N阱CMOS工藝流程_第1頁
N阱CMOS工藝流程_第2頁
N阱CMOS工藝流程_第3頁
N阱CMOS工藝流程_第4頁
N阱CMOS工藝流程_第5頁
已閱讀5頁，還剩31頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、nCMOS集成電路通常制造在盡可能重?fù)郊呻娐吠ǔＶ圃煸诒M可能重?fù)诫s硼的雜硼的P型（型（100）襯底上以減小襯底）襯底上以減小襯底電阻電阻 ,防止閂鎖效應(yīng)。防止閂鎖效應(yīng)。nCMOS工藝的第一步是在襯底上生長一工藝的第一步是在襯底上生長一層輕摻雜的層輕摻雜的P型外延層，比標(biāo)準(zhǔn)雙極工型外延層，比標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝采用的外延層薄很多。理論上藝采用的外延層薄很多。理論上CMOS工藝不需要外延層，因?yàn)楣に嚥恍枰庋訉樱驗(yàn)镸OS管可以管可以直接在直接在P型襯底上形成。外延工藝增加型襯底上形成。外延工藝增加了成本，但是采用了成本，但是采用P+襯底可以提高抗襯底可以提高抗閂鎖效應(yīng)的能力。閂鎖效應(yīng)的能力。 N阱擴(kuò)散

2、阱擴(kuò)散n使用使用N阱掩模版對甩在氧化層上的光刻阱掩模版對甩在氧化層上的光刻膠進(jìn)行光刻。膠進(jìn)行光刻。光刻光刻1，刻刻N(yùn)阱掩膜版阱掩膜版光刻光刻1，刻刻N(yùn)阱掩膜版阱掩膜版光刻膠光刻膠掩膜版掩膜版光刻光刻1，刻刻N(yùn)阱掩膜版阱掩膜版光刻光刻1，刻刻N(yùn)阱掩膜版阱掩膜版N阱阱光刻光刻2，刻有源區(qū)掩膜版，刻有源區(qū)掩膜版二氧化硅二氧化硅掩膜版掩膜版光刻光刻2，刻有源區(qū)掩膜版，刻有源區(qū)掩膜版二氧化硅二氧化硅氮化硅氮化硅掩膜版掩膜版光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版，刻多晶硅掩膜版FOX光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版，刻多晶硅掩膜版柵氧柵氧光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版，刻多晶硅掩膜版光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版，刻多晶硅掩膜版掩膜版掩膜版光刻光刻4，刻，刻P+離子注入離子注入掩膜版掩膜版掩膜版掩膜版P+光刻光刻5，刻，刻N(yùn)+離子注入離子注入掩膜版掩膜版N+PSG光刻光刻6，刻接觸孔刻接觸孔掩膜版掩膜版P+N+光刻光刻7，刻刻Al掩膜版掩膜版AlVDDVoVSS光刻光刻

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論