh L-1u«e-»? 丸%-7»* 欣T.MJMm觸聲!S，H” 嗎.咖”l» H Ml 喇方 M FB FK） q M G聃 g $ H GM6 X o ncn 1-1.的 7? U«T.3*- S7* AB-1 13 由占TA3T2 PQ-ll.tigt-lM PS-lLHBr-M哂.啊91/.J -tl* mil nu . i . attll St J URL I 州-pH

45、 iB 干”#5在.sp文件加載模型這里改成相應的corner即可3、蒙特卡羅法(Monte-Carlo)分析PVT對觸發(fā)器的影響一般的VT組合分為以下三種：-40C 2.0V; 25C 1.8V; 125C 1.6V(即電壓偏差值在正負 10%)蒙特卡羅法(Monte-Carlo)分析PVT就是取不同的電壓和溫度組合，然后進行Monte-Carlo分析，MC分析就是隨機選取器件的參數?！疽M行Monte-Carlo分析首先工藝廠商提供的仿真模型(f018.l文件)要支持Monte-Carlo分析，即里面 要有MC模型?！烤唧w操作如下：llK Mr -iWi 11口, IW七 11E , W" EciMkt 4) IMF WH CHP g OUT m QVT MF *IN心 Mi 山他 *M IH MM M_ra_HIW HIEH_|iHt_j H_UK_IM&#