第五章集成門電路

1、第第3章章 集成邏輯門集成邏輯門 3.1 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 3.2 TTL集成邏輯門集成邏輯門3.3 ECL門與門與IIL電路電路3.4 MOS邏輯門邏輯門 3.5 CMOS電路電路 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性和分立元件門電路和分立元件門電路半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介PN結(jié)結(jié)二極管二極管三極管三極管場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性第三章概述第三章概述半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介 PN結(jié) 采用不同的摻雜工藝,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱PN結(jié)結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)ЫY(jié)具有單向?qū)щ娦噪娦浴?（PN

2、junction）4PN結(jié) 在 P 型半導(dǎo)體中有許多帶正電荷的空穴和帶負(fù)電荷的電離雜質(zhì)。在電場(chǎng)的作用下，空穴是可以移動(dòng)的，而電離雜質(zhì)（離子）是固定不動(dòng)的 。 N 型半導(dǎo)體中有許多可動(dòng)的負(fù)電子和固定的正離子。 當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散，電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散?？昭ê碗娮酉嘤龆鴱?fù)合，載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區(qū) 。 P 型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是負(fù)離子 ，N 型半導(dǎo)體一邊的空間電荷是正離子。正負(fù)離子在界面附近產(chǎn)生電場(chǎng)，這電場(chǎng)阻止載流子進(jìn)一步擴(kuò)散 ，達(dá)到平衡。PN結(jié) 在PN結(jié)

3、上外加一電壓 ，如果P型一邊接正極 ，N型一邊接負(fù)極，電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運(yùn)動(dòng)，使空間電荷區(qū)變窄，甚至消失，電流可以順利通過。 如果N型一邊接外加電壓的正極，P型一邊接負(fù)極，則空穴和電子都向遠(yuǎn)離界面的方向運(yùn)動(dòng)，使空間電荷區(qū)變寬，電流不能流過。這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?PN結(jié)加反向電壓時(shí) ，空間電荷區(qū)變寬 ， 區(qū)中電場(chǎng)增強(qiáng)。反向電壓增大到一定程度時(shí)，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會(huì)大到將PN結(jié)燒毀。反向電流突然增大時(shí)的電壓稱擊穿電壓。 半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介 二極管D（Diode） 晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在

4、其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。 當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，引起正向電流。 當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。 當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。 二極管正向特性正向特性 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式，稱為正向偏置。 必須說(shuō)明，當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管

5、約為0.6V）以后，二極管才能直正導(dǎo)通。 導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。 反向特性反向特性 在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，此時(shí)二極管中幾乎沒有電流流過，此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。 二極管處于反向偏置時(shí)，仍然會(huì)有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會(huì)急劇增大，二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。 半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介 三極管T（Triode） 三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)

6、PN結(jié)把半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種 從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。 其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻。 場(chǎng)效應(yīng)管 它也分N溝道管和P溝道管， 它和三極管一樣，也有三個(gè)引腳，分別是 柵極Gate，G 源極Source，S 漏極Drain

7、，D邏輯0和1： 電子電路中用高、低電平來(lái)表示。邏輯門電路：用以實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路。簡(jiǎn)稱門電路?；竞统Ｓ瞄T電路有與門、或門、非門（反相器）、與非門、或非門、與或非門和異或門等。正邏輯：高電平表示邏輯1，低電平表示0 負(fù)邏輯：低電平表示邏輯1，高電平表示00V+Vcc邏輯1邏輯00V+Vcc邏輯0邏輯1半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性獲得高、低電平的基本方法：利用半導(dǎo)體開關(guān)元件的導(dǎo)通、截止（即開、關(guān)）兩種工作狀態(tài)。1 1、二極管的開關(guān)特性二極管的開關(guān)特性二極管符號(hào)：正極負(fù)極uD 理想開關(guān)的特性： 開關(guān)S斷開時(shí)，通過開關(guān)的電流i=0,這時(shí)開關(guān)兩端點(diǎn)間呈現(xiàn)的電阻為無(wú)窮大 開關(guān)

8、S閉合時(shí)，開關(guān)兩端的電壓v=0,這時(shí)開關(guān)兩端點(diǎn)間呈現(xiàn)的電阻為零 開關(guān)S的接通或斷開動(dòng)作瞬間完成 上述開關(guān)特性不受其他因素（如溫度等）的影響 理想開關(guān)p 二極管的穩(wěn)態(tài)開關(guān)特性二極管的穩(wěn)態(tài)開關(guān)特性ViVth時(shí)，二極管導(dǎo)通。ViVth時(shí)，二極管截止，iD=0。二極管伏安特性二極管伏安特性理想二極管開關(guān)特性理想二極管開關(guān)特性二極管特性折線簡(jiǎn)化二極管特性折線簡(jiǎn)化1/kTqvsDDeIip 二極管的瞬態(tài)開關(guān)特性二極管的瞬態(tài)開關(guān)特性理想二極管開關(guān)特性理想二極管開關(guān)特性二極管瞬態(tài)開關(guān)特性二極管瞬態(tài)開關(guān)特性2 2、三、三極管的開關(guān)特性極管的開關(guān)特性 NPN型三極管截止、放大、飽和3 種工作狀態(tài)的特點(diǎn)工作狀態(tài)截

9、止放 大飽 和條 件iB00iBIBSiBIBS偏置情況發(fā)射結(jié)反偏集電結(jié)反偏uBE0，uBC0，uBC0，uBC0集電極電流iC0iCiBiCICSce間電壓uCEVCCuCEVCCiCRcuCEUCES0.3V工作特點(diǎn)ce間等效電阻很大，相當(dāng)開關(guān)斷開可變很小，相當(dāng)開關(guān)閉合p 三極管的穩(wěn)態(tài)開關(guān)特性三極管的穩(wěn)態(tài)開關(guān)特性基本單管共射電路基本單管共射電路單管共射電路直流傳輸特性單管共射電路直流傳輸特性p 三極管的瞬態(tài)開關(guān)特性三極管的瞬態(tài)開關(guān)特性3 3、場(chǎng)效應(yīng)、場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)特性管的開關(guān)特性工作原理電路轉(zhuǎn)移特性曲線輸出特性曲線uiuiGDSRD+VDDGDSRD+VDDGDSRD+VDD截止?fàn)顟B(tài)uiU

10、Tuo0 集成電路(Integrated Circuit)就是將所有的元件和連線都制作在同一塊半導(dǎo)體基片(芯片)上。集成電路分模擬和數(shù)字兩大類。 在數(shù)字集成邏輯電路中，常以“門”為最小單位。我們可按其“集成度”(一定大小的芯片上所含門的數(shù)量多少)分成： 小規(guī)模集成電路(SSI：Small Scale Integrating)，一塊芯片上含150個(gè)門。 中規(guī)模集成電路(MSI：Medium Scale Integrating),一塊芯片上含50100個(gè)門。 大規(guī)模集成電路(LSI：Large Scale Integrating),一塊芯片上含10010000個(gè)門。 超大規(guī)模集成電路(VLSI：V

11、ery Large Scale Integrating),一塊芯片上含10+410+6個(gè)門。第三章概述第三章概述 如果集成邏輯門是以雙極型晶體管(電子和空穴兩種載流子均參與導(dǎo)電)為基礎(chǔ)的，則稱為雙極型集成邏輯門電路。它主要有下列幾種類型： 晶體管晶體管邏輯(TTL：Transistor-Transistor Logic)； 高閾值邏輯(HTL：High Threshold Logic)； 射極耦合邏輯(ECL：Emitter Coupled Logic； ECL門又叫做電流開關(guān)邏輯門，即Current Switching Logic,CSL)； 集成注入邏輯(I2L ：Integrated I

12、njection Logic)。 如果集成邏輯門是以單極型晶體管(只有一種極性的載流子：電子或空穴)為基礎(chǔ)的，則稱為單極型集成邏輯門電路。目前應(yīng)用得最廣泛的是金屬氧化物半導(dǎo) 體 場(chǎng) 效 應(yīng) 管 邏 輯 電 路 ( M O S ： M e t a l O x i d e Semiconductor)。 MOS電路又可分為： PMOS(P溝道MOS)； NMOS(N溝道MOS)； CMOS(PMOSNMOS互補(bǔ))。3.1 晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性 門：具有開關(guān)作用。門：具有開關(guān)作用。門電路：具有控制信號(hào)通過或不通過能力的電路。門電路：具有控制信號(hào)通過或不通過能力的電路。一、器件的開關(guān)作用一

13、、器件的開關(guān)作用開關(guān)特性開關(guān)特性體現(xiàn)開關(guān)作用體現(xiàn)開關(guān)作用靜態(tài)特性靜態(tài)特性轉(zhuǎn)換過程轉(zhuǎn)換過程動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性理想開關(guān)特性理想開關(guān)特性Z0 短路、相當(dāng)開關(guān)閉合短路、相當(dāng)開關(guān)閉合Z 斷路、相當(dāng)開關(guān)斷開斷路、相當(dāng)開關(guān)斷開二、半導(dǎo)體二極管的開關(guān)特性二、半導(dǎo)體二極管的開關(guān)特性DRDUiV+開關(guān)作用開關(guān)作用D正偏正偏導(dǎo)通導(dǎo)通UD很小很小電路導(dǎo)通電路導(dǎo)通 UD 0.7V,硅管硅管 UD 0.3V,鍺管鍺管D反偏反偏截止截止UD很大很大電路斷開電路斷開注注:講課如不特殊說(shuō)明講課如不特殊說(shuō)明,均以硅管為例均以硅管為例.動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性D正偏時(shí)，正偏時(shí)，PN結(jié)電阻較小。加上反結(jié)電阻較小。加上反壓后，形成較大的壓后，形

14、成較大的I2；爾后，隨著結(jié)；爾后，隨著結(jié)電阻的增加，反向電流逐漸減小，直電阻的增加，反向電流逐漸減小，直至漏電流至漏電流Is。DRDUiV+iVt1V2VDIt1I2Iret21 . 0 IIs反向恢復(fù)過程反向恢復(fù)過程:反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間 tre說(shuō)明說(shuō)明: 轉(zhuǎn)換時(shí)間：截止導(dǎo)通 較小 導(dǎo)通截止較大 故D的開關(guān)時(shí)間以tre來(lái)衡量。 Vi的最高頻率以10 tre來(lái)取值。所需的時(shí)間。電流由,I 1 . 0RVI2223.3.二極管開關(guān)應(yīng)用電路二極管開關(guān)應(yīng)用電路（1）限幅電路。限幅電路是將輸入波形的一部分傳送到輸出端，而將其余部分抑制，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)脈沖波形的變換或整形。從輸出波形來(lái)看，可分為上限幅、

15、下限幅、上下限幅幾種。從電路結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)上看，限幅電路可分為串聯(lián)、并聯(lián)限幅兩種。 3.3.二極管開關(guān)應(yīng)用電路（續(xù)）二極管開關(guān)應(yīng)用電路（續(xù)）（2）鉗位電路。鉗位電路是將脈沖波形的頂部或底部鉗定在某一選定電平上。其實(shí)質(zhì)是由二極管的通斷來(lái)改變RC電路的充放電時(shí)間常數(shù)，使得電容C實(shí)現(xiàn)快充慢放或者慢充快放，達(dá)到鉗位波形的目的。三、半導(dǎo)體三極管的開關(guān)特性三、半導(dǎo)體三極管的開關(guān)特性開關(guān)作用開關(guān)作用10KVcc=5V1k Vo =30iVT截止截止飽和飽和放大放大Vbe Vbc反偏反偏， ibic 0，開關(guān)斷開。正偏反偏， ic ib， 線性放大。正偏正偏， ib Ibs ， 開關(guān)閉合。VVRRVIicesCcc

16、Ccesccbsb3 . 0 , VV開關(guān)作用（續(xù)）開關(guān)作用（續(xù)）臨界飽和臨界飽和：飽和系數(shù)飽和系數(shù)：10KVcc=5V1k Y =30iVTbsbIiB B越大，飽和越深；越大，飽和越深；反之飽和則淺反之飽和則淺VVRVIIicesCcescccbsb3 . 0 , VCcccbsbRIIi3 . 0V 說(shuō)明：說(shuō)明：因所以，臨界飽和電流是由外電路（Rc）決定的， Rc不同，臨界飽和電流是不一樣的。Vbc0 V 時(shí)，時(shí)，T處于臨界飽和處于臨界飽和例例1:計(jì)算圖示電路的臨界飽和電流。計(jì)算圖示電路的臨界飽和電流。 =30Vces=0.3VRbiVTRcReicibieVccVocc 11ccces

17、eesCsCeecccesbsCbsecccescccesbsCeVVI RIRI RI RVVI RI RVVVVIRR解：即：（ ）（ ）動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性T從：從：截止導(dǎo)通 ，建立電荷需要時(shí)間 ton導(dǎo)通截止存儲(chǔ)電荷消散需要時(shí)間 toff 開關(guān)時(shí)間開關(guān)時(shí)間:說(shuō)明說(shuō)明: 轉(zhuǎn)換時(shí)間：截止導(dǎo)通 時(shí)間ton較小 導(dǎo)通截止時(shí)間toff較大 toff中 ts占主要部分。max9 . 0cImax1 . 0cIdtrtstftcit0iVt0fsoffrdontttttt開啟 延時(shí) 上升關(guān)閉 存儲(chǔ) 下降四、基本門電路四、基本門電路對(duì)應(yīng)三種基本邏輯運(yùn)算，有三種基本門電路二極管與門（二極管與門（D與門）與門

18、）電路電路 5V A0V BFRD1D2Vcc（5V）原理原理VA VB VF D1 D20V 0V 0.7V 通通 通通0V 5V 0.7V 通通 止止5V 0V 0.7V 止止 通通5V 5V 5 V 止止 止止要分析輸入的各種狀態(tài)要分析輸入的各種狀態(tài)電位表：電位表：二極管與門二極管與門(續(xù)續(xù))VA VB VF D1 D20V 0V 0.7V 通通 通通0V 5V 0.7V 通通 止止5V 0V 0.7V 止止 通通5V 5V 5 V 止止 止止0低電位低電位1高電位高電位真值表真值表: A B F 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了與了與邏輯邏輯功能功能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了與

19、了與邏輯邏輯功能功能符號(hào)符號(hào)ABF&國(guó)標(biāo)國(guó)標(biāo) 慣用慣用 國(guó)外國(guó)外ABFABF 二極管或門（二極管或門（D或門）或門）電路電路 5V A0V BFRD1D2原理原理VA VB VF D1 D20V 0V 0V 止止 止止0V 5V 4.3V 止止 通通5V 0V 4.3V 通通 止止5V 5V 4.3V 通通 通通電位表：電位表：0低電位低電位1高電位高電位真值表真值表: A B F 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了或了或邏輯邏輯功能功能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了或了或邏輯邏輯功能功能符號(hào)符號(hào)國(guó)標(biāo)國(guó)標(biāo) 慣用慣用 國(guó)外國(guó)外FAB1ABFABF 晶體管非門晶體管非門 (反相器反相器)

20、符號(hào)符號(hào)電路電路原理原理VA VF T0V 5V 止止5V 0.3V 通通電位表：電位表：真值表真值表: A F 0 1 1 0實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了非了非邏輯邏輯功能功能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了非了非邏輯邏輯功能功能ARbRcVcc( 5V)FT國(guó)標(biāo)國(guó)標(biāo) 慣用慣用 國(guó)外國(guó)外FA1AFFA 復(fù)合門復(fù)合門把單級(jí)門電路把單級(jí)門電路級(jí)聯(lián)級(jí)聯(lián)起來(lái)起來(lái),構(gòu)成復(fù)合門構(gòu)成復(fù)合門,如如:與非門、或非門等等與非門、或非門等等。異或門YY與非門YABY或非門異或非門YYYY國(guó)標(biāo)國(guó)標(biāo) 慣用慣用 國(guó)外國(guó)外ABABABABABABABY&Y1Y=1Y=ABABABAB3.2 TTL集成邏輯門集成邏輯門 二極管-晶體三極管邏輯門（DTL）

21、集集 晶體三極管-晶體三極管邏輯門 （TTL）成成 雙極型 射極耦合邏輯門 （ECL）邏邏 集成注入邏輯門電路 （ ）輯輯 N溝道MOS門 (NMOS)門門 單極型(MOS型) P 溝道MOS門 (PMOS) 互補(bǔ)MOS門 (CMOS)LI2集成門電路按開關(guān)元件分類集成門電路按開關(guān)元件分類集成：集成：把晶體管、電阻、和導(dǎo)線等封裝在一個(gè)芯片上。一、電路一、電路CBAF+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC 多發(fā)射極多發(fā)射極輸入級(jí)輸入級(jí)中間中間倒相級(jí)倒相級(jí)推挽推挽輸出級(jí)輸出級(jí)輸入級(jí)由多發(fā)射極晶體管輸入級(jí)由多發(fā)射極晶體管T1和基極電組和基極電組R1組成，它組成，它實(shí)現(xiàn)了輸

22、入變量實(shí)現(xiàn)了輸入變量A、B、C的與運(yùn)算。的與運(yùn)算。BFRD1D3Vcc（5V）D2ACD4中間級(jí)是放大中間級(jí)是放大級(jí)，由級(jí)，由T2、R2和和R3組成，組成，T2的集電極的集電極C2和和發(fā)射極發(fā)射極E2可以可以分提供兩個(gè)相分提供兩個(gè)相位相反的電壓位相反的電壓信號(hào)信號(hào)C2E2輸出級(jí)：由輸出級(jí)：由T3、T4、T5和和R4、R5組成，其中組成，其中T3、T4構(gòu)成復(fù)合構(gòu)成復(fù)合管，與管，與T5組成推拉式輸出結(jié)構(gòu)組成推拉式輸出結(jié)構(gòu)，具有較強(qiáng)的負(fù)載能力。，具有較強(qiáng)的負(fù)載能力?！?”1VVb1=0.3+0.7=1VVb1=0.3+0.7=1V三個(gè)三個(gè)PN結(jié)結(jié)導(dǎo)通需導(dǎo)通需2.1V+5VFR4R2R13kT2R5R

23、3T3T4T1T5b1c1VVV 3.63.60.3二、工作原理二、工作原理T1T1深飽和深飽和T2T2截止截止T5T5截止截止1. 輸入有低電平（輸入有低電平（0.3V）時(shí)）時(shí)不足以讓不足以讓T2、T5導(dǎo)通導(dǎo)通+5VFR4R2R13kR5T3T4T1b1c1ABC“0”1Vuouo=5-uR2-ube3-ube4 3.6V高電平！高電平！ 1. 輸入有低電平（輸入有低電平（0.3V）時(shí)）時(shí)(續(xù)續(xù))T1T1深飽和深飽和T2T2截止截止T5T5截止截止T3T3微飽和微飽和T4T4放大放大結(jié)論結(jié)論1:輸入有低時(shí)輸入有低時(shí),輸出為高輸出為高T1:T1:倒置倒置全飽和導(dǎo)通全飽和導(dǎo)通Vb1=2.1VVc

24、1=1.4V全反偏全反偏 1V截止截止+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC 2. 輸入全為高電平（輸入全為高電平（3.6V）時(shí)）時(shí)2.1V1.4VT1管管:Ve1=3.6V Vb1=2.1V Vc1=1.4VT1管在倒置工作狀態(tài)管在倒置工作狀態(tài)3.6VT2,T5管飽和導(dǎo)通,Vce2=0.3V所以:Vc2=1VT3:放大 Vb4=0.3V T4:截止0.3VT2:T2:飽和飽和T5:T5:飽和飽和T3:T3:放大放大T4:T4:截止截止放大放大+5VFR2R13kT2R3T1T5b1c1ABC飽和飽和uF=0.3V 2. 輸入全為高電平（輸入全為高電平（3.6V）時(shí)

25、）時(shí)(續(xù)續(xù))飽和飽和3.6VT1:T1:倒置倒置T2:T2:飽和飽和T5:T5:飽和飽和T3:T3:放大放大T4:T4:截止截止結(jié)論結(jié)論2:輸入全高時(shí)輸入全高時(shí),輸出為低輸出為低T5飽和,Vce5=0.3V工作原理小結(jié)工作原理小結(jié):1. 輸入有低電平（輸入有低電平（0.3V）時(shí)）時(shí) V VF F=3.6V=3.6V2. 輸入全為高電平（輸入全為高電平（3.6V）時(shí)）時(shí) V VF F=0.3V=0.3VT1:T1:倒置倒置T2:T2:飽和飽和T3:T3:放大放大T4:T4:截止截止T5:T5:飽和飽和T1T1深飽和深飽和T2T2截止截止T3T3微飽和微飽和T4T4放大放大T5T5截止截止CBAF

26、3. 邏輯功能邏輯功能3. 輸入多發(fā)射極的作用輸入多發(fā)射極的作用 TTLTTL集成門在輸入級(jí)采用集成門在輸入級(jí)采用晶體管晶體管多發(fā)射極多發(fā)射極，其作用是其作用是: :1.1.參數(shù)一致性好參數(shù)一致性好; ;2.2.縮小體積縮小體積; ;3.3.縮短縮短T2T2從飽和向截止的轉(zhuǎn)換時(shí)間從飽和向截止的轉(zhuǎn)換時(shí)間加速轉(zhuǎn)換過程加速轉(zhuǎn)換過程。 ( (即加速輸入有全即加速輸入有全“1”1”輸入有輸入有“0”0”的轉(zhuǎn)換過程的轉(zhuǎn)換過程) )輸入多發(fā)射極的作用（續(xù)）輸入多發(fā)射極的作用（續(xù)）+5V3.60.3FR4R2R1T2R5R3T3T4T1T5b1c13.6VVc3.6V飽和飽和飽和飽和飽和到截止，需要基區(qū)電荷消

27、散時(shí)間飽和到截止，需要基區(qū)電荷消散時(shí)間1V放大區(qū)放大區(qū)集電極電流集電極電流1.4V基區(qū)電荷迅速消散基區(qū)電荷迅速消散T2截止，截止，Vc2電壓升高，電壓升高，T3導(dǎo)通，做導(dǎo)通，做電壓跟隨電壓跟隨T4進(jìn)入放大。進(jìn)入放大。集電極電流加大，集電極電流加大，T5迅速截止迅速截止由于輸入級(jí)的存在，由于輸入級(jí)的存在，T1在轉(zhuǎn)換瞬間進(jìn)入放大狀態(tài)，加速了在轉(zhuǎn)換瞬間進(jìn)入放大狀態(tài)，加速了T2的狀態(tài)轉(zhuǎn)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換，從而加速了整個(gè)電路的工作速度。換，從而加速了整個(gè)電路的工作速度。VA=VB=三、電壓傳輸特性三、電壓傳輸特性ViVo&VVVCC輸出電壓輸出電壓V VO O隨輸入電壓隨輸入電壓V Vi i變化的關(guān)系曲

28、線，即變化的關(guān)系曲線，即 V VO O = = f f(V(Vi i) )。測(cè)試電路測(cè)試電路傳輸特性曲線傳輸特性曲線1233.6VBCDE0.6V 1.4V0A 電壓傳輸特性電壓傳輸特性VuO/VuI/電壓傳輸特性分析電壓傳輸特性分析V0(V)Vi(V)1233.6VBCDE0.6V 1.4V0ABCBC段：段：線性區(qū)，當(dāng)線性區(qū)，當(dāng)0.6VV0.6VVi i1.3V1.3V，0.7VV0.7VV b2 b21.4V1.4V時(shí)，時(shí)，T T2 2開始導(dǎo)通，開始導(dǎo)通，T T5 5仍截止，仍截止，V VC2C2隨隨V Vb2b2升高而下降，經(jīng)升高而下降，經(jīng)T T3 3、T T4 4兩級(jí)射隨器使兩級(jí)射隨

29、器使V VO O下降。下降。ABAB段：段：截止區(qū)截止區(qū), ,當(dāng)當(dāng)V VI I0.6V0.6V，V Vb1b11.3V1.3V時(shí)，時(shí)，T T2 2、T T5 5截止，輸出高電平截止，輸出高電平V VOH OH = 3.6V= 3.6VCDCD段：段：轉(zhuǎn)折轉(zhuǎn)折,V Vi i=1.4V,T2=1.4V,T2、T5T5飽和。飽和。DEDE段：段：飽和區(qū)飽和區(qū),V Vi i1.4V1.4VV VO O0.3V0.3V 產(chǎn)品規(guī)范值產(chǎn)品規(guī)范值:VOH2.4V典典 型型 值值: VOH3.5V標(biāo)準(zhǔn)高電平標(biāo)準(zhǔn)高電平: VOH=VSH=2.4V 產(chǎn)品規(guī)范值產(chǎn)品規(guī)范值:VOL0.4V典典 型型 值值: VOL0.

30、3V標(biāo)準(zhǔn)低電平標(biāo)準(zhǔn)低電平: VOL=VSL=0.4V幾個(gè)參數(shù)幾個(gè)參數(shù)VOH輸出高電平：輸出高電平：VOL輸出低電平：輸出低電平：與非門輸入有低時(shí)，與非門輸入有低時(shí)，Vo VOH與非門輸入全高時(shí)，與非門輸入全高時(shí)，Vo VOL1. VOH 和和 VOL都是對(duì)具體門輸出高、低電平都是對(duì)具體門輸出高、低電平電壓值電壓值的的 要求。要求。2.高電平表示一種狀態(tài)，低電平表示另一種狀態(tài)，高電平表示一種狀態(tài)，低電平表示另一種狀態(tài)， 一種狀態(tài)對(duì)應(yīng)一定的電壓范圍，而不是一個(gè)固定值。一種狀態(tài)對(duì)應(yīng)一定的電壓范圍，而不是一個(gè)固定值。說(shuō)明：說(shuō)明：0V5V2.4VVSLVSH0.4V幾個(gè)參數(shù)（續(xù)）幾個(gè)參數(shù)（續(xù)）VOFF關(guān)

31、門電平：關(guān)門電平：VON開門電平：開門電平：VT門坎電平：門坎電平：與非門在保證輸出為高電平時(shí)，與非門在保證輸出為高電平時(shí)，允許的最大輸入低電平值。允許的最大輸入低電平值。 VOFF0.8V與非門在保證輸出為低電平時(shí)，與非門在保證輸出為低電平時(shí)，允許的最小輸入高電平值。允許的最小輸入高電平值。 VON2 VVVVVOFFONT4 . 12此時(shí)輸入有低此時(shí)輸入有低此時(shí)輸入全高此時(shí)輸入全高噪聲容限噪聲容限VSHVONVOFFVSLVNHVNL1100定義：定義：高電平噪聲容限高電平噪聲容限VNH VSH VON 2.420.4V低電平噪聲容限低電平噪聲容限VNL VOFF VSL 0.80.4V0

32、.4V在保證輸出高、低電平基本不變?cè)诒ＷC輸出高、低電平基本不變的條件下，輸入電平的允許波動(dòng)的條件下，輸入電平的允許波動(dòng)范圍稱為范圍稱為輸入端噪聲容限輸入端噪聲容限。四、輸入四、輸入/ /輸出特性輸出特性 輸入伏安特性：輸入電壓與輸入電流之間的關(guān)系曲線，輸入伏安特性：輸入電壓與輸入電流之間的關(guān)系曲線，即即ii = f（Vi）+5VR2R13kT2T1ViIR1Ii-1.4mA1.4Vii3.6ViVIISIIH=50A測(cè)試電路測(cè)試電路特性曲線特性曲線輸入伏安特性輸入伏安特性(續(xù)續(xù)1) 輸入短路電流輸入短路電流IISVi = 0V時(shí)由輸入端流出的電流。時(shí)由輸入端流出的電流。 mA. K.RVVIb

33、eCCIS413705 11+5VR2R13kT2T1ViIR1IiIIS-1.4mAVi = 01.4V時(shí)時(shí), IC1變化很小變化很小, Ii的的絕對(duì)值也只略有絕對(duì)值也只略有減少。減少。ii3.6ViV1.4V設(shè)定設(shè)定正方正方向向輸入有低輸入有低,T2截止。截止。輸入伏安特性輸入伏安特性(續(xù)續(xù)2)輸入漏電流輸入漏電流IIH（輸入高電平電流）（輸入高電平電流）+5VR2R13kT2T1ViIR1Ii-1.4mAIC1假定假定正方正方向向Vi = 3.6V時(shí)時(shí),由輸入端流入的電流。由輸入端流入的電流。IIH=50Aii3.6ViVIIS1.4VIIHVi 1.4V時(shí)時(shí), T2始始導(dǎo)通，導(dǎo)通，IC

34、1迅速增迅速增大大 Ii迅速減小。迅速減小。= 3.6V條件：前級(jí)輸出為條件：前級(jí)輸出為 低電平。低電平。R1T1+5V前級(jí)前級(jí)后級(jí)后級(jí)對(duì)前級(jí)而言，電流對(duì)前級(jí)而言，電流灌入，稱灌入，稱灌電流，灌電流，約約1.4mA（IIS）+5VR2R13kT2R3T1T5b1c1 輸入伏安特性輸入伏安特性(續(xù)續(xù)3)灌電流灌電流R1T1+5V前級(jí)前級(jí)后級(jí)后級(jí)反偏反偏+5VR4R2R5T3T4 拉拉電流電流輸入伏安特性輸入伏安特性(續(xù)續(xù)4)條件：前級(jí)輸出為條件：前級(jí)輸出為 高電平。高電平。對(duì)前級(jí)而言，電流對(duì)前級(jí)而言，電流流出，稱流出，稱拉電流，拉電流，約約50A （IIH）3.6V即輸入端通過電阻即輸入端通過電

35、阻R接地時(shí)的特性接地時(shí)的特性輸入端輸入端“1”,“0”？+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC 輸入負(fù)載特性輸入負(fù)載特性ViRIVi1K），由于分布），由于分布電容電容Co的存在，電平高低變化時(shí)充放電較慢，影的存在，電平高低變化時(shí)充放電較慢，影響其工作速度。響其工作速度。NMOS管管驅(qū)動(dòng)管驅(qū)動(dòng)管PMOS管管負(fù)載管負(fù)載管一、一、CMOS反相器反相器VDDAFSPDNGPVPVNDPSNGN漏極相連漏極相連做輸出端做輸出端PMOSPMOS管的襯底總是接到管的襯底總是接到電路的電路的最高電位最高電位NMOSNMOS管的襯底總是接到管的襯底總是接到電路的電路的最低電位最低電

36、位柵 極 相 連柵 極 相 連做輸入端做輸入端電路電路A=1導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止V=0V即即F0VDDAFVPVN工作原理工作原理設(shè)設(shè)VDD10V，A1時(shí)，時(shí)，VA10V A0時(shí)，時(shí)，VA0 VVgsP=0 VVgsN=10 V工作原理（續(xù)）工作原理（續(xù)）A=0截止截止導(dǎo)通導(dǎo)通V=10V即即F1VDDAFVPVN設(shè)設(shè)VDD10V，A1時(shí)，時(shí)，VA10V A0時(shí)，時(shí)，VA0 VVgsP=10 VVgsN=0 VA VP VN Y 0 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 1 1 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 0 結(jié)論：結(jié)論：VDDCDAB1/2VDD1/2VDDVDDOvOvIVTPVTN電壓傳輸特性電壓傳輸特性AB段：段：V

37、P導(dǎo)通，導(dǎo)通， VN截止。截止。 VO=VOHVDDCD段：段： VN導(dǎo)通，導(dǎo)通， VP截止。截止。 VO=VOL0CMOS反相器的電壓傳輸特性接近于理想的反相器。反相器的電壓傳輸特性接近于理想的反相器。BC段：段： VP、VN都導(dǎo)通，都導(dǎo)通， VP 、VN內(nèi)阻變化，內(nèi)阻變化， VO=VDD0電壓電流傳輸特性電壓電流傳輸特性)( , )(iDioVfiVfV電流傳輸特性：電流傳輸特性：ABCD1/2VDDVDDvIiDOVTN VTPAB段、段、CD段：段： 曲線對(duì)應(yīng)曲線對(duì)應(yīng)VP、VN中只有中只有一管導(dǎo)通的情況，一管導(dǎo)通的情況，CMOS管截止?fàn)顟B(tài)的漏極電流極管截止?fàn)顟B(tài)的漏極電流極小，接近于零。

38、小，接近于零。BC段：段： VP、VN兩管都導(dǎo)通，工兩管都導(dǎo)通，工作在飽和區(qū)（作在飽和區(qū)（放大狀態(tài)放大狀態(tài)），），VI=1/2VDD時(shí)電阻最小，電時(shí)電阻最小，電流達(dá)到最大值。流達(dá)到最大值。二、二、CMOS與非門與非門VDDVP2VP1VN2VN1ABF電路電路負(fù)載管并聯(lián)負(fù)載管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)管串聯(lián)驅(qū)動(dòng)管串聯(lián)工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABFA=0,B=0:設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VVgsP1= VgsP2 = 10 VVgsN1= VgsN2 = 0 VVN1、VN2：截止：截止VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1001工作原理工作原理V

39、DDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VA=0,B=0:VN1、VN2：截止：截止VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1011工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VA=0,B=0:VN1、VN2：截止：截止VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1101A=1,B=0:VP1、VN2：截止：截止VN1、VP

40、2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 V110A=0,B=0:VN1、VN2：截止：截止VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=1,B=0:VP1、VN2：截止：截止VN1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1A=1,B=1:VP1、VP2：截止：截止VN1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0工作原理（續(xù)）工作原理（續(xù)）_ABY 邏輯關(guān)系邏輯關(guān)系:A B VP1 VP2 VN1 VN2 F 0 0 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 截止截止 1

41、0 1 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 11 0 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 11 1 截止截止 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 0負(fù)載管負(fù)載管驅(qū)動(dòng)管驅(qū)動(dòng)管三、三、CMOS或非門或非門電路電路VDDVP2VP1VN2VN1ABF負(fù)載管串聯(lián)負(fù)載管串聯(lián)驅(qū)動(dòng)管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)管并聯(lián)工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VA=0,B=0:VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1VN1、VN2：截止：截止VgsN1= VgsN2 = 0 VVgsP1= VgsP2 = 10 V001工作原理工作原理VDDVP2VP

42、1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 VA=0,B=0:VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1VN1、VN2：截止：截止010A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 V100A=0,B=0:VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1VN1、VN2：截止：截止A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0A=1,B=0:F=0VP1、VN2：截止：截止VN1、VP2：導(dǎo)通

43、：導(dǎo)通工作原理工作原理VDDVP2VP1VN2VN1ABF設(shè)設(shè)VDD10V，AB1時(shí)，時(shí)，VAVB10V AB0時(shí)，時(shí)，VAVB0 V110A=0,B=0:VP1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=1VN1、VN2：截止：截止A=0,B=1:VN1、VP2：截止：截止VP1、VN2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0A=1,B=0:F=0VP1、VN2：截止：截止VN1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通A=1,B=0:VP1、VN2：截止：截止VN1、VP2：導(dǎo)通：導(dǎo)通F=0工作原理（續(xù)）工作原理（續(xù)）_BAY邏輯關(guān)系邏輯關(guān)系:A B VP1 VP2 VN1 VN2 F 0 0 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 截止截止 10 1 導(dǎo)通導(dǎo)通

44、 截止截止 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 01 0 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 截止截止 01 1 截止截止 截止截止 導(dǎo)通導(dǎo)通 導(dǎo)通導(dǎo)通 0負(fù)載管負(fù)載管驅(qū)動(dòng)管驅(qū)動(dòng)管四、四、CMOS傳輸門傳輸門(TG) 由兩個(gè)對(duì)稱的由兩個(gè)對(duì)稱的MOS管組成。管組成。傳輸模擬信號(hào)的模擬開關(guān)：傳輸模擬信號(hào)的模擬開關(guān)：VOVI+5V-5VVPVNCCvIvOvIvOCCTG1. 電路電路柵極（柵極（g）：控制端）：控制端源極（源極（S）：輸入）：輸入漏極（漏極（D）：輸出）：輸出符號(hào)：符號(hào)：ggSD工作原理工作原理 C=5V , C= +5V:所以：所以：VP，VN都都截止截止。即：。即： VI無(wú)論如何變化，無(wú)論如何變化，

45、VI, VO 之間呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，傳輸門斷開。之間呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，傳輸門斷開。設(shè)設(shè): VI5V 5VTNgsNVVVV100)55(5TPgsPVVVV010)55(55V5V+5V-5VVPVNCCvIvOgsgVP : VGSP VTP=2VVN : VGSN VTN =2V導(dǎo)通條件導(dǎo)通條件工作原理（續(xù)工作原理（續(xù)1） C=5V , C= 5V:設(shè)設(shè): VI5V 5VVVVgsN010)55(5VVVgsP100)55(55V5VVV210 VV02 V VN N 導(dǎo)通導(dǎo)通V VN N 截止截止VV20VV102V VP P 截止截止V VP P 導(dǎo)通導(dǎo)通VI5V 3VVI3V 5VVI5V

46、3VVI 3V 5V+5V-5VVPVNCCvIvOgsgVP : VGSP VTP=2VVN : VGSN VTN =2V導(dǎo)通條件導(dǎo)通條件導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止3V 5V 5V截止截止導(dǎo)通導(dǎo)通5V 3V5V工作原理（續(xù)工作原理（續(xù)2）v vI I0VN管管VP管管結(jié)論：結(jié)論： C=5V , C= 5V時(shí)，在時(shí)，在v vI I 5V 5V范圍內(nèi)，范圍內(nèi)， VN和和VP 總有一個(gè)管子導(dǎo)通，所以總有一個(gè)管子導(dǎo)通，所以 VOVI 。3. CMOS雙向模擬開關(guān)雙向模擬開關(guān)TGCvI/vOvO/vICvI/vOvO/vISW由由CMOS反相器和反相器和 CMOS傳輸門組成傳輸門組成MOS管結(jié)構(gòu)對(duì)稱，漏極和管結(jié)

47、構(gòu)對(duì)稱，漏極和源極可以互換源極可以互換,CMOS具有雙具有雙向傳輸特性。向傳輸特性。功能：功能： C1時(shí)，傳輸門導(dǎo)通，時(shí)，傳輸門導(dǎo)通， 內(nèi)阻內(nèi)阻 R1K。 C0時(shí)，傳輸門截止，時(shí)，傳輸門截止， 內(nèi)阻內(nèi)阻 R109。1五、五、CMOSCMOS系列器件系列器件4000系列系列 :基本基本CMOS門電路門電路4000B / 4500 / 5000 系列系列 :改進(jìn)改進(jìn)CMOS門電路門電路74HC/74HCT系列系列 :高速高速CMOS門電路，引腳與門電路，引腳與TTL兼容兼容Bi-CMOS (74BCT)系列門電路系列門電路: 輸入部分使用輸入部分使用CMOS電路，輸出部分使用電路，輸出部分使用TT

48、L電路，同時(shí)具有電路，同時(shí)具有CMOS門電路的低功耗和門電路的低功耗和TTL電路的高速度，兼容電路的高速度，兼容TTL門電路，傳輸延門電路，傳輸延遲可以低到遲可以低到1ns以下。以下。CC4011 中國(guó)造MC4011 美,摩托羅拉CD4011 美,無(wú)線電公司HD4011 日,日立公司（4011：2輸入端4與非門）六、邏輯門電路應(yīng)用中的幾個(gè)問題邏輯門電路應(yīng)用中的幾個(gè)問題接口的原則：接口的原則：無(wú)論何種門電路互連，都需要滿足電壓和電流的接口條件。無(wú)論何種門電路互連，都需要滿足電壓和電流的接口條件。驅(qū)動(dòng)門驅(qū)動(dòng)門(前前) 負(fù)載門負(fù)載門(后后)VOH VIH VOL nIIL 灌電流灌電流IOH nII

49、H 拉電流拉電流電壓接口電壓接口電流接口電流接口1. CMOS門電路與門電路與TTL門電路的接口門電路的接口以上數(shù)據(jù)是在以上數(shù)據(jù)是在VCC=VDD=+5V時(shí)的值時(shí)的值可以看出在可以看出在TTL門驅(qū)動(dòng)門驅(qū)動(dòng)CMOS門門時(shí)時(shí)VOH(TTL)VIH(CMOS),電壓電壓不匹配，其他情況的電壓都是匹配的。不匹配，其他情況的電壓都是匹配的。CMOS門驅(qū)動(dòng)門驅(qū)動(dòng)TTL門門時(shí)，時(shí)，IOL(CMOS)VCC時(shí)時(shí)ROC門門CMOS門門3）加晶體管驅(qū)動(dòng)）加晶體管驅(qū)動(dòng)VDDVCCR4R5T3T4T5RCRbTT：采用：采用NPN管，管，100RC：5001.5K Rb ： 4.7K 10K CMOS門驅(qū)動(dòng)門驅(qū)動(dòng)TT

50、L門門 IOL(CMOS)3.2mA的的 CC4010， IOL16mA的的CC40107等。等。3) 使用分立元件自行搭制電流放大電路（電路同前）。使用分立元件自行搭制電流放大電路（電路同前）。4）74HCT/74HC系列系列CMOS門電路可以直接驅(qū)動(dòng)門電路可以直接驅(qū)動(dòng)TTL門電路。門電路。門電路驅(qū)動(dòng)其它負(fù)載門電路驅(qū)動(dòng)其它負(fù)載驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)LEDTTLTTL門電路門電路I IOHOH很小很小, , 不適于不適于用拉電流驅(qū)動(dòng)。用拉電流驅(qū)動(dòng)。關(guān)鍵是要向關(guān)鍵是要向LED提供足夠的電流，才能使提供足夠的電流，才能使LED點(diǎn)亮點(diǎn)亮設(shè)設(shè)LEDLED需要的點(diǎn)亮電流為需要的點(diǎn)亮電流為I ID D。拉電流拉電流:DFOHIVVR 灌電流：灌電流：DOLFCCIVVVR R=?拉電流驅(qū)動(dòng)拉電流驅(qū)動(dòng)1VCCR=?灌電流驅(qū)動(dòng)灌電流驅(qū)動(dòng)1加晶體管驅(qū)動(dòng)加晶體管驅(qū)動(dòng)LEDVCCR1RbTT：采用：采用NPN管，管，100R：200 500Rb ： 4.7K 10K 感性負(fù)載主要指繼電器，主要是感性負(fù)載主要指繼電器，主要是驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)電流能力不足。能力不足。1 1）可以